三极管参数.docx

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三极管参数

三极管参数

篇一：

选用三极管（主要看的参数）t

选用三极管（主要看的参数）

当你制作一个小电路时如何选用合适的三极管呢?

当你需要一只三极管，而又找不到同型号的管子时，如何用其它型号的管子代替呢?

一、三极管的类型及材料

初学者首先必须清楚三极管的类型及材料。

常用三极管的类型有NPN型与PNP型两种。

由于这两类三极管工作时对电压的极性要求不同，所以它们是不能相互代换的。

三极管的材料有锗材料和硅材料。

它们之间最大的差异就是起始电压不一样。

锗管PN结的导通电压为0.2V左右，而硅管PN结的导通电压为0.6～0.7V。

在放大电路中如果用同类型的锗管代换同类型的硅管，或用同类型的硅管代换同类型的锗管一般是可以的，但都要在基极偏置电压上进行必要的调整，因为它们的起始电压不一样。

但在脉冲电路和开关电路中不同材料的三极管是否能互换必须具体分析，不能盲目代换。

二、三极管的主要参数

选用三极管需要了解三极管的主要参数。

若手中有一本晶体管特性手册最好。

三极管的参数很多，根据实践经验，我认为主要了解三极管的四个极限参数：

ICM、BVCEO、PCM及fT即可满足95%以上的使用需要。

1.ICM是集电极最大允许电流。

三极管工作时当它的集电极电流超过一定数值时，它的电流放大系数β将下降。

为此规定三极管的电流放大系数β变化不超过允许值时的集电极最大电流称为ICM。

所以在使用中当集电极电流IC超过ICM时不至于损坏三极管，但会使β值减小，影响电路的工作性能。

2.BVCEO是三极管基极开路时，集电极-发射极反向击穿电压。

如果在使用中加在集电极与发射极之间的电压超过这个数值时，将可能使三极管产生很大的集电极电流，这种现象叫击穿。

三极管击穿后会造成永久性损坏或性能下降。

3.PCM是集电极最大允许耗散功率。

三极管在工作时，集电极电流在集电结上会产生热量而使三极管发热。

若耗散功率过大，三极管将烧坏。

在使用中如果三极管在大于PCM下长时间工作，将会损坏三极管。

需要注意的是大功率三极管给出的最大允许耗散功率都是在加有一定规格散热器情况下的参数。

使用中一定要注意这一点。

4.特征频率fT。

随着工作频率的升高，三极管的放大能力将会下降，对应于β=1时的频率fT叫作三极管的特征频率。

三、一般小功率三极管的选用

小功率三极管在电子电路中的应用最多。

主要用作小信号的放大、控制或振荡器。

选用三极管时首先要搞清楚电子电路的工作频率大概是多少。

如中波收音机振荡器的最高频率是2MHz左右；而调频收音机的最高振荡频率为120MHz左右；电视机中VHF频段的最高振荡频率为250MHz左右；UHF频段的最高振荡频率接近1000MHz左右。

工程设计中一般要求三极管的fT大于3倍的实际工作频率。

所以可按照此要求来选择三极管的特征频率fT。

由于硅材料高频三极管的fT一般不低于50MHz，所以在音频电子电路中使用这类管子可不考虑fT这个参数。

小功率三极管BVCEO的选择可以根据电路的电源电压来决定，一般情况下只要三极管的BVCEO大于电路中电源的最高电压即可。

当三极管的负载是感性负载时，如变压器、线圈等时BVCEO数值的选择要慎重，感性负载上的感应电压可能达到电源电压的2～8倍（如节能灯中的升压三极管）。

一般小功率三极管的BVCEO都不低于15V，所以在无电感元件的低电压电路中也不用考虑这个参数。

一般小功率三极管的ICM在30～50mA之间，对于小信号电路一般可以不予考虑。

但对于驱动继电器及推动大功率音箱的管子要认真计算一下。

当然首先要了解继电器的吸合电流是多少毫安，以此来确定三极管的ICM。

当我们估算了电路中三极管的工作电流（即集电极电流），又知道了三极管集电极到发射极之间的电压后，就可根据P=U×I来计算三极管的集电极最大允许耗散功率PCM。

国产及国外生产的小功率三极管的型号极多，它们的参数有一部分是相同的，有一部分是不同的。

只要你根据以上分析的使用条件，本着“大能代小”的原则（即BVCEO高的三极管可以代替BVCEO低的三极管；ICM大的三极管可以代替ICM小的三极管等），就可对三极管应用自如了。

四、大功率三极管的选用

对于大功率三极管，只要不是高频发射电路，我们都不必考虑三极管的特征频率fT。

对于三极管的集电极-发射极反向击穿电压BVCEO这个极限参数的考虑与小功率三极管是一样的。

对于集电极最大允许电流ICM的选择主要也是根据三极管所带的负载情况而计算的。

三极管的集电极最大允许耗散功率PCM是大功率三极管重点考虑的问题，需要注意的是大功率三极管必须有良好的散热器。

即使是一只四五十瓦的大功率三极管，在没有散热器时，也只能经受两三瓦的功率耗散。

大功率三极管的选择还应留有充分的余量。

另外在选择大功率三极管时还要考虑它的安装条件，以决定选择塑封管还是金属封装的管子。

如果你拿到一只三极管又无法查到它的参数，可以根据它的外形来推测一下它的参数。

目前小功率三极管最多见的是TO-92封装的塑封管，也有部分是金属壳封装。

它们的PCM一般在100～500mW之间，最大的不超过1W。

它们的ICM一般在50～500mA之间，最大的不超过1.5A。

而其它参数是不好判断的。

在修理电子设备中还会遇到形形色色的半导体元器件，它们的替换还需查阅有关手册。

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篇二：

三极管的参数解释

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△λ---光谱半宽度

△VF---正向压降差

△Vz---稳压范围电压增量

av---电压温度系数

a---温度系数

BVcer---基极与发射极串接一电阻，CE结击穿电压

BVcbo---发射极开路，集电极与基极间击穿电压

BVceo---基极开路，CE结击穿电压

BVces---基极与发射极短路CE结击穿电压

BVebo---集电极开路EB结击穿电压

Cib---共基极输入电容

Cic---集电结势垒电容

Cieo---共发射极开路输入电容

Cies---共发射极短路输入电容

Cie---共发射极输入电容

Cjo/Cjn---结电容变化

Cjo---零偏压结电容

Cjv---偏压结电容

Cj---结（极间）电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容CL---负载电容（外电路参数）

Cn---中和电容（外电路参数）

Cob---共基极输出电容。

在基极电路中，集电极与基极间输出电容

Coeo---共发射极开路输出电容

Coe---共发射极输出电容

Co---零偏压电容

Co---输出电容

Cp---并联电容（外电路参数）

Cre---共发射极反馈电容

Cs---管壳电容或封装电容

CTC---电容温度系数

CTV---电压温度系数。

在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比Ct---总电容Cvn---标称电容

di/dt---通态电流临界上升率

dv/dt---通态电压临界上升率

D---占空比ESB---二次击穿能量

fmax---最高振荡频率。

当三极管功率增益等于1时的工作频率

fT---特征频率

f---频率

hRE---共发射极静态电压反馈系数

hFE---共发射极静态电流放大系数

hfe---共发射极小信号短路电压放大系数

hIE---共发射极静态输入阻抗

hie---共发射极小信号短路输入阻抗

hOE---共发射极静态输出电导

hoe---共发射极小信号开路输出导纳

hre---共发射极小信号开路电压反馈系数

IAGC---正向自动控制电流

IB2---单结晶体管中的基极调制电流

IBM---在集电极允许耗散功率的范围内，能连续地通过基极的直流电流的最大值，或交流电流的最大平均值

IB---基极直流电流或交流电流的平均值

Icbo---基极接地，发射极对地开路，在规定的

VCB反向电压条件下的集电极与基极之间的反向截止电流

Iceo---发射极接地，基极对地开路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流

Icer---基极与发射极间串联电阻R，集电极与发射极间的电压

VCE为规定值时，集电极与发射极之间的反向截止电流

Ices---发射极接地，基极对地短路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流

Icex---发射极接地，基极与发射极间加指定偏压，在规定的反向偏压VCE下，集电极与发射极之间的反向截止电流

ICMP---集电极最大允许脉冲电流

ICM---集电极最大允许电流或交流电流的最大平均值。

ICM---最大输出平均电流Ic---集电极直流电流或交流电流的平均值IDR---晶闸管断态平均重复电流ID---暗电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流Iebo---基极接地，集电极对地开路，在规定的反向电压VEB条件下，发射极与基极之间的反向截止电流IEM---发射极峰值电流IE---发射极直流电流或交流电流的平均值IF（AV）---正向平均电流IF（ov）---正向过载电流IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。

在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。

发光二极管极限电流。

IFMP---正向脉冲电流IFRM---正向重复峰值电流IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流）IF---正向直流电流（正向测试电流）。

锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流iF---正向总瞬时电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IGT---晶闸管控制极触发电流IH---恒定电流、维持电流。

Ii---发光二极管起辉电流IL---光电流或稳流二极管极限电流IOM---最大正向（整流）电流。

在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流Iop---工作电流Io---整流电流。

在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IP---峰点电流IR

（AV）---反向平均电流IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。

在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。

IRM---反向峰值电流Irp---反向恢复电流IRRM---反向重复峰值电流IRR---晶闸管反向重复平均电流IRSM---反向不重复峰值电流（反向浪涌电流）ir---反向恢复电流iR---反向总瞬时电流ISB---二次击穿电流Is---稳流二极管稳定电流IV---谷点电流Izk---稳压管膝点电流IZM---最大稳压电流。

在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流IZSM---稳压二极管浪涌电流Iz---稳定电压电流（反向测试电流）。

测试反向电参数时，给定的反向电流n---电容变化指数；电容比PB---承受脉冲烧毁功率PCM---集电极最大允许耗散功率Pc---集电极耗散功率PC---控制极平均功率或集电极耗散功率Pd---耗散功率PFT（AV）---正向导通平均耗散功率PFTM---正向峰值耗散功率PFT---正向导通总瞬时耗散功率PGM---门极峰值功率PG---门极平均功率Pi---输入功率Pi---输入功率PK---最大开关功率PMP---最大漏过脉冲功率PMS---最大承受脉冲功率PM---额定功率。

硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率Pn---噪声功率Pomax---最大输出功率Posc---振荡功率Po---输出功率Po---输出功率PR---反向浪涌功率Psc---连续输出功率PSM---不重复浪涌功率Ptot---总耗散功率Ptot---总耗散功率PZM---最大耗散功率。

在给定使用条件下，稳压二极管允许承受的最大功率Q---优值（品质因素）rδ---衰减电阻R（th）ja----结到环境的热阻R（th）jc---结到壳的热阻r（th）---瞬态电阻rbb分钟Cc---基极-集电极时间常数，即基极扩展电阻与集电结电容量的乘积rbb分钟---基区扩展电阻（基区本征电阻）RBB---双基极晶体管的基极间电阻RBE---外接基极-发射极间电阻（外电路参数）RB---外接基极电阻（外电路参数）Rc---外接集电极电阻（外电路参数）RE---射频电阻RE---外接发射极电阻（外电路参数）RF（r）---正向微分电阻。

在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性。

在某一正向电压下，电压增加微小量△V，正向电流相应增加△I，则△V/△I称微分电阻RG---信号源内阻rie---发射极接地，交流输出短路时的输入电阻RL---负载电阻RL---负载电阻（外电路参数）roe---发射极接地，在规定VCE、Ic或IE、频率条件下测定的交流输入短路时的输出电阻Rs（rs）----串联电阻Rth---热阻Rth----热阻Rz（ru）---动态电阻Ta---环境温度Ta---环境温度Tc---管壳温度Tc---壳温td---延迟时间td----延迟时间tfr---正向恢复时间tf---下降时间tf---下降时间

tgt---门极控制极开通时间tg---电路换向关断时间Tjm---最大允许结温Tjm---最高结温Tj---结温toff---关断时间toff---关断时间ton---开通时间ton---开通时间

trr---反向恢复时间tr---上升时间tr---上升时间tstg---温度补偿二极管的贮成温度Tstg---贮存温度ts---存储时间ts---存贮时间Ts---结温Vn---噪声电压Vv---谷点电压V（BR）---击穿电压VAGC---正向自动增益控制电压VB2B1---基极间电压VBB---基极（直流）电源电压（外电路参数）VBE（sat）---发射极接地，规定Ic、IB条件下，基极-发射极饱和压降（前向压降）VBE10---发射极与第一基极反向电压VBE---基极发射极（直流）电压VB---反向峰值击穿电压VCBO---基极接地，发射极对地开路，集电极与基极之间在指定条件下的最高耐压VCB---集电极-基极（直流）电压Vcc---集电极（直流）电源电压（外电路参数）VCE（sat）---发射极接地，规定Ic、IB条件下的集电极-发射极间饱和压降VCEO---发射极接地，基极对地开路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压VCER---发射极接地，基极与发射极间串接电阻R，集电极与发射极间在指定条件下的最高耐压VCES---发射极接地，基极对地短路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压VCEX---发射极接地，基极与发射极之间加规定的偏压，集电极与发射极之间在规定条件下的最高耐压VCE---集电极-发射极（直流）电压Vc---整流输入电压VDRM---断态重复峰值电压VEBO---基极接地，集电极对地开路，发射极与基极之间在指定条件下的最高耐压VEB---饱和压降VEE---发射极（直流）电源电压（外电路参数）VF（AV）---正向平均电压VFM---最大正向压降（正向峰值电压）VF---正向压降（正向直流电压）VGD---门极不触发电压VGFM---门极正向峰值电压VGRM---门极反向峰值电压VGT---门极触发电压Vk---膝点电压（稳流二极管）VL---极限电压Vn（p-p）---输入端等效噪声电压峰值Vn---中心电压VOM---最大输出平均电压Vop---工作电压Vo---交流输入电压Vp---穿通电压。

Vp---峰点电压VRM---反向峰值电压（最高测试电压）VRRM---反向重复峰值电压（反向浪涌电压）VRWM---反向工作峰值电压VR---反向工作电压（反向直流电压）VSB---二次击穿电压Vs---通向电压（信号电压）或稳流管稳定电流电压Vth---阀电压（门限电压）Vz---稳定电压δvz---稳压管电压漂移η---单结晶体管分压比或效率λp---发光峰值波长下载本文档需要登录，并付出相应积分。

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篇三：

经典三极管参数

各种三极管参数大全经典

品名极性管脚功能参数

MPSA42NPN21E电话视频放大300V0.5A0.625WMPSA92PNP21E电话视频放大300V0.5A0.625W

MPS2222ANPN21高频放大75V0.6A0.625W300MHZ9011NPNEBC高频放大50V30mA0.4W150MHz

9012PNP低频放大50V0.5A0.625W

9013NPNEBC低频放大50V0.5A0.625W

9013NPN低频放大50V0.5A0.625W

9014NPNEBC低噪放大50V0.1A0.4W150MHZ

9015PNPEBC低噪放大50V0.1A0.4W150MHZ

9018NPNEBC高频放大30V50MA0.4W1GHZ

8050NPNEBC高频放大40V1.5A1W100MHZ

8550PNPEBC高频放大40V1.5A1W100MHZ

2N2222NPN4A高频放大60V0.8A0.5W25/200NSβ=452N2222ANPN小铁高频放大75V0.6A0.625W300MHZ2N2369NPN4A开关40V0.5A0.3W800MHZ

2N2907NPN4A60V0.6A0.4W26/70NSβ=2002N3055NPN12功率放大100V15A115W

2N3440NPN6视放开关450V1A1W15MHZ

2N3773NPN12音频功放开关160V16A150WCOP2N66092N3904NPN21E60V0.2Aβ=100-400

2N3906PNP21E40V0.2Aβ=100-400

2N5401PNP21E视频放大160V0.6A0.625W100MHZ2N5551NPN21E视频放大160V0.6A0.625W100MHZ2N5685NPN12音频功放开关60V50A300W

2N6277NPN12功放开关180V50A250W

2N6609PNP12音频功放开关160V15A150WCOP2N3773品名极性管脚功能参数

2N6678NPN12音频功放开关650V15A175W15MHZ2N6718NPN小铁音频功放开关100V2A2W50MHZ3DA87ANPN6视频放大100V0.1A1W

3DG6ANPN615V20mA0.1W100MHz

3DG6BNPN620V20mA0.1W150MHz

3DG6CNPN620V20mA0.1W250MHz

3DG6DNPN6通用30V20mA0.1W150MHz

3DG12CNPN745V0.3A0.7W200MHz

3DK2BNPN7开关30V30mA0.2W

3DK4BNPN7开关40V0.8A0.7W

3DK7CNPN7开关25V50mA0.3W

3DD15DNPN12电源开关300V5A50W

3DD102CNPN12电源开关300V5A50W

3522V5.2V稳压管录像机用

A634PNP28E音频功放开关40V2A10W

A708PNP6NF/S80V0.7A0.8W

A715CPNP29音频功放开关35V2.5A10W160MHZA733PNP2150V0.1A180MHZ

A741PNP4S20V0.1A　　A781PNP39B开关20V0.2A　　A928PNPECB20V1A0.25W

A933PNP21Uni50V0.1A140MHz

A940PNP28音频功放开关150V1.5A25W4MHZ/C2073A950PNP21通用30V0.8A0.6W

A966PNP21音频激励输出30V1.5A0.9WCOP:

C2236

A968PNP28音频功放开关160V1.5A25W100MHZ/C2238A1009PNPBCE功放开关350V2A15W

A1012PNP28音频功率放60V5A25W

A1013PNP21视频放大160V1A0.9W

A1015PNP2160V0.15A0.4W8MHZ

品名极性管脚功能参数

A1020PNP21音频开关50V2A0.9W

A1123PNP21低噪放大150V0.05A0.75W

A1162PNP21d通用贴片50V0.15A0.15W

A1216PNPBCE功放开关180V17A200W20MHZ/2922A1220PNP29音频功放开关120V1.5A20W150MHZ/C2690A1265PNPBCE功放开关140V10A100W30MHZ/C3182A1295PNPBCE功放开关230V17A200W30MHZ/C3264A1301PNPBCE功放开关160V10A100W30MHZ/C3280A1302PNPBCE功放开关200V15A150W30MHZ/C3281A1358?

PNP高频120V1A10W120MHZ

A1444PNPBCE高速电源开关100V15A30W80MHZ

A1494PNPBCE功放开关200V17A200W20MHZ/C3858A1516PNPBCE功放开关180V12A130W25MHZA1668PNP28B电源开关200V2A25W20MHZ

A1785PNPBCE驱动400V1A1W/120V1A0.9W140MHA1941PNPBCE功放开关140V10A100WCOP:

5198A1943PNPBCE功放开关230V15A150W/C5200原A1988PNP30功放开关

B449PNP12功放开关50V3.5A22.5W锗管

B631KPNP29音频功放开关120V1A8W130MHZ/D600KB647PNP21120V1A0.9W140MHZ/D667

B649