IC制程专业词汇.docx
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IC制程专业词汇
页次
英文名称
中文名称
1
ActiveArea
主动区（工作区）
2
ACETONE
丙酮
3
ADI
显影后检查
4
AEI
蚀刻后检查
5
AIRSHOWER
空气洗尘室
6
ALIGNMENT
对准
7
ALLOY/SINTER
熔合
8
AL/SI
铝/硅靶
9
AL/SI/CU
铝/硅/铜
10
ALUMINUN
铝
11
ANGLELAPPING
角度研磨
12
ANGSTRON
埃
13
APCVD（ATMOSPRESSURE）
常压化学气相沈积
14
AS75
砷
15
ASHING，STRIPPING
电浆光阻去除
16
ASSEMBLY
晶粒封装
17
BACKGRINDING
晶背研磨
18
BAKE,SOFTBAKE,HARDBAKE
烘烤，软烤，预烤
19
BF2
二氟化硼
20
BOAT
晶舟
21
B.O.E
缓冲蚀刻液
22
BONDINGPAD
焊垫
23
BORON
硼
24
BPSG
含硼及磷的硅化物
25
BREAKDOWNVOLTAGE
崩溃电压
26
BURNIN
预烧试验
27
CAD
计算机辅助设计
28
CDMEASUREMENT
微距测试
29
CH3COOH
醋酸
30
CHAMBER
真空室,反应室
31
CHANNEL
通道
32
CHIP,DIE
晶粒
33
CLT（CARRIERLIFETIME）
截子生命周期
34
CMOS
互补式金氧半导体
35
COATING
光阻覆盖
36
CROSSSECTION
横截面
37
C-VPLOT
电容,电压圆
38
CWQC
全公司质量管理
39
CYCLETIME
生产周期时间
40
CYCLETIME
生产周期时间
41
DEFECTDENSITY
缺点密度
42
DEHYDRATIONBAKE
去水烘烤
43
DENSIFY
密化
44
DESCUM
电浆预处理
45
DESIGNRULE
设计规范
46
EDSIGNRULE
设计准则
47
DIEBYDIEALIGNMENT
每FIELD均对准
48
DIFFUSION
扩散
49
DIWATER
去离子水
50
DOPING
参入杂质
51
DRAM,SRAM
动态,静态随机存取内存
52
DRIVEIN
驱入
53
E-BEAMLITHOGRAPHY
电子束微影技术
54
EFR（EARLYFAILURERATE）
早期故障率
55
ELECTROMIGRATION
电子迁移
56
ELECTRON/HOLE
电子/电洞
57
ELLIPSOMETER
椭圆测厚仪
58
EM（ELECTROMIGRATIONTEST）
电子迁移可靠度测试
59
ENDPOINTDETECTOR
终点侦测器
60
ENERGY
能量
61
EPIWAFER
磊晶芯片
62
EPROM（ERASABLE-PROGRAMMABLEROM）
电子可程序只读存储器
63
ESD
ELECTROSTATICDAMAGE
ELECTROSTATICDISCHARGE
静电破坏
静电放电
64
ETCH
蚀刻
65
EXPOSURE
曝光
66
FABRICATION（FAB）
制造
67
FBFC（FULLBITFUNCTIONCHIP）
全功能芯片
68
FIELD/MOAT
场区
69
FILTRATION
过滤
70
FIT（FAILUREINTIME）
71
FOUNDRY
客户委托加工
72
FOURPOINTPROBE
四点侦测
73
F/S（FINESONICCLEAN）
超音波清洗
74
FTIR
傅氏转换红外线光谱分析仪
75
FTY（FINALTESTYIELD）
76
FUKEDEFECT
77
GATEOXIDE
闸极氧化层
78
GATEVALVE
闸阀
79
GEC（GOODELECTRICALCHIP）
优良电器特性芯片
80
GETTERING
吸附
81
G-LINE
G-光线
82
GLOBALALIGNMENT
整片性对准与计算
83
GOI（GATEOXIDEINTEGRITY）
闸极氧化层完整性
84
GRAINSIZE
颗粒大小
85
GRRSTUDY（GAUGEREPEATABILITYANDREPRODUUCIBILITY）
测量仪器重复性与再现性之研究
86
H2SO4
硫酸
87
H3PO4
磷酸
88
HCL
氯化氢（盐酸）
89
HEPA
高效率过滤器
90
HILLOCK
凸起物
91
HMDS
HMDS蒸镀
92
HNO3
硝酸
93
HOTELECTRONEFFECT
热电子效应
94
I-LINESTEPPER
I-LINE步进对准曝光机
95
IMPURITY
杂质
96
INTEGRATEDCIRCUIT（IC）
集成电路
97
IONIMPLANTER
离子植入机
98
IONIMPLANTATION
离子植入
99
ISOTROPICETCHING
等向性蚀刻
100
ITY（INTEGRATEDTESTYIELD）
101
LATCHUP
栓锁效应
102
LAYOUT
布局
103
LOADLOCK
传送室
104
LOTNUMBER
批号
105
LPCVD（LOWPRESSURE）
低压化学气相沈积
106
LPSINTER
低压烧结
107
LPY（LASERPROBEYIELD）
雷射修补前测试良率
108
MASK
光罩
109
MICRO,MICROMETER,MICRON
微，微米
110
MISALIGN
对准不良
111
MOS
金氧半导体
112
MPY（MULTIPROBEYIELD）
多功能侦测良率
113
MTBF（MEANTIMEBETWEENFAILURE）
114
N2,NITROGEN
氮气
115
N,PTYPESEMICONDUCTOR
N,P型半导体
116
NSG（NONDOPEDSILICATEGLASS）
无参入杂质硅酸盐玻璃
117
NUMERICALAPERTURE（N.A.）
数值孔径
118
OEB（OXIDEETCHBACK）
氧化层平坦化蚀刻
119
OHMICCONTACT
奥姆接触
120
ONO（OXIDENITRIDEOXIDE）
氧化层-氮化层-氧化层
121
OPL（OPLIFE）（OPERATIONLIFETEST）
使用期限（寿命）
122
OXYGEN
氧气
123
P31
磷
124
PARTICLECONTAMINATION
尘粒污染
125
PARTICLECOUNTER
尘粒计数器
126
PASSIVATIONOXIDE（P/O）
护层
127
P/D（PARTICLEDEFECT）
尘粒缺陷
128
PECVD
电浆CVD
129
PELLICLE
光罩护膜
130
PELLICLE
光罩保护膜
131
PH3
氢化磷
132
PHOTORESIST
光阻
133
PILOTWAFER
试作芯片
134
PINHOLE
针孔
135
PIRANHACLEAN
过氧硫酸清洗
136
PIX
聚酰胺膜
137
PLASMAETCHING
电将蚀刻
138
PM（PREVENTIVEMAINTENANCE）
定期保养
139
POCL3
三氯氧化磷
140
POLYSILICON
复晶硅
141
POX
聚酰胺膜含光罩功能
142
PREHEAT
预热
143
PRESSURE
压力
144
REACTIVEIONETCHING（R.I.E.）
活性离子蚀刻
145
RECIPE
程序
146
REFLOW
回流
147
REGISTRATIONERROR
注记差
148
RELIABILITY
可靠性
149
REPEATDEFECT
重复性缺点
150
RESISTIVITY
阻值
151
RESOLUTION
解析力
152
RETICLE
光罩
153
REWORK/SCRAP/WAIVE
修改/报废/签过
154
RUNIN/OUT
挤进/挤出
155
SCRUBBER
刷洗机
156
SAD
（SOFTWAREDEFECTANALYSIS）
缺陷分析软件
157
SEM
（SCANNINGELECTRONMICROSCOPE）
电子显微镜
158
SELECTIVITY
选择性
159
SILICIDE
硅化物
160
SILICIDE
金属硅化物
161
SILICON
硅
162
SILICONNITRIDE
氯化硅
163
SMS
（SEMICODUCTORMANUFACTURINGSYSTEMS）
半导体制造系统
164
SOFTWARE,HARDWARE
软件,硬件
165
S.O.G.（SPINONGLASS）
旋制氧化硅
166
S.O.J.
（SMALLOUTLINEJ-LEADPACKAGE）
缩小型J形脚包装IC
167
SOLVENT
溶剂
168
SPECIFICATION（SPEC）
规范
169
SPICEPARAMETER
SPIC参数
170
S.R.A
（SPREADINGRESISTENCEANALYSIS）
展布电阻分析
171
SPUTTERING
溅镀
172
SSER
（SYSTEMSOFTERRORRATETEST）
系统暂时性失效比率测试
173
STEPCOVERAGE
阶梯覆盖
174
STEPPER
步进式对准机
175
SURFACESTSTES
表面状态
176
SWR（SPECIALWORKREQUEST）
177
TARGET
靶
178
TDDB
（TIMEDEPENDENTDIELECTRICBREAKDOWN）
介电质层崩贵的时间依存性
179
TECN（TEMPORARYENGINEERINGCHANGENOTICE）
临时性制程变更通知
180
TEOS
（TETRAETHYLORTHOSILICATE）
四乙基氧化硅
181
THRESHOLDVILTAGE
临界电压
182
THROUGHPUT
产量
183
TMP
（TIMEMORYPROTOTYPE，TMS-XTIMEMORYSTANDARDPRODUCT）
TI记忆产品样品（原型），TI内存标准产品
184
TOX
氧化层厚度
185
TROUBLESHOOTING
故障排除
186
UNDERCUT
底切度
187
UNIFORMITY
均匀度
188
VACUUM
真空
189
VACUUMPUMP
真空帮浦
190
VERNIER
游标尺
191
VIACONTACT
连接窗
192
VISCOSITY
黏度
193
VLF
（VERTICALLAMINARFLOW）
垂直流层
194
WELL/TANK
井区
195
WLRC
（WAFERLEVELRELIABILITYCONTROL）
晶圆层次（厂内）可靠度控制
196
WLQC（WAFERLEVELQUALITYCONTROL）
晶圆层次（厂内）质量控制
197
X-RAYLITHOGRAPHY
X光微影技术
198
YELLOWROOM
黄光室
页次
英文名称
中文名称
解析
1
ActiveArea
主动区（工作区）
主动晶体管（ACTIVETRANSISTOR）被制造的区域即所谓的主动区（ACTIVEAREA）。
在标准之MOS制造过程中ACTIVEAREA是由一层氮化硅光罩即等接氮化硅蚀刻之后的局部场区氧化所形成的，而由于利用到局部场氧化之步骤，所以ACTIVEAREA会受到鸟嘴（BIRD'SBEAK）之影响而比原先之氮化硅光罩所定义的区域来的小，以长0.6UM之场区氧化而言，大概会有0.5UM之BIRD'SBEAK存在，也就是说
ACTIVEAREA比原在之氮化硅光罩所定义的区域小0.5UM。
2
ACTONE
丙酮
1.丙酮是有机溶剂的一种，分子式为CH3COCH3。
2.性质为无色，具刺激性及薄荷臭味之液体。
3.在FAB内之用途，主要在于黄光室内正光阻之清洗、擦拭。
4.对神经中枢具中度麻醉性，对皮肤黏膜具轻微毒性，长期接触会引起皮肤炎，吸入过量之丙酮蒸汽会刺激鼻、眼结膜及咽喉黏膜，甚至引起头痛、恶心、呕吐、目眩、意识不明等。
5.允许浓度1000PPM。
3
ADI
显影后检查
1.定义：
AfterDevelopingInspection之缩写
2.目的：
检查黄光室制程；光阻覆盖→对准→曝光→显影。
发现缺点后，如覆盖不良、显影不良…等即予修改，以维护产品良率、质量。
3.方法：
利用目检、显微镜为之。
4
AEI
蚀刻后检查
1.定义：
AEI即AfterEtchingInspection，在蚀刻制程光阻去除前及光阻去除后，分别对产品实施全检或抽样检查。
2.目的：
2-1提高产品良率，避免不良品外流。
2-2达到质量的一致性和制程之重复性。
2-3显示制程能力之指针
2-4阻止异常扩大，节省成本
3.通常AEI检查出来之不良品，非必要时很少作修改，因为重去氧化层或重长氧化层可能造成组件特性改变可靠性变差、缺点密度增加，生产成本增高，以及良率降低之缺点。
5
AIRSHOWER
空气洗尘室
进入洁净室之前，需穿无尘衣，因在外面更衣室之故，无尘衣上沾着尘埃，故进洁净室之前，需经空气喷洗机将尘埃吹掉。
6
ALIGNMENT
对准
1.定义：
利用芯片上的对准键，一般用十字键和光罩上的对准键合对为之。
2.目的：
在IC的制造过程中，必须经过6~10次左右的对准、曝光来定义电路图案，对准就是要将层层图案精确地定义显像在芯片上面。
3.方法：
A.人眼对准
B.用光、电组合代替人眼，即机械式对准。
7
ALLOY/SINTER
熔合
Alloy之目的在使铝与硅基（SiliconSubstrate）之接触有Ohmic特性，即电压与电流成线性关系。
Alloy也可降低接触的阻值。
8
AL/SI
铝/硅靶
此为金属溅镀时所使用的一种金属合金材料利用Ar游离的离子，让其撞击此靶的表面，把Al/Si的原子撞击出来，而镀在芯片表面上，一般使用之组成为Al/Si（1%），将此当作组件与外界导线连接。
9
AL/SI/CU
铝/硅/铜
金属溅镀时所使用的原料名称，通常是称为TARGET，其成分为0.5﹪铜，1﹪硅及98.5﹪铝，一般制程通常是使用99﹪铝1﹪硅，后来为了金属电荷迁移现象（ELECTROMIGRATION）故渗加0.5﹪铜，以降低金属电荷迁移。
10
ALUMINUN
铝
此为金属溅镀时所使用的一种金属材料，利用Ar游离的离子，让其撞击此种材料做成的靶表面，把Al的原子撞击出来，而镀在芯片表面上，将此当作组件与外界导线之连接。
11
ANGLELAPPING
角度研磨
AngleLapping的目的是为了测量Junction的深度，所作的芯片前处理，这种采用光线干涉测量的方法就称之AngleLapping。
公式为Xj=λ/2NF即Junction深度等于入射光波长的一半与干涉条纹数之乘积。
但渐渐的随着VLSI组件的缩小，准确度及精密度都无法因应。
如SRP（SpreadingResistancePrqbing）也是应用AngleLapping的方法作前处理，采用的方法是以表面植入浓度与阻值的对应关系求出Junction的深度，精确度远超过入射光干涉法。
12
ANGSTRON
埃
是一个长度单位，其大小为1公尺的百亿分之一，约为人的头发宽度之五十万分之一。
此单位常用于IC制程上，表示其层（如SiO2，Poly，SiN….）厚度时用。
13
APCVD（ATMOSPRESSURE）
常压化学气相沈积
APCVD为Atmosphere（大气），Pressure（压力），Chemical（化学），Vapor（气相）及Deposition（沈积）的缩写，也就是说，反应气体（如SiH4（g），B2H6（g），和O2（g））在常压下起化学反应而生成一层固态的生成物（如BPSG）于芯片上。
14
AS75
砷
自然界元素之一；由33个质子，42个中子即75个电子所组成。
半导体工业用的砷离子（As＋）可由AsH3气体分解得到。
砷是N-TYPEDOPANT常用作N-场区、空乏区及S/D植入。
15
ASHING，STRIPPING
电浆光阻去除
1.电浆预处理，系利用电浆方式（Plasma），将芯片表面之光阻加以去除。
2.电浆光阻去除的原理，系利用氧气在电浆中所产生只自由基（Radical）与光阻（高分子的有机物）发生作用，产生挥发性的气体，再由帮浦抽走，达到光阻去除的目的。
3.电浆光组的产生速率通常较酸液光阻去除为慢，但是若产品经过离子植入或电将蚀刻后，表面之光组或发生碳化或石墨化等化学作用，整个表面之光阻均已变质，若以硫酸吃光阻，无法将表面已变质之光阻加以去除，故均必须先以电浆光阻去除之方式来做。
16
ASSEMBLY
晶粒封装
以树酯或陶瓷材料，将晶粒包在其中，以达到保护晶粒，隔绝环境污染的目的，而此一连串的加工过程，即称为晶粒封装（Assembly）。
封装的材料不同，其封装的作法亦不同，本公司几乎都是以树酯材料作晶粒的封装，制程包括：
芯片切割→晶粒目检→晶粒上「架」（导线架，即Leadframe）→焊线→模压封装→稳定烘烤（使树酯物性稳定）→切框、弯脚成型→脚沾锡→盖印→完成。
以树酯为材料之IC，通常用于消费性产品，如计算机、计算器，而以陶瓷作封装材料之IC，属于高性赖度之组件，通常用于飞弹、火箭等较精密的产品上。
17
BACKGRINDING
晶背研磨
利用研磨机将芯片背面磨薄以便测试包装，着重的是厚度均匀度及背面之干净度。
一般6吋芯片之厚度约20mil～30mil左右，为了便于晶粒封装打线，故需将芯片厚度磨薄至10mil～15mil左右。
18
BAKE,SOFTBAKE,
HARDBAKE
烘烤，软烤，预烤
烘烤（Bake）：
在集成电路芯片上的制造过程中，将芯片至于稍高温（60℃～250℃）的烘箱内或热板上均可谓之烘烤，随其目的的不同，可区分微软烤（Softbake）与预烤（Hardbake）。
软烤（Softbake）：
其使用时机是在上完光阻后，主要目的是为了将光阻中的溶剂蒸发去除，并且可增加光阻与芯片之附着力。
预烤（Hardbake）：
又称为蚀刻前烘烤（pre-etchbake），主要目的为去除水气，增加光阻附着性，尤其在湿蚀刻（wetetching）更为重要，预烤不全长会造成过蚀刻。
19
BF2
二氟化硼
·一种供做离子植入用之离子。
·BF2＋是由BF3＋气体晶灯丝加热分解成：
B10、B11、F19、B10F2、B11F2。
经Extract拉出及质谱磁场分析后而得到。
·是一种P-type离子，通常用作VT植入（闸层）及S/D植入。
20
BOAT
晶舟
Boat原意是单木舟，在半导体IC制造过程中，常需要用一种工具作芯片传送、清洗及加工，这种承载芯片的工具，我们称之为Boat。
一般Boat有两种材质，一是石英、另一是铁氟龙。
石英Boat用在温度较高（大于300℃）的场合。
而铁氟龙Boat则用在传送或酸处理的场合。
21
B.O.E
缓冲蚀刻液
BOE是HF与NG4F依不同比例混合而成。
6:
1BOE蚀刻即表示HF：
NH4F=1：
6的成分混合而成。
HF为主要的蚀刻液，NH4F则作为缓冲剂使用。
利用NH4F固定〔H＋〕的浓度，使之保持一定的蚀刻率。
HF会浸蚀玻璃及任何含硅石的物质，对皮肤有强烈的腐蚀性，不小心被溅到，应用大量水冲洗。
22
BONDINGPAD
焊垫
焊垫－晶利用以连接金线或铝线的金属层。
在晶粒封装（Assembly）的制程中，有一个步骤是作“焊线”，即是用金线（塑料包装体）或铝线（陶瓷包装体）将晶粒的线路与包装体之各个接脚依焊线图（BondingDiagram）连接在一起，如此一来，晶粒的功能才能有效地应用。
由于晶粒上的金属线路的宽度即间隙都非常窄小，（目前SIMC所致的产品约是微米左右的线宽或间隙），而用来连接用的金线或铝线其线径目前由于受到材料的延展性即对金属接线强度要求的限制，祇能做到1.0～1.3mil（25.4～33j微米）左右，在此情况下，要把二、三十微米的金属线直接连接到金属线路间距只有3微米的晶粒上，一定会造成多条铝线的接桥，故晶粒上的铝路，在其末端皆设计成一个约4mil见方的金属层，此即为焊垫，以作为接线使用。
焊垫通常分布再晶粒之四个外围上（以粒封装时的焊线作业），其形状多为正方形，亦有人将第一焊线点作成圆形，以资辨识。
焊垫因为要作接线，其上得护层必须蚀刻掉，故可在焊垫上清楚地看到“开窗线”。
而晶粒上有时亦可看到大块的金属层，位于晶粒内部而非四周，其上也看不到开窗线，是为电容。
23
BORON
硼
自然元素之一。
由五个质子及六个中子所组成。
所以原子量是11。
另外有同位素，是由五个质子及五个中子所组成原子量是10（B10）。
自然界中这两种同位素之比例是4：
1，可由磁场质谱分析中看出，是一种P-type的离子（B11＋），用来作场区、井区、VT及S/D植入。
24
BPSG
含硼及磷的硅化物
BPSG乃介于Poly之上、Metal之下，可做为上下两层绝缘之用，加硼、磷主要目的在使回流后的Step较平缓，以防止Metalline溅镀上去后，造成断线。
25
BREAKDOWNVOLTAGE
崩溃电压
反向P-N接面组件所加之电压为P接负而N接正，如为此种接法则当所加电压通在某个特定值以下时反向电流很小，而当所加电压值大于此特定值后，反向电流会急遽增加，此特定值也就是吾人所谓的崩溃电压（BREAKDOWNVOLTAGE
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