IC制程专业词汇.docx

1、IC制程专业词汇页次英文名称中文名称1Active Area主动区（工作区）2ACETONE丙酮3ADI显影后检查4AEI蚀刻后检查5AIR SHOWER空气洗尘室6ALIGNMENT对准7ALLOY/SINTER熔合8AL/SI铝/硅 靶9AL/SI/CU铝/硅/铜10ALUMINUN铝11ANGLE LAPPING角度研磨12ANGSTRON埃13APCVD（ATMOSPRESSURE）常压化学气相沈积14AS75砷15ASHING，STRIPPING电浆光阻去除16ASSEMBLY晶粒封装17BACK GRINDING晶背研磨18BAKE, SOFT BAKE, HARD BAKE烘烤，

2、软烤，预烤19BF2二氟化硼20BOAT晶舟21B.O.E缓冲蚀刻液22BONDING PAD焊垫23BORON硼24BPSG含硼及磷的硅化物25BREAKDOWN VOLTAGE崩溃电压26BURN IN预烧试验27CAD计算机辅助设计28CD MEASUREMENT微距测试29CH3COOH醋酸30CHAMBER真空室,反应室31CHANNEL通道32CHIP ,DIE晶粒33CLT（CARRIER LIFE TIME）截子生命周期34CMOS互补式金氧半导体35COATING光阻覆盖36CROSS SECTION横截面37C-V PLOT电容,电压圆38CWQC全公司质量管理39CYCL

3、E TIME生产周期时间40CYCLE TIME生产周期时间41DEFECT DENSITY缺点密度42DEHYDRATION BAKE去水烘烤43DENSIFY密化44DESCUM电浆预处理45DESIGN RULE设计规范46EDSIGN RULE设计准则47DIE BY DIE ALIGNMENT每FIELD均对准48DIFFUSION扩散49DI WATER去离子水50DOPING参入杂质51DRAM , SRAM动态,静态随机存取内存52DRIVE IN驱入53E-BEAM LITHOGRAPHY电子束微影技术54EFR（EARLY FAILURE RATE）早期故障率55ELECT

4、ROMIGRATION电子迁移56ELECTRON/HOLE电子/ 电洞57ELLIPSOMETER椭圆测厚仪58EM（ELECTRO MIGRATION TEST）电子迁移可靠度测试59END POINT DETECTOR终点侦测器60ENERGY能量61EPI WAFER磊晶芯片62EPROM (ERASABLE-PROGRAMMABLE ROM）电子可程序只读存储器63ESDELECTROSTATIC DAMAGEELECTROSTATIC DISCHARGE静电破坏静电放电64ETCH蚀刻65EXPOSURE曝光66FABRICATION（FAB）制造67FBFC（FULL BIT F

5、UNCTION CHIP）全功能芯片68FIELD/MOAT场区69FILTRATION过滤70FIT（FAILURE IN TIME）71FOUNDRY客户委托加工72FOUR POINT PROBE四点侦测73F/S（FINESONIC CLEAN）超音波清洗74FTIR傅氏转换红外线光谱分析仪75FTY（FINAL TEST YIELD）76FUKE DEFECT77GATE OXIDE闸极氧化层78GATE VALVE闸阀79GEC（GOOD ELECTRICAL CHIP）优良电器特性芯片80GETTERING吸附81G-LINEG-光线82GLOBAL ALIGNMENT整片性对准

6、与计算83GOI（GATE OXIDE INTEGRITY）闸极氧化层完整性84GRAIN SIZE颗粒大小85GRR STUDY (GAUGE REPEATABILITY AND REPRODUUCIBILITY）测量仪器重复性与再现性之研究86H2SO4硫酸87H3PO4磷酸88HCL氯化氢（盐酸）89HEPA高效率过滤器90HILLOCK凸起物91HMDSHMDS蒸镀92HNO3硝酸93HOT ELECTRON EFFECT热电子效应94I-LINE STEPPERI-LINE步进对准曝光机95IMPURITY杂质96INTEGRATED CIRCUIT（IC）集成电路97ION IMP

7、LANTER离子植入机98ION IMPLANTATION离子植入99ISOTROPIC ETCHING等向性蚀刻100ITY（INTEGRATED TEST YIELD）101LATCH UP栓锁效应102LAYOUT布局103LOAD LOCK传送室104LOT NUMBER批号105LPCVD（LOW PRESSURE）低压化学气相沈积106LP SINTER低压烧结107LPY（LASER PROBE YIELD）雷射修补前测试良率108MASK光罩109MICRO,MICROMETER,MICRON微，微米110MISALIGN对准不良111MOS金氧半导体112MPY（MULTI

8、PROBE YIELD）多功能侦测良率113MTBF（MEAN TIME BETWEEN FAILURE）114N2,NITROGEN氮气115N,P TYPE SEMICONDUCTORN,P型半导体116NSG（NONDOPED SILICATE GLASS）无参入杂质硅酸盐玻璃117NUMERICAL APERTURE（N.A.）数值孔径118OEB（OXIDE ETCH BACK ）氧化层平坦化蚀刻119OHMIC CONTACT奥姆接触120ONO（OXIDE NITRIDE OXIDE）氧化层-氮化层-氧化层121OPL（OP LIFE）（OPERATION LIFE TEST）使

9、用期限（寿命）122OXYGEN氧气123P31磷124PARTICLE CONTAMINATION尘粒污染125PARTICLE COUNTER尘粒计数器126PASSIVATION OXIDE（P/O）护层127P/D（PARTICLE DEFECT）尘粒缺陷128PECVD电浆CVD129PELLICLE光罩护膜130PELLICLE光罩保护膜131PH3氢化磷132PHOTORESIST光阻133PILOT WAFER试作芯片134PINHOLE针孔135PIRANHA CLEAN过氧硫酸清洗136PIX聚酰胺膜137PLASMA ETCHING电将蚀刻138PM（PREVENTIVE

10、 MAINTENANCE）定期保养139POCL3三氯氧化磷140POLY SILICON复晶硅141POX聚酰胺膜含光罩功能142PREHEAT预热143PRESSURE压力144REACTIVE ION ETCHING（R.I.E.）活性离子蚀刻145RECIPE程序146REFLOW回流147REGISTRATION ERROR注记差148RELIABILITY可靠性149REPEAT DEFECT重复性缺点150RESISTIVITY阻值151RESOLUTION解析力152RETICLE光罩153REWORK/SCRAP/WAIVE修改 /报废/签过154RUN IN/OUT挤进/挤

11、出155SCRUBBER刷洗机156SAD（SOFTWARE DEFECT ANALYSIS）缺陷分析软件157SEM（SCANNING ELECTRON MICROSCOPE）电子显微镜158SELECTIVITY选择性159SILICIDE硅化物160SILICIDE金属硅化物161SILICON硅162SILICON NITRIDE氯化硅163SMS(SEMICODUCTOR MANUFACTURING SYSTEMS）半导体制造系统164SOFT WARE, HARD WARE软件 ,硬件165S.O.G.（SPIN ON GLASS）旋制氧化硅166S.O.J.(SMALL OUTL

12、INE J-LEAD PACKAGE）缩小型J形脚包装IC167SOLVENT溶剂168SPECIFICATION（SPEC）规范169SPICE PARAMETERSPIC参数170S.R.A(SPREADING RESISTENCE ANALYSIS）展布电阻分析171SPUTTERING溅镀172SSER（SYSTEM SOFT ERROR RATE TEST）系统暂时性失效比率测试173STEP COVERAGE阶梯覆盖174STEPPER步进式对准机175SURFACE STSTES表面状态176SWR（SPECIAL WORK REQUEST）177TARGET靶178TDDB（T

13、IME DEPENDENT DIELECTRIC BREAKDOWN）介电质层崩贵的时间依存性179TECN（TEMPORARY ENGINEERING CHANGE NOTICE）临时性制程变更通知180TEOS（TETRAETHYLOR THOSILICATE）四乙基氧化硅181THRESHOLD VILTAGE临界电压182THROUGH PUT产量183TMP（TI MEMORY PROTOTYPE，TMS-X TI MEMORY STANDARD PRODUCT）TI 记忆产品样品（原型），TI内存标准产品184TOX氧化层厚度185TROUBLE SHOOTING故障排除186UN

14、DERCUT底切度187UNIFORMITY均匀度188VACUUM真空189VACUUM PUMP真空帮浦190VERNIER游标尺191VIA CONTACT连接窗192VISCOSITY黏度193VLF（VERTICAL LAMINAR FLOW）垂直流层194WELL/TANK井区195WLRC(WAFER LEVEL RELIABILITY CONTROL）晶圆层次（厂内）可靠度控制196WLQC（WAFER LEVEL QUALITY CONTROL ）晶圆层次（厂内）质量控制197X-RAY LITHOGRAPHYX光微影技术198YELLOW ROOM黄光室页次英文名称中文名称

15、解析1Active Area主动区（工作区）主动晶体管（ACTIVE TRANSISTOR）被制造的区域即所谓的主动区（ACTIVE AREA）。在标准之MOS制造过程中ACTIVE AREA是由一层氮化硅光罩即等接氮化硅蚀刻之后的局部场区氧化所形成的，而由于利用到局部场氧化之步骤，所以ACTIVE AREA会受到鸟嘴（BIRDS BEAK）之影响而比原先之氮化硅光罩所定义的区域来的小，以长0.6UM之场区氧化而言，大概会有0.5UM之BIRDS BEAK存在，也就是说ACTIVE AREA比原在之氮化硅光罩所定义的区域小0.5UM。2ACTONE丙酮1. 丙酮是有机溶剂的一种，分子式为CH3

16、COCH3。2. 性质为无色，具刺激性及薄荷臭味之液体。3. 在FAB内之用途，主要在于黄光室内正光阻之清洗、擦拭。4. 对神经中枢具中度麻醉性，对皮肤黏膜具轻微毒性，长期接触会引起皮肤炎，吸入过量之丙酮蒸汽会刺激鼻、眼结膜及咽喉黏膜，甚至引起头痛、恶心、呕吐、目眩、意识不明等。5. 允许浓度1000PPM。3ADI显影后检查1.定义：After Developing Inspection 之缩写2.目的：检查黄光室制程；光阻覆盖对准曝光显影。发现缺点后，如覆盖不良、显影不良等即予修改，以维护产品良率、质量。3.方法：利用目检、显微镜为之。4AEI蚀刻后检查1. 定义：AEI即After Et

17、ching Inspection，在蚀刻制程光阻去除前及光阻去除后，分别对产品实施全检或抽样检查。2.目的：2-1提高产品良率，避免不良品外流。2-2达到质量的一致性和制程之重复性。2-3显示制程能力之指针2-4阻止异常扩大，节省成本3.通常AEI检查出来之不良品，非必要时很少作修改，因为重去氧化层或重长氧化层可能造成组件特性改变可靠性变差、缺点密度增加，生产成本增高，以及良率降低之缺点。5AIR SHOWER空气洗尘室进入洁净室之前，需穿无尘衣，因在外面更衣室之故，无尘衣上沾着尘埃，故进洁净室之前，需经空气喷洗机将尘埃吹掉。6ALIGNMENT对准1. 定义：利用芯片上的对准键，一般用十字键

18、和光罩上的对准键合对为之。2. 目的：在IC的制造过程中，必须经过610次左右的对准、曝光来定义电路图案，对准就是要将层层图案精确地定义显像在芯片上面。3. 方法：A.人眼对准B.用光、电组合代替人眼，即机械式对准。7ALLOY/SINTER熔合Alloy之目的在使铝与硅基(Silicon Substrate)之接触有Ohmic特性，即电压与电流成线性关系。Alloy也可降低接触的阻值。8AL/SI铝/硅 靶此为金属溅镀时所使用的一种金属合金材料利用Ar游离的离子，让其撞击此靶的表面，把Al/Si的原子撞击出来，而镀在芯片表面上，一般使用之组成为Al/Si (1%)，将此当作组件与外界导线连接

19、。9AL/SI/CU铝/硅 /铜金属溅镀时所使用的原料名称，通常是称为TARGET，其成分为0.5铜，1硅及98.5铝，一般制程通常是使用99铝1硅，后来为了金属电荷迁移现象（ELEC TROMIGRATION）故渗加0.5铜，以降低金属电荷迁移。10ALUMINUN铝此为金属溅镀时所使用的一种金属材料，利用Ar游离的离子，让其撞击此种材料做成的靶表面，把Al的原子撞击出来，而镀在芯片表面上，将此当作组件与外界导线之连接。11ANGLE LAPPING角度研磨Angle Lapping 的目的是为了测量Junction的深度，所作的芯片前处理，这种采用光线干涉测量的方法就称之Angle Lap

20、ping。公式为Xj=/2 NF即Junction深度等于入射光波长的一半与干涉条纹数之乘积。但渐渐的随着VLSI组件的缩小，准确度及精密度都无法因应。如SRP(Spreading Resistance Prqbing)也是应用Angle Lapping的方法作前处理，采用的方法是以表面植入浓度与阻值的对应关系求出Junction的深度，精确度远超过入射光干涉法。12ANGSTRON埃是一个长度单位，其大小为1公尺的百亿分之一，约为人的头发宽度之五十万分之一。此单位常用于IC制程上，表示其层（如SiO2，Poly，SiN.）厚度时用。13APCVD（ATMOSPRESSURE）常压化学气相沈积

21、APCVD为Atmosphere(大气)，Pressure(压力)，Chemical(化学)，Vapor(气相)及Deposition(沈积)的缩写，也就是说，反应气体（如SiH4(g)，B2H6(g)，和O2(g)）在常压下起化学反应而生成一层固态的生成物（如BPSG）于芯片上。14AS75砷自然界元素之一；由33个质子，42个中子即75个电子所组成。半导体工业用的砷离子（As）可由AsH3气体分解得到。砷是N-TYPE DOPANT 常用作N-场区、空乏区及S/D植入。15ASHING，STRIPPING电浆光阻去除1. 电浆预处理，系利用电浆方式（Plasma），将芯片表面之光阻加以去除

22、。2. 电浆光阻去除的原理，系利用氧气在电浆中所产生只自由基（Radical）与光阻（高分子的有机物）发生作用，产生挥发性的气体，再由帮浦抽走，达到光阻去除的目的。3. 电浆光组的产生速率通常较酸液光阻去除为慢，但是若产品经过离子植入或电将蚀刻后，表面之光组或发生碳化或石墨化等化学作用，整个表面之光阻均已变质，若以硫酸吃光阻，无法将表面已变质之光阻加以去除，故均必须先以电浆光阻去除之方式来做。16ASSEMBLY晶粒封装以树酯或陶瓷材料，将晶粒包在其中，以达到保护晶粒，隔绝环境污染的目的，而此一连串的加工过程，即称为晶粒封装（Assembly）。封装的材料不同，其封装的作法亦不同，本公司几乎都

23、是以树酯材料作晶粒的封装，制程包括：芯片切割晶粒目检晶粒上架（导线架，即Lead frame）焊线模压封装稳定烘烤（使树酯物性稳定）切框、弯脚成型脚沾锡盖印完成。以树酯为材料之IC，通常用于消费性产品，如计算机、计算器，而以陶瓷作封装材料之IC，属于高性赖度之组件，通常用于飞弹、火箭等较精密的产品上。17BACK GRINDING晶背研磨利用研磨机将芯片背面磨薄以便测试包装，着重的是厚度均匀度及背面之干净度。一般6吋芯片之厚度约20mil30 mil左右，为了便于晶粒封装打线，故需将芯片厚度磨薄至10 mil 15mil左右。18BAKE, SOFT BAKE, HARD BAKE烘烤，软烤，

24、预烤烘烤（Bake）：在集成电路芯片上的制造过程中，将芯片至于稍高温（60250）的烘箱内或热板上均可谓之烘烤，随其目的的不同，可区分微软烤（Soft bake）与预烤（Hard bake）。软烤（Soft bake）：其使用时机是在上完光阻后，主要目的是为了将光阻中的溶剂蒸发去除，并且可增加光阻与芯片之附着力。预烤（Hard bake）：又称为蚀刻前烘烤（pre-etch bake），主要目的为去除水气，增加光阻附着性，尤其在湿蚀刻（wet etching）更为重要，预烤不全长会造成过蚀刻。19BF2二氟化硼一种供做离子植入用之离子。BF2 是由BF3 气体晶灯丝加热分解成：B10、B11、

25、F19、B10F2、B11F2 。经Extract拉出及质谱磁场分析后而得到。是一种P-type 离子，通常用作VT植入（闸层）及S/D植入。20BOAT晶舟Boat原意是单木舟，在半导体IC制造过程中，常需要用一种工具作芯片传送、清洗及加工，这种承载芯片的工具，我们称之为Boat。一般Boat有两种材质，一是石英、另一是铁氟龙。石英Boat用在温度较高（大于300）的场合。而铁氟龙Boat则用在传送或酸处理的场合。21B.O.E缓冲蚀刻液BOE是HF与NG4F依不同比例混合而成。6:1 BOE蚀刻即表示HF：NH4F=1：6的成分混合而成。HF为主要的蚀刻液，NH4F则作为缓冲剂使用。利用N

26、H4F固定H的浓度，使之保持一定的蚀刻率。HF会浸蚀玻璃及任何含硅石的物质，对皮肤有强烈的腐蚀性，不小心被溅到，应用大量水冲洗。22BONDING PAD焊垫焊垫晶利用以连接金线或铝线的金属层。在晶粒封装（Assembly）的制程中，有一个步骤是作“焊线”，即是用金线（塑料包装体）或铝线（陶瓷包装体）将晶粒的线路与包装体之各个接脚依焊线图（Bonding Diagram）连接在一起，如此一来，晶粒的功能才能有效地应用。由于晶粒上的金属线路的宽度即间隙都非常窄小，（目前SIMC所致的产品约是微米左右的线宽或间隙），而用来连接用的金线或铝线其线径目前由于受到材料的延展性即对金属接线强度要求的限制，

27、祇能做到1.01.3mil（25.433j微米）左右，在此情况下，要把二、三十微米的金属线直接连接到金属线路间距只有3微米的晶粒上，一定会造成多条铝线的接桥，故晶粒上的铝路，在其末端皆设计成一个约4mil见方的金属层，此即为焊垫，以作为接线使用。焊垫通常分布再晶粒之四个外围上（以粒封装时的焊线作业），其形状多为正方形，亦有人将第一焊线点作成圆形，以资辨识。焊垫因为要作接线，其上得护层必须蚀刻掉，故可在焊垫上清楚地看到“开窗线”。而晶粒上有时亦可看到大块的金属层，位于晶粒内部而非四周，其上也看不到开窗线，是为电容。23BORON硼自然元素之一。由五个质子及六个中子所组成。所以原子量是11。另外有

28、同位素，是由五个质子及五个中子所组成原子量是10（B10）。自然界中这两种同位素之比例是4：1，可由磁场质谱分析中看出，是一种P-type的离子（B 11），用来作场区、井区、VT及S/D植入。24BPSG含硼及磷的硅化物BPSG乃介于Poly之上、Metal之下，可做为上下两层绝缘之用，加硼、磷主要目的在使回流后的Step较平缓，以防止Metal line溅镀上去后，造成断线。25BREAKDOWN VOLTAGE崩溃电压反向P-N接面组件所加之电压为P接负而N接正，如为此种接法则当所加电压通在某个特定值以下时反向电流很小，而当所加电压值大于此特定值后，反向电流会急遽增加，此特定值也就是吾人所谓的崩溃电压（BREAKDOWN VOLTAGE