半导体器件物理-名词解释_精品文档.pdf

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1雪崩击穿：

加外部反向电压耗尽区中的载流子受到该区电场加速而不断增加能量，当能量达到足够大时，载流子与晶格碰撞时产生电子-空穴对。

新的电子-空穴对又在电场作用下加速，与原子碰撞时再产生第三代电子-空穴对。

如此继续，产生大量导电载流子，电流迅速上升。

2影响雪崩击穿电压的因素:

（1）：

杂质浓度及杂质分布对击穿电压的影响；

（2）：

外延层厚度对击穿电压的影响；（3）：

棱角电场对雪崩击穿电压的影响：

（4）：

表面状况及工艺因素对反向击穿电压的影响；（5）：

温度对雪崩击穿电压的影响。

3穿通击穿：

若在发生雪崩击穿之前，集电结的空间电荷区已经扩展到发射结处，即晶体管击穿，此时称为穿通击穿。

4隧道击穿5：

势垒电容：

（老师ppt上的）当外加电压VA变化时，pn结的空间电荷宽度跟着发生变化，因而势垒区的电荷量也就随着外加电压变化而变化。

这相当于pn结中存储的电荷量也随之变化，犹如电容的充放电效应。

因为放生在势垒区，故称为势垒电容，用CT表示。

（师兄的）6：

扩散电容：