第三讲晶体三极管_精品文档.pptx

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,1.3晶体三极管一、晶体管的结构和符号二、晶体管的放大原理三、晶体管的共射输入特性和输出特性四、温度对晶体管特性的影响五、主要参数,一、晶体管的结构和符号,1基本结构,常见晶体管的外形图,一、晶体管的结构和符号,一、晶体管的结构和符号,基区：

最薄，掺杂浓度最低,发射区：

掺杂浓度最高,发射结,集电结,2.结构特点：

集电区：

面积最大,1.晶体管放大的外部条件,发射结正偏、集电结反偏,PNP发射结正偏VBVE集电结反偏VCVB,从电位的角度看：

NPN发射结正偏VBVE集电结反偏VCVB,二、晶体管的放大原理,2.晶体管内部载流子的运动规律,发射结正偏,发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。

进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBE,多数扩散到集电结。

扩散到集电结边缘的电子在电场作用下以漂移进越过集电结，被集电区收集，形成ICE。

集电结反偏，有少子形成的反向电流ICBO。

基区空穴向发射区的扩散可忽略。

二、晶体管的放大原理,EB,RB,IB,IC,EC,RC,N,P,IE,N,发射区向基区扩散电子,电源负极向发射区补充电子形成发射极电流IE,电子在基区的扩散与复合,集电区收集电子,电子流向电源正极形成IC,EB正极拉走电子，补充被复合的空穴，形成IB,电流分配：

IEIBICIE扩散运动形成的电流IB复合运动形成的电流IC漂移运动形成的电流,穿透电流,集电结反向电流,直流电流放大系数,交流电流放大系数,三、三极管的共射输入特性和输出特性,IC,UCE,UBE,IB,实验线路,三、晶体管的共射输入特性和输出特性,为什么UCE增大曲线右移？

对于小功率晶体管，UCE大于1V的一条输入特性曲线可以取代UCE大于1V的所有输入特性曲线。

为什么像PN结的伏安特性？

为什么UCE增大到一定值曲线右移就不明显了？

1.输入特性,2.输出特性,是常数吗？

什么是理想晶体管？

什么情况下?

对应于一个IB就有一条iC随uCE变化的曲线。

为什么uCE较小时iC随uCE变化很大？

为什么进入放大状态曲线几乎是横轴的平行线？

饱和区,放大区,截止区,晶体管的三个工作区域,晶体管工作在放大状态时，输出回路的电流iC几乎仅仅决定于输入回路的电流iB，即可将输出回路等效为电流iB控制的电流源iC。

14,输出特性三个区域的特点:

放大区：

发射结正偏，集电结反偏。

即：

IC=IB,且IC=IB,

（2）饱和区：

发射结正偏，集电结正偏。

即：

UCEUBE，IBIC，UCE0.3V,（3）截止区：

UBE死区电压，IB=0，IC=ICEO0,四、温度对晶体管特性的影响,五、主要参数,直流参数：

、ICBO、ICEO,c-e间击穿电压,最大集电极电流,最大集电极耗散功率，PCMiCuCE,安全工作区,交流参数：

、fT（使1的信号频率）,极限参数：

ICM、PCM、U（BR）CEO,讨论一,由图示特性求出PCM、ICM、U（BR）CEO、。

2.7,uCE=1V时的iC就是ICM,U（BR）CEO,讨论二,1.分别分析uI=0V、5V时T是工作在截止状态还是导通状态；2.已知T导通时的UBE0.7V，若uI=5V，则在什么范围内T处于放大状态?

在什么范围内T处于饱和状态？

通过uBE是否大于Uon判断管子是否导通。

临界饱和时的,自测题,1、判断下列说法是否正确，用“”和“”表示判断结果填入空内。

（1）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。

（）

（2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

（）（3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。

（）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。

（）,解：

（1）

（2）（3）（4）,

（1）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将。

A.增大B.不变C.减小,自测题,A,

（2）工作在放大区的某三极管，如果当IB从12A增大到22A时，IC从1mA变为2mA，那么它的约为。

A.83B.91C.100,C,2、选择正确答案填入空内。

（3）PN结加正向电压时，空间电荷区将_。

A.变窄B.基本不变C.变宽,自测题,A,（4）稳压管的稳压区是其工作在_。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿,C,（5）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为_。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏,B,9、分别判断如图所示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。

解：

（a）可能（b）可能（c）不能（d）不能，T的发射结会因电流过大而损坏。

（e）可能,作业：

P701.8-1.11每周二收发作业,