第三讲晶体三极管_精品文档.pptx

1、,1.3 晶体三极管一、晶体管的结构和符号二、晶体管的放大原理三、晶体管的共射输入特性和输出特性四、温度对晶体管特性的影响五、主要参数,一、晶体管的结构和符号,1 基本结构,常见晶体管的外形图,一、晶体管的结构和符号,一、晶体管的结构和符号,基区：最薄，掺杂浓度最低,发射区：掺杂浓度最高,发射结,集电结,2.结构特点：,集电区：面积最大,1.晶体管放大的外部条件,发射结正偏、集电结反偏,PNP发射结正偏 VBVE集电结反偏 VCVB,从电位的角度看：NPN 发射结正偏 VBVE集电结反偏 VCVB,二、晶体管的放大原理,2.晶体管内部载流子的运动规律,发射结正偏,发射区电子不断向基区扩散，形成

2、发射极电流IE。,进入P 区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBE,多数扩散到集电结。,扩散到集电结边缘的电子在电场作用下以漂移进越过集电结，被集电区收集，形成ICE。,集电结反偏，有少子形成的反向电流ICBO。,基区空穴向发射区的扩散可忽略。,二、晶体管的放大原理,EB,RB,IB,IC,EC,RC,N,P,IE,N,发射区向基区扩散电子,电源负极向发射区补充电子形成发射极电流IE,电子在基区的扩散与复合,集电区收集电子,电子流向电源正极形成IC,EB正极拉走电子，补充被复合的空穴，形成IB,电流分配：IEIBIC IE扩散运动形成的电流 IB复合运动形成的电流 IC漂移运动形成的电流

3、,穿透电流,集电结反向电流,直流电流放大系数,交流电流放大系数,三、三极管的共射输入特性和输出特性,IC,UCE,UBE,IB,实验线路,三、晶体管的共射输入特性和输出特性,为什么UCE增大曲线右移？,对于小功率晶体管，UCE大于1V的一条输入特性曲线可以取代UCE大于1V的所有输入特性曲线。,为什么像PN结的伏安特性？,为什么UCE增大到一定值曲线右移就不明显了？,1.输入特性,2.输出特性,是常数吗？什么是理想晶体管？什么情况下?,对应于一个IB就有一条iC随uCE变化的曲线。,为什么uCE较小时iC随uCE变化很大？为什么进入放大状态曲线几乎是横轴的平行线？,饱和区,放大区,截止区,晶体

4、管的三个工作区域,晶体管工作在放大状态时，输出回路的电流 iC几乎仅仅决定于输入回路的电流 iB，即可将输出回路等效为电流 iB 控制的电流源iC。,14,输出特性三个区域的特点:,放大区：发射结正偏，集电结反偏。即：IC=IB,且 IC=IB,(2)饱和区：发射结正偏，集电结正偏。即：UCEUBE，IBIC，UCE0.3V,(3)截止区：UBE 死区电压，IB=0，IC=ICEO 0,四、温度对晶体管特性的影响,五、主要参数,直流参数：、ICBO、ICEO,c-e间击穿电压,最大集电极电流,最大集电极耗散功率，PCMiCuCE,安全工作区,交流参数：、fT（使1的信号频率）,极限参数：ICM

5、、PCM、U（BR）CEO,讨论一,由图示特性求出PCM、ICM、U（BR）CEO、。,2.7,uCE=1V时的iC就是ICM,U（BR）CEO,讨论二,1.分别分析uI=0V、5V时T是工作在截止状态还是导通状态；2.已知T导通时的UBE0.7V，若uI=5V，则在什么范围内T处于放大状态?在什么范围内T处于饱和状态？,通过uBE是否大于Uon判断管子是否导通。,临界饱和时的,自测题,1、判断下列说法是否正确，用“”和“”表示判断结果填入空内。（1）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（）（2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（）（3）PN结在无光照

6、、无外加电压时，结电流为零。（）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（）,解：（1）（2）（3）（4）,（1）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将。A.增大 B.不变 C.减小,自测题,A,（2）工作在放大区的某三极管，如果当IB从12A增大到22A时，IC从1mA变为2mA，那么它的约为。A.83 B.91 C.100,C,2、选择正确答案填入空内。,（3）PN结加正向电压时，空间电荷区将_。A.变窄 B.基本不变 C.变宽,自测题,A,（4）稳压管的稳压区是其工作在_。A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿,C,（5）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为_。A.前者反偏、后者也反偏 B.前者正偏、后者反偏 C.前者正偏、后者也正偏,B,9、分别判断如图所示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。,解：（a）可能（b）可能（c）不能（d）不能，T的发射结会因电流过大而损坏。（e）可能,作业：P70 1.8-1.11每周二收发作业,