模电期未自测练习填空选择题AWord格式文档下载.docx
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A•价电子B•自由电子C・空穴D•杂质离子
6.硅二极管的正向导通压降比锗二极管A,反向饱和电流比锗二极管B。
A.大B.小C.相等
7.
B,反向电流A_。
温度升高时,二极管在正向电流不变的情况下的正向电压
A.增大B.减小C.不变
8.硅二极管的反向电流很小,其大小随反向电压的增大而(B)。
A.减小B.基本不变C.增大
9•流过二极管的正向电流增大,其直流电阻将(C)。
A•增大B.基本不变C.减小
10.变容二极管在电路中主要用作(D)。
A.整流B.稳压C.发光D.可变电容器
11.当PN结两端加正向电压时,那么参加导电的是(A)。
A.多数载流子;
B.少数载流子;
C.既有多数载流子又有少数载流子
12•如果晶体二极管的正、反向电阻都很大,则该晶体二极管(C)。
A.正常;
B.已被击穿;
C.内部断路
13•如果晶体二极管的正、反向电阻都很小或为零,则该晶体二极管(B)
A.正常;
14•晶体二极管的阳极电位是-20V,阴极电位是-10V,则该二极管处于(A)oA.反偏,B.正偏,C.零偏
15•当环境温度升高时,晶体二极管的反向电流将(A)oA.增大;
B.减小;
C.不变
16•在晶体二极管特性的正向区,晶体二极管相当于(B)。
A.大电阻;
B.接通的开关;
C.断开的开关
====三极管====
1.晶体管从结构上可以分成PNP和NPN—两种类型,它工作时有2种载流子参与导电。
硅管
以_NPN」居多,锗管以_PNP_型居多。
2•晶体管具有电流放大作用的外部条件是发射结正偏,集电结反偏_。
3•晶体管的输岀特性曲线通常分为三个区域,分别是放大、饱和、截止_。
4•当温度升高时,晶体管的参数B增大Icbo增大,导通电压Ube_减小一。
5.某晶体管工作在放大区,如果基极电流从10叭变化到20小时,集电极电流从1mA变为1.99mA,则
交流电流放大系数B约为—99。
6.某晶体管的极限参数lcM=20mA、PcM=100mW、U(br)ceo=30V,因此,当工作电压Uce=10V时,工作电流lc不得超过10mA;
当工作电压Uce=1V时,lc不得超过20mA;
当工作电流Ic=2mA时,Uce不得超过30V。
7•晶体三极管三个电极分别称为发射极、—基极和—集电一极,它们分别用字母E、_b_和_C_表示。
8.当晶体管工作在放大区时,各极电位关系为:
NPN管的uC>
uB>
uE,PNP管的ujv_uB_v_uE;
工作在饱和区时ic_<
Bb;
工作在截止区时,若忽略Icbo和Iceo,贝UiB_=_0,ic_=_0。
9•由晶体三极管的输岀特性可知,它存在_截止区、_放大区和饱和区三个区域。
为了使晶体三极管在
放大器中正常工作,发射结须加正向电压,集电结须加—反向_电压。
10、晶体三极管是由两个PN结构成的一种半导体器件,其中一个PN结叫做集电结_,另一个叫做_发
射结_。
11•晶体三极管具有电流放大作用的条件是:
第一(内部条件),使发射区的多数载流子浓度高,_集电一区
的面积大,_基_区尽可能地薄;
第二(外部条件),使_发射_结正向偏置,—集电结反向偏置。
12.晶体三极管发射极电流2、基极电流lb和集电极电流|c之间的关系是_Ie=Ib+1C_。
其中|c/|b叫做—直流电流放大系数,用字母表示;
Ae/Ab叫做交流电流放大系数,用字母卫表示。
13•晶体三极管的电流放大作用,是通过改变一基极一电流来控制_集电极_电流的,其实质是以—微小电
流控制_较大电流。
14•硅晶体三极管发射结的导通电压约为_0.7V,饱和电压降为_0.3V_,锗晶体三极管发射结的导通电
压约为0.3V,饱和电压降为_0.1V_。
15•当晶体三极管处于饱和状态时,它的发射结必定加_正向—电压,集电结必定加正向或零电压。
16•当晶体三极管的队Uce—定时,基极与发射极间的电压Ube与基极电流lb间的关系曲线称为_输入特性曲线_;
当基极电流lb一定时,集电极与发射极间的电压Uce与集电极电流人lc关系曲线称为—输岀特性曲线_。
17•晶体三极管的输入特性曲线和晶体二极管的伏安特性_相似,晶体三极管输入特性的最重要参数是交
流输入电阻,它是—Ube的增量—和]b的增量的比值。
18晶体三极管的电流放大系数太小时,电流放大作用将—较差_;
而电流放大系数太大时,又会使晶体三
极管的性能_不稳定_。
19.按晶体三极管在电路中不同的连接方式,可组成共发射极_、_共集极和_共基极三种基本放大电路。
20•晶体三极管的穿透电流lceo随温度的升高而增大,由于硅三极管的穿透电流比锗三极管_小得多所
以硅三极管的_热稳定性_比锗三极管好。
1、在判别锗、硅晶体二极管时,当测岀正向电压为0.2V—时,就认为此晶体二极管为锗二极管;
当测出正向电压为0.7V时,就认为此二极管为硅二极管。
2、NPN型晶体三极管的发射区是_N型半导体,集电区是N型半导体,基区是P_型半导体。
3、有一个晶体管继电器电路,其晶体管与继电器的吸引线圈相串联,继电器的动作电流为6mA。
若晶体
三极管的直流电流放大系数B=50便使继电器开始动作,晶体三极管的基极电流至少为_0.12mA_。
4•共发射极电路的输入端由发射极和基极组成,输出端由集电极_和_发射极—组成,它不但具有电流—放大、_电压—放大作用,而且其功率增益也是三种基本线路中最大的。
5.晶体三极管是依靠基极电流控制集电极电流的,而场效应晶体管则是以栅极电压控制—漏极电流—的,
所以它的输入阻抗很高。
6•共发射极单管放大电路,输岀电压与输入电压相位差为_180°
,这是放大器的重要特征,称为_放大器
的倒相作用_。
7•常用的耦合方式有_阻容耦合_、_变压器耦合和_直接耦合_三种形式。
晶体三极管低频小信号电压放大电路通常采用_阻容_耦合电路.
8•放大器的静态是指没有输入信号_时的工作状态,静态工作点可根据电路参数用_估算—方法确定,
也可以用图解_方法确定。
表征放大器中晶体三极管的静态工作点的参数有」b_、le_和—Uce_。
场效
应晶体管的静态工作点由_Ugs_、_ld_和_UDS_确定。
9.晶体三极管放大器按放大信号和输出信号的强弱可分为_电压放大和_功率_放大两类。
10.为了使放大器输岀波形不失真,除需设置_适当的静态工作点夕卜,还需要采用_稳定工作点_的方法,
且输入信号幅度要适中。
11•在晶体三极管放大电路中,当输入电流一定时,静态工作点设置太低将产生点设置太高将产生_饱和_失真。
_截止—失真;
静态工作
Ic的_正_半周及Uce
12•在晶体三极管放大电路中,当输入电流一定时,静态工作点设置太高,会使
13.晶体三极管工作在放大状态时Uce随lb而变化,如果lb增加,则Uce将—减小_;
如果lb减小,则
Uce将_增大_。
因此,lb可以起调节电压作用。
14•在晶体三极管放大电路中,如果其它条件不变,减小Rb,则静态工作点沿着负载线—上移容易岀
现_饱和失真;
若增大Rb,工作点沿着负载线—下移_,容易岀现_截止_失真。
15・如果晶体三极管放大器Ec增大,而其它条件不变,则晶体三极管放大器的静态工作点将随负载线_
右移。
在晶体三极放大器中Rc减小,而其它条件不变,则晶体三极管负载线变_陡。
16.对于一个放大器来说,一般希望其输入电阻_大些,以减轻信号源的负担,输出电阻—小些,
以增大带动负载的能力。
17•由于电容C具有—隔直流通交流_的作用,所以,交流放大器负载两端的电压,只是晶体三极管c、e极间总电压的_交流部分。
18•为了保证小信号交流放大器能不失真地进行放大,并且有最大的动态范围,静态工作点应选在VCCUces(或直流负载线的中点)。
2
19、在一个放大电路中,三只三极管三个管脚①、②、③的电位分别如表所示,将每只管子所用材料(Si或Ge)、类型(NPN或PNP)及管脚为哪个极(e、b或c)填入表内。
管号
T1
T2
T3
管脚
①
0.7
6.2
3
由极
电位
②
6
10
电/极
名称
(V)
③
5
3.7
材料
类型
1.放大电路的输入电压Ui=10mV,输出电压U0=1V,该放大电路的电压放大倍数为100,电压增
益为40dB。
2.放大电路的输入电阻越大,放大电路向信号源索取的电流就越小,输入电压也就越大;
输岀
电阻越小,负载对输岀电压的影响就越小,放大电路的负载能力就越强_。
.共集电极放大电路的输出电压与输入电压同相,电压放大倍数近似为1,输入电阻大,输
出电阻小。
1•当晶体三极管的两个PN结都反偏时,则晶体三极管处于(C)。
A.饱和状态;
B.放大状态;
C.截止状态
2•当晶体三极管的两个PN结都正偏时,则晶体三极管处于(C)A.截止状态;
C.饱和状态
3•当晶体三极管的发射结正偏,集电结反偏时,则晶体三极管处于(A)
A.放大状态;
B.饱和状态;
4•晶体三极管处于饱和状态时,它的集电极电流将(C)。
A.随基极电流的增加而增加;
B.随基极电流的增加而减小,C.与基极电流变化无关,只决定于Uce
5•当晶体三极管的基极电源使发射结反问时,则晶体三极管的集电极电流将(C)
A.反向;
B.增大;
C.中断
6.当温度升高时,半导体电阻将(
7.工作在放大状态的晶体管
8.晶体管电流由_B效应管Co
9.晶体管通过改变
种控制器件。
A.基极电流
B)oA.增大;
b,减小;
C.不变
流过发射结的是A电流,流过集电结的是B_电流。
A.扩散B.漂移形成,而场效应管的电流由_A_形成。
因此,晶体管电流受温度的影响比场
A.一种载流子B.两种载流子C.大
A—来控制C;
而场效应管是通过改变
D.小
B控制D,是一
源电压C.集电极电流D.漏极电流
Ube=0V,Ubc=—5V,则可知管子工作于C.截止
11•根据国产半导体器件型号的命名方法可知,
B.栅-
10.某NPN型管电路中,测得
A.放大B.饱和
E.电压
(C
F.电流)状态。
A.NPN型低频小功率硅晶体管
C.PNP型低频小功率锗晶体管
D•不能确定
3DG6为(B)o
B.NPN型高频小功率硅晶体管
D.NPN型低频大功率硅晶体管
A.正弦小信号B.低频大信号
C.
低频小信号
D•高频小信号
13在绝对零度(OK)时,本征半导体中
B
载流子。
A
.有B.没有
少数
D.
14在热激发条件下,少数价电子获得足够激发能,
进入导带,产生
Do
A.负离子B.空穴
C.正离子
电子-空穴对
15、
半导体中的载流子为
DoA.电子
B.空穴
电子和空穴
16、
N型半导体中的多子是
AoA.
电子
负离子
17、
P型半导体中的多子是
BoA.
18、
当PN结外加正向电压时,
扩散电流
A
漂移电流。
A.大于B.
小于
等与
19、
当PN结外加反向电压时,
等于
uo和ui的相位_B。
A.同相B.
反相C.相差90度
20、
多数
12.输入(C)时,可利用H参数小信号电路模型对放大电路进行交流分析。
在单级共射放大电路中,若输入电压为正弦波形,则
D.不确定
21、在单级共基放大电路中,若输入电压为正弦波形,则度D.不确定
22、既能放大电压,也能放大电流的是
uo和uii的相位_A_。
A.同相
B.反相C.相差90
A—组态放大电路。
A.共射B.共集uii的相位_AoA.
Uo和
23、在单级共集放大电路中,若输入电压为正弦波形,则度D.不确定
可以放大电压,但不能放大电流的是_C_组态放大电路。
A.
可以放大电流,但不能放大电压的是—B—组态放大电路。
C.共基
同相B.反相
C.相差90
24、
25、
26、
27、
28、
29、
30、
共射B.共集C.共基组态。
共射B.共集
在共射、共集和共基三种基本放大电路组态中,电压放大倍数小于
A.共射B.共集C.共基D.不确定
在共射、共集和共基三种基本放大电路组态中,输入电阻最大的是
在共射、共集和共基三种基本放大电路组态中,输入电阻最小的是
在共射、共集和共基三种基本放大电路组态中,输岀电阻最小的是
A.共射B.共集C.共基
三极管是__D_器件。
A.电压控制电压
1的是B
B组态。
C组态。
组态。
B.电流控制电压
3V,接入2kQ的负载后,测得输出电压为
B.1.0C.2.0D.4
1.测量某放大电路负载开路时输出电压为
的输出电阻为(D)kQoA.0.5
2•为了获得反相电压放大,则应选用(A)放大电路。
A•共发射极B•共集
电压控制电流D.电流控制电流
1V,则该放大电路
电极C.共基极D•共栅极
3•为了使高内阻的信号源与低阻负载能很好配合,可以在信号源与负载之间接入(B)放大电路。
A•共发射极B•共集电极C.共基极D.共源极
4.放大电路如图T3.1所示,已知Rs=Rd,且电容器容量足够大,则该
放大电路两输出电压uoi与uo2之间的大小关系为(B)oA.uoi=uo2
B.uoi=—uo2C.uoi>
uo2D.uoKuo2
图T3I
5.在晶体三极管放大电路中,晶体三极管最高电位的一端应该是(E)。
A.PNP型的基极;
B.PNP型的
集电极;
C.NPN型的基极;
D.NPN型的发射极E.PNP型的发射极;
F.NPN型的基极
6•在NPN型晶体三极管放大电路中,如果基极与发射极短路,则(B)
A.晶体三极管将深度饱和;
B.晶体三极管将截止;
C.晶体三极管的集电结将是正偏
7•在NPN型晶体三极管放大电路中,如果集电极与基极短路,则(A)。
B.晶体三极管将截止;
C.晶体三极管的集电结将是正偏。
8•在晶体三极管放大电路中,当输入电流一定时,静态工作点设置太低将产生(B)
A.饱和失真;
B.截止失真;
C.不失真
9•在晶体三极管放大电路中,当输入电流一定时,静态工作点设置太高将产生(A)
B.截止失真.C.不失真
10•晶体三极管低频小信号放大器能(A)oA•放大交流信号;
B.放大直流信号;
C.放大交流与直流信号
11•在晶体三极管放大电路中,出现截止失真的原因是工作点(B)A.偏高;
B.偏低;
C.适当
12•画放大器直流通道时,电容应视为(B)A.短路;
B.开路;
13.在晶体三极管低频电压放大电路中,输出电压应视为uo=(B)o
A.icRc;
B.-Rcic;
C.-IcRcD.IbRc
15•为了使晶体三极管工作于饱和区,必须保证(A)o
A•发射结正偏,集电结正偏;
B•发时结正偏,集电结反偏;
C.发射结正偏,集电结零偏
16.共发射极放大器的输出电压和输入电压在相位上的关系是(C)o
A.同相位B.相位差90qC.相位共为180o;
D.不能确定
17•在阻容耦合多级级大器中,在输入信号一定的情况下,为了提高级间耦合的效率,必须(C)o
A.电阻的阻值尽可能小;
B.提高输入信号的频率;
C.加大电容以减小容抗;
D•尽可能减小时间常数。
18.为了使工作于饱和状态的晶体三极管进入放大状态,可采用(A)的方法。
A.减小IbB.减小RcC.提咼Ec的绝对值
19.为调整放大器的静态工作点,使之上移,应该使Rb电阻值(B)oA.增大B.减小;
20.如果晶体三极管的发射结正偏,集电结反偏,当基极电流增大时,将使晶体三极管(C)o
A.集电极电流减小;
B.集电极电压Uce上升;
C.集电极电流增大
21.在晶体三极管放大电路中,当集电极电流增大时,将使晶体三极管(B)o
A.集电极电压Uce上升;
B.集电极电压Uce下降;
C.基极电流不变
22.在室温升高时,晶体三极管的电流放大系数B(A)oA.增大;
23.在室温升高时,晶体三极管电压放大器的电压放大倍数(B)A.增大;
B.减小;
24.当交流放大器接上负载Rl后,其交流负载线的斜率(E)o
A.由Rl的大小决定;
B.若Rc的大小不变,则交流负载线的斜率不变;
C.因电容C具有隔直流作用,
所以斜率不变;
D.由Rc和Rl的串联值决定;
E.由Rl和Rc的并联值决定
====场效应管====
1.场效应管从结构上可分为两大类:
结型、绝缘栅型或MOS;
根据导电沟道的不同又可分
为N沟道、P沟道两类;
对于MOSFET,根据栅源电压为零时是否存在导电沟道,又可分为两
种:
耗尽型、增强型_o由于场效应晶体管几乎不存在_栅流—,所以其输入直流电阻_很大_o
2.UGS(off)表示夹断电压,|DSS表示—饱和漏极—电流,它们是耗尽型场效应管的参数。
3.增强型场效应管当其Ugs=0时不存在导电沟道。
JFET和耗尽型MOS管在栅-源电压为零时—存在_导电沟道,而增强型MOS管则_不存在_导电沟道。
4.MOS管的直流输入电阻比结型场效应管的大_o
5.场效应晶体管一般米用自偏压(或栅极偏压)一和—分压式(或分压式自偏压两种偏置电路o
25.场效应晶体管源极输岀器类似于(B)oA.共发射电路;
B.共集电极电路;
C.共基极电路
26.(D)具有不同的低频小信号电路模型
A.NPN型管和PNP型管B.增强型场效应管和耗尽型场效应管
C.N沟道场效应管和P沟道场效应管D.晶体管和场效应管
27.当Ugs=0时,(B)管不可能工作在恒流区。
A.JFETB.增强型MOS管C.耗尽型MOS管D.NMOS管
28、下列场效应管中,无原始导电沟道的为(B)。
A.N沟道JFETB.增强型PMOS管C.耗尽型NMOS管D.耗尽型PMOS管
29、场效应管是利用外加电压产生的_B_来控制漏极电流的大小的。
A.电流B.电场C.电压
30、场效应管是__C__器件。
A.电压控制电压B.电流控制电压C.电压控制电流D.电流控制电流
31、结型场效应管利用栅源极间所加的__A—来改变导电沟道的电阻。
A.反偏电压B.反向电流C.正偏电压D.正向电流
32、场效应管漏极电流由C的漂移运动形成。
A.少子
B.电子
C.多子
D.两种载流子
33、
P沟道结型场效应管的夹断电压Up为
A。
正值
B.
负值
C.ugsD.零
34、
N沟道结型场效应管的夹断电压Up为
B。
C.零
35、
P沟道耗尽型MOS管的夹断电压Up为
。
36.当场效应管的漏极直流电流Id从2mA变为4mA