1、A 价电子 B 自由电子 C空穴 D 杂质离子6.硅二极管的正向导通压降比锗二极管 A,反向饱和电流比锗二极管 B。 A.大 B.小 C.相等7.B,反向电流A_。温度升高时,二极管在正向电流不变的情况下的正向电压A.增大 B.减小 C.不变8.硅二极管的反向电流很小,其大小随反向电压的增大而 (B )。 A .减小 B .基本不变C .增大9流过二极管的正向电流增大,其直流电阻将 (C )。 A 增大 B.基本不变 C.减小10.变容二极管在电路中主要用作 (D )。 A.整流 B .稳压 C .发光 D .可变电容器11.当PN结两端加正向电压时,那么参加导电的是 (A )。A.多数载流子
2、;B.少数载流子;C.既有多数载流子又有少数载流子12如果晶体二极管的正、反向电阻都很大,则该晶体二极管( C )。A.正常;B.已被击穿;C.内部断路13如果晶体二极管的正、反向电阻都很小或为零,则该晶体二极管( B )A.正常;14晶体二极管的阳极电位是-20V,阴极电位是-10V,则该二极管处于(A)oA.反偏,B.正偏,C.零偏15当环境温度升高时,晶体二极管的反向电流将( A)o A.增大; B.减小; C.不变16在晶体二极管特性的正向区,晶体二极管相当于( B)。A.大电阻;B.接通的开关;C.断开的开关= = 三极管 =1.晶体管从结构上可以分成 PNP 和 NPN 两种类型,
3、它工作时有 2种载流子参与导电。硅管以_NPN居多,锗管以_PNP_型居多。2晶体管具有电流放大作用的外部条件是发射结 正偏,集电结 反偏_。3晶体管的输岀特性曲线通常分为三个区域,分别是 放大、 饱和、截止_。4当温度升高时,晶体管的参数B 增大Icbo增大,导通电压Ube_减小一。5.某晶体管工作在放大区,如果基极电流从 10叭变化到20小时,集电极电流从1mA变为1.99 mA,则交流电流放大系数B约为99 。6.某晶体管的极限参数 lcM=20mA、PcM=100mW、U(br)ceo=30V,因此,当工作电压 Uce=10V时,工作 电流lc不得超过 10 mA ;当工作电压 Uce
4、=1V时,lc不得超过 20 mA;当工作电流Ic=2 mA时,Uce 不得超过30 V。7晶体三极管三个电极分别称为 发射极、基极和集电一极,它们分别用字母 E、_b_和_C_表示。8.当晶体管工作在放大区时, 各极电位关系为: NPN管的uCuBuE, PNP管的uj v_ uB_v_ uE;工作在饱和区时ic_ uo2 D . uoK uo2图T3 I5.在晶体三极管放大电路中,晶体三极管最高电位的一端应该是( E )。A.PNP型的基极;B.PNP型的集电极;C.NPN型的基极;D . N PN型的发射极 E . PNP型的发射极;F. NPN型的基极6在NPN型晶体三极管放大电路中,
5、如果基极与发射极短路,则( B )A.晶体三极管将深度饱和; B.晶体三极管将截止;C.晶体三极管的集电结将是正偏7在NPN型晶体三极管放大电路中,如果集电极与基极短路,则( A )。B.晶体三极管将截止;C.晶体三极管的集电结将是正偏。8在晶体三极管放大电路中,当输入电流一定时,静态工作点设置太低将产生( B )A.饱和失真;B.截止失真;C.不失真9在晶体三极管放大电路中,当输入电流一定时,静态工作点设置太高将产生( A )B.截止失真.C.不失真10晶体三极管低频小信号放大器能( A )oA 放大交流信号;B.放大直流信号;C.放大交流与直流信号11在晶体三极管放大电路中,出现截止失真的
6、原因是工作点( B ) A.偏高;B.偏低;C.适当12画放大器直流通道时,电容应视为( B ) A.短路;B.开路;13 .在晶体三极管低频电压放大电路中,输出电压应视为 uo= ( B ) oA. icRc; B. - Rcic; C. -IcRc D. IbRc15为了使晶体三极管工作于饱和区,必须保证( A )oA 发射结正偏,集电结正偏; B 发时结正偏,集电结反偏; C.发射结正偏,集电结零偏16.共发射极放大器的输出电压和输入电压在相位上的关系是( C )oA .同相位 B.相位差90q C.相位共为18 0o; D .不能确定17在阻容耦合多级级大器中,在输入信号一定的情况下,
7、为了提高级间耦合的效率,必须( C )oA.电阻的阻值尽可能小;B.提高输入信号的频率;C.加大电容以减小容抗;D 尽可能减小时间常数。18. 为了使工作于饱和状态的晶体三极管进入放大状态,可采用( A )的方法。A.减小Ib B.减小R c C.提咼Ec的绝对值19. 为调整放大器的静态工作点,使之上移,应该使 Rb电阻值(B )o A.增大B.减小;20.如果晶体三极管的发射结正偏,集电结反偏,当基极电流增大时,将使晶体三极管( C )oA.集电极电流减小;B.集电极电压Uce上升;C.集电极电流增大21. 在晶体三极管放大电路中,当集电极电流增大时,将使晶体三极管( B )oA.集电极电
8、压Uce上升;B.集电极电压Uce下降; C.基极电流不变22.在室温升高时,晶体三极管的电流放大系数 B ( A ) o A.增大;23.在室温升高时,晶体三极管电压放大器的电压放大倍数( B ) A.增大;B.减小;24.当交流放大器接上负载R l后,其交流负载线的斜率(E ) oA.由R l的大小决定;B.若Rc的大小不变,则交流负载线的斜率不变; C.因电容C具有隔直流作用,所以斜率不变; D .由R c和Rl的串联值决定; E.由Rl和Rc的并联值决定= = 场效应管 =1.场效应管从结构上可分为两大类: 结型 、 绝缘栅型 或MOS ;根据导电沟道的不同又可分为 N沟道 、 P沟道
9、 两类;对于MOSFET,根据栅源电压为零时是否存在导电沟道,又可分为两种:耗尽型 、增强型_ o由于场效应晶体管几乎不存在 _栅流,所以其输入直流电阻 _很大_o2. UGS(off)表示 夹断 电压,|DSS表示饱和漏极电流,它们是 耗尽 型场效应管的参数。3.增强型场效应管当其 Ugs=0时不存在导电沟道。JFET和耗尽型MOS管在栅-源电压为零时存在_导 电沟道,而增强型 MOS管则_不存在_导电沟道。4.MOS管的直流输入电阻比结型场效应管的 大_o5 .场效应晶体管一般米用 自偏压(或栅极偏压)一和分压式(或分压式 自偏压 两种偏置电路o25. 场效应晶体管源极输岀器类似于( B
10、)o A.共发射电路;B.共集电极电路;C.共基极电路26.( D )具有不同的低频小信号电路模型A . NPN型管和PNP型管 B .增强型场效应管和耗尽型场效应管C. N沟道场效应管和P沟道场效应管 D.晶体管和场效应管27 .当Ugs=0时,(B )管不可能工作在恒流区。A . JFET B .增强型 MOS管 C .耗尽型 MOS管 D . NMOS管28、 下列场效应管中,无原始导电沟道的为 (B )。A . N沟道JFET B .增强型PMOS管 C .耗尽型NMOS管 D .耗尽型PMOS管29、 场效应管是利用外加电压产生的 _B_来控制漏极电流的大小的。A.电流 B.电场 C.电压30、 场效应管是_C_器件。A.电压控制电压 B.电流控制电压 C.电压控制电流 D.电流控制电流31、 结型场效应管利用栅源极间所加的 _A来改变导电沟道的电阻。A.反偏电压 B.反向电流 C.正偏电压 D.正向电流32、场效应管漏极电流由 C 的漂移运动形成。A.少子B.电子C.多子D.两种载流子33、P沟道结型场效应管的夹断电压 Up为A 。正值B.负值C.ugs D.零34、N沟道结型场效应管的夹断电压 Up为B 。C.零35、P沟道耗尽型 MOS管的夹断电压 Up为。36.当场效应管的漏极直流电流 Id从2mA变为4mA
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