电工技术试题及答案整流滤波电路07749.docx
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电工技术试题及答案整流滤波电路07749
第一章整流滤波电路
1、磁通是标量，（C）
A、既有大小，又有方向B、没有大小，也没有方向
C、只有大小，没有方向D、只有方向，没有大小
2、电容量的单位是（D）。
A、欧姆（Ω）B、安培（A）C、伏特（V）D、法拉（F），
3、如果线圈中原来的磁通量要增加，则感应电流产生的磁通方向与线圈中原磁通方向（A）。
A、相反B、一致C、无关D、无法确定
4、由公式e=BLvsinα可知，当导体的运动方向与磁感应线垂直时，感应电动势（A）。
A、最大B、最小C、为零D、无法确定
5、如果交流电和直流电分别通过同一电阻，两者在相同时间内消耗的电能相等，即产生的热量相等时，则此直流电的数值叫做交流电的（D）。
A、瞬时值B、最大值C、最小值D、有效值
6、如下图是（）电路波形图。
A、单相半波整流B、单相全波整流C、单相桥式整流D、三相桥式整流
7、在纯电感电路中，线圈电感L越大，交流电频率越高，则对交流电流的阻碍作用（A）。
A、越大B、越小C、不变D、无法确定
8、一般用（B）来制造永久磁铁。
A、软磁材料B、硬磁材料C、矩磁材料D、永磁材料
9、“”是（）的符号。
A、电阻B、电容C、二极管D、三极管
10、单向晶闸管有（C）个电极
A、1B、2C、3D、4
二、判断题。
（每小题2分，共40分。
）
1、某媒介质与真空磁导率的比值，叫绝对磁导率。
（错）
2、把直导线绕成螺线管线圈，并通入电流，通电线圈就会产生类似条形磁铁的磁场。
（对）
3、二极管具有单向导通性。
（对）
4、晶闸管的特点是强电控制弱电。
（对）
5、串联电阻中流过每个电阻的电流都相等。
（对）
6、通电直导体在磁场中所受作用力的方向，可用左手定则判定。
（对）
7、二极管具有放大作用。
（错）
8、作切割磁感应线运动的导体，其产生感应电动势的方向可由右手定则来确定。
（对）
9、汽车上普遍采用“单线制”。
（对）
10、汽车上采用的是交流电路。
（错）
11、感应电流产生的磁通总是企图阻碍原磁通的存在。
（错）
12、通电线圈的磁场方向与线圈中的电流方向无关。
（错）
13、变压器空载时，一、二次绕组端电压之比等于变压器匝数之比。
（对）
14、自感电动势的大小与线圈的电感及线圈中外电流的变化快慢成反比。
（对）
15、如果线圈中原来的磁通量不变，则感应电流为不变。
（错）
16、晶闸管导通后，去掉门极电压或加负的门极电压，晶闸管立即关断。
（错）
17、锗二极管的导通电压比硅二极管大。
（对）
18、汽车硅整流发电机用硅整流二极管分正二极管和负二极管两种。
（错）
19、半导体材料可分为P型半导体和N型半导体两种。
（对）
20、单相全波整流电路的整流效率比单相半波整流电路低。
（错）
三、填空题。
（每空2分，共20分。
）
1、三极管的工作状态有三种：
饱和状态、放大状态和截止状态。
2、磁感应强度B是表示磁场中某点的磁场的强弱的物理量。
3、三相发电机的三个绕组的联结方式分为星形接法和三角形接法。
4、电路通常有通路、断路、短路和接触不良4种状态。
5、单向晶闸管有3个电极：
阴极、阳极和控制极。
外加正向电压时，在正向特性的起始部分，正向电压很小，不足以克服PN结内电场的阻挡作用，正向电流几乎为零，这一段称为死区。
这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。
当正向电压大于死区电压以后，PN结内电场被克服，二极管导通，电流随电压增大而迅速上升。
在正常使用的电流范围内，导通时二极管的端电压几乎维持不变，这个电压称为二极管的正向电压
外加反向电压不超过一定范围时，通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流，由于反向电流很小，二极管处于截止状态。
这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流，二极管的反向饱和电流受温度影响很大。
1947年12月23日，美国新泽西州墨累山的贝尔实验室里，3位科学家——巴丁博士、布菜顿博士和肖克莱博士在紧张而又有条不紊地做着实验。
他们在导体电路中正在进行用半导体晶体把声音信号放大的实验。
3位科学家惊奇地发现，在他们发明的器件中通过的一部分微量电流，竟然可以控制另一部分流过的大得多的电流，因而产生了放大效应。
这个器件，就是在科技史上具有划时代意义的成果——晶体管。
因它是在圣诞节前夕发明的，而且对人们未来的生活发生如此巨大的影响，所以被称为“献给世界的圣诞节礼物”。
另外这3位科学家因此共同荣获了1956年诺贝尔物理学奖。
晶体管促进并带来了“固态革命”，进而推动了全球范围内的半导体电子工业。
作为主要部件，它及时、普遍地首先在通讯工具方面得到应用，并产生了巨大的经济效益。
由于晶体管彻底改变了电子线路的结构，集成电路以及大规模集成电路应运而生，这样制造像高速电子计算机之类的高精密装置就变成了现实。
编辑本段结构简介
三极管的基本结构是两个反向连结的PN接面，如图1所示，可有pnp和npn两种组合。
三个接出来的端点依序称为发射极（emitter,E）、基极（base,B）和集电极（collector,C），名称来源和它们在三极管操作时的功能有关。
图中也显示出npn与pnp三极管的电路符号，发射极特别被标出，箭号所指的极为n型半导体，和二极体的符号一致。
在没接外加偏压时，两个pn接面都会形成耗尽区，将中性的p型区和n型区隔开。
三极管的电特性和两个pn接面的偏压有关，工作区间也依偏压方式来分类，这里我们先讨论最常用的所谓”正向活性区”（forwardactive），在此区EB极间的pn接面维持在正向偏压，而BC极间的pn接面则在反向偏压，通常用作放大器的三极管都以此方式偏压。
图2（a）为一pnp三极管在此偏压区的示意图。
EB接面的空乏区由于在正向偏压会变窄，载体看到的位障变小，射极的空穴会注入到基极，基极的电子也会注入到射极；而BC接面的耗尽区则会变宽，载体看到的位障变大，故本身是不导通的。
图2（b）画的是没外加偏压，和偏压在正向活性区两种情形下，空穴和电子的电位能的分布图。
三极管和两个反向相接的pn二极管有什么差别呢？
其间最大的不同部分就在于三极管的两个接面相当接近。
以上述之偏压在正向活性区之pnp三极管为例，射极的空穴注入基极的n型中性区，马上被多数载体电子包围遮蔽，然后朝集电极方向扩散，同时也被电子复合。
当没有被复合的空穴到达BC接面的耗尽区时，会被此区内的电场加速扫入集电极，空穴在集电极中为多数载体，很快藉由漂移电流到达连结外部的欧姆接点，形成集电极电流IC。
IC的大小和BC间反向偏压的大小关系不大。
基极外部仅需提供与注入空穴复合部分的电子流IBrec，与由基极注入射极的电子流InBE（这部分是三极管作用不需要的部分）。
InBE在射极与与电洞复合，即InBE=IErec。
pnp三极管在正向活性区时主要的电流种类可以清楚地在图3（a）中看出。
3（a）射极注入基极的空穴流大小是由EB接面间的正向偏压大小来控制，和二极体的情形类似，在启动电压附近，微小的偏压变化，即可造成很大的注入电流变化。
更精确的说，三极管是利用VEB（或VBE）的变化来控制IC，而且提供之IB远比IC小。
npn三极管的操作原理和pnp三极管是一样的，只是偏压方向，电流方向均相反，电子和空穴的角色互易。
pnp三极管是利用VEB控制由射极经基极，入射到集电极的空穴，而npn三极管则是利用VBE控制由射极经基极、入射到集电极的电子。
三极管在数字电路中的用途其实就是开关，利用电信号使三极管在正向活性区（或饱和区）与截止区间切换，就开关而言，对应开与关的状态，就数字电路而言则代表0与1（或1与0）两个二进位数字。
若三极管一直维持偏压在正向活性区，在射极与基极间微小的电信号（可以是电压或电流）变化，会造成射极与集电极间电流相对上很大的变化，故可用作信号放大器。
编辑本段工作原理
晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：
锗管和硅管。
而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管，（其中，N表示在高纯度硅中加入磷，是指取代一些硅原子，在电压刺激下产生自由电子导电，而p是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电）。
两者除了电源极性不同外，其工作原
一、填空题
1、（1-1，低）把P型半导体N型半导体结合在一起，就形成。
2、（1-1，低）半导体二极管具有单向导电性，外加正偏电压，外加反偏电压。
3、（1-1，低）利用二极管的，可将交流电变成。
4、（1-1，低）根据二极管的性，可使用万用表的R×1K挡测出其正负极，一般其正反向的电阻阻值相差越越好。
5、（1-1，低）锗二极管工作在导通区时正向压降大约是，死区电压是。
6、（1-1，低）硅二极管的工作电压为，锗二极管的工作电压为。
7、（1-1，中）整流二极管的正向电阻越，反向电阻越，表明二极管的单向导电性能越好。
8、（1-1，低）杂质半导体分型半导体和型半导体两大类。
9、（1-1，低）半导体二极管的主要参数有、，此外还有、、等参数，选用二极管的时候也应注意。
10、（1-1，中）当加到二极管上的反向电压增大到一定数值时，反向电流会突然增大，此现象称为现象。
11、（1-1，中）发光二极管是把能转变为能，它工作于状态；光电二极管是把能转变为能，它工作于状态。
12、（1-2，中）整流是把转变为。
滤波是将转变为。
电容滤波器适用于的场合，电感滤波器适用于的场合。
13、（1-1，中）设整流电路输入交流电压有效值为U2，则单相半波整流滤波电路的输出直流电压UL（AV）=，单相桥式整流电容滤波器的输出直流电压UL（AV）=，单相桥式整流电感滤波器的输出直流电压UL（AV）=。
14、（1-1，中）除了用于作普通整流的二极管以外，请再列举出2种用于其他功能的二极管：
，。
15、（1-1，低）常用的整流电路有和。
16、（1-2，中）为消除整流后直流电中的脉动成分，常将其通过滤波电路，常见的滤波电路有，，复合滤波电路。
17、（1-2，难）电容滤波器的输出电压的脉动τ与有关，τ愈大，输出电压脉动愈，输出直流电压也就愈。
18、（1-2，中）桥式整流电容滤波电路和半波整流电容滤波电路相比，由于电容充放电过程（a.延长，b.缩短），因此输出电压更为（a.平滑，b.多毛刺），输出的直流电压幅度也更（a.高，b.低）。
二、选择题
1、（1-1，低）具有热敏特性的半导体材料受热后，半导体的导电性能将。
A、变好B、变差C、不变D、无法确定
2、（1-1，中）P型半导体是指在本征半导体中掺入微量的。
A、硅元素B、硼元素C、磷元素D、锂元素
3、（1-1，中）N型半导体是指在本征半导体中掺入微量的。
A、硅元素B、硼元素C、磷元素D、锂元素
4、（1-1，难）PN结加正向电压时，空间电荷区将。
A、变窄B、基本不变C、变宽D、无法确定
5、（1-1，低）二极管正向电阻比反向电阻。
A、大B、小C、一样大D、无法确定
6、（1-1，中）二极管的导通条件。
A、uD>0B、uD>死区电压C、uD>击穿电压D、以上都不对
7、（1-1，中）晶体二极管内阻是。
A、常数B、不是常数C、不一定D、没有电阻
8、（1-1，中）电路如图所示，输出电压UO应为。
A、0.7VB、3.7VC、10VD、0.3V
9、（1-1，中）把一个二极管直接同一个电动势为1.5V，内阻为零的电池正向连接，该二极管。
A、击穿B、电流为零C、电流正常D、电流过大使管子烧坏
10、（1-1，中）下面列出的几条曲线中，哪条表示的理想二极管的伏安特性曲线。
ABCD
11、（1-1，低）二极管的反向饱和电流在室温20oC时是5μA，温度每升高10oC，其反向饱和电流值增大一倍，当温度为30oC时，反向饱和电流值为。
A、5μAB、10μAC、20μAD、30μA
12、（1-1，中）将交流电压Ui经单相半波整流电路转换为直流电压Uo的关系是。
A、Uo=UiB、Uo=0.45UiC、Uo=0.5UiD、Uo=Ui
13、（1-1，中）三极管三个极的对地电位分别是-6V、-3V、-3.2V，则该管是。
A、PNP硅管B、NPN锗管C、NPN硅管D、PNP锗管
14、（1-1，中）NPN型三极管，三个电极的电位分别有VC=3.3V，VE=3V，VB=3.7V，则该管工作在。
A、饱和区B、截止区C、放大区D、击穿区
15、（1-1，中）用万用表欧姆挡测量小功率晶体二极管性能好坏时，应把欧姆挡拨到。
A、R×100Ω或R×1KΩB、R×1ΩC、R×10ΩD、R×100Ω
16、（1-1，中）当环境温度升高时，二极管的反向电流将。
A、减少B、增大C、不变D、缓慢减少
17、（1-1，中）如图所示，设二极管为理想状态，则电压VAB为。
A、3VB、6VC、-3VD、-6V
18、（1-1，难）如图所示的电路中，理想二极管D1、D2的工作状态为。
A、D1、D2均导通B、D1截止，D2导通
C、D1、D2均截止D、D1导通，D2截止
19、（1-1，中）二极管从反向到正向导通所需时间t1，从正向导通到反向截止所需要的时间t2,则t1和t2的关系是
A、相等B、t1远大于t2
C、t1远小于t2D、t1略小于t2
20、（1-1，中）将交流220V经单相半波整流电路转换为直流电压的值为。
A、110VB、0.45×220VC、×220VD、220V
21、（1-1，中）问以下哪种情况中，二极管会导通。
A、
B、
C、
D、
22、（1-1，难）用万用表测量小功率二极管极性时，应选用。
A、直流电压挡量程5VB、直流电流挡量程100mA
C、交流电压挡量程10VD、电阻挡量程R×100
23、（1-1，中）当万用表不同欧姆挡去测量二极管正反向电阻时，获得的结果差异较大，这是因为。
A、该管已坏B、万用表各挡有差异
C、二极管的电阻可变D、二极管的伏安特性是非线性
24、（1-1，难）二极管在反向截止区的反向电流。
A、随反向电压升高而升高B、随反向电压升高而急剧升高
C、基本保持不变D、随反向电压升高而减少
25、（1-1，中）某晶体二极管的正、反向电阻都很小或为零时，则该二极管。
A、正常B、已被击穿
C、内部短路D、内部开路
26、（1-1，难）已知输入正弦波Ui，欲获取图示输出波形Uo，应选取的合适电路是。
A、
B、
C、
D
27、（1-1，难）两只相同的灯泡L1、L2接在如图所示的电路中，则。
A、L1比L2亮B、L2比L1亮C、L1、L2一样亮D、以上答案都不对
28、（1-1，难）若PN结两侧的杂质浓度高，则形成的PN结。
A、反向漏电流小，反向击穿电压低B、反向漏电流小，反向击穿电压高
C、反向漏电流大，反向击穿电压高D、反向漏电流大，反向击穿电压低
29、（1-1，低）在单相半波整流电路中，所用整流二极管的数量是。
A、四只B、三只C、二只D、一只
30、（1-1，难）在整流电路中，设整流电流平均值为，则流过每只二极管的电流平均值
的电路是。
A、单相桥式整流电路B、单相半波整流电路
C、单相全波整流电路D、以上都不行
31、（1-1，难）设整流变压器副边电压
，欲使负载上得到图示整流电压的波形，则需要采用的整流电路是。
A、单相桥式整流电路B、单相全波整流电路
C、单相半波整流电路D、以上都不行
32、（1-2，难）整流滤波电路如图所示，负载电阻不变，电容C愈大，则输出电压平均值应。
A、不变B、愈大C、愈小D、无法确定
33、（1-2，难）单相半波整流、电容滤波电路中，设变压器副边电压有效值为，则整流二极管承受的最高反向电压为。
A、
B、
C、D、2
三、判断题
1、（1-1，低）二极管的内部结构实质就是一个PN结。
（）
2、（1-1，低）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。
（）
3、（1-1，中）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（）
4、（1-1，中）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（）
5、（1-1，低）硅二极管的热稳定性比锗二极管好。
（）
6、（1-1，低）普通二极管正向使用也有稳压作用。
（）
7、（1-1，低）P型半导体带正电，N型半导体带负电。
（）
8、（1-1，中）二极管反向漏电流越小，表明二极管单向导电性越好。
（）
9、（1-1，低）二极管仅能通过直流，不能通过交流。
（）
10、（1-1，中）对于实际的晶体二极管，当加上正向电压时它立即导通，当加上反向电压时，它立即截止。
（）
11、（1-1，中）用数字万用表识别晶体二极管的极性时，若测的是晶体管的正向电阻，那么与标有“+”号的表笔相连接的是二极管正极，另一端是负极。
（）
12、（1-2，低）任何电子电路都需要直流电源供电，因此需要直流稳压电源（）
13、（1-2，中）电容滤波效果是由电容器容抗大小决定的（）
14、（1-2，中）电容滤波器广泛运用于负载电流小且变化量不大的场合（）
四、简答
1、（1-1，低）什么是PN结？
PN结有什么特性？
2、（1-1，低）欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？
3、（1-1，中）为什么说二极管是一种非线形元件？
什么是二极管的伏安特性？
它的伏安特性曲线是如何绘制的？
4、（1-1，低）什么是二极管的死区电压？
硅管和锗管的死区电压值约为多少？
5、（1-1，低）为什么二极管可以当着一个开关来使用？
6、（1-1，中）选用二极管时候主要考虑哪些参数？
这些参数的含义是什么？
7、（1-2，中）什么叫整流？
什么叫滤波？
其各自组成的基本原理是什么？
五、计算题
1、（1-1，低）电路如图1.1所示，试确定二极管是正偏还是反偏。
设二极管正偏时的正向压降为0.7V，估算UA、UB、UC、UD、UAB、UCD。
2、（1-1，低）电路如图所示，试分析当
时，哪些二极管导通？
时，哪些二极管导通？
（写出分析过程并设二极管正向压降为
）。
3、（1-1，低）根据图（b）中给出的UA、UB，分析图（a）所示电路中二极管的工作状态，求Uo的值，并将结果添入图（b）中。
设二极管正向压降为0.7V。
4、（1-1，低）计算下图所示电路的电位UY（设D为理想二极管）。
（1）UA＝UB＝0时；
（2）UA＝E，UB＝0时；
（3）UA＝UB＝E时。
5、（1-1，中）在下图所示电路中，设D为理想二极管，已知输入电压ui的波形。
试画出输出电压uo的波形图。
6、（1-1，中）如图所示电路中，设E=5V、υi=10sinωt，二极管的正向压降可忽略不计，试画出输出电压υo的波形，并在波形上标出幅值。
7、（1-1，中）写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压UD＝0.7V。
8、（1-1，难）如图所示电路中，υi=10sinωtV，二极管是理想的，试画出输出电压υo的波形。
9、（1-1，低）如图所示电路中，设E=5V、υi=10sinωt，二极管的正向压降可忽略不计，试画出输出电压υo的波形，并在波形上标出幅值。
10、（1-1，中）请根据输入信号画出电路的输出波形。
11、（1-2，中）为了安全，机床上常用36V直流电压供电的白炽灯作为照明光源，假设变压器输出侧采用半波整流电路,那么变压器输出侧电压值为多少？
12、（1-2，难）整流滤波电路如图所示，二极管是理想元件，电容
，负载电阻
，开关闭合、断开时，直流电压表
的读数为
，求：
（1）开关闭合、断开时，直流电流表
的读数;
（2）开关断开、闭合时，直流电流表
的读数;
（3）开关、均闭合时，直流电流表
的读数。
（设电流表内阻为零，电压表内阻为无穷大）。
六、实践题
1、（1-1，低）如何用万用表的欧姆档来辨别一只二极管的阴、阳两极？
（提示：
模拟万用表的黑表笔接表内直流电源的正极，红表笔接负极）
2、（1-1，中）有人用万用表测二极管的反向电阻时，为了使表笔和管脚接触良好，用两只手捏紧被测二极管脚与表笔接触处，测量结果发现二极管的反向阻值比较小，认为二极管的性能不好，但二极管在电路中工作正常，试问这是什么原因？
3、（1-1，低）能否用1.5V的干电池，以正向接法直接加至二极管的两端？
估计会出现什么问题？
你认为应该怎样解决？
4、（1-1，中）在用万用表R×10，R×100，R×1000三个欧姆档测量某个二极管的正向电阻时，共测得三个数值：
4kΩ,85Ω,680Ω。
试判断它们各是哪一档测出的。
第一章整流滤波电路
一、填空题
1、PN结
2、导通，截止
3、单向导电性，直流电
4、单向导电，大
5、0.2V，0.1V
6、0.7V，0.3V
7、小，大
8、N，P
9、最大平均整流电流，最高反向工作电压，反向电流，正向压降，工作频率
10、反向击穿
11、电，光，正向偏置，光，电，反向偏置
12、交流电，脉动的直流电，脉动的直流电，平滑的直流电，负载电流较小且变化不大，负载电流较大
13、0.45U2，1.2U2，0.9U2
14、稳压二极管，发光二极管
15、半波整流电路，桥式整流电路/全波整流电路
16、电容滤波电路，电感滤波电路
17、电容器放电快慢，小，平滑
18、b，a，a
二、选择题
1、A
2、B
3、C
4、Ａ
5、B
6、B
7、B
8、A
9、D
10、B
11、B
12、B
13、D
14、A
15、A
16、B
17、B
18、D
19、C
20、B
21、A
22、D
23、D
24、C
25、B
26、A
27、B
28、A
29、D
30、B
31、C
32、B
33、B
三、判断题
1、对
2、对
3、错
4、对
5、对
6、对
7、错
8、对
9、错
10、错
11、对
12、对
13、错
14、对
四、简答
1、（1-1，低）什么是PN结？
PN结有什么特性？
答：
PN结是P型半导体和N型半导体交界面附近的一个特殊区域。
它的最大的特性是单向导电性，正偏时导通，反偏时截止。
2、（1-1，低）欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？
答：
应使管子的正向电阻小一点，反向电阻大一点。
3、（1-1，中）为什么说二极管是一种非线形元件？
什么是二极管的伏安特性？
它的伏安特性曲线是如何绘制的？
答：
因为当二极管两端有电压加载时，通过二极管的电流与加在二极管两端的电压不是线形关系。
此时二极管两端电压与通过它的电流的关系即二极管的伏安特性。
以电压为横坐标，以电流为纵坐标绘制出的曲线即为它的伏安特性曲线。
4、（1-1，低）什么是二极管的死区电压？
硅管和锗管的死区电压值约为多少？
答：
当二极管两端加所加的正向电压较小时，二极管不能导通，这段电压称为死区电压。
硅管的死区电压值约为0.5V，锗管的死区电压值约为0.1V。
5、（1-1，低）为什么二极管可以当着一个开关来使用？
答：
根据二极管的单向导电性：
外加正偏电压时导通，外加反偏电压时截止，可以以此来发挥开关的闭和、断开作用。
6、（1-1，中）选用二极管时候主要考虑哪些参数？
这些参数的含义是什么？
答：
选用二极管时主
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