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电子技术基础知识教学提纲
第一章基础知识
一、电路计算中的代数量及正方向
（一）、双向标量
在图1-1中导线AB里的电流强度，具有两个可能的方向，I
我们把这种有两个可能方向的标量称为双向标量，它既不同于AB
完全没有方向的标量（如体积），也不同于有无限多个可能方I
向（方向连续变）的矢量。
（图1-1）
双向标量可以用代数量来同时表示他的大小和方向。
但应该指出：
正负号究竟表示什么方向，必须事先做出约定，否则正负号并不代表任何意义，这正如没有指定圆点时正负数就没有意义一样。
为了表达这种约定，可以引入“正方向”的概念，有的也把“正方向”叫做“参考方向”或“标定方向”，但“正方向”一词最常见。
当规定的“正方向”与双向标量的实际方向一致时，代数量前取“+”号，反之取“—”号，这样代数量就表达了双向标量的全部特征。
用代数量描写“双向标量“的最大优点在于，用代数量的各种运算结果的正负号判明待求量的实际方向。
这一优点在以下两种情况下显得尤其突出：
一是计算复杂的直流电路；二是计算交流电路，可以说没有代数量就很难表示交流电，更谈不上交流电路的计算了。
“双向标量”的正方向和实际方向在图中都可用箭头表示。
当必须同时标出一个量的“正方向”和“实际方向”时，一般用实虚两种箭头来区别，由于“正方向”比“实际方向”更常需要标出，所以一般用实箭头表示“正方向”，用虚箭头表示“实际方向”。
判断一个标量是否是“双向标量”时，主要看他是否存在两种非此即彼的可能方向。
有时标量实际看来没有什么方向可言，但它的确存在两种非此即彼的可能性，为了方便起见，也可以分别给每种可能性赋予一个“方向”（指实际方向）的意义，从而把这个量当成“双向标量”来处理。
比如“电压”就是这样，说“AB间电压是5伏，只能知道AB之间电位差是5伏，并不知道两点的电位谁高谁低，这种不同就可看作是“方向”性的不同，所以可以给他定义一个“实际方向”的概念：
从高位点到低位点的方向叫作这两点电压的实际方向。
电压有时也可用记下标的方法代替实箭头表示电压的正方向,即用UAB表示U的正方向从A向B，显然有UAB=UA—UB；电源的电动势也是一个“双向标量”，其实际方向定义为：
从电源负极指向电源正极的方向（或电源非静电力的方向）。
“实际方向”不同于“正方向”是客观存在的事实；而“正方向”则是认为约定的，用以与实际方向作比较而决定正负号的方向。
（二）、数量等式
我们知道矢量式比标量式具有更丰富的表达力，既能表达矢量间的数值关系，又能表达它们的方向关系（指连续变化的无限多个方向），一举两得。
与此相类似，代数量等式也比算术量等式具有更丰富的表达力，用代数量进行运算也可收到一举两得的效果，使用代数量等式时，要特别注意以下两点：
1、代数量与算术量在书写时没有任何区别，因此，应当明确式中哪些量是代数量，对于一次演算中的同一个量，不允许一会看作代数量，一会又看作算术量，否则容易出现错误。
2、凡代数量必须事先约定正方向，正方向可以任意选择，但已经选定就不能更改。
在用代数量等式表示电路定律时，必须注意式中各代数量的“正方向”之间的关系（或叫配合），各量“正方向”的关系不同时，同一定律会有不同的代数量表达式，看下面两个例子：
例1：
写出不含源电路的欧姆定律的代数量表达式。
首先这个定律的完整内容包括两点：
、流过电路的电流在数值上等于电路两端的电压除以其电阻；
、电流的方向（对外电路而言的实际方向），是从高电位端指向低电位端。
若用算术量表示即I=U/R，此只表示了欧姆定律的一个内容，若要同时表示两个内容，则必须用代数量等式表示，共有两种形式：
一种是I和U的正方向规定的一致如图2-2所示，则有I=U/R；另一种是I和U的正方向规定的相反如图2-2所示，则有I=-U/R。
以上两式
都能分两种情况加以说明：
由图2-1知A点比B点电位高；由图2-2知B点比A点电位高；证明略。
UU
例2：
写出含源电路的欧姆定律的表达式。
ABAB
首先讨论一段最简单的含源电路—无II
内阻电源，其关系式也有两种可能。
（图2-2）（图2-3）
图2-4所示U=ε；图2-5所示
U=-ε。
再讨论有内阻电源，它可等
效为无内阻电源与电阻的串联图2-6εε
所示，设ε、U、I的正方向按图中BABA
规定，则有UCB=ε，UCA=Ir，则进一UU
步有U=UAC+UCB=-UCA+U=-Ir+ε即ε=U+Ir。
（图2-4）（图2-5）
如果按图2-7所示方向规定则有：
UCB=ε；UCA=-Ir；U=UCA+UCB=Ir+ε即为ε=U-Ir。
由此不难总结得出：
当ε、I的方向相同，而U的“正方向”与它们相反时，简记为“两同一反”有：
ε=U-Ir。
若上式中任一个代数量的“正方向”反过来时有ε=U-Ir。
综上所述可得两个重要结论：
εε
❶、代数量等式中每项前的正负号，II
取决于且仅取决于在该等式中出现B●●●AB●●●A
的各代数量的“正方向”之间的配C
合，所以记公式必须同时记住公式←U→←U→
中各代数量“正方向”之间的配合。
（图2-6）（图2-7）
❷、当某一代数量的“正方向”改变时，等式中含该量的项前的正负号必须随之改变。
二、戴维南定理（电压源定理）
电压源定理又称为等效发电机定理，即对于任何一个由电源、电阻所组成的，有两个引出端的有源二端网络，总可以用一个具有一定内阻的等效电源E来代替，E就是引出端的开路电压，R就是将原来电路中的电源短接后，两引出端间的总电阻。
例如图2-1电路中C的充电时间常数τ=RC，除与R1C有关外，还与RK有关。
现在用电压源定理求证如下：
先画出该电路的等效电路如图2-2，其中AB就是该二端有源网络的出线端，AB开路时ＵＡＢ＝ＲＫＥＣ／（Ｒ１＋ＲＫ），故等效电源Ｅ＝ＲＫＥＣ／（Ｒ１＋ＲＫ），将ＥＣ短接，从ＡＢ看进去Ｒ１与ＲＫ并联，所以等效电源内阻Ｒ＝Ｒ１ＲＫＣ／（Ｒ１＋ＲＫ），可见该电路的充电时间常数τ=RC＝Ｒ１ＲＫＣ／（Ｒ１＋ＲＫ），充电结束时ＵＣ＝－ＲＫＥＣ／（Ｒ１＋ＲＫ）。
三、晶体管的功率损耗
1、处于甲类放大状态的晶体管，功率损耗为ＰＣ＝（１／２）ＰＣＭ ，其中ＰＣＭ为最大允许集电极损耗功率。
2、处于开关状态的晶体管，功率损耗由三部分组成：
❶、转换过程（开启时间及关闭时间）的功耗：
Ｐ１＝ＵＣＭＩＣＭ（tr＋tf）／６Ｔ。
❷、饱和时间的功耗：
Ｐ２＝ＩＣＭＵＣＥＳ（Ｔ导／Ｔ）。
❸、截止时的功耗：
Ｐ３＝ＵＣＭＩＣＢＯ（１－Ｔ导／Ｔ）。
由此可证明处于开关状态的晶体管能输出的功率比其集电极最大允许耗散功率大得多，即能带超过它本身最大功率的负载，并且改善波形的前后沿对减少管子的功耗有益。
逆变电源的输出一般都设计成方波，就是为了提高逆变晶体管带负载的能力。
四、可控硅、场效应管的原理与检测：
（一）、可控硅（又称晶闸管）
隧道二极管、单结晶体管、可控硅都是负阻器件，即在伏安特性曲线中存在这样一段特性：
电压增加时电流减少或电压减少时电流增加。
1、普通可控硅（SCR），
其工作频率较低，属于单向可控硅。
要关断导通的普通可控硅只能减小阳极电流到小于维持电流，即使加反向电压也不能关断。
所以先短路G极到地然后开机通电即可让可控硅
不工作，从而让其失去保护作用。
可控硅的
符号如图12一1所示。
A—阳极，K—阴极，KA
G—控制极。
KK系列用于脉冲电路及高速逆变；
KP系列用于整流或一般控制；3CT系列普通用途。
G
其测量方法是：
（图4-1）
2、可关断可控硅（GTO）
其工作频率较高。
属于单向可控硅，要关断导通的普通可控硅只需在G、K之间加一反向控制电。
符号与普通可控硅相同。
A—阳极，K—阴极，G—控制极。
T2
其测量方法是：
3、双向可控硅可双向导通
即可以正向触发导通，也可以反向触发导通。
符号如图12-2所示，T1—第一阳极，T2—第二阳极，G
G—控制极。
T1
其测量方法是：
可看成是两个单向可控硅反（图4-2）
向并联而成。
用Rⅹ1测量任意两脚的阻值，正常时只有一组为几十欧，另两组为无穷大；值为几十欧时的两脚为T1、G，余下一脚为T2；然后假定T1、G中的任意脚为T1，黑表笔接T1，红表笔接T2，将T2与假定G极瞬间短路，如果阻值由无穷大变为几十欧，之后调换两表笔重复上面操作结果相同时，说明假定正确；若调换表笔后先指示几十欧后又变为无穷大说明假定错误。
可控硅SCR是SiliconComtrclledRectifier的缩写；晶闸管的国际通用名称为
Thyristor。
（二）、场效应管（FET）
场效应管是一种电压控制型半导体器件（晶体管是电流控制型），它是利用电场的作用来改变其导通能力（仅靠一种载流子导电，晶体管靠两种载流子导电），因此称为场效应管。
它具有高输入阻抗、低噪声、抗辐射能力强、动态范围大、热稳定性好、制作工艺简单等优点。
FET是FieldEffectTransistor的缩写
FFET是JunctionTypeEffectTransistor的缩写
MOSFET是Metal-oxide-SemiconductorTYPEfieldEffectTransistor的缩写
1、结型场效应管（JFET）
全部是耗尽型，分为N、P两种沟道。
其中D—漏极，S—源极，G—栅极。
2、绝缘栅场效应管（IGFET）
分为耗尽型和增强型两类，各有N、P两种沟道。
又叫金属氧化物场效应管（MOSFET）。
其中绝缘层为二氧化硅的用MOSFET表示；绝缘层是氮化硅的用MNSFET表示；绝缘层是氧化铝的用MALSFET表示。
3、VMOS管的测量方法
（1）、栅极G的测定
用Rⅹ100档分别测量任意两脚的正反向电阻有三种组合，共进行六次测量，其中读数为数百欧时只有一次，其余为无穷大；则此时两表笔所接引脚D、S极，余下的另一脚为G极。
（2）、漏极D、源极S及类型测定
用Rⅹ10K档测D、S间的正反向电阻，正向约为0.2ⅹ10K，反向在（5—∞）ⅹ100K。
在测反向电阻时红表笔所接引脚不变，黑表笔离开所接引脚后与G极碰一下，然后黑表笔再去接原引脚，若阻值变为零，则红笔所接为S极，黑表笔所接为D极；用黑表笔触发G极有效，则该VMOS管为N沟道，反之为P沟道。
（3）、跨导大小的检测
对N沟道VMOS管，红笔接S黑笔接D，G极开路万用表指针偏转较小，用手接触G极时表针有明显偏转，偏转量愈大说明跨导愈高，对于P沟道VMOS管红黑表笔互换。
注意：
少数VMOS管的G、S之间接有保护二极管，以上检测方法不再适用。
4、一些常见功率场效应管电极排列
2SK727等管的电极排列如图2-4-1；K118、K200、K201、K413、K423、K727、K1529、K1530、IRF730、IRF840等管的电极排列如图2-4-2；K214、K1058、J77、J162等管的电极排列如图2-4-3；K30、K170、K246、K373、J74、J103等管的电极排列如图2-4-4。
2SK727
GDSGDSGSDDGS
图2-4-1图2-4-2图2-4-3图2-4-4
五、数字电路
门电路是有多个输入端和一个输出端的开关电路。
当决定某一事件的各种条件全部具备之后这件事才发生，这种因果关系就称为“与”的关系，满足这种关系的电路称为“与门电路”；当决定某一事件的各种条件只要具备其中一个或一个以上时，这件事就发生这种因果关系称为“或”的关系，满足这种关系的电路称为“或门电路”。
“或”、“与”都是基本的门电路对于一个具体的基本门电路来说，它既是与门又是或门，看信号系统取什么样的条件？
根据正负信号的条件判断是与还是或。
非门输出是输入的否定，因而反相器就是一个非门电路。
通常是跟与门、或门组合构成与非门、或非门电路。
由于负与门就是正或门，负或门就是正或门，所以负与非门就是正或非门，负或非门就是正与非门。
1、型号XDYKJ-5；参考机型：
瑞康
080，082，其中1-地；2-信号；3-是+5V
六、外差收音机的调试
（一）、调整静态工作点略。
（二）、调试465㎑中频频率：
首先用短路线将振荡连短路，使本机振荡停振，然后将465㎑的音频调幅信号从天线连注入收音机，用无感改锥调整中频变压器（中周）的磁帽，一边听喇叭的声音使之最响，调整的顺序是从最外一级中频变压器开始逐级向前调整。
在完成以上465㎑的粗调后，减小注入音频调幅信号的幅度（目的是使耳朵对声音的响度有较好的分辨率），然后再做一次细调。
（三）、统调
1、校准频率刻度
目的是使收音机指针在刻度上的指示值与收音机的信号频率相等。
统调点频率选为600㎑、1000㎑、1500㎑三个频率点。
再中频通道465㎑已调好的基础上，可按下列步骤校准频率刻度：
❶、使信号发生器输出600㎑的音频调幅信号电缆线靠近收音机的磁性天线，设法使其与磁性天线保持某一固定距离，同时缓缓调节本振线圈的磁帽，使扬声器发出的声音最响（收音机指针调到600㎑频率上）。
❷、将收音机指针调到1500㎑的频率上，同时信号发生器也调到1500㎑上，调整本振的微调电容，直到收到信号发生器发出的1500㎑音频调幅信号并最响为止。
❸、重复上两步的调试步骤二至三次600㎑和1500㎑两点即可调好，中间的1000㎑基本上已能达到要求，可不必专门调试。
2、跟踪（调补偿）
目的是调整输入回路，使其准确谐振在所接受的频率上。
次步应在刻度校准的基础上进性，调试顺序也是先低端后高端，并且低端调电感、高端调电容。
❶、将收音机和信号发生器都调到600㎑，调节磁性天线上线圈的位置，使扬声器发出的声音最响，此时线圈一般应位于磁棒的顶端附近，但不应超出顶端。
❷、将收音机和信号发生器都调到1500㎑上调节输入回路的补偿电容使声音最响。
❸、重复以上两步二至三遍统调即告结束。
五、通用示波器常识
1、扫描速度
扫描速度是指：
在无扩展的情况下，亮点在屏幕X轴方向上偏转1cm所表示的时间。
用t/cm表示，t/cm越小表明示波器在X轴方向上展开高频信号的能力越强。
2、转灵敏度（Sy）
偏转灵敏度，是指输入信号在无衰减的情况下，亮点在屏幕Y轴方向上偏转1cm所需要信号的峰峰值。
它用V/cm表示，反映示波器观察微弱信号的能力，其值越小，偏转灵敏度越高，观察微弱信号的能力也就越强。
3、频率响应
规定为加到示波器输入端的信号，在屏幕上所显示图象的幅度，对应中频段频率显示幅度下降3dB的范围：
△B=fh-fl，由于fh>>fl所以，△B≈fh。
为了不是真地重现被测信号的波形，应选择示波器的△B≈fh等于被测信号最高频率的3倍以上。
由于/Tr上升=350/△B≈350/fh，所以fhTr上升≈350，其中Tr上升表示示波器具有的固有上升时间，单位为毫微妙，fh为上限频率，单位为兆赫（MHZ），若选取Tr固上升=1/3Tr被测上升，则应选示波器的频带宽度为△B≈fh≈350/Tr固上升=350/1/3Tr被测上升≈1000/Tr被测上升。
4、探头的选用
（1）、依据被测量要求选择探头
探头分电容探头，电阻分压探头（
常用电子元器件检测方法
（2006.6.1由朱昌平在网上收集）
元器件的检测是家电维修的一项基本功，如何准确有效地检测元器件的相关参数，判断元器件的是否正常，不是一件千篇一律的事，必须根据不同的元器件采用不同的方法，从而判断元器件的正常与否。
特别对初学者来说，熟练掌握常用元器件的检测方法和经验很有必要，以下对常用电子元器件的检测经验和方法进行介绍供对考。
一、电阻器的检测方法：
1、固定电阻器的检测。
A将两表笔（不分正负）分别与电阻的两端引脚相接即可测出实际电阻值。
为了提高测量精度，应根据被测电阻标称值的大小来选择量程。
由于欧姆挡刻度的非线性关系，它的中间一段分度较为精细，因此应使指针指示值尽可能落到刻度的中段位置，即全刻度起始的20％～80％弧度范围内，以使测量更准确。
根据电阻误差等级不同。
读数与标称阻值之间分别允许有±5％、±10％或±20％的误差。
如不相符，超出误差范围，则说明该电阻值变值了。
B注意：
测试时，特别是在测几十kΩ以上阻值的电阻时，手不要触及表笔和电阻的导电部分；被检测的电阻从电路中焊下来，至少要焊开一个头，以免电路中的其他元件对测试产生影响，造成测量误差；色环电阻的阻值虽然能以色环标志来确定，但在使用时最好还是用万用表测试一下其实际阻值。
2水泥电阻的检测。
检测水泥电阻的方法及注意事项与检测普通固定电阻完全相同。
3熔断电阻器的检测。
在电路中，当熔断电阻器熔断开路后，可根据经验作出判断：
若发现熔断电阻器表面发黑或烧焦，可断定是其负荷过重，通过它的电流超过额定值很多倍所致；如果其表面无任何痕迹而开路，则表明流过的电流刚好等于或稍大于其额定熔断值。
对于表面无任何痕迹的熔断电阻器好坏的判断，可借助万用表R×1挡来测量，为保证测量准确，应将熔断电阻器一端从电路上焊下。
若测得的阻值为无穷大，则说明此熔断电阻器已失效开路，若测得的阻值与标称值相差甚远，表明电阻变值，也不宜再使用。
在维修实践中发现，也有少数熔断电阻器在电路中被击穿短路的现象，检测时也应予以注意。
4电位器的检测。
检查电位器时，首先要转动旋柄，看看旋柄转动是否平滑，开关是否灵活，开关通、断时“喀哒”声是否清脆，并听一听电位器内部接触点和电阻体摩擦的声音，如有“沙沙”声，说明质量不好。
用万用表测试时，先根据被测电位器阻值的大小，选择好万用表的合适电阻挡位，然后可按下述方法进行检测。
A用万用表的欧姆挡测“1”、“2”两端，其读数应为电位器的标称阻值，如万用表的指针不动或阻值相差很多，则表明该电位器已损坏。
B检测电位器的活动臂与电阻片的接触是否良好。
用万用表的欧姆档测“1”、“2”（或“2”、“3”）两端，将电位器的转轴按逆时针方向旋至接近“关”的位置，这时电阻值越小越好。
再顺时针慢慢旋转轴柄，电阻值应逐渐增大，表头中的指针应平稳移动。
当轴柄旋至极端位置“3”时，阻值应接近电位器的标称值。
如万用表的指针在电位器的轴柄转动过程中有跳动现象，说明活动触点有接触不良的故障。
5正温度系数热敏电阻（PTC）的检测。
检测时，用万用表R×1挡，具体可分两步操作：
A常温检测（室内温度接近25℃）；将两表笔接触PTC热敏电阻的两引脚测出其实际阻值，并与标称阻值相对比，二者相差在±2Ω内即为正常。
实际阻值若与标称阻值相差过大，则说明其性能不良或已损坏。
B加温检测；在常温测试正常的基础上，即可进行第二步测试—加温检测，将一热源（例如电烙铁）靠近PTC热敏电阻对其加热，同时用万用表监测其电阻值是否随温度的升高而增大，如是，说明热敏电阻正常，若阻值无变化，说明其性能变劣，不能继续使用。
注意不要使热源与PTC热敏电阻靠得过近或直接接触热敏电阻，以防止将其烫坏。
6负温度系数热敏电阻（NTC）的检测。
（1）、测量标称电阻值Rt
用万用表测量NTC热敏电阻的方法与测量普通固定电阻的方法相同，即根据NTC热敏电阻的标称阻值选择合适的电阻挡可直接测出Rt的实际值。
但因NTC热敏电阻对温度很敏感，故测试时应注意以下几点：
ARt是生产厂家在环境温度为25℃时所测得的，所以用万用表测量Rt时，亦应在环境温度接近25℃时进行，以保证测试的可信度。
B测量功率不得超过规定值，以免电流热效应引起测量误差。
C注意正确操作。
测试时，不要用手捏住热敏电阻体，以防止人体温度对测试产生影响。
（2）、估测温度系数αt
先在室温t1下测得电阻值Rt1，再用电烙铁作热源，靠近热敏电阻Rt，测出电阻值RT2，同时用温度计测出此时热敏电阻RT表面的平均温度t2再进行计算。
7压敏电阻的检测。
用万用表的R×1k挡测量压敏电阻两引脚之间的正、反向绝缘电阻，均为无穷大，否则，说明漏电流大。
若所测电阻很小，说明压敏电阻已损坏，不能使用。
8光敏电阻的检测。
A用一黑纸片将光敏电阻的透光窗口遮住，此时万用表的指针基本保持不动，阻值接近无穷大。
此值越大说明光敏电阻性能越好。
若此值很小或接近为零，说明光敏电阻已烧穿损坏，不能再继续使用。
B将一光源对准光敏电阻的透光窗口，此时万用表的指针应有较大幅度的摆动，阻值明显减小。
此值越小说明光敏电阻性能越好。
若此值很大甚至无穷大，表明光敏电阻内部开路损坏，也不能再继续使用。
C将光敏电阻透光窗口对准入射光线，用小黑纸片在光敏电阻的遮光窗上部晃动，使其间断受光，此时万用表指针应随黑纸片的晃动而左右摆动。
如果万用表指针始终停在某一位置不随纸片晃动而摆动，说明光敏电阻的光敏材料已经损坏。
二、电容器的检测方法与经验
1固定电容器的检测
A检测10pF以下的小电容
因10pF以下的固定电容器容量太小，用万用表进行测量，只能定性的检查其是否有漏电，内部短路或击穿现象。
测量时，可选用万用表R×10k挡，用两表笔分别任意接电容的两个引脚，阻值应为无穷大。
若测出阻值（指针向右摆动）为零，则说明电容漏电损坏或内部击穿。
B检测10PF～001μF固定电容器是否有充电现象，进而判断其好坏。
万用表选用R×1k挡。
两只三极管的β值均为100以上，且穿透电流要小。
可选用3DG6等型号硅三极管组成复合管。
万用表的红和黑表笔分别与复合管的发射极e和集电极c相接。
由于复合三极管的放大作用，把被测电容的充放电过程予以放大，使万用表指针摆幅度加大，从而便于观察。
应注意的是：
在测试操作时，特别是在测较小容量的电容时，要反复调换被测电容引脚接触A、B两点，才能明显地看到万用表指针的摆动。
C对于001μF以上的固定电容，可用万用表的R×10k挡直接测试电容器有无充电过程以及有无内部短路或漏电，并可根据指针向右摆动的幅度大小估计出电容器的容量。
2电解电容器的检测
A因为电解电容的容量较一般固定电容大得多，所以，测量时，应针对不同容量选用合适的量程。
根据经验，一般情况下，1～47μF间的电容，可用R×1k挡测量，大于47μF的电容可用R×100挡测量。
B将万用表红表笔接负极，黑表笔接正极，在刚接触的瞬间，万用表指针即向右偏转较大偏度（对于同一电阻挡，容量越大，摆幅越大），接着逐渐向左回转，直到停在某一位置。
此时的阻值便是电解电容的正向漏电阻，此值略大于反向漏电阻。
实际使用经验表明，电解电容的漏电阻一般应在几百kΩ以上，否则，将不能正常工作。
在测试中，若正向、反向均无充电的现象，即表针不动，则说明容量消失或内部断路；如果所测阻值很小或为零，说明电容漏电大或已击穿损坏，不能再使用。
C对于正、负极标志不明的电解电容器，可利用上述测量漏电阻的方法加以判别。
即先任意测一下漏电阻，记住其大小，然后交换表笔再测出一个阻值。
两次测量中阻值大的那一次便是正向接法，即黑表笔接的是正极，红表笔接的是负极。
D使用万用表电阻挡，采用给电解电容进行正、反向充电的方法，根据指针向右摆动幅度的大小，可估测出电解电容的容量。
3可变电容器的检测
A用手轻轻旋动转轴，应感觉十分平滑，不应感觉有时松时紧甚至有卡滞现象。
将载轴向前、后、上、下、左、右等各个方向推动时，转轴不应有松动的现象。
B用一只手旋动转轴，另一只手轻摸动片组的外缘，不应感觉有任何松脱现象。
转轴与动片之间接触不良的可变电容器，是不能再继续使用的。
C将万用表置于R×10k挡，一只手将两个表笔分别接可变电容器的动片和定片的引出端，另一只手将转轴缓缓旋动几个来回，万用表指针都应在无穷大位置不动。
在旋动转轴的过程中，如果指针有时指向零，说明动片和定片之间存在
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