模拟电路考试题及答案.docx

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模拟电路考试题及答案

自测题一

一、判断题

1．因为P型半导体的多数载流子是空穴，所以它带正电。

（F）

2．在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。

（T）

3．处于放大状态的三极管，集电极电流是多数载流子漂移所形成的。

（F）

二、单选题

1．半导体中的少数载流子产生的原因是（D）。

A．外电场B．内电场C．掺杂D．热激发

2．用万用表测二极管的正、反向电阻来判断二极管的好坏，好的管子应为（C）。

A．正、反向电阻相等B．正向电阻大，反向电阻小

C．反向电阻比正向电阻大很多倍D．正、反向电阻都等于无穷大

3．二极管的伏安特性曲线的正向部分在环境温度升高时将（B）。

（X轴为电压）

A．右移B．左移C．上移D．下移

4．当外加偏置电压不变时，若工作温度升高，二极管的正向导通电流将（A）。

A．增大B．减小C．不变D．不确定

5．三极管β值是反映（B）能力的参数。

（三极管可改为电流控制电流源）

A．电压控制电压B．电流控制电流C．电压控制电流D．电流控制电压

6．温度升高时，三极管的

值将（A）。

A．增大B．减少C．不变D．不能确定

7．下列选项中，不属三极管的参数是（B）。

A．电流放大系数B．最大整流电流

C．集电极最大允许电流D．集电极最大允许耗散功率

8．某放大电路中三极管的三个管脚的电位分别为

，

，

，则对应该管的管脚排列依次是（B）。

A．e,b,cB．b,e,cC．b,c,eD．c,b,e

9．晶体三极管的反向电流是由（B）运动形成的。

A．多数载流子B．少数载流子

C．扩散D．少数载流子和多数载流子共同

10．三极管工作在放大区，三个电极的电位分别是6V、12V和6.7V，则此三极管是（D）。

（发正偏集反偏）

A．PNP型硅管B．PNP型锗管C．NPN型锗管D．NPN型硅管

11．场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（B）。

A．非饱和区B．饱和区C．截止区D．击穿区

12．增强型绝缘栅场效应管，当栅极g与源极s之间电压为零时（B）。

A．能够形成导电沟道B．不能形成导电沟道

C．漏极电流不为零D．漏极电压为零

三、填空题

1．在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺杂浓度。

2．少数载流子在内电场力作用下有规则的运动称为漂移。

3．PN结正偏导通，反偏截止，称为PN结的单向导电性性能。

4．PN结加正向电压时，空间电荷区将变窄。

5．PN结正向偏置时，PN结的内电场被削弱。

6．三极管最重要的特性是电流放大作用。

7．温度升高时，晶体管的反向饱和电流将增大。

8．场效应晶体管属于电压控制器件。

9．场效应管的最大优点是输入电阻高。

10．

时，不能工作在恒流区的场效应管有增强型MOS管。

11．开启电压

的是N沟道增强型场效应管。

12．开启电压

的是P沟道增强型场效应管。

4

自测题二

一、判断题

1．晶体管的输入电阻

是一个动态电阻，故它与静态工作点无关。

（F）

2．放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。

（T）

3．只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。

（F）

4．在输入信号作用时，偏置电路改变了各放大管的动态电流。

（F）

5．直接耦合放大电路只能放大直流括号，不能放大交流信号。

（F）

二、单选题

1．在基本共射放大电路中，负载电阻减小时，输出电阻将（C）。

A．增大B．减少C．不变D．不能确定

2．在基本共射放大电路中，信号源内阻减小时，输入电阻将（C）。

A．增大B．减少C．不变D．不能确定

3．在三种基本放大电路中，电压增益最小的放大电路是（C）。

A．共射放大电路B．共基放大电路

C．共集放大电路D．不能确定

4．在三种基本放大电路中，电流增益最小的放大电路是（B）。

A．共射放大电路B．共基放大电路

C．共集放大电路D．不能确定

5．在单管固定偏置共射极放大电路中，若测得三极管的静态管压降UCE近似等于电源电压UCC时（无电流），则该管工作状态为（B）。

A．饱和B．截止C．放大D．不能确定

6．晶体管能够放大的外部条件是（B）。

A．发射结正偏，集电结正偏B．发射结正偏，集电结反偏

C．发射结反偏，集电结正偏D．发射结反偏，集电结反偏

7．组合放大电路的输出级采用射极输出（共集）方式是为了使（D）。

A．电压放大倍数高B．输出电流小

C．输出电阻增大D．带负载能力强

8．放大电路在低频信号作用下放大倍数下降的原因是（A）。

A．耦合电容和旁路电容的影响B．晶体管极间电容和分布电容的影响

C．晶体管的非线性特性D．放大电路的静态工作点设置不合适

9．当我们将两个带宽均为BW的放大器级联后，级联放大器的带宽（A）。

A．小于BWB．等于BWC．大于BWD．不能确定

10．射极输出器的特点是（A）。

A．输入电阻高、输出电阻低B．输入电阻高、输出电阻高

C．输入电阻低、输出电阻低D．输入电阻低、输出电阻高

11．下列各组态放大电路中，若要求既有电压放大作用，又有电流放大作用，应选（A）。

A．共射组态B．共基组态C．共集组态D．共漏组态

12．在基本共射放大电路中，当输入中频小信号时，输出电压出现了底部削平的失真，这种失真是（B）。

A．截止失真B．饱和失真C．交越失真D．频率失真

13．当信号频率等于放大电路的

和

时，放大倍数的数值将下降到中频时的（B）。

（P55）

A．0.5倍B．0.7倍C．0.9倍D．1.2倍

14．在单级放大电路的三种接法中，它们相互比较起来正确的说法是（B）。

A．共发射极电路的

最大、

最小、

最小

B．共集电极电路的

最小、

最大、

最小

C．共基极电路的

最小、

最小、

最大

D．共发射极电路的

最小、

最大、

最大

15．已知某基本共射放大电路的

，

，管子的饱和压降

，

，则该放大电路的最大不失真输出电压幅值为（B）。

A．1VB．2VC．5VD．6V

三、填空题

1．要使三极管放大电路不失真，必须设置合理的静态工作点。

2．在三极管放大电路中，静态工作点过高会产生饱和失真。

3．若放大电路静态工作点选的过低，信号容易产生截止失真。

4．基本共射放大电路，当温度升高时，Q点将向上移。

5．若三极管发射结正偏，集电结也正偏则三极管处于饱和状态。

6．共集电极放大电路输出电压与输入电压的相位相同。

（共射相反）

7．放大器的输入电阻越大，表明放大器获取输入电压的能力越强。

8．在放大电路中，若负载电阻RL越大，则其电压放大倍数越大。

9．某放大电路的负载开路时的输出电压为4V，接入3K的负载电阻后输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为1K。

10．放大器的下限角频率

，上限角频率

，则带宽为

Hz。

自测题三

一、判断题

1．测得两共射放大电路空载电压放大倍数均为－100，将它们连成两级放大电路，其电压放大倍数应为10000。

（F）

2．只有直接耦合放大电路中晶体管的参数才随温度而变化。

（F）

3．阻容耦合放大电路只能放大交流信号，不能放大直流信号。

（T）

4．直接耦合放大电路只能放大直流括号，不能放大交流信号。

（F）

二、单选题

1．直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是（C）。

A．电阻阻值有误差B．晶体管参数的分散性

C．晶体管参数受温度影响D．受输入信号变化的影响

2．组合放大电路的输出级采用射极输出方式是为了使（D）。

A．电压放大倍数高B．输出电流小

C．输出电阻增大D．带负载能力强

3．多级放大电路与单级放大电路相比，电压增益和通频带（D）。

A．电压增益减小，通频带变宽B．电压增益减小，通频带变窄

C．电压增益提高，通频带变宽D．电压增益提高，通频带变窄

4．有两个放大器，空载时的输出电压均为3V，当它们接入相同的负载时，甲放大器的输出电压为2V，乙放大器的输出电压为1V，则说明甲比乙的（D）。

A．输入电阻大B．输入电阻小C．输出电阻大D．输出电阻小

三、填空题

1．在多级放大电路中，后级的输入电阻是前级的负载。

2．在多级放大电路中，前级的输出电阻可视为后级的信号源内阻。

3．为了放大从热电偶取得的反映温度变化的微弱信号，放大电路应采用直接耦合方式。

4．集成运算放大器是一种采用直接耦合方式的放大电路，因此低频性能好。

5．多级放大电路的通频带比单级放大电路的通频带要窄。

6．放大器级间耦合方式有三种：

直接耦合；阻容耦合；放大器耦合；在集成电路中通常采用直接耦合。

自测题四

一、判断题

1．运放的共模抑制比

（T）

2．当集成运放工作在非线性区时，输出电压不是高电平，就是低电平。

（T）

3．互补输出级应采用共集或共漏接法。

（T）

4．对于长尾式差动放大电路，不论是单端输入还是双端输入，在差模交流通路中，射极电阻

一概可视为短路。

（T）

二、单选题

1．放大电路产生零点漂移的主要原因是（D）。

A．放大倍数太大B．采用了直接耦合方式

C．晶体管的噪声太大D．环境温度变化引起参数变化

2．为更好的抑制零漂，集成运放的输入级大多采用（C）。

A．直接耦合电路B．阻容耦合电路

C．差动放大电路D．反馈放大电路

3．差动放大电路的主要特点是（A）。

A．有效放大差模信号，有力抑制共模信号B．既放大差模信号，又放大共模信号

C．有效放大共模信号，有力抑制差模信号D．既抑制差模信号，又抑制共模信号

4．差分放大电路的长尾电阻的主要功能是（A），而提高共模抑制比。

A．抑制共模信号B．抑制差模信号

C．放大共模信号D．既抑制共模信号又抑制差模信号

5．差动放大电路用恒流源代替

是为了（C）。

A．提高差模电压放大倍数B．提高共模电压放大倍数

C．提高共模抑制比D．提高差模输出电阻

6．集成运放电路采用直接耦合方式是因为（C）。

A．可获得较高增益B．可使温漂变小

C．在集成工艺中难于制造大电容D．可以增大输入电阻

7．集成电路中所使用的电容都是由什么来实现的（B）。

A．电解电容B．PN结电容C．寄生电容D．杂散电容

8．输入失调电压是（D）。

A．两个输入端电压之差B．两个输入端电压之和

C．输入端都为零时的输出电压D．输出端为零时输入端的等效补偿电压。

三、填空题

1．选用差分放大电路的原因是抑制零点漂移。

2．差分放大电路的差模信号是两个输入端信号的差。

3．共模信号是两个输入端信号的平均值。

4．互补输出级采用共集形式是为了使带负载能力强。

（共集输出电阻很小带负载能力强）

5．集成运算放大器是一种直接耦合放大电路，因此低频性能好。

（直接耦合没有电容）

6．集成运算放大器是一种直接耦合放大电路，因此最常见的问题是零点漂移。

7．理想集成运放开环输入电阻为无穷大。

8．差动放大电路两个输入端的信号

，

，则一对差模输入信号

10

。

9．集成运放的输入级采用差动放大电路的主要作用是克服零点漂移。

10．