PSpice模型制作Word文档下载推荐.docx

PSpice模型制作Word文档下载推荐.docx

《PSpice模型制作Word文档下载推荐.docx》由会员分享，可在线阅读，更多相关《PSpice模型制作Word文档下载推荐.docx（10页珍藏版）》请在冰豆网上搜索。

选择UseTemplates表示用软件自带样本进行参数的修改设置；

FromModel用以选择模型类型。

选择UseDeviceCharacteristicCurves，再确定模型，点击OK即可进入模型编辑器窗口，其中可以设置元件的所有相关仿真参数设定，编辑器会以曲线形式将参数设定后的模型特性实时显示出来。

‘

其中ReverseLeakage栏，用以设置曲线特定点的对应X、Y值；

曲线显示区可以实时显示电压、电流等模型典型特性曲线；

Parameters栏用以编辑模型特定参数范围。

（3）完成模型参数设置后，保存，而后执行File/ModelImportWizard（Capture）弹出ModelImportWizard：

SpecifyLibrary对话框，输入创建的模型库*.lib文件，输出模型*.olb文件，即为所创建的模型自动分配模型的Capture符号，便于原理图绘制仿真。

（4）回到Capture原理图中，调用刚刚创建的*.olb库文件，即可调用新建的元件PSpice模型，如下图：

（5）此后若想对该元件进行参数修改，即可直接右击选择EditPSpiceModel命令，即可进入模型编辑器中进行参数调整。

2、模型文本编辑

元器件模型参数还可以采用文本形式进行编辑设置，即直接将模型参数从键盘输入，新建文本文件，用下列描述语言输入元件模型参数：

*0627Dmodel

.MODEL0627D

+IS=1.0000E-15

+RS=1.0000E-3

+CJO=1.0000E-12

+M=.3333

+VJ=.75

+ISR=100.00E-12

+BV=100

+IBV=100.00E-6

+TT=5.0000E-9

模型参数描述文本设置完成后，保存为*.lib文件格式即可，然后再在ModelEditor中可以可以将该文件分配到Capture元件库文件*.olb，就可以进行模型调用了。

3、PSpice宏模型的创建

随着集成技术的发展，集成电路规模越来越大，集成度越来越高，芯片中的底层元件越来越多，分析软件受现实因素限制，进行晶体管级的大规模电路仿真分析是很不现实的，因此宏模型应运而生。

宏模型是指在一定精度范围内，电子系统的端口输入输出特性的简化等效模型，可以是一组等效电路、数学函数或一张数据表格，大大简化了原电路复杂度，加快了电路仿真分析计算的速度。

由于电路不同的等效模型，不同的宏模型由此产生：

电路简化宏模型、电路特性宏模型、表格特性宏模型以及数学函数宏模型等，其中PSpice仿真支持行为级宏模型、数学宏模型和表格宏模型。

1、行为级宏模型创建

行为级宏建模即电路模拟行为建模（ABM），经常采用的是字电路形式来描述，例如执行EditPSpiceModel即可对芯片编辑宏模型，以下为74AS168芯片的行为级宏模型，：

*---------

*74AS168Synchronous4-bitUp/DownDecadeCounters

*

*TheALS/ASDataBook,1986,TI

*JSW7/27/92RemodeledusingLOGICEXP,PINDLY,&

CONSTRAINTdevices

.SUBCKT74AS168CLK_IU/DBAR_IENPBAR_IENTBAR_ILOADBAR_I

+A_IB_IC_ID_IQA_OQB_OQC_OQD_ORCOBAR_O

+OPTIONAL:

DPWR=$G_DPWRDGND=$G_DGND

+PARAMS:

MNTYMXDLY=0IO_LEVEL=0

UAS168LOGLOGICEXP（17,15）DPWRDGND

+CLK_IU/DBAR_IENPBAR_IENTBAR_ILOADBAR_IA_IB_IC_ID_I

+QAQBQCQDQABARQBBARQCBARQDBAR

+CLKU/DBARENPBARENTBARLOADBARABCDRCOBARDADBDCDDEN

+D0_GATEIO_AS00IO_LEVEL={IO_LEVEL}

+LOGIC:

+CLK={CLK_I}

+ENPBAR={ENPBAR_I}

+ENTBAR={ENTBAR_I}

+U/DBAR={U/DBAR_I}

+LOADBAR={LOADBAR_I}

+A={A_I}

+B={B_I}

+C={C_I}

+D={D_I}

+UD={~U/DBAR}

+LOAD={~LOADBAR}

+EN={~ENTBAR&

~ENPBAR&

LOADBAR}

+IA4={~（（QABAR&

U/DBAR）|（QA&

UD））}

+IB4={~（（QBBAR&

U/DBAR）|（QB&

+IC4={~（（QCBAR&

U/DBAR）|（QC&

+ID4={~（（QDBAR&

U/DBAR）|（QD&

+IB5={~（U/DBAR&

ID4）}

+IC5={~（QCBAR&

UD&

QDBAR）}

+IA1={A&

LOAD}

+IA2={EN^（LOADBAR&

QA）}

+IB1={B&

+IB2={~（EN&

IA4）&

LOADBAR&

QB}

+IB3={IA4&

EN&

IC5&

IB5&

QBBAR}

+IC1={C&

+IC2={~（EN&

IA4&

IB4）&

QC}

+IC3={~（QC&

LOADBAR）&

IB4&

IC5}

+ID1={D&

+ID2={~（EN&

QD}

+ID3={~（QD&

IC4}

+DA={IA1|IA2}

+DB={IB1|IB2|IB3}

+DC={IC1|IC2|IC3}

+DD={ID1|ID2|ID3}

+RCOBAR={~（（U/DBAR&

ID4&

~ENTBAR）|（~ENTBAR&

+IA4&

IC4&

ID4））}

UDFFDFF（4）DPWRDGND$D_HI$D_HICLKDADBDCDD

+QAQBQCQDQABARQBBARQCBARQDBARD0_EFFIO_AS00

UAS168DLYPINDLY（5,0,10）DPWRDGND

+RCOBARQAQBQCQD

+CLKENPBARENTBARU/DBARLOADBARABCDEN

+RCOBAR_OQA_OQB_OQC_OQD_O

+IO_AS00

+MNTYMXDLY={MNTYMXDLY}IO_LEVEL={IO_LEVEL}

+BOOLEAN:

+CLOCK={CHANGED_LH（CLK,0）}

+CNTENT={CHANGED（ENTBAR,0）}

+PINDLY:

+RCOBAR_O={

+CASE（

+CNTENT,DELAY（1.5NS,-1,9NS）,

+CHANGED（U/DBAR,0）&

TRN_LH,DELAY（2NS,-1,12NS）,

TRN_HL,DELAY（2NS,-1,13NS）,

+CLOCK&

TRN_LH,DELAY（3NS,-1,16.5NS）,

+DELAY（3NS,-1,16NS）

+）

+}

+QA_OQB_OQC_OQD_O={

TRN_LH,DELAY（1NS,-1,7NS）,

+DELAY（2NS,-1,13NS）

+FREQ:

+NODE=CLK

+MAXFREQ=75MEG

+WIDTH:

+MIN_LOW=6.7NS

+MIN_HIGH=6.7NS

+SETUP_HOLD:

+DATA（4）=ABCD

+CLOCKLH=CLK

+SETUPTIME=8NS

+WHEN={LOADBAR!

='

1^CHANGED（LOADBAR,0）}

+DATA

（2）=ENPBARENTBAR

+WHEN={CHANGED（EN,8NS）&

（LOADBAR!

0^CHANGED（LOADBAR,0））}

+DATA

（1）=U/DBAR

+WHEN={EN!

0^CHANGED（EN,0）}

+DATA

（1）=LOADBAR

.ENDS

行为级宏模型即将子系统内电路以网表的形式描述出来，描述该子系统的内部行为模型子电路。

按照以上语言的描述方式，可以对任意系统进行行为级宏建模。

注意：

输入文件语法还是有比较严格的规范的。

简单来说，文件结构是由注释，子电路模型声明，参数声明，函数声明，电路结构声明，结束声明构成。

子电路声明必须由关键字.subckt起始，描述子电路名、端口名和顺序；

参数声明由.param起始，描述参数名和参数值；

函数声明由.func起始，描述函数名和函数解析式；

电路结构声明由电路结构关键字C电容，R电阻，E电压源，F电流源，G电导，Q晶体管，D二极管，X子电路等起始，描述元件名、连接节点、元件值。

结束声明是关键字.ends。

要注意每一行不得超过132个char，超过的要用行内连接符+移动到下一行去，否则在分析时会报错。

2、数学宏模型的创建

数学宏模型就是以简单的数学函数来描述电路输入输出之间的关系，而对内部电路如何连接、如何运行不予详细描述。

例如：

低通滤波器数学宏模型可直接用

3、表格宏模型的创建

非线性普遍存在于模拟电路中，有时，即使所有元件都是线性的，输入输出之间的关系也可能是非线性的。

这时可以将电路或元件端口的测试数据制成表格，在仿真分析时，计算机可以直接查询其测量数据，获得复杂元件的特性模拟量，在保证精度的前提下，使计算速度大大加快。

Gtunnelnode1node2table{V（node1，node2）}={

（0，0）（0.01，2.153m）（0.02，2.973m）（0.03，4.567m）（0.04，5.155m）……}

表格宏模型在OrCAD中符号为TABLE，当设置其属性时，按该元件图形符号下方标注的数据对形式，输入各数据对即可。

建立宏模型时，要注意以下两点:

（1）宏模型是在一定精度范围内准确模拟电路特性；

（2）宏模型的结构应尽量简单、复杂度尽量低。

四、动态系统仿真

动态系统仿真即利用OrCAD行为级宏模型，将动态系统各个单元（子系统）用abm.olb中的模型来表示，通过设置各单元的属性来模拟其特性，再以一定的方式将各单元连接起来，用以完成整个系统的功能模拟。

例如下图，是传递函数

的系统连接，调用abm.olb库中的宏模型，ETABLE为表格宏模型，Elaplace为数学函数模型。

完成动态系统绘制后，调整各个子系统宏模型的参数设置，就可以对这个动态系统进行仿真了，对于该系统动态系统时域仿真的结果如下图。

通过观察系统输出波形，则可对系统宏模型参数进行调整，以达到最佳系统。