大学模电最全试题库模拟电路考试题10套和答案文档格式.docx
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共模抑制比KCMR为_差模增益与共模增益_________之比。
9．某放大电路的对数幅频特性如图1（在第三页上）所示，当信号频率恰好为上限频率时，实际的电压增益为____37______dB。
二、判断（本题共10分,每小题1分，正确的打√，错误的打×
）：
1、（y）构成各种半导体器件的基础是PN结，它具有单向导电和反向击穿特性。
2、（y）稳定静态工作点的常用方法主要是负反馈法和参数补偿法。
3、（y）在三极管的三种基本组态中，只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。
4、（n）若放大电路的放大倍数为负值，则引入的一定是负反馈。
5、（yn）通常，甲类功放电路的效率最大只有40%，而乙类和甲乙类功放电路的效率比甲类功放电路的效率要高。
6、（n）一般情况下，差动电路的共模电压放大倍数越大越好，而差模电压放大倍数越小越好。
7、（yn）根据负反馈自动调节原理，交流负反馈可以消除噪声、干扰和非线性失真。
8、（y）要使放大电路的输出电流稳定并使输入电阻增大，则应引入电流串联负反馈。
9、（y）在放大电路中引入电压负反馈可以使输出电阻减小，在放大电路中引入电流负反馈可以使输出电阻增大。
10、（yn）在正弦波振荡电路的应用中，通常，当要求振荡工作频率大于1MHz时，应选用RC正弦波振荡电路。
三、选择（本题共20分,每个选择2分）：
1．在放大电路中，测得某三极管的三个电极的静态电位分别为0V，－10V，－9.3V，则此三极管是（A）
A.NPN型硅管；
B.NPN型锗管；
C.PNP型硅管；
D.PNP型锗管；
2．为了使放大电路Q点上移，应使基本放大电路中偏置电阻Rb的值（C）。
A.增大B.不变C.减小
3．典型的差分放大电路中Re（B）。
A.对差模信号起抑制作用B.对共模信号起抑制作用C.对差模信号和共模信号均无作用
4．在差动电路中，若单端输入的差模输入电压为20V，则其共模输入电压为（C）。
A.40VB.20VC.10VD.5V
5．电流源的特点是（A）。
A.交流电阻大，直流电阻小；
B.交流电阻小，直流电阻大；
C.交流电阻大，直流电阻大；
D.交流电阻小，直流电阻小。
6．影响放大电路高频特性的主要因素是（D）。
A.耦合电容和旁路电容的存在；
B.放大电路的静态工作点不合适；
C.半导体管的非线性特性；
D.半导体管极间电容和分布电容的存在；
7．关于理想运算放大器的错误叙述是（A）。
A．输入阻抗为零，输出阻抗也为零；
B．输入信号为零时，输出处于零电位；
C．频带宽度从零到无穷大；
D．开环电压放大倍数无穷大
8．有T1、T2和T3三只晶体管，T1的β＝200，ICEO＝200μA；
T2的β＝100，ICEO＝10μA；
T3的β＝10，ICEO＝100μA，其它参数基本相同，则实用中应选（B）
A.T1管；
B.T2管；
C.T3管
9．交流反馈是指（C）
A．只存在于阻容耦合电路中的负反馈；
B．变压器耦合电路中的负反馈；
C．交流通路中的负反馈；
D．放大正弦信号时才有的负反馈；
10．RC桥式正弦波振荡电路是由两部分组成，即RC串并联选频网络和（D）
A.基本共射放大电路；
B.基本共集放大电路；
C.反相比例运算电路；
D.同相比例运算电路；
四、分析与计算（本题共50分）：
1．（本小题10分）电路如图2所示，通过分析判断反馈组态，并近似计算其闭环电压增益Ausf。
2．（本小题10分）电路如图3所示，u2=10V，在下列情况下，测得输出电压平均值Uo的数值各为多少？
（1）正常情况时；
（2）电容虚焊时；
（3）RL开路时；
（4）一只整流管和电容C同时开路时。
3．（本小题12分）如图4所示电路中，A为理想运放，Vcc＝16V，RL＝8Ω，R1＝10kΩ，R2＝100kΩ，三极管的饱和管压降UCES＝0V，Uo＝－10V。
（1）合理连接反馈电阻R2；
（2）设A输出电压幅值足够大，估算最大输出功率Pom；
（3）估算单个三极管的最大集电极耗散功率PCM值。
4．（本小题18分）电路图5中，C1、C3和CE的容量足够大，晶体管的β＝50，rbb’＝200Ω，VBEQ＝0.7V，RS＝2kΩ，RB1＝25kΩ，RB2＝5kΩ，RC＝5kΩ，RL＝5kΩ，RE1＝1.7kΩ，RE2＝300Ω，VCC＝12V。
计算：
（1）电路的静态工作点；
（2）电压放大倍数AuS、输入电阻Ri和输出电阻RO。
图1图2
图3图4
图5
试卷编号02
一、填空（本题共18分，每空1分）：
1．本征半导体中，自由电子浓度___等于_____空穴浓度；
在P型半导体中，自由电子浓度__小于______空穴浓度；
在N型半导体中，自由电子浓度_大于_______空穴浓度。
2．放大电路中，测得三极管三个电极1，2，3的电位为；
则该三极管是________型，电极１为________，２为________，３为________。
3．射极输出器的特点是：
电压放大倍数近似为1________，输入电阻__大______，输出电阻_小_______。
4．半导体三极管属___电流_____控制器件，而场效应管属__电压______控制器件。
5．正弦波振荡电路产生自激振荡的条件是__1______，φ+φ=____2nπ____。
6．若希望提高放大电路的输入电阻且稳定输出电流，应选用_电流串联负反馈_______反馈。
7．文氏电桥正弦波振荡器用__RC串并联______网络选频，当这种电路产生振荡时，该选频网络的反馈系数=__1/3______，=____0____。
二、简答（本题共10分,每小题5分）：
1．什么是零点漂移，产生的原因是什么，抑制零点漂移最有效的方法是什么？
直接耦合放大电路中，前级放大器器件参数随温度发生缓慢变化，使工作点随机漂移，这种漂移被后级逐级放大，从而在输出端产生零点漂移。
抑制零漂最有效的方法是采用差分电路。
2．什么是交越失真，如何克服交越失真？
由于三极管存在死区电压，在OCL电路中，工作于乙类时，输入信号在过零时，将产生失真，称为交越失真。
克服交越失真的方法是使管子处于微导通状态。
三、分析与计算（本题共72分）：
1．（本小题15分）放大电路如图示１，，R=8.7kΩ，=1.3KΩ，，+V=+15V，β=20，U=0.7V，电容容量足够大，求：
⑴静态工作点；
⑵电压放大倍数；
⑶输入电阻和R；
⑷若=1kΩ，求；
⑸若开路，求。
2．（本小题12分）电路如图２所示，和的性能一致，；
，；
试求：
⑴：
求，；
⑵：
电路改成从的集电极与地之间输出时
3．（本小题15分）电路如图３所示，已知：
，，输入电压，和的性能一致，死区影响和均可忽略。
输出功率，电源消耗功率及能量转换效率η，每管功耗。
4．（本小题15分）反馈电路如图４所示，试回答：
该电路引入了何种反馈（极性和组态）；
该反馈对输入和输出电阻有何影响（增大或减小）；
⑶：
在深度负反馈条件下，求电压增益。
5．（本小题15分）电路如图５所示，集成运放均为理想运放，试写出输出电压的表达式。
图5
试卷编号03
1、构成各种半导体器件的基础是PN结，它具有单向导电和反向击穿特性。
2、稳压二极管根据击穿机理可以分为齐纳击穿和雪崩击穿。
3、三极管正常工作（起放大作用）必须具备的两个外部条件是反射级正偏和集电极反偏。
4、多级放大电路部各级之间常用的耦合方式有直接耦合、变压器耦合和阻容耦合。
5、在集成电路中，高阻值电阻多用BJT或FET等有源器件组成的电流源电路来代替。
6、乙类互补对称功率放大电路的输出波形会出现交越失真，在整个信号周期，三极管的导通角θ等于180度。
7、在集成运放中，一般采用差分放大电路来克服零点漂移现象。
8、负反馈放大电路产生自激振荡的主要原因是在低频或高频段的附加相移，要消除它，则必须采用频率补偿的方法来破坏电路自激振荡的条件。
9、在深度负反馈条件下，闭环增益主要取决于反馈系数，而与开环增益基本无关。
10、正弦波振荡电路主要由放大电路、正反馈网络、选频网络和稳幅电路这四个部分组成。
二、单项选择（本题共20分，每小题2分）：
1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将（A）。
A增大B减小C不变D等于零
2．当稳压管在正常稳压工作时，其两端施加的外部电压的特点为（C）。
A反向偏置但不击穿B正向偏置但不击穿C反向偏置且被击穿D正向偏置且被击穿
3．直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是（C）。
A电阻阻值有误差B晶体管参数的分散性
C晶体管参数受温度影响D受输入信号变化的影响
4．差动放大电路的主要特点是（A）。
A有效放大差模信号，有力抑制共模信号；
B既放大差模信号，又放大共模信号
C有效放大共模信号，有力抑制差模信号；
D既抑制差模信号，又抑制共模信号。
5．互补输出级采用射极输出方式是为了使（BD）。
A电压放大倍数高B输出电流小C输出电阻增大D带负载能力强
6．集成运放电路采用直接耦合方式是因为（AC）。
A可获得较高增益B可使温漂变小
C在集成工艺中难于制造大电容D可以增大输入电阻
7．放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是（B）。
A耦合电容和旁路电容
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