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1、共模抑制比KCMR为_差模增益与共模增益_之比。9某放大电路的对数幅频特性如图1（在第三页上）所示，当信号频率恰好为上限频率时，实际的电压增益为_37_dB。二、判断（本题共10分,每小题1分，正确的打，错误的打）：1、（ y ）构成各种半导体器件的基础是PN结，它具有单向导电和反向击穿特性。2、（ y ）稳定静态工作点的常用方法主要是负反馈法和参数补偿法。3、（ y ）在三极管的三种基本组态中，只有电流放大能力而无电压放大能力的是基本共集组态。4、（n ）若放大电路的放大倍数为负值，则引入的一定是负反馈。5、（ yn ）通常，甲类功放电路的效率最大只有40%，而乙类和甲乙类功放电路的效率比甲

2、类功放电路的效率要高。6、（ n ）一般情况下，差动电路的共模电压放大倍数越大越好，而差模电压放大倍数越小越好。7、（ y n）根据负反馈自动调节原理，交流负反馈可以消除噪声、干扰和非线性失真。8、（ y）要使放大电路的输出电流稳定并使输入电阻增大，则应引入电流串联负反馈。9、（ y）在放大电路中引入电压负反馈可以使输出电阻减小，在放大电路中引入电流负反馈可以使输出电阻增大。10、（ y n）在正弦波振荡电路的应用中，通常，当要求振荡工作频率大于1MHz时，应选用RC正弦波振荡电路。三、选择（本题共20分,每个选择2分）：1在放大电路中，测得某三极管的三个电极的静态电位分别为0V，10V，9.

3、3V，则此三极管是（ A ）A. NPN型硅管； B. NPN型锗管； C. PNP型硅管； D. PNP型锗管；2为了使放大电路Q点上移，应使基本放大电路中偏置电阻Rb的值（ C ）。 A. 增大 B. 不变 C. 减小3典型的差分放大电路中Re（ B ）。A. 对差模信号起抑制作用 B. 对共模信号起抑制作用 C. 对差模信号和共模信号均无作用4在差动电路中，若单端输入的差模输入电压为20V，则其共模输入电压为（ C ）。A. 40V B. 20V C. 10V D. 5V5电流源的特点是（ A ）。A . 交流电阻大，直流电阻小； B . 交流电阻小，直流电阻大； C. 交流电阻大，直流

4、电阻大； D. 交流电阻小，直流电阻小。6影响放大电路高频特性的主要因素是（ D ）。A. 耦合电容和旁路电容的存在； B. 放大电路的静态工作点不合适；C. 半导体管的非线性特性； D. 半导体管极间电容和分布电容的存在；7关于理想运算放大器的错误叙述是（ A ）。A输入阻抗为零，输出阻抗也为零； B输入信号为零时，输出处于零电位；C频带宽度从零到无穷大； D开环电压放大倍数无穷大8有T1 、T2和T3三只晶体管，T1的200，ICEO200A；T2的100，ICEO10A；T3的10，ICEO100A，其它参数基本相同，则实用中应选（ B ）A. T1管； B. T2管； C. T3管9交

5、流反馈是指（ C ）A只存在于阻容耦合电路中的负反馈； B变压器耦合电路中的负反馈；C交流通路中的负反馈； D放大正弦信号时才有的负反馈；10RC桥式正弦波振荡电路是由两部分组成，即RC串并联选频网络和（ D ）A. 基本共射放大电路； B. 基本共集放大电路； C. 反相比例运算电路； D. 同相比例运算电路；四、分析与计算（本题共50分）：1（本小题10分） 电路如图2所示，通过分析判断反馈组态，并近似计算其闭环电压增益A usf。2（本小题10分） 电路如图3所示，u2=10V，在下列情况下，测得输出电压平均值Uo的数值各为多少？（1）正常情况时；（2）电容虚焊时；（3）RL开路时；（4

6、）一只整流管和电容C同时开路时。3（本小题12分） 如图4所示电路中，A为理想运放，Vcc16V，RL8，R110k，R2100k，三极管的饱和管压降UCES0V，Uo10V。（1）合理连接反馈电阻R2；（2）设A输出电压幅值足够大，估算最大输出功率Pom；（3）估算单个三极管的最大集电极耗散功率PCM值。4（本小题18分） 电路图5中，C1、C3和CE的容量足够大，晶体管的50，rbb200，VBEQ0.7V，RS2k，RB125k，RB25k，RC5k，RL5k，RE11.7k，RE2300，VCC12V。计算：（1）电路的静态工作点；（2）电压放大倍数A uS、输入电阻Ri和输出电阻RO

7、。图1 图2图3 图4 图5试卷编号 02 一、填空（本题共18分，每空1分）：1本征半导体中，自由电子浓度_等于_空穴浓度；在P型半导体中，自由电子浓度_小于_空穴浓度；在N型半导体中，自由电子浓度_大于_空穴浓度。2放大电路中，测得三极管三个电极1，2，3的电位为；则该三极管是_型，电极为_，为_，为_。3射极输出器的特点是：电压放大倍数 近似为1_，输入电阻_大_，输出电阻_小_。4半导体三极管属_电流_控制器件，而场效应管属_电压_控制器件。5正弦波振荡电路产生自激振荡的条件是_1_，+=_2n_。6若希望提高放大电路的输入电阻且稳定输出电流，应选用_电流串联负反馈_反馈。7文氏电桥正

8、弦波振荡器用_RC串并联_网络选频，当这种电路产生振荡时，该选频网络的反馈系数=_1/3_，=_0_。二、简答（本题共10分,每小题5分）：1什么是零点漂移，产生的原因是什么，抑制零点漂移最有效的方法是什么？直接耦合放大电路中，前级放大器器件参数随温度发生缓慢变化，使工作点随机漂移，这种漂移被后级逐级放大，从而在输出端产生零点漂移。抑制零漂最有效的方法是采用差分电路。2什么是交越失真，如何克服交越失真？由于三极管存在死区电压，在OCL电路中，工作于乙类时，输入信号在过零时，将产生失真，称为交越失真。克服交越失真的方法是使管子处于微导通状态。三、分析与计算（本题共72分）：1（本小题15分） 放

9、大电路如图示，R=8.7k，=1.3K，+V=+15V，=20，U=0.7V，电容容量足够大，求：静态工作点；电压放大倍数；输入电阻和R；若=1k，求；若开路，求。2（本小题12分） 电路如图所示， 和的性能一致，；，；试求：求，；：电路改成从的集电极与地之间输出时3（本小题15分） 电路如图所示，已知：，输入电压，和的性能一致，死区影响和均可忽略。输出功率，电源消耗功率及能量转换效率，每管功耗。4（本小题15分） 反馈电路如图所示，试回答：该电路引入了何种反馈（极性和组态）；该反馈对输入和输出电阻有何影响（增大或减小）；：在深度负反馈条件下，求电压增益。5（本小题15分） 电路如图所示，集成

10、运放均为理想运放，试写出输出电压的表达式。图5试卷编号 03 1、构成各种半导体器件的基础是PN结，它具有 单向导电 和反向击穿 特性。2、稳压二极管根据击穿机理可以分为 齐纳 击穿和雪崩 击穿。3、三极管正常工作（起放大作用）必须具备的两个外部条件是 反射级正偏 和 集电极反偏 。4、多级放大电路部各级之间常用的耦合方式有 直接 耦合、 变压器 耦合和 阻容 耦合。5、在集成电路中，高阻值电阻多用BJT或FET等有源器件组成的 电流源 电路来代替。6、乙类互补对称功率放大电路的输出波形会出现 交越失真 ，在整个信号周期，三极管的导通角等于 180度 。7、在集成运放中，一般采用差分放大电路来

11、克服 零点漂移 现象。8、负反馈放大电路产生自激振荡的主要原因是在低频或高频段的 附加相移 ，要消除它，则必须采用频率补偿 的方法来破坏电路自激振荡的条件。9、在深度负反馈条件下，闭环增益主要取决于 反馈系数 ，而与开环增益基本无关。10、正弦波振荡电路主要由 放大电路 、正反馈网络 、 选频网络 和稳幅电路 这四个部分组成。二、单项选择（本题共20分，每小题2分）：1当温度升高时，二极管反向饱和电流将（ A ）。A 增大 B 减小 C 不变 D 等于零2当稳压管在正常稳压工作时，其两端施加的外部电压的特点为（C ）。A 反向偏置但不击穿 B 正向偏置但不击穿 C 反向偏置且被击穿 D 正向偏

12、置且被击穿3直接耦合放大电路存在零点漂移的原因主要是（C ）。A 电阻阻值有误差 B 晶体管参数的分散性 C 晶体管参数受温度影响 D 受输入信号变化的影响4差动放大电路的主要特点是（A ）。 A 有效放大差模信号，有力抑制共模信号；B 既放大差模信号，又放大共模信号C有效放大共模信号，有力抑制差模信号；D 既抑制差模信号，又抑制共模信号。5互补输出级采用射极输出方式是为了使（ B D）。 A 电压放大倍数高 B 输出电流小 C 输出电阻增大 D 带负载能力强6集成运放电路采用直接耦合方式是因为（ A C ）。A 可获得较高增益 B 可使温漂变小C 在集成工艺中难于制造大电容 D 可以增大输入电阻7放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是（ B ）。A 耦合电容和旁路电容