模拟电子技术基础(第四版)习题解答 童诗白Word格式文档下载.doc

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A.结型管B.增强型MOS管C.耗尽型MOS管

三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压UD=0.7V。

图T1.3

解：

UO1=1.3V,UO2=0V,UO3=-1.3V,UO4=2V,UO5=1.3V,UO6=-2V。

四、已知稳压管的稳压值UZ=6V，稳定电流的最小值IZmin=5mA。

求图Tl.4所示电路中UO1和UO2各为多少伏。

（a）（b）

图T1.4

左图中稳压管工作在击穿状态，故UO1=6V。

右图中稳压管没有击穿，故UO2=5V。

五、电路如图T1.5所示，VCC=15V，b=100，UBE=0.7V。

试问：

（1）Rb=50kW时，Uo=?

（2）若T临界饱和，则Rb=?

（1），

。

图T1.5

（2）∵，

∴

六、测得某放大电路中三个MOS管的三个电极的电位如表Tl.6所示，它们的开启电压也在表中。

试分析各管的工作状态（截止区、恒流区、可变电阻区），并填入表内。

表T1.6

管号

UGS（th）/V

US/V

UG/V

UD/V

工作状态

T1

4

-5

1

3

恒流区

T2

-4

10

截止区

T3

6

5

可变电阻区

因为三只管子均有开启电压，所以它们均为增强型MOS管。

根据表中所示各极电位可判断出它们各自的工作状态，如表Tl.6最后一栏所示。

习题

1.1选择合适答案填入空内。

（l）在本征半导体中加入（A）元素可形成N型半导体，加入（C）元素可形成P型半导体。

A.五价B.四价C.三价

（2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（A）。

A.增大B.不变C.减小

（3）工作在放大区的某三极管，如果当IB从12uA增大到22uA时，IC从lmA变为2mA，那么它的β约为（C）。

A.83B.91C.100

（4）当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时,它的低频跨导gm将（A）。

A.增大；

B.不变；

C.减小

1.2电路如图P1.2所示，已知（V），试画出与的波形。

设二极管导通电压可忽略不计。

图P1.2解图P1.2

与的波形如解图Pl.2所示。

1.3电路如图P1.3所示，已知（V），二极管导通电压UD=0.7V。

试画出与的波形图，并标出幅值。

图P1.3解图P1.3

波形如解图Pl.3所示。

1.4电路如图P1.4所示,二极管导通电压UD=0.7V,常温下，电容C对交流信号可视为短路；

为正弦波，有效值为10mV。

试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少？

二极管的直流电流

其动态电阻:

图P1.4

故动态电流的有效值：

1.5现有两只稳压管，稳压值分别是6V和8V，正向导通电压为0.7V。

（1）若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？

各为多少？

（2）若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？

（1）串联相接可得4种：

1.4V；

14V；

6.7V；

8.7V。

（2）并联相接可得2种：

0.7V；

6V。

1.6已知图Pl.6所示电路中稳压管的稳定电压，最小稳定电流

，最大稳定电流。

（1）分别计算为10V、15V、35V三种情况下输出电压的值；

（2）若时负载开路，则会出现什么现象？

为什么？

（1）只有当加在稳压管两端的

电压大于其稳压值时，输出电压才为6V。

∴时，；

图Pl.6

时，；

时，，∴。

0.1

（2）当负载开路时，，故稳压管将被烧毁。

1.7在图Pl.7所示电路中，发光二极管导通电压

UD=1.5V，正向电流在5~15mA时才能正常工作。

（1）开关S在什么位置时发光二极管才能发光？

（2）R的取值范围是多少？

（1）S闭合。

（2）R的范围为:

图P1.7

1.8现测得放大电路中两只管子两个电极的电流如图P1.8所示。

分别求另一电极的电流，标出其方向，并在圆圈中画出管子，且分别求出它们的电流放大系数β。

（a）（b）（a）（b）

图Pl.8解图Pl.8

答案如解图Pl.8所示。

放大倍数分别为和

1.9测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图P1.9所示。

在圆圈中画出管子，并说明它们是硅管还是锗管。

图P1.9

解:

如解图1.9。

解图1.9

1.10电路如图P1.10所示，晶体管导通时，β=50。

试分析为0V、1V、3V三种情况下T的工作状态及输出电压的值。

（1）当时，T截止，。

（2）当时，因为

图P1.10

所以T处于放大状态。

（3）当时，因为，

，所以T处于饱和状态。

1.11电路如图Pl.11所示,晶体管的β=50,，饱和管压降；

稳压管的稳定电压,正向导通电压。

当时？

；

当时，晶体管截止，稳压管击穿，

当时，晶体管饱和，

因为：

图P1.11

，，

1.12分别判断图Pl.12所示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。

（a）（b）（c）

（d）（e）

图P1.12

（a）可能；

（b）可能；

（c）不能；

（d）不能，T的发射结会因电流过大而损坏。

（e）可能。

1.13已知放大电路中一只N沟道场效应管三个极①、②、③的电位分别为4V、8V、12V，管子工作在恒流区。

试判断它可能是哪种管子（结型管、MOS管、增强型、耗尽型），并说明①、②、③与G、S、D的对应关系。

管子可能是增强型管、耗尽型管和结型管，三个极①、②、③与G、S、D的对应关系如解图Pl.13所示。

解图Pl.13

1.14已知场效应管的输出特性曲线如图Pl.14所示，画出它在恒流区的转移特性曲线。

图Pl.14（a）（b）

解图Pl.14

在场效应管的恒流区作横坐标的垂线（如解图Pl.14（a）所示）,读出其与各条曲线交点的纵坐标值及值，建立坐标系，描点，连线，即可得到转移特性曲线，如解图Pl.14（b）所示。

1.15电路如图P1.15所示，T的输出特性如图Pl.14所示,分析当=4V、8V、12V三种情况下场效应管分别工作在什么区域。

根据图P1.14所示T的输出特性可知，其开启电压为5V，根据图Pl.15所示电路可知。

当=4V时，小于开启电压，故T截止。

当=8V时，设T工作在恒流区，根据输出

特性可知，管压降，

因此，，小于开启电压，

说明假设成立，即T工作在恒流区。

图Pl.15

当=12V时，由于，必然使T工作在可变电阻区。

l.16分别判断图Pl.16所示各电路中的场效应管是否有可能工作在恒流区。

（a）（b）（c）（d）

图P1.16

（a）可能,（b）不能,（c）不能,（d）可能。

补充1.电路如补图P1（a）、（b）所示，稳压管的稳定电压,R的取值合适，的波形如图（c）所示。

试分别画出和的波形。

（a）（b）（c）

补图P1

波形如下图所示

补充2.在温度20oC时某晶体管的试问温度是60oC时的？

补充3.有两只晶体管，一只的β=200,；

另一只的β=100,，其它参数大致相同。

你认为应选用哪只管子？

为什么？

选用β=100,的管子，因其β适中,较小，因而温度稳定性较另一只管子好。

补充4.电路如补图P4所示，试问β大于多少时晶体管饱和？

取，若管子饱和，

则,即

所以,时,管子饱和。

补图P4

第2章基本放大电路

一．在括号内用“√”和“×

”表明下列说法是否正确。

1.只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用。

（×

）

2.可以说任何放大电路都有功率放大作用。

（√）

3.放大电路中输出的电流和电压都是有源元件提供的。

4.电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的。

5.放大电路必须加上合适的直流电