太阳能行业研究.docx
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太阳能行业研究
太阳能行业研究
作为当今社会赖以发展基础的常规化石燃料能源日益枯竭和紧张,成为当今社会持续发展需要解决的主要矛盾和战略任务。
预测表明,化石燃料能源的开采和消耗峰值位于本世纪的前叶,要求可再生能源能够替代化石燃料的时间非常迫切。
特别是石油和天然气的开采峰值更加邻近,世界油气开采峰值研究协会(图102002年ASPO)的最新预测表明世界油气的开采峰值在位于2010年-2020年之间,能源替代形势十分严峻。
世界各国特别是发达国家纷纷制定了能源发展路线图和发展规划,推动可再生能源的发展。
如欧洲、日本的目标是在2020年和2050年使可再生能源在能源的结构中分别达到或超过20%和50%。
用新能源替代日益匮乏的化石燃料能源成为可再生能源、特别是光伏发电快速、增速发展的强大动力。
太阳能作为一种清洁的、可再生的能源得到广泛关注,很多国家都制定了相应的政策与规划。
过去几年并网光伏装机主要集中于3个国家:
日本、德国、美国,主要是上述国家对于光伏发电支持性政策较多,而近几年其他诸如西班牙、韩国、葡萄牙等国家也相继出台了一系列政策鼓励太阳能光伏应用的发展。
通过几年的发展,光伏发电行业有了爆发式的增长,仅2008年全球光伏装机总量增加了100%,据专家预测2010年后,全球太阳能发电装机容量会以平均每年40%以上的速度增长。
全球太阳能发电装机容量
中轻太阳能电池有限责任公司(以下简称“中轻太阳能”)成立于2005年8月,注册资本金1.5亿,主要从事晶体硅太阳能电池、组件的研发、制造、销售及光伏应用系统工程集成服务的高新技术企业,致力于建设“技术领先、管理优秀”的领先光伏企业。
中轻太阳能在充分调研的基础上,决定适度扩大公司产能规模,并启动现有生产线技改以及技术研发项目;同时,从提高公司核心竞争力和完善公司治理结构方面考虑,公司决定引进战略投资者,实现公司的快速发展。
鉴于中轻太阳能业务领域符合我公司投资方向,且能够与股东--京能集团实现协同效应,我们拟出资5000万元,以1元/股的价格认购公司5000万股,占公司股比。
第二章太阳能电池行业行业概况
一、太阳能电池行业基础知识
1、太阳能电池的基本原理
太阳能电池是利用光电转换原理使太阳的辐射光通过半导体物质转变为电能的一种器件,这种光电转换过程通常叫做“光生伏打效应”,因此太阳能电池又称为“光伏电池”,用于太阳能电池的半导体材料是一种介于导体和绝缘体之间的特殊物质,和任何物质的原子一样,半导体的原子也是由带正电的原子核和带负电的电子组成,半导体硅原子的外层有4个电子,按固定轨道围绕原子核转动。
当受到外来能量的作用时,这些电子就会脱离轨道而成为自由电子,并在原来的位置上留下一个“空穴”,在纯净的硅晶体中,自由电子和空穴的数目是相等的。
如果在硅晶体中掺入硼、镓等元素,由于这些元素能够俘获电子,它就成了空穴型半导体,通常用符号P表示;如果掺入能够释放电子的磷、砷等元素,它就成了电子型半导体,以符号N代表。
若把这两种半导体结合,交界面便形成一个P-N结。
太阳能电池的奥妙就在这个“结”上,P-N结就像一堵墙,阻碍着电子和空穴的移动。
当太阳能电池受到阳光照射时,电子接受光能,向N型区移动,使N型区带负电,同时空穴向P型区移动,使P型区带正电。
这样,在P-N结两端便产生了电动势,也就是通常所说的电压。
这种现象就是上面所说的“光生伏打效应”。
如果这时分别在P型层和N型层焊上金属导线,接通负载,则外电路便有电流通过,如此形成的一个个电池元件,把它们串联、并联起来,就能产生一定的电压和电流,输出功率。
2、太阳能电池的分类
太阳能电池根据所用材料的不同可分为:
硅太阳能电池、多元化合物薄膜太阳能电池、聚合物多层修饰电极型太阳能电池、纳米晶太阳能电池、有机太阳能电池,其中硅太阳能电池是目前发展最成熟的,在应用中居主导地位。
(1)硅太阳能电池
硅太阳能电池分为单晶硅太阳能电池、多晶硅太阳能电池、多晶硅薄膜太阳能电池和非晶硅薄膜太阳能电池四种。
单晶硅太阳能电池转换效率最高,技术也最为成熟。
在实验室里最高的转换效率为24.7%,规模生产时的效率为17-18%。
在大规模应用和工业生产中占据重要地位,但由于原材料多晶硅成本价格高,大幅度降低其成本很困难,为了节省硅材料。
多晶硅太阳能电池转换效率在硅太阳能电池中排在第二位,目前规模生产时的效率为15-16.4%,在光伏领域占据主导地位,但与单晶硅类似,多晶硅原材料成本比较高,但受到金融危机影响,多晶硅原材料成本由2007年的200美元/公斤降至目前80美元/公斤,另外随着国内多晶硅项目的逐渐达产,多晶硅原材料仍有进一步下降的空间。
多晶硅薄膜太阳能电池与多晶硅比较,成本低廉,而效率高于非晶硅薄膜电池,其实验室最高转换效率为18%,工业规模生产的转换效率为15%。
但目前尚存在如下问题:
1、多晶硅薄膜低温沉积,质量差,薄膜晶粒尺寸小,电池效率低。
2、多晶硅薄膜高温沉积,能耗高,尚缺少适于生长优质多晶硅薄膜的廉价而优良的衬底材料。
目前看,多晶硅薄膜太阳能电池尚缺乏大规模生产的条件。
非晶硅薄膜太阳能电池成本低重量轻,转换效率较高,便于大规模生产,有极大的潜力。
但受制于其材料引发的光电效率衰退效应,稳定性不高,直接影响了它的实际应用。
如果能进一步解决稳定性问题及提高转换率问题,那么,非晶硅大阳能电池无疑是太阳能电池的主要发展产品之一。
(2)多元化合物薄膜太阳能电池
多元化合物薄膜太阳能电池材料为无机盐,其主要包括砷化镓III-V族化合物、硫化镉、硫化镉及铜锢硒薄膜电池等。
硫化镉、碲化镉多晶薄膜电池的效率较非晶硅薄膜太阳能电池效率高,成本较单晶硅电池低,并且也易于大规模生产,但由于镉有剧毒,会对环境造成严重的污染,因此,并不是晶体硅太阳能电池最理想的替代产品。
砷化镓(GaAs)III-V化合物电池的转换效率最高可达28%,GaAs化合物材料具有十分理想的光学带隙以及较高的吸收效率,抗辐照能力强,对热不敏感,适合于制造高效单结电池。
但是GaAs材料的价格不菲,因而在很大程度上限制了用GaAs电池的普及。
铜铟硒薄膜电池(简称CIS)适合光电转换,不存在光致衰退问题,转换效率和多晶硅一样。
具有价格低廉、性能良好和工艺简单等优点,将成为今后发展太阳能电池的一个重要方向。
唯一的问题是材料的来源,由于铟和硒都是比较稀有的元素,因此,这类电池的发展又必然受到限制。
(3)聚合物多层修饰电极型太阳能电池
以有机聚合物代替无机材料是刚刚开始的一个太阳能电池制造的研究方向。
由于有机材料柔性好,制作容易,材料来源广泛,成本底等优势,从而对大规模利用太阳能,提供廉价电能具有重要意义。
但以有机材料制备太阳能电池的研究仅仅刚开始,不论是使用寿命,还是电池效率都不能和无机材料特别是硅电池相比。
能否发展成为具有实用意义的产品,还有待于进一步研究探索。
(4)纳米晶太阳能电池
纳米TiO2晶体化学能太阳能电池是新近发展的,优点在于它廉价的成本和简单的工艺及稳定的性能。
其光电效率稳定在10%以上,制作成本仅为硅太阳电池的1/5~1/10.寿命能达到2O年以上。
但由于此类电池的研究和开发刚刚起步,估计不久的将来会逐步走上市场。
(5)有机太阳能电池
有机太阳能电池,顾名思义,就是由有机材料构成核心部分的太阳能电池。
大家对有机太阳能电池不熟悉,这是情理中的事。
如今量产的太阳能电池里,95%以上是硅基的,而剩下的不到5%也是由其它无机材料制成的。
3、多晶硅太阳能电池生产流程
(1)硅片检测
硅片是太阳能电池片的载体,硅片质量的好坏直接决定了太阳能电池片转换效率的高低,因此需要对来料硅片进行检测。
该工序主要用来对硅片的一些技术参数进行在线测量,这些参数主要包括硅片表面不平整度、少子寿命、电阻率、P/N型和微裂纹等。
该组设备分自动上下料、硅片传输、系统整合部分和四个检测模块。
其中,光伏硅片检测仪对硅片表面不平整度进行检测,同时检测硅片的尺寸和对角线等外观参数;微裂纹检测模块用来检测硅片的内部微裂纹;另外还有两个检测模组,其中一个在线测试模组主要测试硅片体电阻率和硅片类型,另一个模块用于检测硅片的少子寿命。
在进行少子寿命和电阻率检测之前,需要先对硅片的对角线、微裂纹进行检测,并自动剔除破损硅片。
硅片检测设备能够自动装片和卸片,并且能够将不合格品放到固定位置,从而提高检测精度和效率。
(2)表面制绒
单晶硅绒面的制备是利用硅的各向异性腐蚀,在每平方厘米硅表面形成几百万个四面方锥体也即金字塔结构。
由于入射光在表面的多次反射和折射,增加了光的吸收,提高了电池的短路电流和转换效率。
硅的各向异性腐蚀液通常用热的碱性溶液,可用的碱有氢氧化钠,氢氧化钾、氢氧化锂和乙二胺等。
大多使用廉价的浓度约为1%的氢氧化钠稀溶液来制备绒面硅,腐蚀温度为70-85℃。
为了获得均匀的绒面,还应在溶液中酌量添加醇类如乙醇和异丙醇等作为络合剂,以加快硅的腐蚀。
制备绒面前,硅片须先进行初步表面腐蚀,用碱性或酸性腐蚀液蚀去约20~25μm,在腐蚀绒面后,进行一般的化学清洗。
经过表面准备的硅片都不宜在水中久存,以防沾污,应尽快扩散制结。
(3)扩散制结
太阳能电池需要一个大面积的PN结以实现光能到电能的转换,而扩散炉即为制造太阳能电池PN结的专用设备。
管式扩散炉主要由石英舟的上下载部分、废气室、炉体部分和气柜部分等四大部分组成。
扩散一般用三氯氧磷液态源作为扩散源。
把P型硅片放在管式扩散炉的石英容器内,在850---900摄氏度高温下使用氮气将三氯氧磷带入石英容器,通过三氯氧磷和硅片进行反应,得到磷原子。
经过一定时间,磷原子从四周进入硅片的表面层,并且通过硅原子之间的空隙向硅片内部渗透扩散,形成了N型半导体和P型半导体的交界面,也就是PN结。
这种方法制出的PN结均匀性好,方块电阻的不均匀性小于百分之十,少子寿命可大于10ms。
制造PN结是太阳电池生产最基本也是最关键的工序。
因为正是PN结的形成,才使电子和空穴在流动后不再回到原处,这样就形成了电流,用导线将电流引出,就是直流电。
(4)去磷硅玻璃
该工艺用于太阳能电池片生产制造过程中,通过化学腐蚀法也即把硅片放在氢氟酸溶液中浸泡,使其产生化学反应生成可溶性的络和物六氟硅酸,以去除扩散制结后在硅片表面形成的一层磷硅玻璃。
在扩散过程中,POCL3与O2反应生成P2O5淀积在硅片表面。
P2O5与Si反应又生成SiO2和磷原子,这样就在硅片表面形成一层含有磷元素的SiO2,称之为磷硅玻璃。
去磷硅玻璃的设备一般由本体、清洗槽、伺服驱动系统、机械臂、电气控制系统和自动配酸系统等部分组成,主要动力源有氢氟酸、氮气、压缩空气、纯水,热排风和废水。
氢氟酸能够溶解二氧化硅是因为氢氟酸与二氧化硅反应生成易挥发的四氟化硅气体。
若氢氟酸过量,反应生成的四氟化硅会进一步与氢氟酸反应生成可溶性的络和物六氟硅酸。
(5)等离子刻蚀
由于在扩散过程中,即使采用背靠背扩散,硅片的所有表面包括边缘都将不可避免地扩散上磷。
PN结的正面所收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到PN结的背面,而造成短路。
因此,必须对太阳能电池周边的掺杂硅进行刻蚀,以去除电池边缘的PN结。
通常采用等离子刻蚀技术完成这一工艺。
等离子刻蚀是在低压状态下,反应气体CF4的母体分子在射频功率的激发下,产生电离并形成等离子体。
等离子体是由带电的电子和离子组成,反应腔体中的气体在电子的撞击下,除了转变成离子外,还能吸收能量并形成大量的活性基团。
活性反应基团由于扩散或者在电场作用下到达SiO2表面,在那里与被刻蚀材料表面发生化学反应,并形成挥发性的反应生成物脱离被刻蚀物质表面,被真空系统抽出腔体。
(6)镀减反射膜
抛光硅表面的反射率为35%,为了减少表面反射,提高电池的转换效率,需要沉积一层氮化硅减反射膜。
现在工业生产中常采用PECVD设备制备减反射膜。
PECVD即等离子增强型化学气相沉积。
它的技术原理是利用低温等离子体作能量源,样品置于低气压下辉光放电的阴极上,利用辉光放电使样品升温到预定的温度,然后通入适量的反应气体SiH4和NH3,气体经一系列化学反应和等离子体反应,在样品表面形成固态薄膜即氮化硅薄膜。
一般情况下,使用这种等离子增强型化学气相沉积的方法沉积的薄膜厚度在70nm左右。
这样厚度的薄膜具有光学的功能性。
利用薄膜干涉原理,可以使光的反射大为减少,电池的短路电流和输出就有很大增加,效率也有相当的提高。
(7)丝网印刷
太阳电池经过制绒、扩散及PECVD等工序后,已经制成PN结,可以在光照下产生电流,为了将产生的电流导出,需要在电池表面上制作正、负两个电极。
制造电极的方法很多,而丝网印刷是目前制作太阳电池电极最普遍的一种生产工艺。
丝网印刷是采用压印的方式将预定的图形印刷在基板上,该设备由电池背面银铝浆印刷、电池背面铝浆印刷和电池正面银浆印刷三部分组成。
其工作原理为:
利用丝网图形部分网孔透过浆料,用刮刀在丝网的浆料部位施加一定压力,同时朝丝网另一端移动。
油墨在移动中被刮刀从图形部分的网孔中挤压到基片上。
由于浆料的粘性作用使印迹固着在一定范围内,印刷中刮板始终与丝网印版和基片呈线性接触,接触线随刮刀移动而移动,从而完成印刷行程。
(8)快速烧结
经过丝网印刷后的硅片,不能直接使用,需经烧结炉快速烧结,将有机树脂粘合剂燃烧掉,剩下几乎纯粹的、由于玻璃质作用而密合在硅片上的银电极。
当银电极和晶体硅在温度达到共晶温度时,晶体硅原子以一定的比例融入到熔融的银电极材料中去,从而形成上下电极的欧姆接触,提高电池片的开路电压和填充因子两个关键参数,使其具有电阻特性,以提高电池片的转换效率。
烧结炉分为预烧结、烧结、降温冷却三个阶段。
预烧结阶段目的是使浆料中的高分子粘合剂分解、燃烧掉,此阶段温度慢慢上升;烧结阶段中烧结体内完成各种物理化学反应,形成电阻膜结构,使其真正具有电阻特性,该阶段温度达到峰值;降温冷却阶段,玻璃冷却硬化并凝固,使电阻膜结构固定地粘附于基片上。
二、多晶硅太阳能电池产业链
目前,在多晶硅光伏产业链中,我国大部分企业处于产业链的中端,即硅片、电池及组件,而多晶硅原材料和太阳能市场主要在德国、美国、日本等发达国家,我国的光伏厂家相比生产多晶硅原材料的国外企业,议价能力比较弱,技术相对落后,企业盈利能力比较弱。
多晶硅产业链主要有五个环节:
多晶体硅原材料制造,硅锭/硅片生产、太阳电池制造、组件封装、光伏系统应用。
目前,在晶体硅光伏产业链中,我国大部分企业处于产业链的中端,即硅片、电池及组件,晶体硅原材料和太阳能市场主要在德国、美国、日本等发达国家,但国内在建多晶硅项目众多,这一状况将有所改变。
具体情况如下:
(1)多晶硅制造:
国内企业技术落后、盲目扩张,能否达产尚不确定
2005年,世界太阳电池产量1818MW,需多晶体硅约2.18万吨。
中国生产晶体硅太阳电池133兆瓦,需硅材料1596吨,集成电路产业总共需要2688吨,但只生产了80吨(5%),缺额的2608吨(95%)依靠进口。
多晶体硅原材料的生产属敏感的先进生产技术,基本上垄断在国外8家主要生产商中。
由于种种原因,目前多晶体硅原材料的生产远远落后于光伏产业的需求,导致自2004年以来世界范围内多晶体硅原材料持续紧缺,而且将持续到2008-2010年。
原材料紧缺还造成我国厂商竞相高价向国外寻求供应。
2005年世界市场多晶体硅原材料约为50-60美元/公斤,我国厂商的进口价有的高出4-5倍。
由于2008年多晶硅价格最高达到200美元/公斤,因此国内企业集中新建、扩建多晶硅项目,导致国内在建、建成多晶硅产能严重过剩,截至今年上半年,国内多晶硅项目已建、在建或拟建的超过50个,投资规模将超过1300亿元,产能将超过23万吨。
而乐观估计,多晶硅每年全球需求量约为18吨。
另外,受到欧美、日本等国家对多晶硅生产技术的保护,国内企业大多不能掌握多晶硅生产的核心技术,生产能耗为世界先进水平的2-3倍,污染水平偏高,能否顺利通过环境评价实现达产还是未知数。
(2)多晶硅硅锭制造、切片:
多晶硅铸锭市场集中度较高
晶体硅锭制造对产品的纯度和均匀性要求较高。
多晶体硅浇铸炉依赖进口,价格昂贵,目前国内厂家主要有江西赛维LDK,英利新能源,昱辉等厂家,目前我国多晶体硅浇铸炉国产化也取得较大进步。
多晶硅切片的厚度直接影响太阳能电池的成本,目前硅片的厚度已经从2004年的270μm减少至目前的180μm,但大部分切片设备仍主要依靠进口。
(3)太阳电池生产:
技术接近国际水平
在国际市场需求旺盛的刺激下,发展迅速。
2005年新建的生产能力超过以往历年的总和,2006年底形成1400兆瓦的生产能力,相当于2005年实际生产量的10倍,世界生产量的70%以上;在引进消化和吸收的基础上,太阳电池的生产技术接近国际水平,但因发展过快,企业缺乏技术人才和科技创新的能力。
(4)组件封装:
中国发展迅速
在太阳电池产业链中,组件封装是资金和技术门槛低、低廉劳动力比较密集的环节。
因此我国太阳电池封装发展最为迅速。
(5)光伏系统相关部件制造:
竞争能力还有待大力提高
目前我国光伏系统主要是独立式的分散电源,相关部件主要有蓄电池、控制器、逆变器、直流灯具等,光伏并网发电系统尚处于试验示范阶段。
因此,我国在太阳能光伏产业链竞争中,只在最简单的环节发展迅速,其它方面都受制于发达国家,整个产业的竞争能力还有待大力提高。
三、多晶硅太阳能电池、电厂的成本构成
如图所示,当多晶硅价格在150美元/公斤时,多晶硅材料在电池组件成本中占56.2%,目前多晶硅价格在80美元/公斤左右,多晶硅材料在电池组件成本中下降至40%左右,而电池、组件成本约占总成本的40%,仅次于原料硅成本。
如图所示,多晶硅电池发电厂成本构成中电池组件占46%,是电厂中最重要的一部分,价格约为2.1美元/瓦,而电厂整体装机成本约为4.5美元/瓦。
随着技术进步,转换率的提高以及规模经济效应,电厂整体装机成本将逐渐下降。
四、全球太阳能电池发展状况
化石能源储量的有限性是发展可再生能源的主要因素之一。
而太阳能作为一种清洁的、可再生的能源得到广泛关注,很多国家都制定了相应的政策与规划。
过去几年并网光伏装机主要集中于3个国家:
日本、德国、美国,主要是上述国家对于光伏发电支持性政策较多,而近几年其他诸如西班牙、韩国、葡萄牙等国家也相继出台了一系列政策鼓励太阳能光伏应用的发展。
1、全球太阳能电池供给、需求情况
太阳能电池供给方面,2008年全球太阳能电池产能达到了6.85GW,同比增加99%;产能利用率从2007年的64%提升至2008年的67%。
2008年底,薄膜电池产能增至0.89GW,同比增加123%。
中国和台湾的太阳能电池产量全球份额继续增加,从2007年的35%增加至2008年的44%。
2008年,多晶硅的全球供给量(MW计量)同比增加了127%,其中美国多晶硅产量占全球产量的43%。
全球硅片产能同比增加81%,至8.3GW。
国外光伏产业集中在产业链的上游及下游—即多晶硅原材料、光伏产品应用两方面,全球主要光伏供应商分布如下:
需求方面,通过几年的发展,太阳能发电行业有了爆发式的增长,仅2008年全球太阳能电池装机总量增加了100%,达到了5950MW,据专家预测2010年后,全球太阳能发电装机容量会以每年40%以上的速度增长。
全球太阳能电池装机容量
2、全球各国家对光伏产业的政策支持
国家
总体规划
现有政策
德国
原计划到2010年可再生能源发电量比例达到12.5%的目标已实现;计划到2020年将可再生能源发电量比例提高至25-30%;
根据规模的不同,实施0.38-0.49欧元/度的电价补贴;建筑物新项目电价补贴每年下降5%,地面新项目电价补贴每年下降6.5%;20年上网电价合同保证期;
西班牙
2010年可再生能源发电占总发电量的30%;2010年总装机容量达到1200MW。
根据规模不同,实施0.23-0.44欧元/度的电价补贴;电价补贴无递减率;25年上网电价合同保证期;
意大利
2016年,光伏装机容量达到3000MWp。
根据规模不同,实施0.36-0.49欧元/度的电价补贴;此轮补贴装机容量上限为1200MWp;
美国
2010年可再生能源发电占总发电量的10%;
2005年开始实施光伏投资税减免政策(InvestmentTaxCredit),减免额相当于安装成本的30%,每户民用光伏项目减免额最多2000美元,此政策已于2008年底到期;
日本
2010年可再生能源发电占总发电量的1.35%;
2006年开始原有补贴政策全部取消,2006-2008年为完全市场化发展,2007年首次出现安装量下滑,原世界第一大电池生产公司Sharp行业地位随之下落;
3、全球光伏产业市场发展前景
从当前国际光伏市场需求份额来看,德国、西班牙、意大利、日本、美国份额在85%以上,但增长速度已经落后于其他国家,随着各国政府对光伏发电政策的不断加强,光伏需求市场会更加分化。
预计未来两年全球光伏装机容量增速为40%,而德国、西班牙、美国、意大利和日本的合计份额仍将保持在85%以上,仍是主要需求地区。
另外,美国是值得重点关注的,一旦美国市场启动,全球的可再生能源格局将截然不同,当选总统奥巴马的能源政策中,新能源的发展是非常重要的一环,最值得关注的仍是可再生能源发电配额的限定,即2013年10%,2025年25%的电能需要可再生能源配比。
据计算,为了达到上述目标,美国的太阳能和风能装机在3年内要达到1.6亿kW,这意味规模相当于目前全球新能源装机30倍的可再生能源市场开始启动。
五、国内太阳能电池发展状况
我国有十分丰富的太阳能资源,1971-2000年的近30年中,太阳年总辐照量平均在1050-2450kwh/m2之间;大于1050kwh/m2的地区占国土面积的96%以上。
与同纬度的其他国家相比,和美国类似,比欧洲、日本优越得多,具有利用太阳能的良好条件。
1、我国太阳能电池产业供求状况
我国太阳能电池产业近5年平均年增长率为49.5%,2007年增长56.2%,成为全球太阳能第一生产大国,占全球产量的26.6%。
2007年世界前16家太阳电池公司中,中国已经占有了6家。
另据中国太阳能协会的数据,2008年国内太阳能电池的产能约为3500兆瓦,而欧洲、日本和美国产量分别是1062、920和266兆瓦,中国已成为名副其实的太阳能电池世界第一。
但我国太阳能发电市场发展却极为缓慢,2008年累计装机容量仅有140兆瓦,不足全球的3%。
目前,国家能源局近期已确定将2011年的光伏装机容量增加到2000兆瓦(GW),是2008年底装机容量的15倍。
2、我国太阳能电池产业市场结构
我国光伏产业结构呈“金字塔”式,不同环节竞争者数量沿产业链自上而下逐渐增多。
2007年,中国已有500多家光伏企业和研发单位,主要集中在产业链中下游,中国光伏龙头企业江西赛维LDK和尚德分别位于产业链上游和中游。
从技术角度来看,中国多晶硅原材料生产技术较落后,硅锭/硅棒制造、电池制造工艺技术较成熟,中国多晶硅生产技术主要基于改良的西门子法,由于缺乏核心技术,工艺落后,平均能耗为世界先进水平的2-3倍;且此前产量供应不足,多依赖国外进口,但目前国内在建多晶硅项目很多,如果达产产能将超过23万吨,是未来需求的1.5倍。
在硅锭/硅棒制造环节,国内主要生产企业技术比较成熟;电池制造方面,部分中国光伏企业的工艺接近或达到国际先进水平。
2007年,全国光伏电池出口额共计36亿美元,而国内前十大光伏电池出口企业出口金额27.8亿美元,占比77%,市场占有率比较集中。
在产品销售去向来看,西班牙、德国共进口中国光伏