场效应管的分类.docx

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场效应管的分类

场效应管的分类

场效应管（FET）是一种电压控制电流器件。

其特点是输入电阻高，噪声系数低，受温度和辐射影响小。

因而特别使用于高灵敏度、低噪声电路中。

场效应管的种类很多，按结构可分为两大类：

结型场效应管（JFET）和绝缘栅型场效应管（IGFET）.结型场效应管又分为N沟道和P沟道两种。

绝缘栅场效应管主要指金属--氧化物--半导体场效应管（MOS管）。

MOS管又分为“耗尽型”和“增强型”两种，而每一种又分为N沟道和P沟道。

结型场效应管是利用导电沟道之间耗尽区的宽窄来控制电流的，输入电阻（105～1015）之间；

绝缘栅型是利用感应电荷的多少来控制导电沟道的宽窄从而控制电流的大小，其输入阻抗很高（栅极与其它电极互相绝缘）。

它在硅片上的集成度高，因此在大规模集成电路中占有极其重要的地位。

场效应管的型号命名方法　　现行场效应管有两种命名方法。

第一种命名方法与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。

第二位字母代表材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。

例如,3DJ6D是结型N沟道场效应三极管，3DO6C是绝缘栅型N沟道场效应三极管。

　　第二种命名方法是CS××#，CS代表场效应管，××以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。

例如CS14A、CS45G等。

场效应管所有厂家的中英文对照表在场效应管对照表中，收编了美国、日本及欧洲等近百家半导体厂家生产的结型场效应晶体管（JFET）、金属氧化物半导体场次晶体管（MOSFET）、肖特基势垒控制栅场效应晶体管（SB）、金属半导体场效应晶体管（MES）、高电子迁移率晶体管（HEMT）、静电感应晶体管（SIT）、绝缘栅双极晶体管（IGBT）等属于场效应晶体管系列的单管、对管及组件等，型号达数万种之多。

每种型号的场效应晶体管都示出其主要生产厂家、材料与极性、外型与管脚排列、用途与主要特性参数。

同时还在备注栏列出世界各国可供代换的场效应晶体管型号，其中含国产场效应晶体管型号。

　1．"型号"栏

　表中所列各种场效应晶体管型号按英文字母和阿拉伯数字顺序排列。

同一类型的场效应晶体型号编为一组，处于同一格子内，不用细线分开。

　2．"厂家"栏

　为了节省篇幅，仅列入主要厂家，且厂家名称采用缩写的形式表示。

）

所到厂家的英文缩写与中文全称对照如下：

ADV美国先进半导体公司

AEG美国AEG公司

AEI英国联合电子工业公司

AEL英、德半导体器件股份公司

ALE美国ALEGROMICRO公司

ALP美国ALPHAINDNSTRLES公司

AME挪威微电子技术公司

AMP美国安派克斯电子公司

AMS美国微系统公司

APT美国先进功率技术公司

ATE意大利米兰ATES公司

ATT美国电话电报公司

AVA美、德先进技术公司

BEN美国本迪克斯有限公司

BHA印度BHARAT电子有限公司

CAL美国CALOGIC公司

CDI印度大陆器件公司

CEN美国中央半导体公司

CLV美国CLEVITE晶体管公司

COL美国COLLMER公司

CRI美国克里姆森半导体公司

CTR美国通信晶体管公司

CSA美国CSA工业公司

DIC美国狄克逊电子公司

DIO美国二极管公司

DIR美国DIRECTEDENERGR公司

LUC英、德LUCCAS电气股份公司

MAC美国M/A康姆半导体产品公司

MAR英国马可尼电子器件公司

MAL美国MALLORY国际公司

MAT日本松下公司

MCR美国MCRWVETECH公司

MIC中国香港微电子股份公司

MIS德、意MISTRAL公司

MIT日本三菱公司

MOT美国莫托罗拉半导体公司

MUL英国马德拉有限公司

NAS美、德北美半导体电子公司

NEW英国新市场晶体管有限公司

NIP日本日电公司

NJR日本新日本无线电股份有公司

NSC美国国家半导体公司

NUC美国核电子产品公司

OKI日本冲电气工业公司

OMN美国OMNIREL公司

OPT美国OPTEK公司

ORG日本欧里井电气公司

PHI荷兰飞利浦公司

POL美国PORYFET公司

POW美国何雷克斯公司

PIS美国普利西产品公司

PTC美国功率晶体管公司

RAY美、德雷声半导体公司

REC美国无线电公司

RET美国雷蒂肯公司

RFG美国射频增益公司

RTC法、德RTC无线电技术公司

SAK日本三肯公司

SAM韩国三星公司

SAN日本三舍公司

SEL英国塞米特朗公司DIT德国DITRATHERM公司

ETC美国电子晶体管公司

FCH美国范恰得公司

FER英、德费兰蒂有限公司

FJD日本富士电机公司

FRE美国FEDERICK公司

FUI日本富士通公司

FUM美国富士通微电子公司

GEC美国詹特朗公司

GEN美国通用电气公司

GEU加拿大GENNUM公司

GPD美国锗功率器件公司

HAR美国哈里斯半导体公司

HFO德国VHB联合企业

HIT日本日立公司

HSC美国HELLOS半导体公司

IDI美国国际器件公司

INJ日本国际器件公司

INR美、德国际整流器件公司

INT美国INTERFET公司

IPR罗、德IPRSBANEASA公司

ISI英国英特锡尔公司

ITT德国楞茨标准电气公司

IXY美国电报公司半导体体部

KOR韩国电子公司

KYO日本东光股份公司

LTT法国电话公司

SEM美国半导体公司

SES法国巴黎斯公司

SGS法、意电子元件">元件股份公司

SHI日本芝蒲电气公司

SIE德国西门子AG公司

SIG美国西格尼蒂克斯公司

SIL美、德硅技术公司

SML美、德塞迈拉布公司

SOL美、德固体电子公司

SON日本萦尼公司

SPE美国空间功率电子学公司

SPR美国史普拉格公司

SSI美国固体工业公司

STC美国硅晶体管公司

STI美国半导体技术公司

SUP美国超技术公司

TDY美、德TELEDYNE晶体管电子公司

TEL德国德律风根电子公司

TES捷克TESLA公司

THO法国汤姆逊公司

TIX美国德州仪器公司

TOG日本东北金属工业公司

TOS日本东芝公司

TOY日本罗姆公司

TRA美国晶体管有限公司

TRW英、德TRN半导体公司

UCA英、德联合碳化物公司电子分部

UNI美国尤尼特罗德公司

UNR波兰外资企业公司

WAB美、德WALBERN器件公司

WES英国韦斯特科德半导体公司

VAL德国凡尔伏公司

YAU日本GENERAL股份公司

ZET英国XETEX公司3．"材料"栏

本栏目注明各场效应晶体管的材料和极性，没有注明材料的均为SI材料，特殊类型的场效应晶体管也在这一栏中说明。

其英文与中文对照如下：

N-FET硅N沟道场效应晶体管

P-FET硅P沟道场效应晶体管

GE-N-FET锗N沟道场效应晶体管

GE-P-FET锗P沟道场效应晶体管

GaAS-FET砷化镓结型N沟道场效应晶体管

SB肖特基势垒栅场效应晶体管

MES金属半导体场效应晶体管（一般为N沟道，若P沟道则在备注栏中注明）

HEMT高电子迁移率晶体管

SENSEFET电流敏感动率MOS场效应管

SIT静电感应晶体管

IGBT绝缘栅比极晶体管

ALGaAS铝家砷4．"外形"栏

根据本栏中所给出的外形图序号，可在书末的"外形与管脚排列图"中查到该型号场效应晶体管的外形与管脚排列方式，但不考虑管子尺寸大小。

注明"P-DIT"的为塑料封装双列直插式外形，"CER-DIP"的为陶瓷封装双列直插式外形，"CHIP"的为小型片状，"SMD"或"SO"的为表面封装，"SP"的为特殊外形，"LLCC"为无引线陶瓷片载体，"WAFER"的为裸芯片。

5．"用途与特性"栏

本栏中介绍了各种场效应晶体管的主要用途及技术特性参数。

对于MOSFET增加了MOS-DPI表示增强型金属氧化物场效应晶体管或者MOS-ENH表示增强型金属氧化物场效应晶体管，没有注明的即结型场效应晶体管其余的英文缩写与中文全称对照如下：

A宽频带放大

AM调幅

CC恒流

CHOP斩波、限幅

C-MIC电容话筒专用

D变频换流

DC直流

DIFF差分放大

DUAL配对管

DUAL-GATE双栅四极

FM调频

GEP互补类型

HA行输出级

HF高频放大（射频放大）

HG高跨导

HI-IMP高输入阻抗

HI-REL高可靠性

LMP-C阻抗变换

L功率放大

MAP匹配对管

MIN微型

MIX或M混频

MW微波

NF音频（低频）O振荡

S开关

SW-REG开关电源

SYM对称类

TEMP温度传感

TR激励、驱动

TUN调谐

TV电视

TC小型器件标志

UHF超高频

UNI一般用途

V前置/输入级

VA场输出级

VHF甚高频

VID视频

VR可变电阻

ZF中放

V-FETV型槽MOSFET

MOS-INMMOSFET独立组件

MOS-ARRMOSFET陈列组件

MOS-HBMMOSFET半桥组件

MOS-FBM全桥组件

MOS-TPBMMOSFET三相桥组件

技术特性参数列出极限参和特征参数，其中电压值：

结型场效应晶体管为栅极间极电压Vgds或Vgdo,MOS场效应晶体管（含MES、HEMT）一般为漏极-源极间极限电压Vdss,IGBT晶体管为集电极发射极间极限电压（基极和发射极短路）V（br）ces;电流值：

耗尽型（含结型）为最大漏极电流Idss,增强型为漏极极限电流Id，IGBT晶体管为集电极最大直流电流Ic；功率值：

一般为漏极耗散功率Pd，高频功率管有的列出漏极最大输出功率Po，IGBT晶体管为集电极耗散功率Pc，单位为W或DBM；场效应管高频应用的频率值：

一般为特征频率Ft,有的为最高振荡频率FO；开关应用及功率MOS场效应管电阻值为漏极-源极间的导通电阻Rds，记为Ron，单位Ω；开关时间：

"/"（斜线）前为导通时间Ton,"/"后为关断时间Toff,部分开关时间为上升时间Tr，和下降时间Tf，IGBT晶体管"/"斜钱前为延迟时间与上升时间之和td+tr,"/"后为下降时间TR；低噪声的噪声特性参数用噪声系数NF（DB）或输入换算噪声电压En（VN）表示；对于对管列有表示对称性参数的栅源短路时的漏极电流之比⊿或栅源电压差⊿VGS或栅极电流差⊿JG；跨导值：

表示放大能力的参数，多为最大跨导GM，单位MS（毫西门子）；栅泄漏电流值：

表示输入阻抗特怕的能数，记为IGSS，单位NA或PA；夹断电压：

表示关断行断特性的参数，记为VP,，单位V。

6，"国内外相似型号"栏

本栏列出特性相似，可供代换的世界各国场效应晶体管型号，含国产场效应晶体管。

这些型号的场效应晶体管一般都可以代换相应第一栏（"型号"栏）的场效应晶体管。

这些管子多数可直接代换，但有个别型号的场效应晶体管因外形或管脚排列不同，不能直接代换使用，须加以注意。

不过，这些场效应晶体管的主要技术能数与被代换场效应晶体管都比较接近。

这一栏里还对一些特殊的特性、参数以备注的形式进行说明。

其中KOMPL（有时排印为KPL.）后的场效应晶体管为第一栏晶体管的互补管。

注明INTEGR.D.的表示管内含有复合二极管。

对组件注有XN中N为组件中的器件数目。

双栅场效应管（DGFET）双栅场效应管T可用来构成可控增益放大器，输入信号加在G1上，G2交流接地，改变加在G2上的偏压，就可控制放大器的增益。

图4-5所示是双栅场效应管4DO1的引脚分布图。

双栅场效应管多用于可控增益放大器和高频电子线路中。