半导体器件物理复习重点 2.docx
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半导体器件物理复习重点2
第一章PN结
1.1PN结是怎么形成的?
1.2PN结的能带图(平衡和偏压)*
1.3内建电势差计算
1.4空间电荷区的宽度计算
1.5PN结电容的计算
第二章PN结二极管
2.1理想PN结模型是什么?
2.2少数载流子分布(边界条件和双极输运方程的应用)
2.3理想PN结电流
2.4PN结二极管的等效电路(扩散电阻和扩散电容的概念)?
2.5产生-复合电流的计算
2.6PN结的两种击穿机制有什么不同?
第三章双极晶体管
3.1双极晶体管的工作原理是什么?
3.2双极晶体管有几种工作模式,哪种是放大模式?
3.3双极晶体管的少子分布(图示)
3.4双极晶体管的电流成分(图示),它们是怎样形成的?
3.5低频共基极电流增益的公式总结
3.6等效电路模型(Ebers-Moll模型和Hybrid-Pi模型)(画图和简述)
3.7双极晶体管的截止频率受哪些因素影响?
3.8双极晶体管的击穿有哪两种机制?
第四章MOS场效应晶体管基础
4.1MOS结构怎么使半导体产生从堆积、耗尽到反型的变化?
4.2MOS结构的平衡能带图(表面势、功函数和亲和能)及平衡能带关系
4.3栅压的计算(非平衡能带关系)
4.4平带电压的计算
4.5阈值电压的计算
4.6MOS电容的计算
总的电容公式:
最大电容:
平带电容:
,
最小电容:
,
4.7MOSFET的工作原理是什么?
4.8电流-电压关系(计算)
N沟道:
P沟道:
4.9MOSFET的跨导计算
4.10MOSFET的等效电路(简化等效电路)
4.11MOSFET的截止频率主要取决于什么因素?
第五章光器件
5.1电子-空穴对的产生率:
5.2PN结太阳能电池的电流
5.3光电导计算
5.4光电导增益
5.5光电二极管的光电流
5.6PIN二极管怎么提高光电探测效率?
5.7发光二极管的内量子效率主要取决于哪些因素?
5.8PN结二极管激光器怎样实现粒子数反转(借助于能带图说明)
第六章MOS场效应晶体管:
概念的深入
6.1MOSFET按比例缩小理论(恒定电场缩小),哪些参数缩小,哪些参数增大?
6.2结型场效应晶体管的工作原理是什么?
它有什么特点