史上的pcb封装命名规范.docx
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史上的pcb封装命名规范
PCB封装命名规范
魔电EDA建库工作室
1范围4
2引用4
3约束4
4焊盘的命名5
表贴焊盘命名规范5
通孔焊盘命名规范7
花焊盘命名9
Shape命名10
5PCB封装命名11
封装命名要求11
电阻类命名13
电位器命名15
电容器命名16
电感器命名19
磁珠命名21
二极管命名21
晶体谐振器命名23
晶体振荡器命名24
熔断器命名24
发光二极管命名24
BGA封装命名25
CGA封装命名25
LGA封装命名26
PGA封装命名26
CFP封装命名27
DIP封装命名27
DFN封装命名28
QFN封装命名28
J型引脚LCC封装命名29
无引脚LCC封装命名29
QFP类封装命名30
SOP类封装命名30
SOIC封装命名31
SOJ封装命名31
SON封装命名31
SOT封装命名32
TO封装命名33
连接器封装命名34
其它封装命名34
1范围
本规范适用于主流EDA软件在PCB设计前的封装建库命名。
2引用
IPC-7351B：
GenericRequirementsforSurfaceMountDesignandLandPatternStandard.PCBlibrariesFootprintNamingConvention.
3约束
①本规范中所有的命名只能采用占一个字节（即半角输入）的数字（0-9）、字母（a-z无大小写限制）、下划线（_）、中横线（-）四种字符,其它符号均属于非法字符。
②命名中所使用的尺寸单位只能采用公制单位毫米（mm）或者英制单位毫英寸（mil）。
③命名中的所有尺寸（如长、宽、高等），如果采用公制，数字的后两位表示小数位（如果实际小数位不止两位则四舍五入到两位数），整数位长度无限制。
例如：
r160_50s15mm中的长度160表示，宽度50表示。
④命名中的所有尺寸（如长、宽、高等），如果采用英制，那么数字全都是整数，没有小数位，整个数字的长度无限制。
例如：
r210_90s6mil中的长度210表示210mil，宽度90表示90mil。
⑤规范中大括号{}以及它包含的内容表示参数。
例如：
capae{BodySize}x{Height}{Level}mm（mil）假设对应的封装名为capae240x310nmm，那么{BodySize}就是240，{Height}就是310，{Level}就是n，如果单位用的毫米，后缀就是mm，否则就是mil。
⑥参数解释。
{Level}：
密度等级。
见节。
{}：
器件厂家。
可用完整英文或者英文缩写或者汉语拼音。
{PartNumber}：
厂家完整型号。
如果包含非法字符，须删除或者用下划线替代。
{Length}：
器件长度。
取典型值，若无典型值则取平均值，若仅有一个值，则取该值。
{Width}：
器件宽度。
取典型值。
{Height}：
器件高度。
取最大。
{LeadSpacing}：
两引脚插装器件的引脚间距。
取典型值。
{Pitch}：
相邻引脚的间距。
取典型值。
{LeadDiameter}：
插装器件引脚的直径。
取最大值。
{BodyLength}：
封装体长度。
取典型值。
{BodyWidth}：
封装体宽度。
取典型值。
{BodyHeight}：
封装体高度。
取最大。
{BodyThickness}：
封装体厚度。
{BodyDiameter}：
圆柱形器件封装体的直径。
取典型值。
{LeadSpan}：
排距。
两排引脚外沿的距离，取典型值。
{LeadSpanL1}：
排距1。
矩形四边引脚的器件其中较小的排距。
取典型值。
{LeadSpanL2}：
排距2。
矩形四边引脚的器件其中较大的排距。
取典型值。
{PinQty}：
引脚数量。
此数量包含功能引脚数量和散热盘的数量。
{Columns}：
引脚的列数。
{Rows}：
引脚的行数。
说明：
根据实际数据手册（datasheet）的描述，如果手册没有给出典型值，则计算平均值；如果手册只给出了唯一值（无论是最小值还是最大值），则取该值。
4焊盘的命名
焊盘是组成封装的单元，本节所讲的焊盘包括表贴焊盘、通孔焊盘，以及组成特殊表贴焊盘的shape和组成通孔焊盘的flash。
表贴焊盘命名规范
标准表贴焊盘标准表贴焊盘包含正方形、长方形、圆形和椭圆形焊盘。
例：
W=，H=，D=40mil
命名格式：
长方形/椭圆形：
正方形/圆形：
说明：
①焊盘形状。
r表示矩形（rectangle）；c表示圆形（circle）；s表示方形（square）；b表示椭圆形（oblong）
②W：
焊盘的长度（长边）。
③H:
焊盘的宽度（短边）
④s:
固定字符，表示阻焊（soldermask）。
⑤阻焊增量。
阻焊长度（宽度）减去焊盘长度（宽度）的尺寸。
⑥创建焊盘使用的单位。
只采用mm（公制）和mil（英制）两种。
D形表贴焊盘
例：
W=，H=
命名格式：
说明：
①d表示焊盘形状为D形。
②W：
焊盘的长度（长边）。
③H:
焊盘的宽度（短边）
④s:
固定字符，表示阻焊（soldermask）。
⑤阻焊增量。
阻焊长度（宽度）减去焊盘长度（宽度）的尺寸。
⑥创建焊盘使用的单位。
只采用mm（公制）和mil（英制）两种。
非标准表贴焊盘
非标准表贴焊盘是指不能直接制作，只能用shape组成的除标准焊盘和D形焊盘外的其它任
意形状焊盘。
例如：
命名格式：
smd_{}_{Number}其中为这个焊盘适用的封装名，Number为数字，如果此封装只包含一个非标准焊盘，那么Number可忽略，如果封装包含两个非标准焊盘，那么Number就分别表示1和2，以此类推。
例如：
封装sot230p700x180-4nmm包含两个非标准焊盘，那么这两个焊盘名分别为
smd_sot230p700x180-4nmm_1和smd_sot230p700x180-4nmm_2。
通孔焊盘命名规范
EDA软件能创建的通孔焊盘，其通孔部分的形状包含圆形、矩形和椭圆形，焊接部分的焊盘形状有圆形、矩形、椭圆形、正方形、八边形。
圆形/方形焊盘命名
例：
H=，D=1mm命名格式：
带自定义flash的金属孔：
不带自定义flash的金属孔：
非金属孔：
说明：
⑴t：
固定字符，表示通孔焊盘（through）。
⑵焊盘的形状，c为圆形（circle），s为方形（square）。
⑶焊盘的边长。
⑷表示钻孔形状，c为圆形（circle），s为方形（square）。
⑸钻孔直径。
⑹钻孔类型。
p表示钻孔内壁上锡（plated），为金属孔；n为非金属孔（non-plated）。
⑺花焊盘（thermalrelief）的外径。
⑻花焊盘（thermalrelief）的内径。
⑼花焊盘的辐宽。
⑽s:
固定字符，表示阻焊（soldermask）。
⑾阻焊增量。
阻焊长度（宽度）减去焊盘长度（宽度）的尺寸。
⑿创建焊盘使用的单位。
只采用mm（公制）和mil（英制）两种。
椭圆形/矩形焊盘命名
例：
W1=，W2=，H1=，H2=
命名格式：
带自定义flash的金属孔：
不带自定义flash的金属孔：
非金属孔：
说明：
⑴t：
固定字符，表示通孔焊盘（through）。
⑵焊盘的形状，b为椭圆形（oblong），r为矩形（rectangle）。
⑶焊盘的长度。
⑷焊盘的宽度。
⑸表示钻孔形状，b为椭圆形（oblong），r为矩形（rectangle）。
⑹钻孔的长度。
⑺钻孔的宽度。
⑻钻孔类型。
p表示钻孔内壁上锡（plated），为金属孔；n为非金属孔（non-plated）。
⑼花焊盘（thermalrelief）的外圈长度。
⑽花焊盘（thermalrelief）的内圈长度。
⑾花焊盘的辐宽。
⑿s:
固定字符，表示阻焊（soldermask）。
⒀阻焊增量。
阻焊长度（宽度）减去焊盘长度（宽度）的尺寸。
⒁创建焊盘使用的单位。
只采用mm（公制）和mil（英制）两种。
花焊盘命名
例：
D=，d=1mm，w=，b=90°，H1=，H2=1mm，W1=，W2=。
命名格式：
矩形/椭圆形花焊盘：
方形/圆形花焊盘：
说明：
⑴f：
固定字母，代表花焊盘（flash）。
⑵花焊盘外圈长度。
⑶花焊盘外圈宽度。
⑷x：
分隔符号。
⑸花焊盘内圈长度。
⑹花焊盘内圈宽度。
⑺花焊盘形状。
c表示圆形（circle），b表示椭圆形（oblong），s表示方形（square），
r表示矩形（rectangle）。
⑻花焊盘的辐宽。
⑼花焊盘开口方向与水平线的夹角（锐角）。
⑽命名的单位。
Shape命名
要制作特殊形状的焊盘，需要事先在软件中制作焊盘的形状shape，下面是特殊形状焊盘的例子，如键盘按键的焊盘、SON封装的散热焊盘等。
命名格式：
sh_{}_{Number}说明：
⑴sh：
固定字符，表示特殊形状焊盘（shape）。
⑵表示此shape适用的封装名。
⑶Number是数字后缀。
如果封装只包含一个shape，那么Number可忽略；如果封装有两个shape，Number分别是1和2，以此类推。
例如：
封装sot230p700x180-4nmm包含两个非标准焊盘，每个非标准焊盘对应的shape分别是
sh_sot230p700x180-4nmm_1和sh_sot230p700x180-4nmm_2。
5PCB封装命名
封装命名要求
①由于PCB分为高密度板，中等密度板，低密度板，因此制作的封装也分高中低三个等级。
M（A）——低密度（most）。
后缀M（A）表示低密度封装，封装尺寸较大。
N（B）——中等密度（nominal）。
后缀N（B）表示中等密度封装，封装尺寸适中。
L（C）——高密度（least）。
后缀L（C）表示高密度封装，封装尺寸较小。
表贴封装使用M，N，L；插件封装使用A,B,C。
例如：
SOIC127P1041X419_8NMM，DIP762W46P254L1918H533Q7_14BMM。
②某些器件，尺寸的典型值完全一样，但偏差不一样。
例如8pin的SOIC封装，对于引脚跨距，有些厂家是6±，有些厂家是6±。
对于这种情况，需要在封装名称最后加上数字1,2,3,4……来区分。
例如：
SOIC127P1041X419_8N_1NMM。
③有些器件尺寸完全一样，但引脚排列顺序相反，如下图：
这种情况需要在封装名称后面加字母R区分。
例如上图右边的引脚排序与常规的逆时针排序相反，那么它的命名就是：
PLCC127P990X990X457_20RNMM。
④某些datasheet上的器件引脚最大编号大于引脚总数，如下图：
引脚最大编号14，但实际引脚数是4。
对于这种情况，命名中需要先体现出实际引脚数，然后列出引脚最大编号。
例如：
DIP762W46P254L1918H533Q_4_14BMM。
⑤某些器件实际引脚数大于datasheet上的引脚编号，如下图：
有编号的引脚数是48个，而实际引脚数是56个。
此时命名也需要体现出两者的数值。
例如：
BGA48C75P6X8_800X1200X120_56_48NMM。
⑥不同厂家的晶体管和场效应管，三个极的位置可能排列不一样，如下图：
命名时，可在封装名后面加上pinnumber1,2,3所对应的极。
例如1,2,3对应的极是B,C,E，那么封
装名称就是SOT95P237X117_BCE_3NMM。
电阻类命名
表贴电阻
表贴电阻常见类型：
片状电阻Resistorchip（RESC）,模制电阻Resistormolded（RESM）,柱状电阻
ResistorMelf（RESMELF）。
命名格式：
片状电阻：
resc_e{Type}_{BodyLength}x{BodyWidth}x{Height}x{PinLength}{Level}mm（mil）
模制电阻：
resm{BodyLength}x{BodyWidth}x{Height}{Level}mm（mil）
柱状电阻：
resmelf{BodyLength}x{BodyDiameter}{Level}mm（mil）
例如：
resc_e2010_500x250x65x60nmm表示片状电阻通用尺寸是英制的2010，实际长宽高分别是5mm、、，引脚长度是。
resmelf260x76nmm表示圆柱形电阻长度和直径分别是和。
说明：
⑴e{Type}中的e表示EIA（采用英制单位），Type表示片状电阻的通用尺寸，例如0402,0603,0805
等等，下面是通用尺寸的公制英制对照表，本规范命名采用英制Type。
英制（inch）
0201
0402
0603
0805
1206
1210
1812
2010
2512
公制（mm）
0603
1005
1608
2012
3216
3225
4832
5025
6432
例如：
英制0805的长宽分别是和，对应的公制分别是2mm和。
⑵res（resistor）后面的c表示片状（chip），m表示模制（molded），melf（MetalElectricalFace）表示圆柱。
表贴排阻贴片排阻有下列几种类型：
命名格式：
引脚凹陷的排阻：
rescav{Pitch}p{BodyLength}x{BodyWidth}x{Height}_{PinQty}{Level}mm（mil）
引脚凸出并且引脚尺寸都一样的排阻：
rescaxe{Pitch}p{BodyLength}x{BodyWidth}x{Height}_{PinQty}{Level}mm（mil）
引脚凸出并且同一侧引脚尺寸不一样的排阻：
rescaxs{Pitch}p{BodyLength}x{BodyWidth}x{Height}_{PinQty}{Level}mm（mil）
引脚平滑的排阻：
rescaf{Pitch}p{BodyLength}x{BodyWidth}x{Height}_{PinQty}{Level}mm（mil）
例如：
rescav50p160x100x55_8nmm表示引脚凹陷的排阻相邻引脚间距是，长宽高分别是
、1mm和，引脚总数是8，以公制为单位制作的中等密度封装。
引脚在侧面而非底部的排阻命名：
rescav_{}_{PartNumber}{Level}mm（mil）rescaxe_{}_{PartNumber}{Level}mm（mil）rescaxs_{}_{PartNumber}{Level}mm（mil）rescaf_{}_{PartNumber}{Level}mm（mil）
说明：
res（resistor）后面的cav表示引脚凹陷的片状阵列（ChipArray,Concave），caxe表示引脚凸出并且引脚尺寸都一样的片状阵列（ChipArray,Convex,EvenPinSize），caxs表示引脚凸出并且同一侧引脚尺寸不一样的片状阵列（ChipArray,Convex,SidePinsDiff），caf表示引脚平滑的片状阵列（Chip,Array,Flat）。
轴向电阻
命名格式：
插装轴向电阻（横向安装）：
resadh{LeadSpacing}w{LeadDiameter}l{BodyLength}d{BodyDiameter}{Level}mm（mil）；
插装轴向电阻（纵向安装）：
resadv{LeadSpacing}w{LeadDiameter}l{BodyLength}d{BodyDiameter}{Level}mm（mil）；
例如：
RESADH0800W0052L0600D0150BMM表示轴向电阻水平安装，引脚间距8mm，引脚直径，电阻长度6mm，电阻直径，封装采用公制按照中等密度制作。
说明：
res（resistor）后面的adh表示轴向水平安装（AxialDiameterHorizontalMounting），adv表示轴向垂直安装（AxialDiameterVerticalMounting）。
非标准电阻非标准电阻是指上述电阻以外的电阻类型，例如封装为椭圆形，矩形等。
命名格式：
res_{}_{PartNumber}{Level}mm（mil）；
例如：
res_zenithsun_sqp5w100jnmm表示厂家zenithsun生产的型号为sqp5w100j的水泥电阻封装以公制为单位制作的中等密度封装。
电位器命名
命名格式：
pot_{}_{PartNumber}{Level}mm（mil）；
例如：
pot_bourns_pda241srt01504a2nmm表示电位器厂家是Bourns，型号是pda241srt01504a2，封装以公制为单位，中等密度封装。
说明：
pot（potentiometer）指电位器、电位计、可变电阻器。
电容器命名
表贴电容
命名格式：
无极性片状电容：
capc_e{Type}_{BodyLength}x{BodyWidth}x{Height}x{PinLength}{Level}mm（mil）
有极性片状电容：
capcp_e{Type}_{BodyLength}x{BodyWidth}x{Height}x{PinLength}{Level}mm（mil）线绕矩形片状电容：
capcwr{BodyLength}x{Diameter}{Level}mm（mil）模制有极性电容：
capmp{BodyLength}x{BodyWidth}x{Height}{Level}mm（mil）
模制无极性电容：
capm{BodyLength}x{BodyWidth}x{Height}{Level}mm（mil）
表贴铝电解电容：
capae{BodySize}x{Height}{Level}mm（mil）
说明：
⑴e{Type}中的e表示EIA（采用英制单位），Type表示片状电阻的通用尺寸，例如0402,0603,0805
等等，下面是通用尺寸的公制英制对照表，本规范命名采用英制Type。
英制（inch）
0201
0402
0603
0805
1206
1210
1812
2010
2512
公制（mm）
0603
1005
1608
2012
3216
3225
4832
5025
6432
例如：
英制0805的长宽分别是和，对应的公制分别是2mm和。
⑵cap（capacitor）后面的c表示片状（chip），p表示有极性（polarized），cwr表示片状矩形（WireRectangle），m表示模制（molded），mp表示模制有极性（Molded,Polarized），ae（AluminumElectrolytic）表示铝电解。
表贴电容阵列
命名格式：
引脚凹陷的电容阵列：
capcav{Pitch}p{BodyLength}x{BodyWidth}x{Height}-{PinQty}{Level}mm（mil）
引脚平滑的电容阵列：
capcaf{Pitch}p{BodyLength}x{BodyWidth}x{Height}-{PinQty}{Level}mm（mil）
引脚凸出的电容阵列：
capcax{Pitch}p{BodyLength}x{BodyWidth}x{Height}-{PinQty}{Level}mm（mil）
例如：
capcav50p160x100x55_8nmm表示引脚凹陷的电容阵列相邻引脚间距是，长宽高分别是、1mm和，引脚总数是8，以公制为单位制作的中等密度封装。
引脚在侧面而非底部的电容阵列：
capcav_{}_{PartNumber}{Level}mm（mil）capcaf_{}_{PartNumber}{Level}mm（mil）capcax_{}_{PartNumber}{Level}mm（mil）
说明：
cap（capacitor）后面的cav表示引脚凹陷的片状阵列（ChipArray,Concave），caf表示引脚平滑的片状阵列（Chip,Array,Flat）。
cax表示引脚凸出的片状阵列（ChipArray,Convex）。
插装电容
命名格式：
无极性轴向圆柱形电容（横向安装）：
capadh{LeadSpacing}w{LeadDiameter}l{BodyLength}d{BodyDiameter}{Level}mm（mil）
无极性轴向圆柱形电容（纵向安装）：
capadv{LeadSpacing}w{LeadDiameter}l{BodyLength}d{BodyDiameter}{Level}mm（mil）
有极性轴向圆柱形电容（横向安装）：
cappadh{LeadSpacing}w{LeadDiameter}l{BodyLength}d{BodyDiameter}{Level}mm（mil）
无极性轴向矩形电容（横向安装）：
caparh{LeadSpacing}w{LeadDiameter}l{BodyLength}t{Bodythickness}h{BodyHeight}{Level}mm（mil）
无极性轴向矩形电容（纵向安装）：
caparv{LeadSpacing}w{LeadDiameter}l{BodyLength}t{Bodythickness}h{BodyHeight}{Level}
mm（mil）
有极性轴向矩形电容（横向安装）：
capparh{LeadSpacing}w{LeadDiameter}l{BodyLength}t{Bodythickness}h{BodyHeight}{Level}mm（mil）
无极性径向圆柱形电容：
caprd{LeadSpacing}w{LeadDia
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