集成电路制造工艺员三级理论判断.docx
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集成电路制造工艺员三级理论判断
1.职业道德具有运用范围的有限性，发展的历史继承性，形式的多样性和强烈的纪律性。
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2.无私奉献精神与社会主义市场经济运行机制是统一的。
（√）
3.人们生活在世界上，都要与人打交道，都要处理各种关系，这就存在是否公道的问题。
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4.公民道德建设要坚持继承优良传统与弘扬时代精神相结合。
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5.substrate意思是基片。
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6.wafeprober意思是探针台。
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7.passivationlayer意思是钝化层。
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8.postimplantation意思是热处理。
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9.multilevelinteronnection是多层连线。
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10.可以认为数据链路层和物理层不属于TCP/IP。
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11.国际标准化组织的OSI基本参考模型有3层。
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12.结晶形态二氧化硅是由Si-O四面体在空间规则排列所构成的。
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13.非结晶态二氧化硅的网络疏松,不均匀而且存在孔洞。
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14.结晶与非结晶形态二氧化硅的基本差异在于前者的结构具有周期性,而后者则不具有任何周期性。
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15.结晶形态二氧化硅是由Si-O四面体在空间规则排列所构成的。
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16.水汽氧化法指的是在高温下,硅与高纯水产生的蒸气反应生成二氧化硅。
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17.湿氧氧化的氧化剂既含有氧,又含有水汽。
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18.抛物线阶段的氧化物生长速率一般要比线性阶段的慢得多。
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19.氧化物生长的抛物线阶段,反应受到通过氧化物的氧的扩散速率的限制。
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20.热氧化生长二氧化硅,要生长一个单位厚度的二氧化硅,就需要消耗0.44个单位厚度的硅层。
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21.正确地利用压力效应将有利于降低氧化的热预算。
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22.硅氧化生长的线性阶段,（111）硅单晶的氧化速率比（100）稍快。
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23.等离子增强氧化可在低温下提高氧化速率,从而减少热预算。
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24.硅热氧化过程中的分凝效应会导致杂质在硅-二氧化硅界面的重新分布。
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25.热氧化中,杂质分凝效应将使实际扩散分布偏离理论分布。
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26.习惯上用“分凝系数”这个参数来表示杂质在硅-二氧化硅界面处重新分布的性质和程度。
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27.硅热氧化过程中的杂质分凝系数就是杂质在硅中的平衡浓度与杂质在二氧化硅中的平衡浓度之比。
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28.硅-二氧化硅系统中的固定表面电荷密度与氧化和退火条件,以及硅晶体的取向有显著的关系。
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29.硅-二氧化硅系统中的固定表面电荷密度受氧化层厚度和硅中的杂质类型及浓度影响不大。
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30.为了消除氧化膜中的针孔,应保证硅片的表面质量,硅片表面应平整、光亮。
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31.氧化膜中的针孔会造成金属电极引线和氧化膜下面的区域短路,使器件性能变差或失效。
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32.硅-二氧化硅系统中界面态密度与工艺条件有关,如干氧氧化的界面态密度高于湿氧氧化。
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33.硅-二氧化硅系统中的陷阱电荷通常是由X射线、ｒ射线、高能电子照射等产生的。
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34.解决硅-二氧化硅系统中电离陷阱的有效办法是进行退火处理。
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35.热工艺的基本设备有卧式炉、立式炉和快速热处理设备。
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36.卧式和立式炉被认为是常规的热壁炉体。
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37.卧式和立式炉是冷壁炉体。
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38.快速热处理既有非常快的、局域化的加热时间,它只对硅片进行加热,而不对炉壁加热。
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39.人们研究了各种利用扩散往硅中引入掺杂剂的方法，其目的是为了控制杂质浓度、均匀性和重复性。
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40.在许多器件的制作中，离子注入已经代替扩散工艺，但是扩散工艺现在还广泛应用于PN结的制作。
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41.菲克第一扩散定律中局部传输速率和溶质的浓度梯度的比例常数就是溶质的扩散系数。
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42.菲克的第一扩散定律是建立在稀释液体或者不存在对流的气体溶液的假设之上的。
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43.阳极氧化法生长二氧化硅，然后测量去除二氧化硅后硅片的方块电阻也可以测量结深。
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44.由于III，V族元素都是二氧化硅中玻璃的构成者，他们使氧化膜的熔化温度降低。
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45.对磷在二氧化硅中的扩散而言，对湿氧形成二氧化硅的扩散比干氧形成的二氧化硅要快。
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46.砷烷作为砷的扩散源，在使用的时候要特别注意的是它有剧毒。
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47.作为硼的扩散源，硼酸三甲酯和三溴化硼都是液态。
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48.由于金在硅中的扩散系数比较大，0.4mm厚的硅片在1090℃下只要10min左右就能扩透。
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49.光刻工艺是一种光复制图像和材料刻蚀相结合的微电子基片表面微细加工技术。
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50.超大规模集成电路需要光刻工艺具备高分辨率、高灵敏度、精密的套刻对准、大尺寸、低缺陷这几方面的要求。
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51.光刻工艺流程的操作顺序是涂胶、前烘、曝光、显影、烘烤、坚膜、刻蚀、去胶。
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52.光刻工艺所需要的三要素为：
光刻胶、掩模版和光刻机。
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53.光刻工艺所需要的三要素为：
光刻胶、掩模版和光刻机；随着曝光技术的进步，可以不用掩模在晶片上就能够生成特征尺寸在亚微米范围内的图案。
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54.光刻胶通常可分为正胶和负胶两类。
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55.光刻胶通常可分为正胶和负胶两类,它们所形成的图形结构是互补的。
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56.通常，光刻胶对湿法刻蚀有比较好的抗刻蚀能力。
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57.光学光刻胶的抗刻蚀能力比大多数X射线和电子束光刻胶的抗刻蚀能力要好。
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58.光刻胶主要由树脂、感光剂、溶剂等不同材料混合而成的。
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59.光刻胶主要由树脂、感光剂、溶剂等不同材料混合而成的；其中树脂是粘合剂，感光剂是一种光活性极强的化合物，两者同时溶解在溶剂中，以液态的形式保存以便于使用。
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60.常用的正胶是由酚醛树脂、DQ感光剂和二甲苯溶剂三种成分组成的。
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61.在g线和i线光刻中使用的正胶通常是由DQ感光剂和酚醛树脂构成的。
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62.正胶的感光区域在显影时溶解，负胶的感光区域在显影时不溶解。
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63.负胶的感光区域在显影时不溶解，而没有感光的区域在显影时可以溶解。
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64.正胶的感光区域在显影时可以溶解掉，而没有感光的区域在显影时不溶解。
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65.在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，CA是化学增强的意思。
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66.CA光刻胶由于工艺环境和衬底的影响，容易受到污染，所以抗刻蚀能力将会降低。
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67.CA光刻胶同DQN光刻胶相比，有相对较高的光敏度和对比度。
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68.在深紫外曝光中，CA光刻胶将会在显影液中的可溶性增强。
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69.涂胶要保证晶片干燥、粘附性好就需要对晶片进行脱水烘焙，还要在晶片表面涂上增粘剂。
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70.涂胶工艺是在硅片表面形成厚度均匀、附着性强并且没有缺陷的光刻胶薄膜。
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71.前烘减少了光刻胶在涂胶中形成的薄膜应力，提高了光刻胶的粘附力。
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72.软烘的温度太低使会导致胶膜中的溶剂没有完全挥发，阻碍曝光时抗蚀剂分子的交联，减弱胶的抗势能力。
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73.曝光就是使受光照射的光刻胶膜发生化学反应，即感光。
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74.步进曝光机尽管分辨率很高，但是因为要重复曝光所以会影响到实际的生产效率。
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75.曝光之后的烘烤可以使光刻胶结构重新排列，以减轻驻波的影响。
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76.位于光刻胶底部的ARC降低了驻波效应，同时增加了工艺的复杂性，需要独立的工序来去除ARC。
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77.位于光刻胶底部的ARC通过吸收光线和改变光的相移来降低驻波效应的。
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78.通过溶解部分光刻胶的方法将胶膜中的潜影显现出来的过程叫做显影。
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79.在显影过程中，正胶的非曝光区和负胶的曝光区不会在显影液中溶解掉。
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80.经过曝光的正胶是在显影液中逐层溶解的。
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81.光刻胶在显影后必须经过一次烘烤，进一步将胶内残留的溶剂含量降到最低，增强光刻胶对晶片表面的附着力，这一步骤即为坚膜。
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82.光刻工艺流程中，去水烘烤、软烤、坚膜的目的都是为了增强光刻胶对晶片表面的附着力。
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83.必须适当控制坚膜的温度，否则温度太高也会使光刻胶的附着力降低。
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84.在光刻工艺中经过曝光和显影后，要实现光刻胶层中的微图形结构转移到位于光刻胶下方的材料上，必须通过刻蚀。
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85.氢氟酸腐蚀液腐蚀常用的温度是30-40摄氏度，通常为30度。
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86.腐蚀疏松的材质比腐蚀结构紧密的材质腐蚀速度快。
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87.当腐蚀液的腐蚀速率和光刻胶的厚度知道后，就可以估算出所需腐蚀时间。
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88.可以使用用热硫酸与双氧水（体积比1：
1）的混合液在较低温度下除去负胶。
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89.在VLSI工艺中，为了避免损坏细的金属线条，一般用有机溶剂或者等离子灰化的方法去除残留的光刻胶。
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90.无定形结构的靶，其原子在空间上是无规则排列的。
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91.晶体中，原子按照一定规则周期性的排列。
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92.为了满足离子注入技术的需要，离子源必须能产生多种元素的离子。
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93.离子注入过程中产生的缺陷，随着温度的升高，在晶体中的迁移将更加显著。
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94.根据量子力学，晶格缺陷会在导带和价带间形成能级。
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95.B+,C+等轻离子的临界注入量要比重离子的大的多。
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96.采用分子注入能够增加缺陷的积累率，从而降低临界注入量。
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97.注入离子的能量较高时，可从靶片表面激发出二次电子，这会提高测量的精确度。
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98.杂质横向扩散较小，是离子注入技术的优势之一。
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99.注入剂量较小时，损伤量随着注入剂量的增加而增加。
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100.B+,C+等轻离子的临界注入量要比重离子的大的多。
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101.采用分子注入能够增加缺陷的积累率，从而降低临界注入量。
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102.从器件的角度考虑，必须设法消除离子注入引入的缺陷。
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103.激光退火时整个加热过程进行的非常快速，加热区仅限于表面。
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104.实验结果已经证明：
经激光退火后，样品中注入杂质的电激活率，少子扩散长度等电特性都优于热退火。
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105.潘宁源的结构简单，但获得的束流较小。
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106.正交电磁场分析器结构复杂、中型束严重，使用不多。
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107.正交电磁场分析器中，只有质量满足直线行进的离子才能最终达到靶室，从而达到分选离子的目的。
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108.如果引出系统的气流过大，会给高真空的获得带来困难，也会降低气体的利用率。
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109.“先分析，后加速”离子注入机的优点是分析器比较小。
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110.淀积的比较薄的薄膜层容易含有较多的孔隙和有比较弱的机械强度。
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111.CVD工艺是含有薄膜所需的原子或分子的化学物质在反应室内混合并在气态下发生反应，其原子或分子淀积在晶圆表面聚集，形成薄膜。
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112.在进行CVD反应时，反应系统需要额外的能量，用于加热反应室或晶圆。
（√）
113.CVD工艺是含有薄膜所需的原子或分子的化学物质在反应室内混合并在气态下发生反应，其原子或分子淀积在晶圆表面聚集，形成薄膜。
（√）
114.在进行CVD反应时，反应系统需要额外的能量，用于加热反应室或晶圆。
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115.大多数的CVD淀积反应需要一定的能量加热反应室或直接加热晶圆。
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116.在CVD系统中，根据反应室和热源的不同，其托架的构造和材料也应该有所不同。
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117.在CVD淀积中，降低反应室内的压力可以增加平均自由程和薄膜的均匀性，也可以降低了淀积的温度。
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118.在水平式LPCVD系统中，如果气体注入口器直接安装在晶圆的上方，微粒会在反应室壁形成。
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119.在PECVD系统中，其低压和低温的环境提供了良好的薄膜均匀性和生产能力。
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120.如果CVD系统采用冷墙系统，直接加热托架和晶圆，在反应室内壁上留下的残留物会比热墙系统少的多。
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121.如果CVD系统采用热墙系统，加热托架、晶圆和反应室，将使反应布满整个反应室，在反应室内壁上将留下很多残留物。
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122.在典型的外延工艺开始前，应该对晶圆表面进行彻底、严格的清洗，然后将晶圆装入反应室。
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123.外延硅薄膜的掺杂是通过将掺杂气流添加到淀积反应物中的方式获取的。
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124.在外延硅薄膜时，来源于残存在反应气体中的氧气或系统泄漏会引起“薄雾”问题。
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125.由于污染，在外延硅薄膜淀积时产生的“尖刺”会在光刻胶层或其他的淀积膜中产生洞和断裂。
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126.典型的多晶硅淀积工艺用硅烷作为化学源。
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127.在多晶硅淀积时，当在化学源气体中加入乙硼烷掺杂P型杂质时，淀积率会有较大提高。
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128.金属薄膜在半导体技术中一般用在表面连线上。
（√）
129.把各个元件连接到一起的材料、工艺、连线过程一般称为金属化工艺。
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130.在金属的光刻之后加入一个热处理步骤可以确保金属和晶片之间具有较好的导电性能。
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131.金属化系统需要有良好的电流负载能力、和晶片表面具有良好的黏合性。
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132.在工艺上，对淀积的二氧化硅薄膜采取高温热处理后，薄膜在结构和性能上都将接近热氧化膜。
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133.若通过硅烷和氧气反应得到氧化硅薄膜，薄膜的质量较差，并不适用于高级的器件设计和较大的晶圆。
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134.若在二氧化硅薄膜中掺杂过多的磷，可能会导致集成电路断路。
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135.离子注入、蒸发和溅射工艺都是在低压反应室中进行的。
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136.在低压化学气相淀积和刻蚀工艺中使用机械真空泵，防止大气回流的油浸压力阀需要经常清洗。
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137.低温泵的叠片可以捕集气体分子，并且在无油环境下工作，彻底减少了污染的可能性。
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138.涡轮分子泵由于高速旋转，容易产生振动和磨损。
（√）
139.刻蚀是把进行光刻前所沉积的薄膜（厚度约在数千到数百A之间）中没有被光刻胶覆盖及保护的部分，以化学反应或是物理作用的方式加以去除，以完成转移掩膜图案到薄膜上面的目的。
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140.刻蚀速率是测量在刻蚀过程中物质被移除的速率有多快的一种参数。
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141.在实际的器件工艺过程中，光刻胶和衬底也会被刻蚀。
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142.通常情况下，我们改变工艺条件使刻蚀进行中光刻胶和衬底的刻蚀速率尽量低。
（√）
143.各项异性刻蚀在不同的方向刻蚀特性明显不同。
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144.大硅片上生长的薄膜厚度的不均匀和各个部位刻蚀速率的不均匀会导致刻蚀图形转移的不均匀性。
（√）
145.溅镀法，因为其阶梯覆盖的能力不良，很容易造成因填缝不完全所留下的空洞。
（√）
146.在刻蚀过程完成后有时会在侧壁或晶圆的表面上留下多余的残渣。
我们称之为残余物。
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147.为获得完美的刻蚀，控制刻蚀均匀性，减少过刻蚀是非常重要的。
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148.在SiO2/Si刻蚀过程中等离子体对硅的刻蚀速率必须控制在非常低的程度，否则SiO2被清除的同时硅也大量被侵蚀。
（√）
149.在刻蚀SiO2过程中，假如F/C比值较低，等离子体将倾向于形成高分子薄膜。
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150.在刻蚀二氧化硅过程中假如我们在CF4的等离子体内加入适量的氢气，能够降低刻蚀的速率。
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151.铜与氯形成的化合物挥发能力不好，因而铜的刻蚀无法以化学反应来进行，而必须施以溅射刻蚀。
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152.在刻蚀二氧化硅过程中假如我们在CF4的等离子体内加入适量的氧气，能够提高刻蚀的速率。
（√）
153.在IC芯片生长中浅沟槽隔离技术STI逐渐取代了局部氧化LOCOS所制成的场氧化层而成为相邻电子元件的绝缘体。
（√）
154.单晶硅刻蚀反应室的墙壁上通常会有硅、溴和氧元素所形成的化合物沉积。
必须定期使用氟元素的等离子体来清除。
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155.多晶硅刻蚀是最重要的刻蚀过程，因为它能定义器件的（栅极），它也可以用来形成芯片中的电容。
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156.即使多晶硅经过掺杂，其电阻还是太高，并不适合作为MOS的金属层之用。
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157.氮化硅通常用于局部氧化工艺过程中的掩蔽层。
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158.氮化硅的一个用途是以PECVD法，来沉积作为元件保护层。
（√）
159.基本上用于刻蚀二氧化硅的干刻蚀法都可以用来刻蚀氮化硅。
（√）
160.薄膜覆盖在晶片上所需用的技术包括薄膜沉积和薄膜成长等技术。
（√）
161.PVD和CVD的沉积技术的原理是大同小异的。
（√）
162.薄膜覆盖在晶片上所需用的技术包括薄膜沉积和薄膜成长等技术。
（√）
163.为了形成电极，在衬底上镀金属膜的时候，金属材料应该易于光刻。
（√）
164.为了形成电极，就要要求半导体与金属之间形成低欧姆接触，低电阻连接以及稳定、可靠。
（√）
165.电子束蒸发是利用高压加速并聚焦电子束，直接打到蒸发源表面，使金属溶化，并蒸发代衬底表面形成薄膜的。
（√）
166.在真空镀膜室内的蒸发源加热器与衬底加热器之间的距离可调。
（√）
167.蒸发源加热器所使用的加热丝材料，它的熔点应高于被蒸发金属的熔点。
（√）
168.目前最常用的电阻丝加热器是钨丝加热器。
（√）
169.溅射是利用等离子体中的离子，对被溅镀的物体电极进行轰击，是气相等离子体内具有被溅镀的粒子，这些粒子沉积到晶片上形成薄膜的。
（√）
170.在溅射过程中，衬底不会被消耗或者发生化学变化。
（√）
171.为了使被溅射的原子尽量多的被沉积在圆晶片上并形成所需要的薄膜，靶与圆晶片应该离得稍微远点。
（√）
172.实际上，在溅射过程中，约70％的能量转化为靶的热能，25％的能量用以靶发射光子和电子。
（√）
173.以硅烷LPCVD法沉积Si时，当Si的反应温度低于575度时，所沉积的硅将呈长程无序结构，或称为非晶硅。
（√）
174.直流二级溅射是最早采用的溅射方法。
（√）
175.交流溅射不仅能够溅射金属，而且还能够溅射绝缘材料。
（√）
176.实际生产中，通过改变偏置溅射装置中的偏压可控制沉积膜的硬度、颗粒尺寸、表面粗糙程度以及合金含量。
（√）
177.半导体的金属溅镀工艺，所有的商业化生产都是以直流等离子的方式来进行的。
（√）
178.溅镀最大的缺点就是无法提供一个阶梯覆盖良好的沉积薄膜。
（√）
179.准直管技术可以提高溅镀的阶梯覆盖性能。
（√）
180.CMP在所谓的浅沟槽隔离制程上应用时，通常采用与氧化硅膜相当大选择比的氮化硅膜作为研磨停止层。
（√）
181.在进行精密研磨时，研磨量与研磨速率、研磨压力及时间成正比。
（√）
182.在砷化镓晶片的修整研磨中，研磨液使用次氯酸、亚溴酸的水溶液即可生成与晶片面上的水合膜相当的化合物膜，达到所希望的镜面效果。
（√）
183.在使用和玻璃相同的研磨法对金属材料进行研磨的制成中，均采用铝磨料及氧化铬磨料。
（√）
184.当今最先进的洁净室是：
于每立方英尺空气中，大小超过0.1um的微粒数量，在1颗以下。
（√）
185.药液清洗的方式可以考虑以单槽或多槽的结构。
（√）
186.溅射法台阶覆盖能力较差，不适用于深亚微米集成电路的互连技术。
（√）
187.一般酸性浆料包含氧化剂、助氧化剂、均蚀剂、抗蚀剂、pH值调节剂和磨料。
（√）
188.在铜的电化学电镀前，必须预沉积一层铜籽晶层。
（√）
189.酚酞溶液无色透明，把它滴在被试水中，如果变成粉红色，则就含碱。
（√）
190.大多数的净化室里的温度需控制在18～25℃。
（√）
191.相对湿度（RH）很重要，因为它对侵蚀有贡献。
（√）
192.
193.增加相对湿度对静电产生有影响。
（√）
194.为减少抽气量，需尽量减小气罩的开口面积。
（√）
195.仪表的准确度是根据仪表的相对额定误差来分级的。
（√）
196.晶体管特性图示器是一种能在示波管荧光屏上直接观察PNP或NPN型晶体管的各种特性曲线簇的专用仪表。
（√）
197.用显微镜观察时，调焦要先调到最上，在眼睛观察目镜时，从上往下调节，避免物镜与样品相撞。
（√）
198.台阶仪使用过程中，在加装样片时，一定要让工作台下降到足够量，否则容易引起仪器损坏。
（√）
199.晶体管特性图示器面板中的基极阶梯信号主要是向基极提供阶梯电压或电流信号。
（√）
200.职业道德培养中最重要的内容及落脚点是职业道德行为习惯。
（×）
201.社会主义职业道德所提倡的职业理想是以集体主义为核心，以为人民服务为宗旨的。
（×）
202.photo-mask意思是光刻胶。
（×）
203.wetoxidation是干氧化工艺。
（×）
204.超级链接不可以是文件中的一个词。
（×）
205.湿氧氧化既有干氧氧化的优点,又有水汽氧化的优点,所以其氧化制备的二氧化硅薄膜的质量最好。
（×）
206.晶向对氧化物的生长速度没有影响。
（×）
207.退火对减小硅-二氧化硅系统中的界面态密度没有帮助。
（×）
208.湿氧氧化的界面态密度肯定高于干氧氧化的界面态密度。
（×）
209.快速热处理一般一次处理上百片硅片。
（×）
210.高温下进行扩散工艺和离子注入原理相同是先把杂质注入到晶体内部，然后再进行扩散的。
（×）
211.一般来讲扩散工艺需要超过2000℃才可以把杂质扩散到半导体晶体的内部。
（×）
212.在集成电路的制作中，扩散工艺用于制作扩散电感和扩散电阻。
（×）
213.固体中的扩散可以看作是扩散物质在晶格中以空位机制和填隙机制的原子运动。
（×）
214.以空位机制扩散的时候，基质原子离开产生空位后，只有临近的杂质原子才能迁移到空位位置。
（×）
215.菲克简单扩散方程的成立条件就是扩散系数是随温度变化的。
（×）
216.在VLSI技术中，可以继续用再分布扩散对浅结进行扩散。
（×）
217.扩散结果可以用结深和平均扩展电阻两种简单的方法来检查。
（×）
218.热扩散工艺中，一般的步骤是先进行再分布，再进行预淀积。
（×）
219.为了去除硅片表面的有机物和无机物，用去离子水冲洗即可。
（×）
220.当清洗完硅片的有机物和有机物时，直捷把硅片放进扩散炉进行扩散即可。
（×）
221.磷既是锗比较常用的施主扩散源杂质，也是硅常用的施主杂质。
（×）
222.扩散炉中的加热元件都是用绝缘材料包围，中间的管道用耐热陶瓷制作。
（×）
223.三氯化磷和三氯氧磷作为磷的扩散源，常温下都是气态。
（×）
224.在热扩散工艺中的预淀积步骤中，硼在850～950℃的条件下，扩散时间大约为10～40min。
（×）
225.光刻工艺仅仅是一种材料刻蚀的微电子基片表面微细加工技术。
（×）
226.光刻的主要工艺流程的操作顺序是涂胶、前烘、曝光、坚膜、显影、去胶。
（×）
227.随着光刻工艺技术的进步，可以利用X射线曝光系统不使用掩模就能够完成光刻工艺。
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228.光刻胶通常可分为正胶和负胶两类,不论正胶还是负胶，它们所形成的图形结构是
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