职高电子技术判断题.docx

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职高电子技术判断题

一、选择题：

*10101001常温下单晶半导体中就存在着一定数量的电子一空穴对。

（）

□10101002空穴参与导电，是半导体区别于其他导体导电的一个重要特点。

（）

□10101003空穴的导电过程实质上是电子向一个方向连续填补空穴的运动。

（）

＊10101004在外电场的作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。

（）

10102005在纯净的半导体中掺入某些微量杂质元素可使半导体的导

电性能显著增强。

（）

10103006在硅或锗晶体中掺入五价元素可形成P型半导体。

（）

10103007在硅和锗晶体中掺入三价元素可形成N型半导体。

（）

□10103008在Ｐ型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载

流子。

　　　　（　　）

＊10103009　在Ｎ型半导体中，电子是多数载流子，所以Ｎ型半导体带负

电。

　　（　　）

□10104010　当Ｎ型和Ｐ型半导体结合在一起时，由于浓度差的存在，使Ｐ区的电子向Ｎ区扩散，使Ｎ区的空穴向Ｐ区扩散，这称为多数载流子的扩散运动。

　（　　）

□10104011将Ｐ区接电源正极，Ｎ区接电源负极，此时ＰＮ结处于反偏状态。

　（　　）

□10104012　ＰＮ结正偏时，多数载流子运动加剧，形成较大的正向电流。

　（　）

10104013PN结反向偏置时内电场削弱，阻挡层变薄，电阻变小。

（）

10104014PN结正向偏置时内电场增强，阻挡层变厚，电阻变大。

（）

10105015PN结的单向导电性就是指它正偏导通，反偏截止的特性。

（）

*10105016PN结反向偏置时，反向电流随着反向电压增大而增大。

（）

□10201017　一般来说，硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。

（　）

□10201018　晶体二极管的正向导通后，随电流的增大电压也成比例

地上升。

　（　　）

*10201019晶体二极管是线性元件。

（）

10201020硅二极管的死区电压是0.2V，锗的死区电压是0.5V。

（）

10201021晶体二极管正常工作时的管压降都是0.7V。

（）

10201022晶体二极管加上正向电压后就会导通。

（）

*10201023晶体二极管一旦反向击穿就不能再使用。

（）

10201024晶体二极管的反向饱和电流越大，二极管的质量越好。

（）

10201025二极管具有单向导电性。

（）

□10202026　由二极管的单向导电特性可知，它的正向电阻小，反向电阻大。

　（　　）

*10202027二极管的正向电阻是随外加电压的变化而变化的。

（）

□10203028　点接触型晶体二极管允许通过电流大于面接触型晶体二极

管。

　　（　　）

10203029小电流的二极管常用玻璃壳或塑料壳封装；电流较大的二极管常用金属外壳封装。

（）

＊10204030　用机械万用表测二极管正向电阻时，应将万用表的红表棒接

二极管的正极，黑表棒接二极管的负极。

（　　）

10204031用万用表测得一个二极管的正反向电阻都是无穷大，则

　　　二极管已经短路。

（）

□10205032　硅二极管的反向饱和电流比锗二极管小，所以硅二极管的温

度特性比锗二极管好。

（　　）

10205033在整流电路中，一般采用点接触型晶体二极管。

（）

□10206034一般取击穿电压的一半作为晶体二极管的最大反向工作电压。

（　　）

□10206035　晶体二极管反向击穿后立即烧毁。

（　　）　

*10206036把电动势为1.5V的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管两端，此二极管就会被击穿。

（）

10206037当反向电压小于反向击穿电压时，二极管的反向电流很小；

当反向电压大于反向击穿电压后，其反向电流迅速增加。

（）

10206038如果二极管的正反向电阻都很大，则该晶体二极管已被击穿。

（）

＊10220039　在图一所示电路中，晶体二极管为硅管或锗管均不能导通。

（　　）

□10301040　晶体三极管由二个ＰＮ结构成，晶体二极管由一个ＰＮ结构成，所以可以由二个晶体二极管构成一个晶体三极管。

　　　　　　　　　　　　（　　）

□10301041　晶体三极管有两个ＰＮ结，因此它具有单向导电性。

（　　）　　　　　

*10301042NPN型三极管处于放大状态时各极电位关系应满足UC＞UB＞UE。

（）

*10301043PNP型三极管的各极电位关系为UC＞UB＞UE，则该三极管处于截止状态。

（）

*10301044一个PNP型硅三极管各极对地电位为：

4V、4.3V、3.6V，则该三极管工作在饱和状态。

（）

□10302045　常温下，硅晶体三极管的ＵBE约为0.7V，且随温度升高而增大。

（　　）

□10302046　在晶体三极管发射结上加正偏电压时，就会产生基极电流。

　　　（　　）

10302047三极管输入特性是指三极管的集电极和发射极之间的电压一定，加在基极和发射极之间的电压和基极电流之间的关系曲线。

（）

□10303048　晶体三极管工作在放大状态的条件是：

集电结正偏,发射结反偏。

　（　　）

10303049晶体三极管的输出特性可分为三个区域：

截止区、放大区和饱和区。

（）

10303050在三极管输出特性曲线中，当IB=0时，IC等于ICBO。

（）

10303051晶体三极管处于饱和状态时，它的集电极电流随基极电流的增加而增加。

（）

10303052发射结正向偏置的三极管一定工作在放大状态。

（）

10303053三极管的穿透电流不受基极控制，与放大无关。

（）

10303054一般说来晶体三极管的电流放大系数β随温度升高而减小。

（）

10303055发射结反向偏置的晶体三极管一定工作在截止状态。

（）

10303056晶体三极管的交流放大系数表示为β=IC/IB，它不随工作点改变而改变。

（）

*10303057晶体三极管的发射结和集电结都是PN结，因此，发射极和集电极可以互换使用。

（）

10303058晶体三极管穿透电流的大小不随温度变化。

（）

10303059晶体三极管不允许工作在过损耗区。

（）

10304060三极管的放大作用就是把小电流放大成大电流。

（）

＊10304061某晶体三极管的IB=10µA时，IC=0.44mA；当IB=20µA时，

IC=0.89mA，则它的电流放大系数β=45。

（）

10304062三极管放大作用的实质是用较小的电流控制较大的电流。

（）

＊10304063　测得正常放大电路中晶体管的三个管脚电位分别是

–9V，-6V和-6.2V，则这个晶体三极管是ＮＰＮ型锗管。

（）

*10305064以万用表的黑笔为准，用红笔分别接三极管的另外二个脚，如果测得两个阻值均较小，则该管为PNP型。

（）

□10305065　用万用表测得晶体三极管任两脚间的电阻均很小，说明该晶体三极管的二个PN结都已烧毁。

（　　）

*10305066以万用表的黑笔为准，用红笔分别接三极管的另外二个脚，如果测得两个阻值均较大，则该管为NPN型。

（）　　　　　　

10401067根据MOS管的图形符号不仅可以识别这个MOS管是N沟道

的还是P沟道，而且还可识别出它是耗尽型的还是增强型的。

（）

□10402068　绝缘栅场效应管的栅极与源极和漏极之间是相互完全绝缘

的。

　　　（　　）

10402069MOS管的一个突出优点是输入电阻高。

（）

□10403070　场效应管是以栅源电压控制漏极电流。

（　　）

10403071UGS的微小变化可以引起输入电压UDS较大变化，这就是结型

场效应管能进行电压放大的原理。

（）

*10403072场效应管的漏极和源极通常制成对称的，只要产品源极与衬

底没有连在一起，那么漏极和源极就可互换使用。

（）

10403073在N沟道增强型MOS管中，如果UGS=0，那么就不存在导电

沟道。

（）

*10403074夹断电压UP和开启电压UT的正负性与导电沟道类型无关。

（）

□10403075　晶体三极管是电流控制型器件，而场效应管是电压控制型器

件。

（）

10501076稳压二极管的正常工作区为PN结的反向击穿区。

（）

10501077稳压管的反向电流在一定范围内变化时，稳压管端的电压几

乎不变。

（）

□10502078　开关二极管与普通二极管的不同之处是它的反向电阻极大。

　　　　（　　）

10502079硅开关二极管开关时间极短，仅需几个纳秒。

（）

□10503080　变容二极管具有显著的变容效应，其PN结的结电容会随着正

向电压的变化而变化。

（　　）

*10503081变容二极管工作时应加反向电压，其PN结的结电容随反向

电压变化而变化。

（）

10504082发光二极管发光的颜色与它所用的材料无关。

（）

□10505083　光电三极管使用时集电极和发射极极性接反时，电路不能正

常工作。

（　　）

*10505084光电二极管工作时加上正向电压，光电流随光照强度的增加

而上升。

（）

□10505085　光电二极管和发光二极管使用时都应接正向电压。

（　　）

＊20101086　按放大器中三极管的连接方式来分，有共射极、共基极和共集电极放大器等，其中只有电流放大作用而无电压放大作用的是共射极接法。

　　　　（　　）

20101087放大电路中三极管连接方式可分为共射极，共基极二种。

（）

□20102088　在单管放大电路中若电源电压不变，只要变化集电极电阻的

值就可以改变集电极电流的值。

（　　）　

*20102089放大器不设静态工作点时，由于三极管的发射结有死区和三

极管输入特性曲线的非线性会产生失真。

（）

20102090合理设置放大器的静态工作点，就可以防止电路产生失真现

象。

（）

20102091放大器中晶体三极管静态工作点是指IBQ，ICQ和UCEQ。

（）

□20103092　共发射极放大电路中，集电极电阻的作用是将三极管的电流

放大作用以电压放大的形式表现出来。

（　　）

20103093低频放大电路放大的对象是电压、电流的平均值。

（）

20103094低频放大电路放大的对象是电压，电流的变化量。

（）

20103095选择合适的基极偏置电阻RB就可以使三极管有合适的静态工

作点。

（）

*20103096在共发射极放大电路中，集电极负载电阻RC=0时，输出电压

不一定等于零。

（）

20103097共发射极放大电路中的耦合电容C1、C2的作用只有一个，就

是保证输入和输出信号畅通地传输。

（）

□20104098　共射极放大电路输出电压和输入电压相位相反，所以该电路

有时被称为反相器。

（　　）

*20104099放大电路工作在动态时，为了避免失真，发射结电压直流分

量和交流分量应相等。

（）

20104100共发射极放大电路输出电压和输入电压相位相反，所以它