职高电子技术判断题.docx

1、职高电子技术判断题一、选择题：* 10101001 常温下单晶半导体中就存在着一定数量的电子一空穴对。 ( )10101002 空穴参与导电，是半导体区别于其他导体导电的一个重要特点。 （ ）10101003 空穴的导电过程实质上是电子向一个方向连续填补空穴的运动。 （ ）10101004 在外电场的作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。 （ ） 10102005 在纯净的半导体中掺入某些微量杂质元素可使半导体的导 电性能显著增强。 ( ) 10103006 在硅或锗晶体中掺入五价元素可形成P型半导体。 ( ) 10103007 在硅和锗晶体中掺入三价元素可形成N型半导体。 ( ) 10

2、103008 在型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载 流子。（）10103009在型半导体中，电子是多数载流子，所以型半导体带负 电。（）10104010当型和型半导体结合在一起时，由于浓度差的存在，使区的电子向区扩散，使区的空穴向区扩散，这称为多数载流子的扩散运动。（）10104011 将区接电源正极，区接电源负极，此时结处于反偏状态。（）10104012 结正偏时，多数载流子运动加剧，形成较大的正向电流。 （） 10104013 PN结反向偏置时内电场削弱，阻挡层变薄，电阻变小。 ( ) 10104014 PN结正向偏置时内电场增强，阻挡层变厚，电阻变大。 ( ) 10105015

3、PN结的单向导电性就是指它正偏导通，反偏截止的特性。 ( )* 10105016 PN结反向偏置时，反向电流随着反向电压增大而增大。 ( )10201017一般来说，硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。 （）10201018晶体二极管的正向导通后，随电流的增大电压也成比例 地上升。 （）* 10201019 晶体二极管是线性元件。 ( )10201020 硅二极管的死区电压是0.2V，锗的死区电压是0.5V。 ( )10201021 晶体二极管正常工作时的管压降都是0.7V。 ( )10201022 晶体二极管加上正向电压后就会导通。 ( )* 10201023 晶体二极管一旦反向击穿就

4、不能再使用。 ( ) 10201024 晶体二极管的反向饱和电流越大，二极管的质量越好。 ( ) 10201025 二极管具有单向导电性。 ( )10202026由二极管的单向导电特性可知，它的正向电阻小，反向电阻大。 （）* 10202027 二极管的正向电阻是随外加电压的变化而变化的。 ( )10203028点接触型晶体二极管允许通过电流大于面接触型晶体二极 管。 （） 10203029 小电流的二极管常用玻璃壳或塑料壳封装；电流较大的二极管常用金属外壳封装。 ( )10204030用机械万用表测二极管正向电阻时，应将万用表的红表棒接 二极管的正极，黑表棒接二极管的负极。（） 102040

5、31 用万用表测得一个二极管的正反向电阻都是无穷大，则 二极管已经短路。 ( )10205032硅二极管的反向饱和电流比锗二极管小，所以硅二极管的温 度特性比锗二极管好。（） 10205033 在整流电路中，一般采用点接触型晶体二极管。 ( )10206034一般取击穿电压的一半作为晶体二极管的最大反向工作电压。 （）10206035晶体二极管反向击穿后立即烧毁。（）* 10206036 把电动势为1.5V的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管两端，此二极管就会被击穿。 ( ) 10206037 当反向电压小于反向击穿电压时，二极管的反向电流很小； 当反向电压大于反向击穿电压后，其反向电流迅速

6、增加。 ( ) 10206038 如果二极管的正反向电阻都很大，则该晶体二极管已被击穿。 ( )10220039在图一所示电路中，晶体二极管为硅管或锗管均不能导通。 （） 10301040晶体三极管由二个结构成，晶体二极管由一个结构成， 所以可以由二个晶体二极管构成一个晶体三极管。 （）10301041晶体三极管有两个结，因此它具有单向导电性。（）* 10301042 NPN型三极管处于放大状态时各极电位关系应满足UCUBUE。 ( )* 10301043 PNP型三极管的各极电位关系为UCUBUE，则该三极管处于截止状态。 ( )* 10301044 一个PNP型硅三极管各极对地电位为：4V

7、、4.3V、3.6V，则该三极管工作在饱和状态。 ( )10302045常温下，硅晶体三极管的BE约为0.7V，且随温度升高而增大。 （）10302046在晶体三极管发射结上加正偏电压时，就会产生基极电流。 （） 10302047 三极管输入特性是指三极管的集电极和发射极之间的电压一定，加在基极和发射极之间的电压和基极电流之间的关系曲线。 ( ) 10303048晶体三极管工作在放大状态的条件是：集电结正偏,发射结反偏。 （）10303049 晶体三极管的输出特性可分为三个区域：截止区、放大区和饱和区。 ( ) 10303050 在三极管输出特性曲线中，当IB=0时，IC等于ICBO。 ( )

8、 10303051 晶体三极管处于饱和状态时，它的集电极电流随基极电流的增加而增加。 ( ) 10303052 发射结正向偏置的三极管一定工作在放大状态。 ( ) 10303053 三极管的穿透电流不受基极控制，与放大无关。 ( ) 10303054 一般说来晶体三极管的电流放大系数随温度升高而减小。 ( ) 10303055 发射结反向偏置的晶体三极管一定工作在截止状态。 ( ) 10303056 晶体三极管的交流放大系数表示为=IC/IB，它不随工作点改变而改变。 ( )* 10303057 晶体三极管的发射结和集电结都是PN结，因此，发射极和集电极可以互换使用。 ( ) 10303058

9、 晶体三极管穿透电流的大小不随温度变化。 ( ) 10303059 晶体三极管不允许工作在过损耗区。 ( ) 10304060 三极管的放大作用就是把小电流放大成大电流。 ( )10304061 某晶体三极管的IB=10A时，IC=0.44mA；当IB=20A时， IC=0.89mA，则它的电流放大系数=45。（ ） 10304062 三极管放大作用的实质是用较小的电流控制较大的电流。 ( ) 10304063测得正常放大电路中晶体管的三个管脚电位分别是 9V，-6V和-6.2V，则这个晶体三极管是型锗管。( )* 10305064 以万用表的黑笔为准，用红笔分别接三极管的另外二个脚，如果测得

10、两个阻值均较小，则该管为PNP型。 ( )10305065用万用表测得晶体三极管任两脚间的电阻均很小，说明该晶体三极管的二个PN结都已烧毁。（）* 10305066 以万用表的黑笔为准，用红笔分别接三极管的另外二个脚，如果测得两个阻值均较大，则该管为NPN型。 ( ) 10401067 根据MOS管的图形符号不仅可以识别这个MOS管是N沟道 的还是P沟道， 而且还可识别出它是耗尽型的还是增强型的。 ( )10402068绝缘栅场效应管的栅极与源极和漏极之间是相互完全绝缘 的。（） 10402069 MOS管的一个突出优点是输入电阻高。 ( )10403070场效应管是以栅源电压控制漏极电流。（

11、）10403071 UGS的微小变化可以引起输入电压UDS较大变化，这就是结型 场效应管能进行电压放大的原理。 ( )* 10403072 场效应管的漏极和源极通常制成对称的，只要产品源极与衬 底没有连在一起， 那么漏极和源极就可互换使用。 ( ) 10403073 在N沟道增强型MOS管中，如果UGS=0，那么就不存在导电 沟道。 ( )* 10403074 夹断电压UP和开启电压UT的正负性与导电沟道类型无关。 ( )10403075晶体三极管是电流控制型器件，而场效应管是电压控制型器 件。 （ ） 10501076 稳压二极管的正常工作区为PN结的反向击穿区。 ( ) 10501077

12、稳压管的反向电流在一定范围内变化时，稳压管端的电压几 乎不变。 ( )10502078开关二极管与普通二极管的不同之处是它的反向电阻极大。（）10502079 硅开关二极管开关时间极短，仅需几个纳秒。 ( )10503080变容二极管具有显著的变容效应，其PN结的结电容会随着正 向电压的变化而变化。（）* 10503081 变容二极管工作时应加反向电压，其PN结的结电容随反向 电压变化而变化。 ( ) 10504082 发光二极管发光的颜色与它所用的材料无关。 ( )10505083光电三极管使用时集电极和发射极极性接反时，电路不能正常工作。 （）* 10505084 光电二极管工作时加上正向

13、电压，光电流随光照强度的增加 而上升。 ( )10505085光电二极管和发光二极管使用时都应接正向电压。（）20101086按放大器中三极管的连接方式来分，有共射极、共基极和共集电极放大器等，其中只有电流放大作用而无电压放大作用的是共射极接法。（） 20101087 放大电路中三极管连接方式可分为共射极，共基极二种。 ( )20102088在单管放大电路中若电源电压不变，只要变化集电极电阻的 值就可以改变集电极电流的值。（）* 20102089 放大器不设静态工作点时，由于三极管的发射结有死区和三 极管输入特性曲线 的非线性会产生失真。 ( ) 20102090 合理设置放大器的静态工作点，

14、就可以防止电路产生失真现 象。 ( ) 20102091 放大器中晶体三极管静态工作点是指IBQ，ICQ和UCEQ。 ( )20103092共发射极放大电路中，集电极电阻的作用是将三极管的电流 放大作用以电压放大的形式表现出来。（） 20103093 低频放大电路放大的对象是电压、电流的平均值。 ( ) 20103094 低频放大电路放大的对象是电压，电流的变化量。 ( ) 20103095 选择合适的基极偏置电阻RB就可以使三极管有合适的静态工 作点。 ( )* 20103096 在共发射极放大电路中，集电极负载电阻RC=0时，输出电压 不一定等于零。 ( ) 20103097 共发射极放大电路中的耦合电容C1、C2的作用只有一个，就 是保证输入和输出信号畅通地传输。 ( )20104098共射极放大电路输出电压和输入电压相位相反，所以该电路 有时被称为反相器。（）* 20104099 放大电路工作在动态时，为了避免失真，发射结电压直流分 量和交流分量应相等。 ( ) 20104100 共发射极放大电路输出电压和输入电压相位相反，所以它