有源层厚度对ZnO薄膜晶体管电学性能的影响论文.docx

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有源层厚度对ZnO薄膜晶体管电学性能的影响论文

有源层厚度对ZnO薄膜晶体管电学性能的影响（论文）

华南理工大学学报（自然科学版）

第４１卷第９期ＪｏｕｒｎａｌｏｆＳｏｕｔｈＣｈｉｎａＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ

Ｖ０１．４１Ｎｏ．９２０１３年９月

（ＮａｔｕｒａｌＳｃｉｅｎｃｅＥｄｉｔｉｏｎ）

Ｓｅｐｔｅｍｂｅｒ

２０１３

文章编号：

１０００—５６５Ｘ（２０１３）０９－００２３—０５

有源层厚度对ＺｎＯ薄膜晶体管电学性能的影响木

刘玉荣

李晓明

苏晶

（华南理工大学电子与信息学院，广东广州５１０６４０）

摘要：

为优化氧化锌薄膜晶体管（ＺｎＯ—Ｔ兀１）的工艺参数，采用射频磁控溅射法沉积

ＺｎＯ薄膜制备出不同有源层厚度的ＺｎＯ—ＴＦＴｒ器件，探讨了有源层厚度对ＺｎＯ．Ｔ丌电学性

能的影响．实验结果表明：

有源层厚度在６５ｎｍ附近时，ＺｎＯ—ＴＦＴ器件的性能最好；有源层太薄时，ＺｎＯ薄膜的结晶性差，薄膜内部存在大量孔洞和缺陷，从而导致ｚｎＯ－ＴＦＴ器件的载流子迁移率较低，开关电流比较小；有源层太厚（大于６５ｎｍ）时，ＺｎＯ．Ｔ秤的栽流子迁移率和开关电流比随有源层厚度的增加而减小，这是因为随着有源层厚度的增加，载流子在源、漏电极附近高电阻区的导电路径增加．

关键词：

薄膜晶体管；氧化锌；有源层厚度；电学性能中图分类号：

ＴＮ３２１＋．５

ｄｏｉ：

１０．３９６９／ｊ．ｉｓｓｎ．１０００－５６５Ｘ．２０１３．０９．００４

近年来，薄膜晶体管（ＴＦＴ）在有源矩阵驱动平具有薄膜致密、溅射速率高、薄膜均匀性好、低温工板显示器领域得到了广泛的应用，而ＴＦＴ半导体有艺、可大面积沉积等优点而被广泛采用．

源层的种类和性质对平板显示器的性能、制作工艺文中采用射频磁控溅射法，以高纯ＺｎＯ作溅射等方面具有重要的影响．目前，有源矩阵平板显示器靶材，在已生长ＳｉＯ：

的ｎ型硅片和相同的溅射工艺通常采用非晶硅（ａ—Ｓｉ）或多晶硅（ｐ—Ｓｉ）作为Ｔ兀’的条件下通过控制溅射时间生长出不同厚度（ｔ）的沟道有源层材料．然而，Ｓｉ基材料的带隙较窄，对可ＺｎＯ薄膜作为有源层，制备出对应的底栅顶接触型见光敏感，在平板显示器制作过程中需要采用特殊ＺｎＯ－ＴＦＴ器件，探讨了ＺｎＯ薄膜有源层厚度对ＺｎＯ—

的隔离工艺来防止发光像素对ＴＦＴ性能产生的不Ｔ丌器件性能的影响及其机理．

良影响，从而使工艺的复杂度增加，成本上升，显示器的开口率降低０１－３］．ＺｎＯ是一种透明氧化物半导１

买验

体材料，具有带隙宽（～３．３７ｅＶ）、对可见光透明、载以电阻率为０．６～１．２Ｑ・ｃｍ、晶向为（１００）的

流子迁移率相对较高、低温工艺、环境友好等优点，ｎ＋型单晶硅片为衬底并充当晶体管的栅电极，采用因此，ＺｎＯ基ＴＦｒ被认为是最有希望的下一代薄膜标准硅工艺清洗硅片后，用２０％（质量分数）的ＨＦ晶体管技术，得到了广泛的关注，已成为研究的热点

溶液除去硅片表面的自然氧化层，然后在１０００℃下之一Ｍ。

７ｏ．目前，人们采用多种方法（包括分子束外

通过干氧热氧化生长出厚度为１６３ｎｍ的ＳｉＯ：

薄膜延法旧ｏ、金属有机化学气相淀积法∽Ｊ、磁控溅射作为栅介质层，再用稀释的ＨＦ溶液擦去硅片背面法¨０｜、溶胶一凝胶法¨川等）制备出不同特性的ＺｎＯ

的氧化层，接着采用射频磁控溅射法在ＳｉＯ，层上生薄膜用作Ｔ盯的半导体有源层，其中磁控溅射法因

长出一层ＺｎＯ薄膜作为半导体有源层．溅射采用高

收稿日期：

２０１３—０３—２２

。

基金项目：

国家自然科学基金资助项目（６１０７６１１３）

作者简介：

刘玉荣（１９６８・），男，博士，教授，主要从事半导体器件与物理研究．Ｅ－ｍａｉｌ：

ｐｈｌｙｒ＠ｓｃｕｔ．ｅｄｕ．ＣＩＩ

万方数据

华南理工大学学报（自然科学版）

第４ｌ卷

纯ＺｎＯ靶材（５Ｎ），功率为７０Ｗ，ＺｎＯ靶与样品的间距为６５ｍｍ，Ａｒ与０：

的流量比为１：

１，本底真空度为０．４ｍＰａ，溅射气压为０．５Ｐａ，溅射基底温度为３５０℃，溅射时间分别为１０、２０、３０、３８、４５ｒａｉｎ．最后采用真空镀膜技术，在真空度为２．０ｍＰａ条件下蒸发Ａｌ形成源、漏电极，制备出具有不同有源层厚度的底栅顶

接触型结构ＺｎＯ—ＴＦＴ¨２。

．器件的沟道长度（￡）和沟

道宽度（形）由蒸镀时所用掩膜版的图形决定，分别

为５０和６００“ｍ．

器件的沟道长度和宽度及源、漏电极面积由

ＢＸ５１

Ｍ型金相显微镜测量得到，采用Ａｇｉｌｅｎｔ

４２８４Ａ

型电容分析仪测量Ａ１／ＺｎＯ／ＳｉＯ：

／Ｓｉ结构的电容一电压特性，进而计算出单位面积栅介质的电容Ｃ。

。

＝２１．６ｎＦ／ｃｍ２．ＺｎＯ—Ｔ兀’器件的电特性利用Ａｇｉｌｅｎｔ４１５６Ｃ型半导体参数分析仪在室温无光照的普通空气环境下进行测试．利用ｘ射线衍射谱（ＸＲＤ）和原子力显微镜（ＡＦＭ）分析ＺｎＯ薄膜的结晶状况、表面形貌和晶粒大小．ＳｉＯ：

栅介质层和ＺｎＯ薄膜的厚度采用

德国ＯｃｅａｎＯｐｔｉｃｓ公司的Ｎａｎｏｃａｌｃ—ＸＲ型光学薄膜测

厚仪测量，溅射时问为１０、２０、３０、３８、４５ｍｉｎ所沉积的ＺｎＯ薄膜的有源层厚度分别为２０、４０、６５、９０、１

１０ｎｍ．

２结果与讨论

图１为不同有源层厚度的ＺｎＯ—Ｔ丌器件的输

出特性曲线，其中的栅电压（ｕ。

。

）和漏电压（ｕ。

。

）均为正偏压，说明所沉积ＺｎＯ薄膜皆为ｎ型半导体层．从图可知，对于５种有源层厚度所制备的器件，栅极偏压均能有效控制器件的源漏电流（，。

。

），但器

件的饱和特性有所差别，有源层厚度为６５ｎｍ的器

件的饱和区源漏电流非常平坦，即饱和特性最好，而偏离６５ｎｍ的更薄或更厚的有源层所对应Ｔ丌器件

的饱和特性有所变差．

“、厂ｖ

ａｌ

ｔ＝２０１１Ｈ１时万方数据

．，・，’一…一。

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７。

——１０

１．００

０．００

Ｕ¨、／Ｖ

（ｅ）ｆ－１１０Ｆｉｌｌ３时

图１

不同有源层厚度的ＺｎＯ—Ｔ丌器件的输出特性曲线

Ｆｉｇ

１

Ｏｕｔｐｕｔｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ

ｅｕｒｖｅｓ

ｏｆＺｎＯ—ＴＦＴｄｅｖｉｃｅｓｗｉｔｌ

ｄｉｆｆｅｒｅｎｔａｃｔｉｖｅｌａｖｅｒｔｈｉｃｋｎｅｓｓｅｓ

第９期刘玉荣等：

有源层厚度对ＺｎＯ薄膜晶体管电学性能的影响

从图１还可以发现，在相同栅电压下，随着有源层厚度的增加，ＴＦＴ样品的饱和区源漏电流先增加而后有所减小．在栅电压为４０Ｖ时，有源层厚度为

６５

式中：

Ｕ。

。

为阈值电压；肛为薄膜晶体管饱和区载流子的有效场效应迁移率，其计算式为

２Ｌｋ２

ｐ

ｎｍ的器件的饱和区源漏电流最大（为１４．３ＩＪ，Ａ），ｔｘＡ，有源层厚度为１１０ｎｍ的器件的饱和区源为进一步分析有源层厚度对ＺｎＯ—ＴＦＴ器件性

２—ＷＣ—ｏｘ

（２）

有源层厚度为２０ｎｍ的器件的饱和区源漏电流仅为

０．１４

ｋ为，警与ｕ。

。

的关系曲线在线性区的斜率．根据

图２和式（１）、（２）可以计算出不同有源层厚度时所制备ＺｎＯ—ＴＦｒ器件的性能参数，如表１所示．当有源层厚度较薄时，随着厚度的增加，器件的开关电流比和载流子迁移率快速增大；当有源层厚度为６５ｎｍ时，器件的开关电流比和载流子迁移率达到最大，而

后继续增加有源层厚度，器件的开关电流比和载流子迁移率反而有所减小．

表１

Ｔａｂｌｅ１

漏电流降至４．０ｉｘＡ．

能的影响，图２给出了不同有源层厚度的ＺｎＯ—ＴＦｒ器件的转移特性曲线．从图可知，不同有源层厚度的

ＺｎＯ—ＴＦＴｒ器件的开关特性有所差异，有源层厚度为

６５

ｎｍ的ＺｎＯ—ＴＦＴ器件的开关电流比（，０。

／，。

盯）最大，

而有源层厚度为２０ｎｍ的ＺｎＯ—ＴＦＩ＇器件的开关电流

比最小．

不同有源层厚度的ＺｎＯ．ＴＦｒ器件的性能参数

Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ

ｐａｒａｍｅｔｅｒｓ

ｏｆＺｎＯ—ＴＦｒｄｅｖｉｃｅｓｗｉｔｈ

ｄｉｆｆｅｒｅｎｔａｃｔｉｖｅｌａｙｅｒｔｈｉｃｋｎｅｓｓｅｓ

为揭示ＺｎＯ薄膜有源层厚度对ＺｎＯ—ＴＦｒ器件

一

ｍ０１０２０３０

４（

性能的影响机理，对相同工艺条件下沉积的不同厚度ＺｎＯ薄膜进行ＸＲＤ和ＡＦＭ分析．图３为不同厚度ＺｎＯ薄膜的ＸＲＤ谱图．由图可看出：

随着ＺｎＯ薄膜有源层厚度的增加，（００２）衍射峰逐渐增强；当ＺｎＯ薄膜有源层厚度小于或大于６５ｎｍ时，除存在（００２）衍射峰外，还存在明显的（１００）衍射峰，然而，当ＺｎＯ薄膜有源层厚度为６５ｎｍ时，（１００）衍射峰基本消失，说明此时ＺｎＯ薄膜中呈现出明显的ｃ轴

Ｕ，。

厂ｖ：

ａ）对数关系

∞５

ｒ

ｏＯ０１

¨００）

ｏｏｏｏ

一、／、

【ｂＪ’Ｆ方根天系

仁１１０Ｉｌｌｌｌ

，＝９０ｎｌｌｌｔ＝６５ｎｌｌｌｒ＝４０１１１１１，＝２０１１１１１

Ｌ

Ｌ

图２不同有源层厚度的ＺｎＯ．ＴＦＴ器件的转移特性曲线

Ｆｉｇ．２

Ｔｒａｎｓｆｅｒｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ

ｃｕｒｖｅｓ

ｏｆＺｎＯ—ＴＦＴｄｅｖｉｃｅｓ

ｌ八

ｗｉｔｈｄｉｆｆｅｒｅｎｔａｃｔｉｖｅｌａｙｅｒｔｈｉｃｋｎｅｓｓｅｓ

１５

３０

４５

６０

薄膜晶体管处于饱和状态时的饱和电流，。

。

。

。

通常可表示为

Ｆｉｇ．３

２０／（ｏ）

图３不同有源层厚度的ＺｎＯ薄膜的ＸＲＤ谱图

ＸＲＤｓｐｅｃｔｒａｏｆＺｎＯｔｈｉｎｆｉｌｍｓｗｉｔｈｄｉｆｆｅｒｅｎｔａｃｔｉｖｅｌａｙｅｒｔｈｉｃｋｎｅｓｓｅｓ

‰．。

＝墨‰Ｃ（％一Ｕ，ｈ）２

万方数据

（１）

华南理工大学学报（自然科学版）第４１卷

择优取向生长．通常，薄膜的晶粒大小可表示为

Ｄ＝器

（３）

式中，Ｄ为晶粒尺寸，Ａ为ｘ射线波长，Ｂ为衍射峰的半峰宽，ｏ为衍射入射角．针对（００２）衍射峰，由式（３）可计算出不同厚度ＺｎＯ薄膜的晶粒大小，如表２所示．随着ＺｎＯ薄膜有源层厚度的增加，晶粒尺寸不断增大．但当ＺｎＯ薄膜的有源层厚度薄至２０ｎｍ时，由于没有明显的（００２）衍射峰，因而其晶粒大小不适合用式（３）来计算．

表２不同有源层厚度的ＺｎＯ薄膜的晶粒尺寸

Ｔａｂｌｅ２

ＧｒａｉｎｓｉｚｅｓｏｆＺｎＯｔｈｉｎｆｉｌｍｓｗｉｔｈｄｉｆｆｅｒｅｎｔａｃｔｉｖｅｌａｙｅｒｔｈｉｃｋｎｅｓｓｅｓ

ｔ

ｎｍ

ＤｔＤ３６３８

２０・——４０６５

２５３３

９０１１０

图４为不同厚度ＺｎＯ薄膜表面的原子力显微图，可以看出：

当ＺｎＯ薄膜有源层厚度为２０ｎｍ时，晶粒尺寸较小，轮廓模糊；随着ＺｎＯ薄膜有源层厚度的增加，晶粒轮廓逐渐清晰，晶界减小，晶粒表面变得更光滑，晶粒尺寸增大，薄膜结晶性变好．这与

ＸＲＤ分析结果一致．

图３和４表明，由有源层厚度为２０ｌｌｍ的ＺｎＯ

（【１）ｔ＝９０ｎｍｌ３ｊ

图４

Ｆｉｇ．４

（ｅＨ＝１

薄膜制备的ＺｎＯ—ＴＦＴｒ器件的载流子迁移率偏低，开关电流比偏小，这主要是由于薄膜沉积初期粒子沉积无序程度高，微观结构不稳定，结晶性差，薄膜中存在大量孔洞和缺陷，这些孑Ｌ洞聚集在晶粒边界附近¨３Ｉ，增加了晶界势垒，从而导致载流子迁移率偏低，器件性能较差．随着ＺｎＯ薄膜有源层厚度的增

加，ＺｎＯ．ＴＦＴｒ器件的载流子迁移率增大，器件性能变

１０ｎｍＲ，ｊ＂

不同有源层厚度的ＺｎＯ薄膜表面的原子力显微图

ＡＦＭｉｍａｇｅｓｏｆｔｈｅ

ｓｕＩ。

ｆａｃｅｏｆＺｎ（）ｔｈｉｎｆｉｌｍｓ衍ｔ１１

ｄｉｆｆｅｒｅｎｔａｃｔｉｖｅｌａｖｅｌ，ｔｈｉｃｋｎｅｓｓｅｓ

滠漏

好，这是因为薄膜中孔洞和缺陷的数量减少，微观结构趋于稳定，结晶性变好，晶粒逐渐长大，晶界势垒降低；当ＺｎＯ薄膜有源层厚度增至６５ｎｍ时器件的性能最好．然而，当ＺｎＯ薄膜有源层厚度继续增加

至１

１０

童ｌ

－。

导电涛

道～，

介薹

ｉ｜ｊＩ

ｎｍ时，ＺｎＯ－Ｔ丌器件的载流子迁移率有所减

雾《“攀溪攀’攀。

÷攀繁＿黉。

紫一爹

ｎ－－Ｓｉ？

｜

小，器件性能有所下降，这可以作如下解释：

随着

ＺｎＯ薄膜有源层厚度的增加，晶粒尺寸增大，有利于

警

载流子迁移率的提高；但由于ＺｎＯ薄膜晶体管工作于积累状态，其沟道厚度通常为几纳米，因此ＺｎＯ薄膜有源层厚度增加时，源、漏电极附近的导电路径

（见图５中高阻区厚度ｄ）也增加¨引，载流子电子从

图５

Ｆｉｇ．５

ＺｎＯ—ＴＦ‘Ｉ’器件的导ＩＵ路ｉ圣隆Ｉ

ＣｏｎｄｕｃｔｉｖｅｐａｔｈｏｆＺｎＯ－ＴＦＴｄｅｖｉｃｅ

源极注入后在源、漏极附近需穿过更厚的高电阻区半导体层¨５Ｊ６Ｊ，从而引起源漏电流减小；另外，随着

万方数据

第９期

刘玉荣等：

有源层厚度对ＺｎＯ薄膜晶体管电学性能的影响

导电路径的增加，载流子在输运过程中受到杂质和缺陷的散射作用也有所增强ｍ３，从而导致ＺｎＯ—ＴＦＴｒ器件的载流子迁移率减小，器件性能有所下降．ＺｎＯ薄膜过厚引起ｃ轴择优取向生长的减弱也是导致器件性能下降的可能原因．

３

结论

文中以高纯ＺｎＯ为靶材，采用磁控溅射沉积ＺｎＯ薄膜制备出不同有源层厚度的ＺｎＯ—ＴＦｒ器件，探讨了有源层厚度对ＺｎＯ．Ｔｎ’器件性能的影响．结

果表明：

当ＺｎＯ薄膜有源层厚度在６５ｎｍ附近时，器件的性能最好；当ＺｎＯ薄膜有源层太薄时，薄膜的

沉积无序程度高，结晶性差，薄膜内部存在大量的孔洞和缺陷，从而导致器件的载流子迁移率较低，开关电流比较／ｂ；当ＺｎＯ薄膜有源层太厚时，源、漏电极附近的高电阻区的导电路径增加，载流子需穿过更厚的高电阻区半导体层，同时载流子在输运过程中受到杂质和缺陷的散射作用也有所增强，从而导致ＺｎＯ．Ｔ盯器件的载流子迁移率减小，器件性能下降．参考文献：

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１１７—１１９．

［１６］

Ｌｅｅ

Ｊ，ＫｉｍＫ，ＫｉｍＪＨ，ｅｔａ１．Ｏｐｔｉｍｕｍｃｈａｎｎｅｌｔｈｉｃｋ—

ｎｅｓｓ

ｉｎ

ｐｅｎｔａｅｅｎｅ—ｂａｓｅｄｔｈｉｎｆｉｌｍｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ［Ｊ］．Ａｐ．

ｐｌｉｅｄＰｈｙｓｉｃｓ

Ｌｅｔｔｅｒｓ，２００３，８２（２３）：

４１６９．４１７１．

［１７］ＣｈｕｎｇＫＢ，ＬｏｎｇＪＰ，ＳｅｏＨ，ｅｔａ１．Ｔｈｅｒｍａｌｅｖｏｌｕｔｉｏｎａｎｄｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ

ｃｏｒｒｅｌａｔｉｏｎ

ｏｆｄｅｆｅｃｔｓｔａｔｅｓｉｎＨｆ－ｂａｓｅｄｈｉｇｈ—ｋｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃｓｏｎ

ｎ—ｔｙｐｅ

Ｇｅ（１００）：

ｌｏｃａｌ

ａｔｏｍｉｃ

ｂｏｎｄｉｎｇ

ｓｙｍｍｅｔｒｙ［Ｊ］．Ｊｏｕｒｎａｌ

ｏｆ

Ａｐｐｌｉｅｄ

Ｐｈｙｓｉｃｓ，

２００９，１０６（７）：

０７４１０２／１—４．

（下转第９４页）

９４

华南理工大学学报（自然科学版）第４１卷

ＯｒｇａｎｉｚａｔｉｏｎａｎｄＤｉｓｃｏｖｅｒｙＭｅｃｈａｎｉｓｍｓｏｆＲｅｓｏｕｒｃｅＳｅｒｖｉｃｅｓｆｏｒ

ＣｌｏｕｄＭａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ

Ｚｈａｎｇ

Ｑｉａｎ

Ｑｉ

Ｄｅ—ｙｕ

（ＲｅｓｅａｒｃｈＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＣｏｍｐｕｔｅｒＳｙｓｔｅｍｓ，ＳｏｕｔｈＣｈｉｎａＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｇｕａｎｇｚｈｏｕ

５１０００６，Ｇｕａｎｇｄｏｎｇ，Ｃｈｉｎａ）

Ａｂｓｔｒａｃｔ：

Ｉｎｏｒｄｅｒ

ｕｓｅｒ

ｔｏ

ｅｆｆｅｃｔｉｖｅｌｙｏｒｇａｎｉｚｅｔｈｅ

ｒｅｓｏｕｒｃｅ

ｓｅｒｖｉｃｅｓｆｏｒｃｌｏｕｄｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇａｎｄ

ａｒｅ

ｔｏ

ｓｕｐｐｏｒｔｔｈｅｃｏｍｐｌｅｘ

ｒｅｓｏｕｒｃｅ

ｓｅａｒｃｈ，ｆｉｒｓｔ，ｔｈｅｋｅｙａｔｔｒｉｂｕｔｅｓｏｆｒｅｓｐｅｃｔｉｖｅｌｙｒｅｇｉｓｔｅｒｅｄａｃｃｏｒｄｉｎｇ

ｔｏ

ｒｅｓｏｕｒｃｅ

ｓｅｒｖｉｃｅｓ

ｉｎｔｒｏｄｕｃｅｄｉｎｔｈｉｓｐａｐｅｒ．Ｎｅｘｔ，ｔｈｅ

ｒｅｓｏｕｒｃｅ

ｓｅｒｖｉｃｅｓ

ａｒｅ

ｔｈｅｉｒｋｅｙａｔｔｒｉｂｕｔｅｓ．Ｔｈｅｎ，ａｌａｙｅｒｅｄ

ｏｎ

ｓｅｒｖｉｃｅｏｒｇａｎｉｚａｔｉｏｎｍｏｄｅｌｆｏｒ

ｃｌｏｕｄｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇｉｓｐｒｏｐｏｓｅｄｂａｓｅｄｆｉｖｅｑｕｅｒｙｔｙｐｅｓ

ａｒｅ

ｔｈｅｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄｈａｓｈｔａｂｌｅ，ａｎｄｆｉｖｅｄｉｓｃｏｖｅｒｙａｌｇｏｒｉｔｈｍｓｒｅｓｐｅｃｔｉｖｅｌｙｆｏｒ

ａｒｅ

ｄｅｓｉｇｎｅｄｂａｓｅｄ

ｏｎ

ｔｈｅｐｒｏｐｏｓｅｄｍｏｄｅｌ．Ｆｉｎａｌｌｙ，ｔｈｅｃｏｍｐｌｅｘｉｔｉｅｓｏｆｔｈｅｐｒｏｐｏｓｅｄａｌｇｏｒｉｔｈｍｓ

ｃａｎ

ｄｉｓｃｕｓｓｅｄ．Ｓｉｍｕｌａｔ