TMC262硬件寄存器手册中文剖析.docx
《TMC262硬件寄存器手册中文剖析.docx》由会员分享，可在线阅读，更多相关《TMC262硬件寄存器手册中文剖析.docx（28页珍藏版）》请在冰豆网上搜索。
TMC262硬件寄存器手册中文剖析
TMC262寄存器手册（中文）
关于TMC262全部写配置寄存器的一览表如表一所示：
具体的包含5个寄存器：
驱动控制寄存器（DRVCTRL）、斩波器控制寄存器（CHOPCONF）、智能控制寄存器（AMARTEN,也为COOLSETP）、负载监控控制寄存器（SGCSCONF）、控制配置寄存器（DRVCONF）。
表一
1、DriverControlRegister（DRVCTRL）驱动控制寄存器
它这里主要分为2种模式SETP/DIR模式与SPI模式，而这2中模式的选择取决于：
控制配置寄存器中的：
SDOFFmodebit。
DRVCTRL
DriverControlinSTEP/DIRMode（SDOFF=0）
位
名字
功能
注释（Write000X）
19
0
Registeraddressbit
18
0
Registeraddressbit
17
0
保留
16
0
保留
15
0
保留
14
0
保留
13
0
保留
12
0
保留
11
0
保留
10
0
保留
9
INTPOL
EnableSTEP
interpolation
0:
DisableSTEPpulseinterpolation.
1:
EnableSTEPpulsemultiplicationby16.
STEP信号修改的使能
0：
禁止对STEP脉冲信号的插补
1：
允许，为16clock模式
8
DEDGE
Enabledoubleedge
STEPpulses
0:
RisingSTEPpulseedgeisactive,fallingedgeisinactive.
1:
BothrisingandfallingSTEPpulseedgesareactive.
对于STEP信号脉冲沿方式的选择
0：
STEP信号为上升沿有效，下降沿无效。
1：
STEP信号为双沿有效（上升沿、下降沿都有效）
7
0
保留
6
0
保留
5
0
保留
4
0
保留
3
MRES3
MicrostepresolutionforSTEP/DIRmode
//微步距进度配置
Microstepsper90°:
%0000:
256
%0001:
128
%0010:
64
%0011:
32
%0100:
16
%0101:
8
%0110:
4
%0111:
2（halfstep）
%1000:
1（fullstep）
2
MRES2
1
MRES1
0000~1000一共9种方式：
256，128，
64，32，16，8，4，2，1
0
MRES0
2、ChopperControlRegister（CHOPCONF）斩波控制寄存器
CHOPCONF
ChopperConfiguration
位
名字
功能
注释（Write100X）
19
1
Registeraddressbit
18
0
Registeraddressbit
17
0
Registeraddressbit
16
TBL1
Blankingtime
//斩波的空白时间（也就是关断时间）
此时间需要安全的覆盖切换事件与持续的时间去响应检测电阻
Blankingtimeinterval,insystemclock
periods:
%00:
16
%01:
24
%10:
36
%11:
54
15
TBL0
设置斩波控制的空白时间00--11，对应16--54个时钟周期。
14
CHM
Choppermode
//
斩波模式的选择
Thismodebitaffectstheinterpretationof
theHDEC,HEND,andHSTRTparametersshownbelow.
0：
Standardmode（spreadCycle）
1：
ConstanttOFFwithfastdecaytime.
Fastdecaytimeisalsoterminatedwhenthenegativenominalcurrentisreached.Fast
decayisafterontime.
此位对：
HDEC，HEND，HSTRT参数的设置有影响。
0：
斩波模式,1:
常系数模式，一般选择0。
13
RNDTF
RandomTOFFtime
Enablerandomizingtheslowdecayphaseduration:
0:
ChopperofftimeisfixedassetbybitstOFF
1:
Randommode,tOFFisrandommodulatedbydNCLK=-12…+3clocks.
随机TOFF时间。
0：
斩波时间固定
1：
斩波时间可调
12
HDEC1
HysteresisdecrementintervalorFastdecaymode
//磁滞损耗和快速衰减模式
（CHM=0:
Hysteresisdecrementperiod
setting,insystemclockperiods:
%00:
16
%01:
32
%10:
48
%11:
64）
（CHM=1:
HDEC1=0:
currentcomparatorcanterminatethefastdecayphasebeforetimerexpires.
HDEC1=1:
onlythetimerterminatesthe
fastdecayphase.
HDEC0:
MSBoffastdecaytimesetting.）
11
HDEC0
CHM=0:
磁滞衰减周期设置：
00：
11：
16，32，48，64
CHM=1常系数模式设置：
HDEC1=1禁止电流比较器作为快衰减的终止
HDEC0：
快衰减的时间最高位设置
10
HEND3
Hysteresisend（low）valueorSinewaveoffset
//
迟滞低位值或者正弦波偏置
CHM=0:
%0000…%1111:
Hysteresisis-3,-2,-1,0,1,…,12（1/512ofthissettingaddstocurrentsetting）Thisisthehysteresisvaluewhichbecomesusedforthehysteresischopper.
CHM=1:
%0000…%1111:
Offsetis-3,-2,-1,0,1,…,12,Thisisthe
sinewaveoffsetand1/512ofthevalue
becomesaddedtotheabsolutevalueof
eachsinewaveentry.
9
HEND2
8
HEND1
0000：
1111：
迟滞为-3，-2……12，
当CHM=1时，这个表示正弦波偏置
7
HEND0
6
HSTRT2
Hysteresisstartvalue
or
Fastdecaytime
Setting
//
迟滞开始值或快衰时间设置
CHM=0:
HysteresisstartoffsetfromHEND:
%000:
1%100:
5
%001:
2%101:
6
%010:
3%110:
7
%011:
4%111:
8
Effective:
HEND+HSTRTmustbe≤15
CHM=1:
Threeleast-significantbitsofthe
durationofthefastdecayphase.TheMSBis
HDEC0.Fastdecaytimeisamultipleofsystemclock
periods:
NCLK=32x（HDEC0+HSTRT）
5
HSTRT1
4
HSTRT0
CHM=0:
DAC迟滞设置000……011：
对应的HEND增加5，6……8且HEND+HSTRTmustbe≤15才有效。
CHM=1:
快衰时间设置。
NCLK=32x（HDEC0+HSTRT）
3
TOFF3
Offtime/MOSFET
disable//offtime驱动使能（斩波慢衰减时间，影响开关频率）控制着慢衰减时间的持续时间，并控制着斩波的最大频率
Durationofslowdecayphase.IfTOFFis0,theMOSFETsareshutoff.IfTOFFis
nonzero,slowdecaytimeisamultipleofsystemclockperiods:
NCLK=12+（32xTOFF）（Minimumtimeis64clocks.）
%0000:
Driverdisable,allbridgesoff
%0001:
1（usewithTBLofminimum24clocks）
%0010…%1111:
2…15
2
TOFF2
1
TOFF1
0000：
禁止所有驱动器晶体管，电机可以自由转
0001：
TBL最小24个时钟周期
0010……1111：
2~15
0
TOFF0
3、coolStepControlRegister（SMARTEN）智能控制寄存器
SMARTEN
ChopperConfiguration
位
名字
功能
注释（Write1010X）
19
1
Registeraddressbit
18
0
Registeraddressbit
17
1
Registeraddressbit
16
0
保留
15
SEIMIN
MinimumcoolStep
current//
智能电流控制的最小电流
0:
½CScurrentsetting
1:
¼CScurrentsetting
0：
设置电流的1/2
1：
设置电流的1/4
14
SEDN1
Currentdecrement
speed//
智能电流的减少速度
NumberoftimesthatthestallGuard2valuemustbesampledequaltoorabovetheupperthresholdforeachdecrementofthecoilcurrent:
%00:
32
%01:
8
%10:
2
%11:
1
13
SEDN0
00：
每32个负载衰减值电流减小一个单位
01：
每8个负载衰减值电流减小一个单位
10：
每2个负载衰减值电流减小一个单位
11：
每个负载衰减值电流减小一个单位
12
0
保留
11
SEMAX3
UppercoolStep
thresholdasanoffset
fromthelower
threshold//
最小电流控制时负载
的磁滞值（高位安全门限）
IfthestallGuard2measurementvalueSGissampledequaltoorabove（SEMIN+SEMAX+1）x32enoughtimes,thenthecoilcurrentscalingfactorisdecremented.
10
SEMAX2
9
SEMAX1
8
SEMAX0
如果负载检测值≥（SEMIN+SEMAX+1）
*32电机电流回到安全值。
0000……1111：
0……15
7
0
保留
6
SEUP1
Currentincrement
size//
智能电流的增加速度
NumberofcurrentincrementstepsforeachtimethatthestallGuard2valueSGissampledbelowthelower
threshold:
%00:
1
%01:
2
%10:
4
%11:
8
5
SEUP0
每个负载测量值：
00……11：
1，2，4，8
4
0
保留
3
SEMIN3
LowercoolStep
threshold/coolStep
disable）
//
智能电流控制的最小
负载检测值和电流使
能
IfSEMINis0,coolStepisdisabled.IfSEMINisnonzeroandthestallGuard2valueSGfalls
belowSEMINx32,thecoolStepcurrent
scalingfactorisincreased.
2
SEMIN2
1
SEMIN1
0000：
禁止电流控制
如果负载检测值＜SEMIN*32，电机电流减小，负载转动角度将增加。
0001……1111：
0……15
0
SEMIN0
4、stallGuard2ControlRegister（SGCSCONF）负载监控控制寄存器
SMARTEN
ChopperConfiguration
位
名字
功能
注释（Write110X）
19
1
Registeraddressbit
18
1
Registeraddressbit
17
0
Registeraddressbit
16
SFILT
stallGuard2filter
enable
//负载检测滤波使能
0:
Standardmode,fastestresponsetime.
1:
Filteredmode,updatedonceforeach
fourfullstepstocompensateforvariationinmotorconstruction,highestaccuracy.
0：
标准模式，最快的响应速度。
1：
滤波模式：
每4个整步时信号偏差才补偿，最高时间精度
15
0
保留
14
SGT6
stallGuard2threshold
value//
负载阀值的设定
ThestallGuard2thresholdvaluecontrolstheoptimummeasurementrangeforreadoutandstallindicatoroutput（SG_TST）.Alowervalueresultsinahigher
sensitivityandlesstorqueisrequiredtoindicateastall.Thevalueisatwo’scomplementsignedinteger.Valuesbelow-10arenotrecommended.Range:
-64to+63
13
SGT5
12
SGT4
这里的信号值控制负载的阀值输出，为输出设置最优化的边界，设定值越低，灵敏度越高，0为大部分电机的工作开始值，设定值越高，灵敏度越低，需要更低转矩来决定负载值，不建议小于-10。
11
SGT3
10
SGT2
9
SGT1
8
SGT0
7
0
保留
6
0
保留
5
0
保留
4
CS4
Currentscale
（scalesdigital
currentsAandB）//
电流的标准A相或B相
CurrentscalingforSPIandSTEP/DIRoperation.%00000…%11111:
1/32,2/32,3/32,…32/32Thisvalueisbiasedby1anddividedby32,sotherangeis1/32to32/32.
Example:
CS=20is21/32current.
3
CS3
2
CS2
1
CS1
驱动电流0--31
0000……1111；分别对应1/32……32/32
0
CS0
5、DriverControlRegister（DRVCONF）驱动配置寄存器
DRVCONF
DriverConfiguration
位
名字
功能
注释（Write111X）
19
1
Registeraddressbit
18
1
Registeraddressbit
17
1
Registeraddressbit
16
TST
ReservedTESTmode//为测试模式保留
Mustbeclearedfornormaloperation.When
set,theSG_TSToutputexposesdigitaltest
values,andtheTEST_ANAoutputexposes
analogtestvalues.Testvalueselectionis
controlledbySGT1andSGT0:
TEST_ANA:
%00:
anatest_2vth,
%01:
anatest_dac_out,
%10:
anatest_vdd_half.
SG_TST:
%00:
comp_A,
%01:
comp_B,
%10:
CLK,
%11:
on_state_xy
测试的时候必须清除的正常运行，设置为0，当设置为1时，SG_TST输出数字测试值，TEST_ANA输出模拟测试值，输出测试值的选择由SGT1andSGT0所决定。
15
SLPH1
Slopecontrol,high
side//
上功率管控制斜率
%00:
Minimum
%01:
Minimumtemperaturecompensationmode.
%10:
Mediumtemperaturecompensationmode.
%11:
Maximum
Intemperaturecompensatedmode（tc）,the
MOSFETgatedriverstrengthisincreasedifthe
overtemperaturewarningtemperatureisreached.Thiscompensatesfortemperaturedependencyofhigh-sideslopecontrol.
14
SLPH0
00：
最小值，
01：
最小的温度补偿模式，
10：
中间值的温度补偿模式
11：
最大值
在温度补偿模式中，随着温度的增加对MOSFET门级的驱动电流是增加的，如果超过警戒电流，温度的补偿模式会依靠上功率管斜率控制进行控制
13
SLPL1
Slopecontrol,low
side
//
下功率管控制斜率
%00:
Minimum.
%01:
Minimum.
%10:
Medium.
%11:
Maximum.
12
SLPL0
00&01：
最小值，10：
中间值，11：
最大值
11
0
保留
10
DISS2G
ShorttoGND
protectiondisable
//
短接到地保护使能
0:
ShorttoGNDprotectionisenabled.
1:
ShorttoGNDprotectionisdisabled.
0：
使能，1：
非使能
9
TS2G1
ShorttoGNDdetectiontimer//
短接到地保护时间
%00:
3.2µs.
%01:
1.6µs.
%10:
1.2µs.
%11:
0.8µs.
8
TS2G0
7
SDOFF
STEP/DIRinterface
disable//STEP/DIR与SPI模式的选择
0:
EnableSTEP/DIRoperation.
1:
DisableSTEP/DIRoperation.SPIinterfaceisusedtomovemotor.
0：
STEP/DIR模式；1：
SPI模式
6
VSENSE
Senseresistor
voltage-basedcurrent
scaling//
检测参考电压的边界
0:
Full-scalesenseresistorvoltageis305mV.
1:
Full-scalesenseresistorvoltageis165mV.
（Full-scalereferstoacurrentsettingof31andaDACvalueof255.）
0：
采样电压值最大305mV,
1:
采样电压值最大165mV
5
RDSEL1
Selectvalueforread
out（RDbits）//
读取返回项
%00Microsteppositionreadback
%01stallGuard2levelreadback
%10stallGuard2andcoolStepcurrentlevelreadback
%11Reserved,donotuse
4
RDSEL0
00：
返回微步位置，01：
返回负载值，10：
读回负载和智能电流级别，11：
保留，未使用
3
0
保留
2
0
升级会员 