16秋西交《电子技术基础》.docx
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16秋西交《电子技术基础》
16秋西交《电子技术基础》在线作业
一、单选题（共 30 道试题，共 60 分。
）
V
1.
2.
某集成存储器有11根地址线和4根数据线，则其存储容量大小为（ ）
A.1k×8 B.2k×8 C.1k×4 D.2k×4
3.
4.
5.
6.
7.
8.
9.
存储容量为的ROM，其地址线数和位线数分别为（ ）。
A.
12和7 B.8和12 C.8和13 D.13和8
10.
11.
12.
13.
14.
15.
把0~10V的模拟电压转换为数字量，如果要求能分辨出10mV的输入变化量，则A/D转换器的位数至少应为（ ）。
A.
10位 B.11位 C.9位 D.8位
16.
17.
18.
19. 某D/A转换器的参考电压为10V，如要求其最小输出电压不大于9.766mV，则该D/A转换器的位数至少应为（ ）。
A.8位 B.9位 C.10位 D.11位
20.
21.
22.
23.
某10位A/D转换器的参考电压为10V，则该A/D转换器能分辨出的输入模拟电压的最小变换量为（ ）。
A.4.88mV B.9.76mV C.19.53mV D.39.06mV
24.
25.
26.
27.
28.
29.
30.
二、判断题（共 20 道试题，共 40 分。
）
V
1. 微变等效电路不能进行静态分析，也不能用于功放电路分析。
A.错误B.正确
2. 微变等效电路中不但有交流量，也存在直流量。
A.错误B.正确
3. 用万用表测试晶体管时，选择欧姆档R×10K档位。
A.错误B.正确
4. 双极型三极管和单极型三极管的导电机理相同。
A.错误B.正确
5. 共集电极放大电路的输入信号与输出信号，相位差为180°的反相关系。
A.错误B.正确
6. P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。
A.错误B.正确
7. 二极管只要工作在反向击穿区，一定会被击穿损坏。
A.错误B.正确
8. 无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。
A.错误B.正确
9. 晶体管的电流放大倍数通常等于放大电路的电压放大倍数。
A.错误B.正确
10. 放大电路中的所有电容器，起的作用均为通交隔直。
A.错误B.正确
11. 双极型晶体管是电流控件，单极型晶体管是电压控件。
A.错误B.正确
12. 设置静态工作点的目的是让交流信号叠加在直流量上全部通过放大器。
A.错误B.正确
13. 当三极管的集电极电流大于它的最大允许电流ICM时，该管必被击穿。
A.错误B.正确
14. PN结正向偏置时，其内外电场方向一致。
A.错误B.正确
15. 射极输出器的电压放大倍数等于1，因此它在放大电路中作用不大。
A.错误B.正确
16. 基本放大电路通常都存在零点漂移现象。
A.错误B.正确
17. 放大电路中的输入信号和输出信号的波形总是反相关系。
A.错误B.正确
18. 自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。
A.错误B.正确
19. 双极型三极管的集电极和发射极类型相同，因此可以互换使用。
A.错误B.正确
20. 分压式偏置共发射极放大电路是一种能够稳定静态工作点的放大器。
A.错误B.正确
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