硅片检验标准样本.docx

硅片检验标准样本.docx

《硅片检验标准样本.docx》由会员分享，可在线阅读，更多相关《硅片检验标准样本.docx（10页珍藏版）》请在冰豆网上搜索。

硅片检验标准样本

光为绿色新能源有限公司

硅片检查原则

编号：

LW-BZ-009-A1

版本：

A/1版

受控状态：

编制部门：

技术中心

发放编号：

编制：

日期：

审核：

日期：

批准：

日期：

发布日期：

实行日期：

文献更改申请单

编号：

LW-CX-001-A1-03

文献名称

硅片检查原则

文献编号

LW-BZ-009-A1

申请部门

铸切技术部

申请人

王伟

批准人

批准日期

更改因素：

1、明确断线移动或类似操作导致硅片明暗区间鉴定原则

2、变更硅片尺寸范畴

3、增长硅片表面干净度规定

4、修改崩边规定

更改前内容及条款

1、无

2、156-156.7

3、无

4、B片中崩边规定为：

length≤1.5mm；width≤0.5mm个数不限

更改后内容及条款

1、增长硅片黑色带状区域规定

2、155.8-156.7

3、增长表面玷污定义

4、B片中崩边规定为：

length≤1.5mm；width≤0.5mm，每片不得超过4处

硅片检查原则

1目

规范多晶硅片检测原则。

2合用范畴

本原则规定了多晶硅片电性能、外观尺寸检查项目、测量器具、鉴定根据，合用于正常生产多晶硅片质量检查。

3定义

3.1检测工具：

数显千分尺、henneck分选机、直尺、三丰粗糙仪、MS203电阻率测试、少子寿命测试WT-。

3.2检测术语

斑点定义：

在光强430-650LUX下，距离眼睛40cm，成30-45°角目视能看到颜色异于周边颜色点即为斑点。

翘曲度：

硅片中面和参照面之间最大距离和最小距离之差（即a值）。

弯曲度：

硅片中心凸起处在参照平面距离差值（即z值）。

硅落：

硅片表面有硅晶脱落现象且未穿透。

崩边：

以硅片边沿为参照线向内部延伸深度≤0.5mm、长度≤1.5mm及不能崩透缺损属于崩边。

缺口：

光强430-650LUX，目光与硅片成30-45°，距离25-35cm可以看到贯通硅片称为缺口，看不到不属于缺口。

水印：

未充分烘干，水分蒸发后残留物。

表面玷污：

硅片表面或侧面沾有残胶或油污等杂物。

游离碳黑线：

清洗后距离硅片上边沿5mm以内黑色区域。

微晶：

每1cm2长度上晶粒个数＞10个。

4职责权限

4.1技术部负责制定硅片检查原则；

4.2质量部严格按照本文献中检查原则检查硅片。

5正文

5.1表面质量

表面质量通过生产人员分选鉴定，目测外观符合附表1有关规定。

对整包硅片重点查看B4（崩边），B7（线痕）、B8（厚度差值）、缺口、碎片、油污等状况；整包里B4片在迎光侧体现为“亮点”背光侧较暗；B7、B8片手感体现较重，不易区别或存在争议时，运用分选机重新分选。

5.2外型尺寸

几何尺寸符合附表1有关规定，在研磨倒角处控制。

如以为硅片尺寸存在问题使用分选机进行检查。

5.3电性能

根据硅锭／硅块测试数据鉴定，必要时用有关测试仪器核算。

硅片电阻率测量一点数值，当超过B级范畴时，测量五个晶粒电阻率，计算平均值X，以X值作为最后鉴定值。

5.4抽检办法

（1）对硅片车间自检合格包装硅片或直传片，采用一次抽检（抽检比例８％），不合格比例不高于0.5%。

每次抽检不合格率不不大于0.5%时，告知清洗班长重新分选，对重新分选片抽检合格后可入库。

（2）抽取８％硅片进行检测，其成果作为该批硅片合格鉴定根据。

6有关文献

无

7有关记录

无

附表1：

自检硅片检查项目及鉴定原则

检查原则

检查项目

A级品

B级品

电性能指标

Resistivity电阻率（Ω·cm）

0.7≤ρ≤3

CarrierLifetime

少子寿命（μs）

≥1.2

Oxygenconcentration

氧含量（atoms/cm3）

≤1.0*1018

Carbonconcentration

碳含量（atoms/cm3）

≤8*1017

外形尺寸及外观

Geometry几何形状

正方形

Thickness厚度（μm）

180±20

TTV（μm）

TTV≤30

30＜TTV≤50

Size尺寸（mm）

155.8≤size≤156.7

Diagonal对角线（mm）

218.8-220.6

Rectangularangle角度（º）

90±0.3

Chamferangel倒角（º）

45±10

Chamferwide倒角宽度（mm）

0.5≤wide≤2.5

Chip崩边（宽度*延伸深度）（mm）

不容许

length≤1.5mm；width≤0.5mm

每片不得超过4处

Breakage缺口（mm²）

不容许

<0.2*0.2

Sawmark锯痕（μm）

Sawmark≤15

15＜Sawmark≤35

Warp翘曲度（μm）

Warp≤50

50＜Warp≤75

Bow弯曲度（μm）

Bow≤50

50

Surface表面

无裂纹、孔洞、微晶；表面干净：

无玷污、油污、手印；

无裂纹、孔洞、微晶；表面干净：

无玷污、油污、手印，砂浆斑点个数不大于5个，黑线向内延伸不大于5mm。

附件1：

B级硅片分类及标记办法

按优先级B2至B9无重复排序标示如下：

B2晶粒小，其他检查参数符合A级品原则。

B3少子寿命以硅块少子寿命为原则。

B4小崩边，其他检查参数符合A级品原则。

B5电阻率原则以硅块电阻率为原则。

B6156mm*156mm硅片划片后125mm*125mm硅片（后来存在划片也许）。

B7锯痕15～35μｍ或亮线B级（参照《亮线鉴定原则》。

），其他检查参数符合A级品原则。

B830μｍ

B9表面沾污

如果存在两种以上B级缺陷，以级别较高级别作为归类根据，优先级别排列如下：

第一级

第二级

第三级

第四级

第五级

第六级

第七级

第八级

第九级

B1

B2

B5

B3

B8

B7

B4

B9

B6

附件2：

硅片“亮线”鉴定原则

2.1亮线片：

硅片表面存在由于钢线直接和硅片摩擦浮现类似抛光硅片。

2.1.1亮线处，测试深度不大于10µm硅片

2.1.1.1单面亮线：

亮线面积不不大于硅片面积1/2，为B7

亮线面积不大于硅片面积1/2，为A级

2.1.1.2双面亮线：

亮线面积不不大于硅片面积1/4，为B7

亮线面积不大于硅片面积1/4，为A级

2.1.2亮线处，测试深度10～20µm硅片

2.1.2.1单面亮线：

亮线面积不不大于硅片面积1/4，为B7

亮线面积不大于硅片面积1/4，为A级

2.1.2.2双面亮线：

亮线面积不不大于硅片面积1/2，为不合格

亮线面积不大于硅片面积1/2，为B7

2.2黑色带状区：

断线解决往复升降工作台或类似操作导致钢线带着砂浆将硅片表面摩擦，清洗后浮现黑色矩形区域。

2.2.1带状区不大于20mm硅片，按照附表1内检查原则鉴定；

2.2.2带状区不不大于20mm硅片，若满足附表1内A、B级原则，则鉴定为B；不满足B级原则，鉴定为不合格；

注：

检测亮线及黑色带状区域线痕深度使用自动分选设备。

附件3TTV测试点选用

TTV测试5点，分别为硅片中心点和边角处距离边角各边10-15mm处硅片厚度。

见下图：

附件4崩边

崩边:

硅片分选机在测量边沿崩边时受硅片厚度、光学衍射、成像精度限制，容易浮现误判。

针对B4档硅片需要人工搓开硅片进行检测。

微晶：

硅片上细小晶粒持续密集分布区域，使用带刻度光学放大镜进行检测。

此类硅片属于不合格硅片。

杂质片

硬点杂质：

体现为硅片表面有凸起线痕，线痕上可以发现黑点。

硅片清洗后表面有絮状黑斑或者密集小黑点，使用无水乙醇擦拭不可以去除为不合格硅片，此类硅片为不合格硅片。

孔洞片检测办法：

眼睛与硅片平面及光源成直线，距硅片40cm观测有无光线透过或者发现亮点。

若存在以上状况，挑选出来硅片为不合格产品。