电路基础知识VssVDDVEEVcc 的区别.docx

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电路基础知识VssVDDVEEVcc的区别

1.电路基础知识

1.1Vss,VDD,VEE,Vcc的区别

说法一：

VCC、VDD、VEE、VSS是指芯片、分解电路的电源集结点，具体接电源的极性需视器件材料而定。

VCC一般是指直接连接到集成或分解电路内部的三极管C极，VEE是指连接到集成或分解电路内部三极管的E极。

同样，VDD、VSS就是指连接到集成内部、分解电路的场效应管的D和S极。

例如是采用P沟E/DMOS工艺制成的集成，那么它的VDD就应接电源的负，而VSS应接正电源。

它们是这样得名的：

VCC表示连接到三极管集电极（C）的电源。

VEE表示连接到三极管发射极（E）的电源。

VDD表示连接到场效应管的漏极（D）的电源。

VSS表示连接到场效应管的源极（S）的电源。

通常VCC和VDD为电源正，而VEE和VSS为电源负或者地。

说法二：

VDD,VCC,VSS,VEE,VPP区别

VDD:

电源电压（单极器件）；电源电压（4000系列数字电路）；漏极电压（场效应管）

VCC：

电源电压（双极器件）；电源电压（74系列数字电路）；声控载波（VoiceControlledCarrier）

VSS:

地或电源负极

VEE：

负电压供电；场效应管的源极（S）

VPP：

编程/擦除电压。

详解：

在电子电路中，VCC是电路的供电电压,VDD是芯片的工作电压：

VCC：

C=circuit表示电路的意思,即接入电路的电压，D=device表示器件的意思,即器件内部的工作电压，在普通的电子电路中，一般Vcc>Vdd!

VSS：

S=series表示公共连接的意思，也就是负极。

有些IC同时有VCC和VDD，这种器件带有电压转换功能。

在“场效应”即COMS元件中，VDD乃CMOS的漏极引脚，VSS乃CMOS的源极引脚，这是元件引脚符号，它没有“VCC”的名称，你的问题包含3个符号，VCC/VDD/VSS，这显然是电路符号。

1.2TTL电平与CMOS电平的区别

1，TTL电平：

输出高电平>2.4V,输出低电平<0.4V。

在室温下，一般输出高电平是3.5V，输出低电平

是0.2V。

最小输入高电平和低电平：

输入高电平>=2.0V，输入低电平<=0.8V，噪声容限是

0.4V。

2，CMOS电平：

1逻辑电平电压接近于电源电压，0逻辑电平接近于0V。

而且具有很宽的噪声容限。

3，电平转换电路：

因为TTL和COMS的高低电平的值不一样（ttl5v<＝＝>cmos3.3v），所以互相连接时需

要电平的转换：

就是用两个电阻对电平分压，没有什么高深的东西。

哈哈

4，OC门，即集电极开路门电路，OD门，即漏极开路门电路，必须外界上拉电阻和电源才能

将开关电平作为高低电平用。

否则它一般只作为开关大电压和大电流负载，所以又叫做驱

动门电路。

5，TTL和COMS电路比较：

1）TTL电路是电流控制器件，而coms电路是电压控制器件。

2）TTL电路的速度快，传输延迟时间短（5-10ns），但是功耗大。

COMS电路的速度慢，传输延迟时间长（25-50ns）,但功耗低。

COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关，频率越高，芯片集越热，这是正常

现象。

3）COMS电路的锁定效应：

COMS电路由于输入太大的电流，内部的电流急剧增大，除非切断电源，电流一直在增大

。

这种效应就是锁定效应。

当产生锁定效应时，COMS的内部电流能达到40mA以上，很容易

烧毁芯片。

防御措施：

1）在输入端和输出端加钳位电路，使输入和输出不超过不超过规定电压。

2）芯片的电源输入端加去耦电路，防止VDD端出现瞬间的高压。

3）在VDD和外电源之间加线流电阻，即使有大的电流也不让它进去。

4）当系统由几个电源分别供电时，开关要按下列顺序：

开启时，先开启COMS电路得电

源，再开启输入信号和负载的电源；关闭时，先关闭输入信号和负载的电源，再关闭COMS

电路的电源。

6，COMS电路的使用注意事项

1）COMS电路时电压控制器件，它的输入总抗很大，对干扰信号的捕捉能力很强。

所以

，不用的管脚不要悬空，要接上拉电阻或者下拉电阻，给它一个恒定的电平。

2）输入端接低内组的信号源时，要在输入端和信号源之间要串联限流电阻，使输入的

电流限制在1mA之内。

3）当接长信号传输线时，在COMS电路端接匹配电阻。

4）当输入端接大电容时，应该在输入端和电容间接保护电阻。

电阻值为R=V0/1mA.V0是

外界电容上的电压。

5）COMS的输入电流超过1mA，就有可能烧坏COMS。

7，TTL门电路中输入端负载特性（输入端带电阻特殊情况的处理）：

1）悬空时相当于输入端接高电平。

因为这时可以看作是输入端接一个无穷大的电阻。

2）在门电路输入端串联10K电阻后再输入低电平，输入端出呈现的是高电平而不是低电

平。

因为由TTL门电路的输入端负载特性可知，只有在输入端接的串联电阻小于910欧时，

它输入来的低电平信号才能被门电路识别出来，串联电阻再大的话输入端就一直呈现高电

平。

这个一定要注意。

COMS门电路就不用考虑这些了。

8，TTL电路有集电极开路OC门，MOS管也有和集电极对应的漏极开路的OD门，它的输出就叫

做开漏输出。

OC门在截止时有漏电流输出，那就是漏电流，为什么有漏电流呢？

那是因为当三机管截

止的时候，它的基极电流约等于0，但是并不是真正的为0，经过三极管的集电极的电流也

就不是真正的0，而是约0。

而这个就是漏电流。

开漏输出：

OC门的输出就是开漏输出；OD

门的输出也是开漏输出。

它可以吸收很大的电流，但是不能向外输出的电流。

所以，为了

能输入和输出电流，它使用的时候要跟电源和上拉电阻一齐用。

OD门一般作为输出缓冲/驱

动器、电平转换器以及满足吸收大负载电流的需要。

9，什么叫做图腾柱，它与开漏电路有什么区别？

TTL集成电路中，输出有接上拉三极管的输出叫做图腾柱输出，没有的叫做OC门。

因为

TTL就是一个三级关，图腾柱也就是两个三级管推挽相连。

所以推挽就是图腾。

一般图腾式

输出，高电平400UA，低电平8MA

1.3LSB的定义

当选择模数转换器（ADC）时，最低有效位（LSB）这一参数的含义是什么？

有位工程师告诉我某某生产商的某款12位转换器只有7个可用位。

也就是说，所谓12位的转换器实际上只有7位。

他的结论是根据器件的失调误差和增益误差参数得出的，这两个参数的最大值如下：

　　失调误差=±3LSB，

　　增益误差=±5LSB，

　　乍一看，觉得他似乎是对的。

从上面列出的参数可知最差的技术参数是增益误差（±5LSB）。

进行简单的数学运算，12位减去5位分辨率等于7位，对吗？

果真如此的话，ADC生产商为何还要推出这样的器件呢？

增益误差参数似乎表明只要购买成本更低的8位转换器就可以了，但看起来这又有点不对劲了。

正如您所判断的，上面的说法是错误的。

　　让我们重新来看一下LSB的定义。

考虑一个12位串行转换器，它会输出由1或0组成的12位数串。

通常，转换器首先送出的是最高有效位（MSB）（即LSB+11）。

有些转换器也会先送出LSB。

在下面的讨论中，我们假设先送出的是MSB（如图1所示），然后依次送出MSB-1（即LSB+10）和MSB-2（即LSB+9）并依次类推。

转换器最终送出MSB-11（即LSB）作为位串的末位。

　　LSB这一术语有着特定的含义，它表示的是数字流中的最后一位，也表示组成满量程输入范围的最小单位。

对于12位转换器来说，LSB的值相当于模拟信号满量程输入范围除以212或4,096的商。

如果用真实的数字来表示的话，对于满量程输入范围为4.096V的情况，一个12位转换器对应的LSB大小为1mV。

但是，将LSB定义为4096个可能编码中的一个编码对于我们的理解是有好处的。

　　让我们回到开头的技术指标，并将其转换到满量程输入范围为4.096V的12位转换器中：

　　失调误差=±3LSB=±3mV，

　　增益误差=±5LSB=±5mV，

这些技术参数表明转换器转换过程引入的误差最大仅为8mV（或8个编码）。

这绝不是说误差发生在转换器输出位流的LSB、LSB-1、LSB-2、LSB-3、LSB-4、LSB-5、LSB-6和LSB-7八个位上，而是表示误差最大是一个LSB的八倍（或8mV）。

准确地说，转换器的传递函数可能造成在4,096个编码中丢失最多8个编码。

丢失的只可能是最低端或最高端的编码。

例如，误差为+8LSB（（+3LSB失调误差）+（+5LSB增益误差））的一个12位转换器可能输出的编码范围为0至4,088。

丢失的编码为4088至4095。

相对于满量程这一误差很小仅为其0.2%。

与此相对，一个误差为-3LSB（（-3LSB失调误差）（-5LSB增益误差））的12位转换器输出的编码范围为3至4,095。

此时增益误差会造成精度下降，但不会使编码丢失。

丢失的编码为0、1和2。

这两个例子给出的都是最坏情况。

在实际的转换器中，失调误差和增益误差很少会如此接近最大值。

1.4场效应管及三级管型号大全

晶体管型号

反压Vbe0

电流Icm

功率Pcm

放大系数

特征频率

管子类型

IRFU020

50V

15A

42W

NMOS场效应

IRFPG42

1000V

150W

NMOS场效应

IRFPF40

900V

4.7A

150W

NMOS场效应

IRFP9240

200V

12A

150W

PMOS场效应

IRFP9140

100V

19A

150W

PMOS场效应

IRFP460

500V

20A

250W

NMOS场效应

IRFP450

500V

14A

180W

NMOS场效应

IRFP440

500V

150W

NMOS场效应

IRFP353

350V

14A

180W

NMOS场效应

IRFP350

400V

16A

180W

NMOS场效应

IRFP340

400V

10A

150W

NMOS场效应

IRFP250

200V

33A

180W

NMOS场效应

IRFP240

200V

19A

150W

NMOS场效应

IRFP150

100V

40A

180W

NMOS场效应

晶体管型号

反压Vbe0

电流Icm

功率Pcm

放大系数

特征频率

管子类型

IRFP140

100V

30A

150W

NMOS场效应

IRFP054

60V

65A

180W

NMOS场效应

IRFI744

400V

32W

NMOS场效应

IRFI730

400V

32W

NMOS场效应

IRFD9120

100V

NMOS场效应

IRFD123

80V

1.1A

NMOS场效应

IRFD120

100V

1.3A

NMOS场效应

IRFD113

60V

0.8A

NMOS场效应

IRFBE30

800V

2.8A

75W

NMOS场效应

IRFBC40

600V

6.2A

125W

NMOS场效应

IRFBC30

600V

3.6A

74W

NMOS场效应

IRFBC20

600V

2.5A

50W

NMOS场效应

IRFS9630

200V

6.5A

75W

PMOS场效应

IRF9630

200V

6.5A

75W

PMOS场效应

IRF9610

200V

20W

PMOS场效应

晶体管型号

反压Vbe0

电流Icm

功率Pcm

放大系数

特征频率

管子类型

IRF9541

60V

19A

125W

PMOS场效应

IRF9531

60V

12A

75W

PMOS场效应

IRF9530

100V

12A

75W

PMOS场效应

IRF840

500V

125W

NMOS场效应

IRF830

500V

4.5A

75W

NMOS场效应

IRF740

400V

10A

125W

NMOS场效应

IRF730

400V

5.5A

75W

NMOS场效应

IRF720

400V

3.3A

50W

NMOS场效应

IRF640

200V

18A

125W

NMOS场效应

IRF630

200V

75W

NMOS场效应

IRF610

200V

3.3A

43W

NMOS场效应

IRF541

80V

28A

150W

NMOS场效应

IRF540

100V

28A

150W

NMOS场效应

IRF530

100V

14A

79W

NMOS场效应

IRF440

500V

125W

NMOS场效应

晶体管型号

反压Vbe0

电流Icm

功率Pcm

放大系数

特征频率

管子类型

IRF230

200V

79W

NMOS场效应

IRF130

100V

14A

79W

NMOS场效应

BUZ20

100V

12A

75W

NMOS场效应

BUZ11A

50V

25A

75W

NMOS场效应

BS170

60V

0.3A

0.63W

NMOS场效应

2SC4582

600V

15A

75W

NPN

2SC4517

550V

30W

NPN

2SC4429

1100V

60W

NPN

2SC4297

500V

12A

75W

NPN

2SC4288

1400V

12A

200W

NPN

2SC4242

450V

40W

NPN

2SC4231

800V

30W

NPN

2SC4119

1500V

15A

250W

NPN

2SC4111

1500V

10A

250W

NPN

2SC4106

500V

50W

20MHZ

NPN

晶体管型号

反压Vbe0

电流Icm

功率Pcm

放大系数

特征频率

管子类型

2SC4059

600V

15A

130W

NPN

2SC4038

50V

0.1A

0.3W

180MHZ

NPN

2SC4024

100V

10A

35W

NPN

2SC3998

1500V

25A

250W

NPN

2SC3997

1500V

15A

250W

NPN

2SC3987

50V

20W

1000

NPN（达林顿）

2SC3953

120V

0.2A

1.3W

400MHZ

NPN

2SC3907

180V

12A

130W

30MHZ

NPN

2SC3893

1400V

50W

8MHZ

NPN

2SC3886

1400V

50W

8MHZ

NPN

2SC3873

500V

12A

75W

30MHZ

NPN

2SC3866

900V

40W

NPN

2SC3858

200V

17A

200W

20MHZ

NPN

2SC3807

30V

1.2W

260MHZ

NPN

2SC3783

900V

100W

NPN

晶体管型号

反压Vbe0

电流Icm

功率Pcm

放大系数

特征频率

管子类型

2SC3720

1200V

10A

200W

NPN

2SC3680

900V

120W

NPN

2SC3679

900V

100W

NPN

2SC3595

30V

0.5A

1.2W

NPN

2SC3527

500V

15A

100W

NPN

2SC3505

900V

80W

NPN

2SC3460

1100V

100W

NPN

2SC3457

1100V

50W

NPN

2SC3358

20V

0.15A

7000MHZ

NPN

2SC3355

20V

0.15A

6500MHZ

NPN

2SC3320

500V

15A

80W

NPN

2SC3310

500V

40W

NPN

2SC3300

100V

15A

100W

NPN

2SC1855

20V

0.02A

0.25W

550MHZ

NPN

2SC1507

300V

0.2A

15W

NPN

晶体管型号

反压Vbe0

电流Icm

功率Pcm

放大系数

特征频率

管子类型

2SC1494

36V

40W

175MHZ

NPN

2SC1222

60V

0.1A

0.25W

100MHZ

NPN

2SC1162

35V

1.5A

10W

NPN

2SC1008

80V

0.7A

0.8W

50MHZ

NPN

2SC900

30V

0.03A

0.25W

100MHZ

NPN

2SC828

45V

0.05A

0.25W

NPN

2SC815

60V

0.2A

0.25W

NPN

2SC380

35V

0.03A

0.25W

NPN

2SC106

60V

1.5A

15W

NPN

2SB1494

120V

25A

120W

PNP（达林顿）

2SB1429

180V

15A

150W

PNP

2SB1400

120V

25W

1000-20000

PNP（达林顿）

2SB1375

60V

PNP

2SB1335

80V

30W

PNP

2SB1317

180V

15A

150W

PNP

晶体管型号

反压Vbe0

电流Icm

功率Pcm

放大系数

特征频率

管子类型

2SB1316

100V

10W

15000

PNP（达林顿）

2SB1243

40V

70MHZ

PNP

2SB1240

40V

100MHZ

PNP

2SB1238

80V

0.7A

100MHZ

PNP

2SB1185

60V

25W

75MHZ

PNP

2SB1079

100V

20A

100W

5000

PNP（达林顿）

2SB1020

100V

40W

6000

PNP（达林顿）

2SB834

60V

30W

PNP

2SB817

160V

12A

100W

PNP

2SB772

40V

10W

PNP

2SB744

70V

10W

PNP

2SB734

60V

PNP

2SB688

120V

80W

PNP

2SB675

60V

40W

PNP（达林顿）

2SB669

70V

40W

PNP（达林顿）

晶体管型号

反压Vbe0

电流Icm

功率Pcm

放大系数

特征频率

管子类型

2SB649

180V

1.5A

PNP

2SB647

120V

0.9W

140MHZ

PNP

2SB449

50V

3.5A

22W

PNP

2SA1943

230V

15A

150W

PNP

2SA1785

400V

140MHZ

PNP

2SA1668

200V

25W

20MHZ

PNP

2SA1516

180V

12A

130W

25MHZ

PNP

2SA1494

200V

17A

200W

20MHZ

PNP

2SA1444

100V

1.5A

80MHZ

PNP

2SA1358

120V

10W

120MHZ

PNP

2SA1302

200V

15A

150W

PNP

2SA1301

200V

10A

100W

PNP

2SA1295

230V

17A

200W

PNP

2SA1265

140V

10A

30W

PNP

2SA1216

180V

17A

200W

PNP

晶体管型号

反压Vbe0

电流Icm

功率Pcm

放大系数

特征频率

管子类型

2SA1162

50V

0.15A

0.15W

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