IC制程专业词汇.docx
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IC制程专业词汇
頁次
英文名稱
中文名稱
1
ActiveArea
主動區（工作區）
2
ACETONE
丙酮
3
ADI----AfterDevelopInspection
顯影後檢查
4
AEI-----AfterEtchInspection
蝕刻後檢查
5
AIRSHOWER
空氣洗塵室
6
ALIGNMENT
對準
7
ALLOY/SINTER
熔合
8
AL/SI
鋁/矽靶
9
AL/SI/CU
鋁/矽/銅
10
ALUMINUN
鋁
11
ANGLELAPPING
角度研磨
12
ANGSTROm
埃
13
APCVD（ATMOSPRESSURE）
常壓化學氣相沈積
14
AS75
砷
15
ASHING，STRIPPING
電漿光阻去除
16
ASSEMBLY
晶粒封裝
17
BACKGRINDING
晶背研磨
18
BAKE,SOFTBAKE,HARDBAKE
烘烤，軟烤，預烤
19
BF2
二氟化硼
20
BOAT
晶舟
21
B.O.E
緩衝蝕刻液
22
BONDINGPAD
銲墊
23
BORON
硼
24
BPSG
含硼及磷的矽化物
25
BREAKDOWNVOLTAGE
崩潰電壓
26
BURNIN
預燒試驗
27
CAD
電腦輔助設計
28
CDMEASUREMENT
微距測試
29
CH3COOH
醋酸
30
CHAMBER
真空室,反應室
31
CHANNEL
通道
32
CHIP,DIE
晶粒
33
CLT（CARRIERLIFETIME）
截子生命週期
34
CMOS
互補式金氧半導體
35
COATING
光阻覆蓋
36
CROSSSECTION
橫截面
37
C-VPLOT
電容,電壓圓
38
CWQC
全公司品質管制
39
CYCLETIME
生產週期時間
40
CYCLETIME
生產週期時間
41
DEFECTDENSITY
缺點密度
42
DEHYDRATIONBAKEdehydrationbake
去水烘烤
43
DENSIFY
密化
44
DESCUM
電漿預處理
45
DESIGNRULE
設計規範
46
EDSIGNRULE
設計準則
47
DIEBYDIEALIGNMENT
每FIELD均對準
48
DIFFUSION
擴散
49
DIWATER
去離子水
50
DOPING
參入雜質
51
DRAM,SRAM
動態,靜態隨機存取記憶體
52
DRIVEIN
驅入
53
E-BEAMLITHOGRAPHY
電子束微影技術
54
EFR（EARLYFAILURERATE）
早期故障率
55
ELECTROMIGRATION
電子遷移
56
ELECTRON/HOLE
電子/電洞
57
ELLIPSOMETER
橢圓測厚儀
58
EM（ELECTROMIGRATIONTEST）
電子遷移可靠度測試
59
ENDPOINTDETECTOR
終點偵測器
60
ENERGY
能量
61
EPIWAFER
磊晶晶片
62
EPROM（ERASABLE-PROGRAMMABLEROM）
電子可程式唯讀記憶體
63
ESD
ELECTROSTATICDAMAGE
ELECTROSTATICDISCHARGE
靜電破壞
靜電放電
64
ETCH
蝕刻
65
EXPOSURE
曝光
66
FABRICATION（FAB）
製造
67
FBFC（FULLBITFUNCTIONCHIP）
全功能晶片
68
FIELD/MOAT
場區
69
FILTRATION
過濾
70
FIT（FAILUREINTIME）
71
FOUNDRY
客戶委託加工
72
FOURPOINTPROBE
四點偵測
73
F/S（FINESONICCLEAN）
超音波清洗
74
FTIR
傅氏轉換紅外線光譜分析儀
75
FTY（FINALTESTYIELD）
76
FUKEDEFECT
77
GATEOXIDE
閘極氧化層
78
GATEVALVE
閘閥
79
GEC（GOODELECTRICALCHIP）
優良電器特性晶片
80
GETTERING
吸附
81
G-LINE
G-光線
82
GLOBALALIGNMENT
整片性對準與計算
83
GOI（GATEOXIDEINTEGRITY）
閘極氧化層完整性
84
GRAINSIZE
顆粒大小
85
GRRSTUDY（GAUGEREPEATABILITyANDREPRODUUCIBILITY）
測量儀器重複性與再現性之研究
86
H2SO4
硫酸
87
H3PO4
磷酸
88
HCL
氯化氫（鹽酸）
89
HEPA
高效率過濾器
90
HILLOCK
凸起物
91
HMDS
HMDS蒸鍍
92
HNO3
硝酸
93
HOTELECTRONEFFECT
熱電子效應
94
I-LINESTEPPER
I-LINE步進對準曝光機
95
IMPURITY
雜質
96
INTEGRATEDCIRCUIT（IC）
積體電路
97
IONIMPLANTER
離子植入機
98
IONIMPLANTATION
離子植入
99
ISOTROPICETCHING
等向性蝕刻
100
ITY（INTEGRATEDTESTYIELD）
综合测试良率
101
LATCHUP
栓鎖效應
102
LAYOUT
佈局
103
LOADLOCK
傳送室
104
LOTNUMBER
批號
105
LPCVD（LOWPRESSURE）
低壓化學氣相沈積
106
LPSINTER
低壓燒結
107
LPY（LASERPROBEYIELD）
雷射修補前測試良率
108
MASK
光罩
109
MICRO,MICROMETER,MICRON
微，微米
110
MISALIGN
對準不良
111
MOS
金氧半導體
112
MPY（MULTIPROBEYIELD）
多功能偵測良率
113
MTBF（MEANTIMEBETWEENFAILURE）
平均失效时间
114
N2,NITROGEN
氮氣
115
N,PTYPESEMICONDUCTOR
N,P型半導體
116
NSG（NONDOPEDSILICATEGLASS）
無參入雜質矽酸鹽玻璃
117
NUMERICALAPERTURE（N.A.）
數值孔徑
118
OEB（OXIDEETCHBACK）
氧化層平坦化蝕刻
119
OHMICCONTACT
歐姆接觸
120
ONO（OXIDENITRIDEOXIDE）
氧化層-氮化層-氧化層
121
OPL（OPLIFE）（OPERATIONLIFETEST）
使用期限（壽命）
122
OXYGEN
氧氣
123
P31
磷
124
PARTICLECONTAMINATION
塵粒污染
125
PARTICLECOUNTER
塵粒計數器
126
PASSIVATIONOXIDE（P/O）
護層
127
P/D（PARTICLEDEFECT）
塵粒缺陷
128
PECVD
電漿CVD
129
PELLICLE
光罩護膜
130
PELLICLE
光罩保護膜
131
PH3
氫化磷
132
PHOTORESIST
光阻
133
PILOTWAFER
試作晶片
134
PINHOLE
針孔
135
PIRANHACLEAN
過氧硫酸清洗
136
PIX
聚醯胺膜
137
PLASMAETCHING
電將蝕刻
138
PM（PREVENTIVEMAINTENANCE）
定期保養
139
POCL3
三氯氧化磷
140
POLYSILICON
複晶矽
141
POX
聚醯胺膜含光罩功能
142
PREHEAT
預熱
143
PRESSURE
壓力
144
REACTIVEIONETCHING（R.I.E.）
活性離子蝕刻
145
RECIPE
程式
146
REFLOW
回流
147
REGISTRATIONERROR
註記差
148
RELIABILITY
可靠性
149
REPEATDEFECT
重複性缺點
150
RESISTIVITY
阻值
151
RESOLUTION
解析力
152
RETICLE
光罩
153
REWORK/SCRAP/WAIVE
修改/報廢/簽過
154
RUNIN/OUT
擠進/擠出
155
SCRUBBER
刷洗機
156
SAD
（SOFTWAREDEFECTANALYSIS）
缺陷分析軟體
157
SEM
（SCANNINGELECTRONMICROSCOPE）
電子顯微鏡
158
SELECTIVITY
選擇性
159
SILICIDE
矽化物
160
SALICIDE
金屬矽化物
161
SILICON
矽
162
SILICONNITRIDE
氯化矽
163
SMS
（SEMICODUCTORMANUFACTURINGSYSTEMS）
半導體製造系統
164
SOFTWARE,HARDWARE
軟體,硬體
165
S.O.G.（SPINONGLASS）
旋製氧化矽
166
S.O.J.
（SMALLOUTLINEJ-LEADPACKAGE）
縮小型J形腳包裝IC
167
SOLVENT
溶劑
168
SPECIFICATION（SPEC）
規範
169
SPICEPARAMETER
SPIC參數
170
S.R.A
（SPREADINGRESISTENCEANALYSIS）
展佈電阻分析
171
SPUTTERING
濺鍍
172
SSER
（SYSTEMSOFTERRORRATETEST）
系統暫時性失效比率測試
173
STEPCOVERAGE
階梯覆蓋
174
STEPPER
步進式對準機
175
SURFACESTATUS
表面狀態
176
SWR（SPECIALWORKREQUEST）
177
TARGET
靶
178
TDDB
（TIMEDEPENDENTDIELECTRICBREAKDOWN）
介電質層崩溃的時間依存性
179
TECN（TEMPORARYENGINEERINGCHANGENOTICE）
臨時性製程變更通知
180
TEOS
（TETRAETHYLORTHOSILICATE）
四乙基氧化矽/正硅酸乙脂
181
THRESHOLDVOLTAGE
臨界電壓
182
THROUGHPUT
產量
183
TMP
（TIMEMORYPROTOTYPE，TMS-XTIMEMORYSTANDARDPRODUCT）
TI記憶產品樣品（原型），TI記憶體標準產品
184
TOX
氧化層厚度
185
TROUBLESHOOTING
故障排除
186
UNDERCUT
底切度
187
UNIFORMITY
均勻度
188
VACUUM
真空
189
VACUUMPUMP
真空幫浦
190
VERNIER
遊標尺
191
VIACONTACT
連接窗/接触孔
192
VISCOSITY/stickness
黏度
193
VLF
（VERTICALLAMINARFLOW）
垂直流層
194
WELL/TANK
井區
195
WLRC
（WAFERLEVELRELIABILITYCONTROL）
晶圓層次（廠內）可靠度控制
196
WLQC（WAFERLEVELQUALITYCONTROL）
晶圓層次（廠內）品質控制
197
X-RAYLITHOGRAPHY
X光微影技術
198
YELLOWROOM
黃光室
1.•VtcoulddropsorclimbsasgatelengthshrinksShortChannelEffectorReverseShortChannelEffect.
2•VtcoulddropsorclimbsasAAwidthshrinksNarrowwidthEffectorReverseNarrowWidthEffect.
3•ChannelprofiledeterminesSCEandRSCE.
4•IsolationstructureandchannelprofiledeterminesNWEandRNWE.
LOCOS
STI
ASIC:
专用集成电路applicationspecificIC
W/S:
width/space
STI:
shallowslotisolation
Slurry泥浆,浆
Pad衬垫
RTI实时检测
SCspeciallycharacteristic关键属性
NumericalAperture（N.A.）數值孔徑
LDD:
lowdosedrain轻掺杂漏极:
tosupperesstheSCE
ATPG:
autotestpatterngenerator
ADI:
AfterDevelopingInspection
DIBL（DrainInducedBarrierLowering）
GIDL（gateinduceddrainleakage）
PSMphase-shiftmask相移掩膜技术
SC1standardclean1
SC2standardclean2
FEOLfront-endofline
BEOLback-endofline
DIBL:
draininducedbarrierlower
GIDL:
draininduceddrainleakage
SCE:
shortchanneleffect
SACoxide:
sacrificeoxide
DARC:
dielectricanti-reflectivecoating无机物;barc&tarcbottomandtop有机物
SDE:
source/drain-extension
RCA:
SC1+SC2
Caro:
3号液：
PRRM:
PhotoResistReMove
EKC:
EKC270T（solventname）
APM，SPM，HPM的主要成分，除何种杂质；HF的作用。
APMNH4OH:
H2O2:
H2O=1:
1:
5SC1
主要去除微颗粒，可除部分金属离子。
HPMHCL:
H2O2:
H2O=1:
1:
6SC2
主要作用是去除金属离子。
SPMH2SO4:
H2O2=4:
1
主要作用是去除有机物（主要是残留光刻胶）。
HF的主要作用是去除OX。
TSN:
thinSiN
DNW:
deepN-well
Aspectratio:
深宽比、高宽比
ARDE:
aspectratiodependetch
ASIC:
专用集成电路applicationspecificIC
STR:
speciallTestRequest
EDM:
equipmentdownmanagement
Peeling:
剥皮
SSRW:
SuperSteepRetrogradeWell
VCE:
vacuumcassetteelevator
CWF:
customorwaferform
ERB:
BKSP:
backsidepressure
PNL:
pulsenucleationlayer
SWR:
speciallyworkrequest
VOC:
volatileorganicchemistry
ECP:
electricchemicalplanting
PRBFail:
串并联转换
FIB:
Focusionbeam
PECS:
preciseetch&coatingsystem
OTP:
onetimeprogram
ASI:
afterstripinspection
DOE:
designofexperiment
FEM:
focusenergymatrix
RS/RC:
sheetresistance/contactresistance
EBR:
ESC:
electrostaticchuck静电吸盘
SOP:
standardoperationprogram
DBR:
OPC:
opticalproximitycorrection
sheath:
外壳，鞘
EAR:
engineeringabnormalreport
EAP:
engineeringautomaticprogram
MSTR:
MASSspecialltechnologyrequest
CTM:
customer
Arcing:
静电放电过程造成的灼伤，比如sputtering’splasma
DRB:
Dispositionreviewboard
DCVD:
DielectricCVD
TEG:
testelementgroup
Tec:
thermalexpansioncoefficient
TTF:
totallife
FN:
FNinjection:
Spking:
由于al和si的互溶性造成的al在si中扩散导致的穿刺现象
SOF:
stoponwafer:
whenonebinfailcomeout,teststops;
COF:
continueonwafer:
whenonebinfailcomesout,testcontinueforothertestitems.
Qual:
abrrviationofqualification
Conerlot:
thecurveIdsatNvs.IdsatPandformawindowinitthelotcanberunsafe.
PRBS:
PseudoRandomBinarySequence
ZEROmark:
35D3H2L2350A,Deepth3um,hump2um,holediameter2um
OAI（Off-AxisIlluminator）:
•Definition:
Akindofspecialilluminationmodetoimproveprocessperformance（DoF）.
•Ingeneral,thereare3kinds:
smallσ,Quadruple,Annular
•Thistechnologyisveryusefulandeasytouse,butbadthroughput（~30%Intensitydecrease
P.E.B:
PostExposureBake
==>I-line:
ReduceStandingWaveeffect
==>DUV:
DiffusePhotoAcid（Coreprocess）
•RootcauseofStandingWave（I-line）
==>DifferentconcentrationofdissolvedPACbecauseoflightwave
•PEBtemperatureofDUVdecideCDanditsprofile:
Itdependsonresist
•NeedtoevaluateoptimumTemp:
BelowPACdissolutionTemp（130ºC）
•I-line（110ºC~120ºC）,DUV（110ºC~130ºC）areoptimumTemp.
OPC:
opticalproximitycorrelation
DOF:
DepthOfFocus
IMP:
IonMetalPlasma
Gallon:
加仑英：
4.546美3.785升（liter）
SIP:
Self-IonizedPlasma
F/O:
fabout=throughput
Darkfielddetection暗场检测
Descum扫底膜
DiboraneB2H6乙硼烷
Dichlorosilane/dichloride/silaneH2SiCl2二氯甲硅烷/二氯化物/硅烷
Discrete分离元器件
Dishing凹陷
ECR:
electroncyclotronresonance
Enhancementmode/depletionmode增强型/耗尽型
FLIP:
FloatingIndevedPointArithmetic变址浮点运算
FLOP:
FLoatingOctalPoint浮点八进制
DFLIP-FLOPD触发器
頁次
英文名稱
中文名稱
解析
1
ActiveArea
主動區（工作區）
主動電晶體（ACTIVETRANSISTOR）被製造的區域即所謂的主動區（ACTIVEAREA）。
在標準之MOS製造過程中ACTIVEAREA是由一層氮化矽光罩即等接氮化矽蝕刻之後的局部場區氧化所形成的，而由於利用到局部場氧化之步驟，所以ACTIVEAREA會受到鳥嘴（BIRD'SBEAK）之影響而比原先之氮化矽光罩所定義的區域來的小，以長0.6UM之場區氧化而言，大概會有0.5UM之BIRD'SBEAK存在，也就是說
ACTIVEAREA比原在之氮化矽光罩所定義的區域小0.5UM。
2
ACTONE
丙酮
1.丙酮是有機溶劑的一種，分子式為CH3COCH3。
2.性質為無色，具刺激性及薄荷臭味之液體。
3.在FAB內之用途，主要在於黃光室內正光阻之清洗、擦拭。
4.對神經中樞具中度麻醉性，對皮膚黏膜具輕微毒性，長期接觸會引起皮膚炎，
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