位移位存储总线寄存器CD4094中文资料.docx
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位移位存储总线寄存器CD4094中文资料
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CD4094是带输出锁存和三态控制的串入/并出高速转换器，具有使用简单、功耗低、驱动能力强和控制灵活等优点。
CD4094的引脚图及引脚描述
其中
（1）脚为锁存端，
（2）脚为串行数据输入端，
（3）脚为串行时钟端。
（1）脚为高电平时，8位并行输出口Q1～Q8在时钟的上升沿随串行输入而变化；
（1）脚为低电平时，输出锁定。
利用锁存端可方便地进行片选和级联输出控制。
（15）脚为并行输出状态控制端，（15）脚为低电平时，并行输出端处在高阻状态，在用CD4094作显示输出时，可使显示数码闪烁。
（
9）脚QS、（10）脚Q′S是串行数据输出端，用于级联。
QS端在第9个串行时钟的上升沿开始输出，Q′S端在第9个串行时钟的下降沿开始输出。
当CD4094电源为5V时，输出电流大于3．2MA，灌电流为1MA。
串行时钟频率可达2．5MHZ。
CD4094引脚图
CD4094真值表：
Clock
OutputEnable
Strobe
Data
ParallelOutputs并行输出
SerialOutputs串行输出
Q1
QN
QS（Note1）
QS
↑
0
X
X
三态
三态
Q7
不变
↓
0
X
X
三态
三态
不变
Q7
↑
1
0
X
不变
不变
Q7
不变
↑
1
1
0
0
QN-1
Q7
不变
↑
1
1
1
1
QN-1
Q7
不变
↓
1
1
1
不变
不变
不变
Q7
CD4094内部电路方框图
AbsoluteMaximumRatings绝对最大额定值：
SupplyVoltage电源电压（VDD）
-0.5To+18VDC
InputVoltage输入电压（VIN）
-0.5ToVDD+0.5VDC
StorageTemperatureRange储存温度范围（TS）
-65℃To+150℃
PowerDissipation功耗（PD）
Dual-In-Line普通双列封装
700MW
SmallOutline小外形封装
500MW
LeadTemperature焊接温度（TL）
Soldering,10Seconds）（焊接10秒）
260℃
RecommendedOperatingConditions建议操作条件：
DCSupplyVoltage直流供电电压（VDD）
+3.0To+15VDC
InputVoltage输入电压（VIN）
0ToVDDVDC
OperatingTemperatureRange工作温度范围（TA）
-40℃To+85℃
DCElectricalCharacteristics直流电气特性：
Symbol符号
Parameter参数
Conditions条件
-40°C
+25°C
+85°C
Units单位
最小
最大
最小
典型
最大
最小
最大
IDD
QuiescentDeviceCurrent静态电流
VDD=5.0V
20
20
150
ΜA
VDD=10V
40
40
300
VDD=15V
80
80
600
VOL
LOWLevelOutputVoltage输出低电平电压
VDD=5.0V
|IO|≤1.ΜA
0.05
0
0.05
0.05
V
VDD=10V
0.05
0
0.05
0.05
VDD=15V
0.05
0
0.05
0.05
VOH
HIGHLevelOutputVoltage输出高电平电压
VDD=5.0V
|IO|≤1μA
4.95
4.95
5.0
4.95
V
VDD=10V
9.95
9.95
10.0
9.95
VDD=15V
14.95
14.95
15.0
14.95
VIL
LOWLevelInputVoltage输入低电平电压
VDD=5.0V,VO=0.5VOr4.5V
1.5
1.5
1.5
V
VDD=10V,VO=1.0VOr9.0V
3.0
3.0
3.0
VDD=15V,VO=1.5VOr13.5V
4.0
4.0
4.0
VIH
HIGHLevelInputVoltage输入高电平电压
VDD=5.0V,VO=0.5VOr4.5V
3.5
3.5
3.5
V
VDD=10V,VO=1.0VOr9.0V
7.0
7.0
7.0
VDD=15V,VO=1.5VOr13.5V
11.0
11.0
11.0
IOL
LOWLevelOutputCurrent输出低电平电流（Note4）
VDD=5.0V,VO=0.4V
0.52
0.44
0.88
0.36
MA
VDD=10V,VO=0.5V
1.3
1.1
2.25
0.9
VDD=15V,VO=1.5V
3.6
3.0
8.8
2.4
IOH
HIGHLevelOutputCurrent输出高电平电流（Note4）
VDD=5.0V,VO=4.6V
-0.52
-0.44
0.88
-0.36
MA
VDD=10V,VO=9.5V
-1.3
-1.1
2.25
-0.9
VDD=15V,VO=13.5V
-3.6
-3.0
8.8
-2.4
IIN
InputCurrent输入电流
VDD=15V,VIN=0V
-0.3
-0.3
-1.0
ΜA
VDD=15V,VIN=15V
0.3
0.3
1.0
IOZ
3-STATEOutputLeakageCurrent3态输出漏电流
VDD=15V,VIN=0VOr15V
1
1
10
ΜA
ACElectricalCharacteristics交流电气特性：
Symbol符号
Parameter参数
Conditions条件
最小
典型
最大
Units单位
TPHL,TPLH
PropagationDelayClockToQS
VDD=5.0V
300
600
Ns
VDD=10V
125
250
VDD=15V
95
190
TPHL,TPLH
PropagationDelayClockToQ¢S
VDD=5.0V
230
460
Ns
VDD=10V
110
220
VDD=15V
75
150
Ns
TPHL,TPLH
PropagationDelayClockToParallelOut
VDD=5.0V
420
840
Ns
VDD=10V
195
390
VDD=15V
135
270
TPHL,TPLH
PropagationDelayStrobeToParallelOut
VDD=5.0V
290
580
Ns
VDD=10V
145
290
VDD=15V
100
200
TPHZ
PropagationDelayHIGHLevelToHIGHImpedance
VDD=5.0V
140
280
Ns
VDD=10V
75
150
VDD=15V
55
110
TPLZ
PropagationDelayLOWLevelToHIGHImpedance
VDD=5.0V
140
280
Ns
VDD=10V
75
150
VDD=15V
55
110
TPZH
PropagationDelayHIGHImpedanceToHIGHLevel
VDD=5.0V
140
280
Ns
VDD=10V
75
150
VDD=15V
55
110
TPZL
PropagationDelayHIGHImpedanceToLOWLevel
VDD=5.0V
140
280
Ns
VDD=10V
75
150
VDD=15V
55
110
TTHL,TTLH
TransitionTime过渡时间
VDD=5.0V
100
200
Ns
VDD=10V
50
100
VDD=15V
40
80
TSU
Set-UpTimeDataToClock建立时间数据时钟
VDD=5.0V
80
40
Ns
VDD=10V
40
20
VDD=15V
20
10
Tr,Tf
MaximumClockRiseAndFallTime最大时钟上升和下降时间
VDD=5.0V
1
Ms
VDD=10V
1
VDD=15V
1
TPC
MinimumClockPulseWidth最小时钟脉冲宽度
VDD=5.0V
200
100
Ns
VDD=10V
100
50
VDD=15V
83
40
TPS
MinimumStrobePulseWidth
VDD=5.0V
200
100
Ns
VDD=10V
80
40
VDD=15V
70
35
Fmax
MaximumClockFrequency最大时钟频率
VDD=5.0V
1.5
3.0
MHz
VDD=10V
3.0
6.0
VDD=15V
4.0
8.0
CIN
InputCapacitance输入电容
AnyInput
5.0
7.5
PF
测试电路和3态时序图
时序图
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