6035μm SiGe锗硅集成电路芯片生产线项目可行性研究报告.docx
《6035μm SiGe锗硅集成电路芯片生产线项目可行性研究报告.docx》由会员分享，可在线阅读，更多相关《6035μm SiGe锗硅集成电路芯片生产线项目可行性研究报告.docx（65页珍藏版）》请在冰豆网上搜索。
6035μmSiGe锗硅集成电路芯片生产线项目可行性研究报告
6″、0.35μmSiGe（锗硅）集成电路芯片生产线项目
可行性研究报告
第一章总论……………………………………………………………1
1.1项目名称与通讯地址…………………………………………1
1.2内容提要…………………………………………………1
1.3项目建设的必要性和有利条件……………………………2
1.4可行性研究报告编制依据…………………………………5
1.4研究结果……………………………………………………6
第二章投资方简介…………………………………………………9
2.1某实业有限公司……………………………………9
2.2某公司……………………………………………10
第三章该产业国内外发展情况………………………………………11
3.1产品主要应用领域和意义……………………………………11
3.2国际-国内技术水平发展情况………………………………13
3.3产品国际-国内市场发展情况………………………………16
3.4产业的国内外发展形势………………………………………18
第四章产品大纲及可占领市场分析……………………………20
4.1产品大纲………………………………………………………20
4.2产品简介…………………………………………………20
4.3投产计划………………………………………………………22
4.4可占领市场分析……………………………………………23
第五章生产技术与生产协作…………………………………………24
5.1生产工艺流程…………………………………………………24
5.2主要技术及来源………………………………………………24
5.3技术转移的实施和主要技术团队……………………………26
5.4主要外协关系与关键原材料供应……………………………31
第六章生产线建设………………………………………………32
6.1建设目标………………………………………………………32
6.2经营模式………………………………………………………32
6.3设备配置………………………………………………………33
6.4主要仪器设备清单……………………………………………34
6.5生产环境要求………………………………………………36
第七章工程建设方案…………………………………………………37
7.1建设目标与建设内容…………………………………………37
7.2总图………………………………………………………39
7.3建筑结构设计…………………………………………………39
7.4建筑服务系统…………………………………………………39
7.5工艺服务系统…………………………………………………42
7.6电气……………………………………………………………45
第八章消防、环保、安全、节能………………………………48
8.1消防………………………………………………………48
8.2环境保护………………………………………………………51
8.3安全卫生………………………………………………………55
8.4节能……………………………………………………………60
第九章组织机构及人员编制…………………………………………63
9.1董事会组成……………………………………………………63
9.2组织机构………………………………………………………63
9.3人员编制………………………………………………………63
9.4人员培训………………………………………………………63
第十章实施进度………………………………………………………65
第十一章投资估算与资金筹措………………………………………66
11.1建设投资估算…………………………………………………66
11.2流动资金估算…………………………………………………68
11.3项目总投资……………………………………………………68
11.4资金筹措………………………………………………………68
第十二章经济分析…………………………………………………69
12.1基本数据………………………………………………………69
12.2财务评价………………………………………………………71
12.3经济评价结果……………………………………………72
12.4综合评价………………………………………………………73
附表：
1、总投资估算表
2、流动资金估算表
3、投资计划与资金筹措表
4、总成本费用估算表
5、损益表
6、现金流量表（全部投资）
7、贷款还本付息计算表
8、资金来源与运用表
9、销售收入及税金计算表
附图：
1、区域位置图
（1）
2、区域位置图
（2）
3、总平面图
4、一层工艺区划图
5、二层工艺区划图
附件：
第一章总论
1.1项目名称与通信地址
项目名称：
6″、0.35μmSiGe（锗硅）集成电路芯片生产线项目
承办单位：
某实业有限公司
法人代表：
项目负责人：
通信地址：
邮政编码：
传真：
电话：
1.2内容提要
由某实业有限公司（以下简称**公司）作为中方投资公司与某某（亚洲）集团有限公司（以下简称某公司）在**合资组建一家合资企业，共同投资兴建6″、0.35μmSiGe（锗硅）集成电路芯片生产线项目，主要产品包括SiGe芯片和普通Si功率MOS器件芯片，形成月投片量5000片的生产能力。
项目总体规划分两期建设，一期工程初期实现6″SiGeHBT和SiGeVCO芯片共计5000片/月的生产能力（本项目），根据产品市场的发展和需求情况最终可形成20000片/月的生产能力，二期工程兴建8″生产线，实现月产8″SiGe芯片20000片。
一期工程规划用地116000m2（包括研发中心用地20000m2），二期工程规划用地84000m2，总用地200000m2。
本项目总投资（建设投资）2998.9万美元，注册资金1500万美元，**公司占合资公司总股本的60%，某公司占合资公司总股本的40%。
项目总投资中注册资金以外的部分（1498.9万美元），将以合资公司名义向境内或境外金融机构贷款解决。
本项目用地由**市政府免费提供，一期工程用地位于**市宝龙工业园区，用地面积96200m2，研发中心用地19800m2，位于**市高新技术产业园区，规划建筑包括生产厂房（FAB1和FAB2）、动力厂房、综合楼、多功能中心、专家楼、倒班宿舍、化学品库、气站等，本项目（5000片）新建其中的生产厂房（FAB1）、动力厂房和倒班宿舍，合计新建面积26600m2，其它建筑和子项根据生产规模的扩大实行分步实施。
生产厂房（FAB1）按月投片20000的规模建设，洁净室和相配套的生产动力设施按5000片规模配置。
预计本项目达产年销售收入9633.82万美元，利润2848.96万美元，项目内部收益率57.26%，投资回收期3.23年。
1.3项目建设的必要性和有利条件
1.3.1项目意义
本项目旨在建立一条6”0.35μmSiGe集成电路芯片生产线，该生产线同Si集成电路具有兼容性，因此该生产线除了可以生产SiGe器件以外，也可以根据市场需求生产其它Si器件。
本项目在投产初期，由于考虑到SiGe器件市场有一个发展过程，因而安排一定的生产量生产有用户需求的功率MOS器件，这样项目既考虑到一步就迈上了生产当前国际上先进的高频SiGe器件，为进一步发展这一类器件抢占更大的市场奠定基础，同时又能保证生产线的产量能达到饱和值，并为企业带来更大的效益。
本项目的建立具有如下意义：
（1）填补国内SiGe高频器件生产的空白，推动我国SiGe集成电路生产赶上国际先进水平。
SiGe高频器件是一种利用硅基片及能带工程的新型异质结双极器件，由于具有优良的高频特性同时又具有价格低廉以及同硅集成电路兼容集成的优点，因而深受各国重视。
尽管1987年第一只SiGeHBT诞生，并经历了十几年的研究及发展，但一直到1998年真正的SiGe产品才问世。
本项目利用韩国合资方某公司掌握的先进SiGe器件及电路工艺技术生产的SiGe器件及集成电路，使我国能在最短的时间内填补这种器件及电路的空白，推动我国SiGe集成电路生产赶上国际先进水平。
（2）满足我国高频应用领域的需求，促进相关应用领域的发展
随着我国光纤通信、航天科技及军事科技的迅速发展，对高频电路不仅在数量上有更多的要求，而且希望电路满足低成本、小体积及能同硅电路兼容集成，从而构成系统集成芯片。
SiGe技术正好满足这些要求，因而建立6英寸0.35μmSiGe集成电路生产线，能扭转我国目前高频电路主要依赖GaAs器件及大部分靠进口的状态，从而促进我国相关应用领域的发展。
（3）拓宽我国微电子产品的领域，形成我国SiGe集成电路生产及研发基地。
多年来我国微电子工业的发展缓慢，尽管截止2000年我国已共有25条微电子生产线，但除了上海华虹NEC的8英寸0.25μm产品刚进入当代国际硅主流技术水平以外，其它生产线以生产低中档产品为主。
近年来我国微电子工业发展速度有所加快，特别上海“中心国际”及“宏力”8英寸0.25生产线的建立，扩充了我国集成电路的生产能力，提高了我国集成电路的产品水平。
但是上述所有微电子生产线均未考虑SiGe器件的生产。
因此本项目SiGe集成电路生产线的建立，可以拓宽我国微电子产品的领域，本项目第二期工程拟升级成8英寸加工线，并将建立SiGe集成电路研究及发展中心，最终形成我国SiGe集成电路生产及研发基地。
（4）带动我国高频电路及系统集成芯片设计行业的发展
多年来我国从事高频电路设计的科技人员均以GaAs器件为主要对象，原因是缺乏新的高频器件，本项目SiGe器件生产线的建立，为建立SiGe高频电路及系统集成芯片设计平台提供了一个验证及保证的条件，从而带动我国高频电路及系统集成芯片设计行业的发展。
（5）推动**市电子信息产业的进一步发展
电子及通信设备制造业是**工业的主导行业，但是**市的微电子工业由于起步较晚相对落后。
据统计2000年**直接使用的集成电路50亿美元中，90％依靠进口。
在高频应用的电路中，由于采购困难更限制了相关电子产品的发展。
本项目利用少量投资，购置以翻新设备为主的6英寸0.35μm设备，建立一条相对水平较高的SiGe集成电路生产线，不仅具有很好的经济意义，而且能缓解上述矛盾，并推动**市电子信息产业的发展。
1.3.2项目建设的有利条件
（1）**具有建设高技术集成电路芯片项目的良好环境
**与上海、北京一样，是国内最有条件发展集成电路芯片制造业的城市之一。
**市为加速和鼓励发展集成电路芯片制造业，配合国务院18号文精神，对该项目提出了包括地租、贴息贷款和水电价格等多项优惠政策，为本项目的实施创造了有利条件。
**及周边珠江三角洲地区是国内集成电路主要的集散地之一，华南地区集成电路消耗量占国内的一半以上，同时也是中国最大的光通讯、无线通讯、网络设备生产开发中心，占据中国该类产品生产的70%以上。
2000年中国电子信息百强前30名中有超过1/3在**及其附近地区，包括华为、中兴、康佳、德塞、长城等，这些大公司使用大量集成电路，使得广东的电路进口数量占全国的60-70%。
项目具有良好的投资环境和市场环境。
此外，**作为中国最年轻和最具活力的国际化大都市，毗邻香港，利用靠近香港、交通便利的地理优势，容易吸引优秀的国际人才，产品可方便地面向海外市场。
（2）本项目合作方某公司充分提供工艺技术、人员培训、工艺设备维护以及具有丰富经验的集成电路生产管理技术团队支持。
目前某公司
升级会员 