半导体ICP题库.docx
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一，选择题。
ICP刻蚀机的分子泵正常运行时的转速大约在（
A20000
C40000
北微ICP本底真空和漏率指标为（A
A0—0.1mT<1mT/min
C0.3--0.5mT<1.0mT/min
1、
2、
3、
NMC刻蚀机当前SRF时间为（
A50H
）RPM
32000
18000
时，设备能够正常工作
B>2.5mT
D>0.5mT
C）时，要求对设备进行开腔清洁
B100H
4、
5、
6、
7、
C200H
SLRICP托盘、螺丝等清洗标准作业流程（ABC）
A:
用DI水喷淋托盘（底盘和盖子）、耐高温橡皮条（
B:
用N2吹干
C:
螺丝使用一次后清洗；托盘和橡皮条使用三次后清洗；ELEDEICP铝盘、石英盖、密封圈清洗标准作业流程
A.用DI水浸泡石英托盘20min
B.用DI水冲洗一遍
C.用N2吹干
D.用IPA擦拭密封圈
ELEDEICP卸晶片标准操作流程（ABC）
A.用专用螺丝刀把托盘的螺丝拧松，用手拧开，放回固定位置
B.用手轻轻地取出石英盖
C.用专用镊子将晶片夹放到相应的盒子里
CORIALICP卸晶片工艺步骤（ABC）
A.
B.
C.
D2000H
当天全部声波清洗
（ABCD）
<2mT/min
<2.5mT/min
用小起子将铝盖轻轻翘开
移开铝板
用真空吸笔将蚀刻片吸到相应的盒子里
二，填空题。
1.蚀刻好的晶片测得的高度是1.75um底径是2.74um那么需要进行补刻大约
2.蚀刻时一般设置氦气的压力是4Torr当实际压力超过5.2Torr会报警氦漏
3.NMC机台正常工作时分子泵的转速是32000RPM
4.在NMC工作中氮气的作用是吹扫腔体氦气的作用时冷却晶片（托盘）氧气的作用
是清洁腔室三氯化硼的作用是蚀刻晶片
5.1Torr=133Pa
6.清洗晶片时丙酮的作用是清洗
300S
7.曝光使光刻胶有选择性，正胶光照地方，应掉
8.ICP的清洁没有做好会造成晶片死区盲区
9.造成马赛克的因素有晶片的平整度,_
有机物异丙醇的作用是清洗
负胶未被光照地方，光刻胶被显影液反
丙酮
—等缺陷匀胶的均匀性
曝光台的清洁度
10.NMC机台连续工作_5小时需要做Dryclean
11.每周五检查冷冻机冷冻液剩余情况，低于第一个金属环时应添加异丙醇
12.当机台闲置2小时以上再生产时，应对机台进行一次预热动作
13.作业过程中，杜绝晶片放错片盒，以工艺记录本的刻号为准
14.
15.
16.
17.
18.
19.
四，问答题：
1.在检测发现有很多的废片如满天星；边不对称；刮花等，试分析一下造成这些废片的原因。
答：
造成满天星的因素可能是1晶片曝光过程中光刻板污染、显影过程中脱胶等，但是刻蚀前没有镜检，2装完片没有进行吹扫有颗粒落在晶片上，3机台长久没有做PM有颗粒掉在晶
片上。
边不对称：
1装片时没有调整好，2盖石英盖时造成晶片移位。
刮花：
1装片调整时镊子刮到晶片，2目检时遗漏了刮花缺陷，3拧螺丝时手指衣袖等
碰到晶片。
2.
在"设置托盘存在状态下”设置腔室的选项为托盘不存123,4,5的位置都设置为托盘不存在然后点击“与系统此时机械手臂上会显示有托盘，其他地方都没有托盘，
NMC机台在进行手动操作时，机台里只有一个托盘，托盘真正的位置在机械手臂上，但是系统显示托盘位置为未知状态，此时该如何操作？
答：
点击手动模式再点击托盘同步，在，机械手臂为托盘存在托盘记录同步”点击“与设备信号同步”这样就可以进行接下来的操作了。
3.
2.5um，要刻出高度约为1.55um的产品,
什么叫做选择比？
如果晶片上光刻胶的厚度是那么理想的选择比应该是多少？
要刻出高度为1.55um
答：
选择比就是蚀刻蓝宝石衬底的速度与蚀刻光刻胶的速度的比值。
的晶片理想的选择比应该是0.62以上
选择比=1.55/2.5=0.62
4.下图是一张简化的NMC机台的工艺配方，描述一下各个参数的含义。
参数
Stable
1
Etch1
Stable
2
Etch2
Stabl
e3
Etch
3
flow
Pressure（mTorr）
3
3
3
3
1.5
1.5
0
SRFPower（W）
0
1900
0
1400
0
1900
0
BRFPower
0
200
0
200
0
700
0
HeliumPressure（Torr）
4
4
4
4
4
4
4
GasBCL3（300sccm）
80
80
80
80
40
40
0
Time（sec）
20
600
10
600
10
450
60
PenvIvPositionDelayTime
0
0
0
0
0
0
1000
SRFReflectPower（W）
50
50
50
50
50
50
50
BRFReflectPower（W）
50
50
50
50
50
50
50
C5SetPoint
40
40
40
40
40
40
40
答：
Pressure（mTonj工艺腔室压力，SRFPower（W）上电极加载功率，BRFPower
下电极加载功率，HeliumPressure（Torr）氦气压力，GasBCL3（300sccm）三氯化硼流量，
Time（sec）蚀刻时间，PenvlvPositionDelayTimePV摆阀位置，SRFReflectPower（W）上电极
反射功率，BRFReflectPower（W）下电极反射功率，C5SetPoint等离子体密度。
5.
简述CORIALICP作业流程图
到晶片表面。
7.简述CORIALICP清洗托盘作业流程图
DIW浸泡石英托盘
9.简述
A.用
B.用
C.用
D.用
CORIALICP托盘清洗标准作业流程
DI水浸泡石英托盘20min;
DI水冲洗一遍；
N2吹干；
IPA擦拭；
E.用真空硅脂涂抹真空密封圈。
10.简述CORIALICP清洗反应室方法及步骤
A.进入状态，选择B.点击显示步骤，再点击；
C.等待结束，反应室处于破真空状态，拧掉反应炉室上反应室；
D.拆下石英细管，先用无尘布蘸上DIW擦洗反应室内壁和石英窗口，再用无尘布蘸上
IPA擦洗。
注意检查下电极上的弹簧圈是否有损坏，如有损坏，请及时更换，最后清洁完后，按照图示安装石英细管；
E.用真空硅脂涂抹真空密封橡皮条，再放置好；
F.在状态，选择，将清零，自动加1；
G.结束后，盖上反应室，拧上螺丝，注意先不用拧紧，点击mode,，等机台进入vacuumready状态，拧紧反应室上的螺丝.。
简述ELEDEICP作业流程图
”＞；
4颗锁紧螺丝，打开
11.
检查N2、BC3、02、He压力,
PCW压力，Chiller温度等
I
系统开机，启动上下位机控制程序
t
打开传输腔室
―r~
放置石英托盘
―r~
抽真空
~T
蚀刻作业
~r
蚀刻结束，卸下晶片
12.
A.
B.
C.
D.
简述ELEDEICP装晶片标准操作流程
用无尘布蘸IPA擦拭铝托盘表面（包括O-ring）；用专用镊子将晶片按照一定顺序夹放到托盘的各个位置上（如上图）密封圈为准（除平边），如左下图（不含石英盖）所示；放置石英盖时不能移动晶片，对准定位销将石英盖轻放至托盘上，以边缘均匀盖住密封圈为准（除平边），如右下图（含石英盖）所示；
拧上螺丝（注意不拧紧，避免衣袖、手套碰到晶片表面）；
，以边缘均匀盖住
E.
F.
G.
H.
13.
I.
2,
3,
4,
5,
14.
用力矩螺丝刀拧内中外圈螺丝，每隔2个拧一次，分2次拧紧，1次检查;
检查一遍晶片是否放好，并用专用吹扫工具吹扫一遍；
用无尘布蘸IPA擦拭铝托盘底部，注意不可将IPA沾到晶片上；
将装载托盘轻放至片盒上。
简述ELEDEICP蚀刻作业操作
打开传输腔室门，将片盒轻放在卡板上，刚好卡住定位销，切忌左右移动片盒；
点击＜配方＞，打开＜工艺配方＞，检查所选配方的工艺参数；
点击＜片盒配方＞，打开所选的片盒配方；若没有要选择的配方，则新建一个；点击＜主界面＞，查看片盒配方详细信息，确认无误，点击＜开始工艺＞；待工艺结束后，打开传输腔室门，取出片盒及托盘，卸下晶片；
简述ELEDEICP清洗石英盖、铝盘、螺丝作业流程图
15.简述ELEDEICP清洗反应室作业流程图
16.简述ELEDEICP螺丝清洗标准作业流程
A.把螺丝装在小烧杯里，倒入IPA覆盖为宜，超声波振动10min；
B.用N2把螺丝吹干
17.简述ELEDEICP清洗反应室方法及步骤
A.
B.
C.
D.
E.
F.
G
H.
I.
J.
K.
L.
关闭反应室
进入［维护/工艺模块］，在［腔室操作］中点击［吹扫］,至少吹扫100次；吹扫完毕后，点击［吹大气］，进行腔室破真空动作；按照正确的流程打开反应室；
移走反应室零部件（石英盖、密封圈、内衬、压环等）；
先用浸有DI水的无尘布擦拭反应室内壁，再用IPA擦拭，直到擦拭的无尘布上看不
到残余物的颜色为止；
按照步骤E擦拭反应室其余每个地方，特别是真空测量孔；手动把升降针升起，用浸有IPA的无尘布擦拭三针；
用浸有IPA的无尘布擦拭卡盘、聚焦环表面；
按照步骤E擦拭其他的部件（内衬、压环等）；
安装反应室零部件（石英盖、密封圈、内衬、压环等）；
关闭反应室；
恢复反应室状态
18.简述SLRICP作业流程图
抽设备真空
破解预抽室真空”
放置托盘心
裝载托盘*
刻蚀作业存
刻蚀结束，卸下晶片初
19.简述SLRICP装晶片标准操作流程
A:
用打圈圈的方式使橡皮条均匀分布在底盘的各个小槽上；
B：
判断托盘的方向，以中间的区域为标准，若定位横边往下的，则托盘两边的两个小孔分别为左右两孔；
C:
用专用镊子将晶片夹放到托盘的各个位置上，并对准位置；
D:
把螺丝放在盖子的小孔里；
E:
以盖子边缘的一个小孔为左边，对应托盘的左边位置，小心地放在底盘上；
F:
用内六角起子对角地拧螺丝，分两次拧。
第一次拧的程度为7成紧，第二次力度相对
均匀地稍微拧紧；
G:
用专用吹扫工具吹扫已装好片的托盘一遍。
20.
21.
简述SLRICP清洗托盘、螺丝作业流程图
DI水喷淋屮
超声波清洗4
4
N2吹干
N1吹干』
简述SLRICP清洗反应室作业流程图
22.
简述SLRICP反应室清洗步骤
A:
打开反应室（同时按住2个上升开关——向右推开腔体）
B：
用DI水清洗反应室（包括底座、腔壁、夹具）
C:
用吸尘器吸走遗留的尘埃和水分子
D:
用异丙醇清洗反应室
E:
用真空硅脂涂抹真空密封橡皮条，再用无尘布擦均匀
F:
放置真空密封橡皮条（对角放置——压平整）
G:
关闭反应室（向左推腔体回原位——►同时按住2个下降开关）
23.简述本工站的详细工作流程、操作规范及注意事项。
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