整理关於晶片电阻.docx

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整理关於晶片电阻

第一章概述

一晶片电阻的发展史

晶片电阻又称厚膜电阻或金属膜电阻,在大陆又将它称之为片式电阻,各种称呼都是根据它的膜层厚度,形状及膜层材料而来的.按电阻器分类来说,有薄膜电阻器厚膜电阻器.厚膜一词,虽来自膜的厚度,但厚膜,薄膜的概念并非单指膜的厚度,而主要还是指它们所代表的不同工艺特征,晶片电阻是用丝网印刷将导体桨料和电阻桨料,通过掩模在绝缘板上,制成所需要的图形,再经过加热（烧结或固化）而制出的厚膜电阻器,它区别于薄膜的蒸发和溅射等制造技术.

如果要谈晶片电阻的发展史,就必需先了解厚膜技术的发展过程,这是因为晶片电阻实际上也就是一种厚膜技术的应用,离开厚膜技术说晶片电阻那等于纸上谈兵,缘木求鱼.

厚膜技术最早应用在电路上是在20世纪40年代,当时采用的是陶瓷基板上涂上银导体和碳电阻桨料,在军事上获得应用.

在50年代后期,随着晶体管的大量使用和钯银桨料的研制成功,这时的厚膜技术开始在工业和消费的生产中付诸实用,厚膜技术得到较快的发展.

1965年,美国IBM公司,首先在于360系列计算机系统中使用了厚膜电路,并取得成功,厚膜技术得到更迅速的发展,并进入了大量应用的成熟阶段,与此同时,厚膜技术在材料,工艺,高稳定性的电阻桨料的生产上有了很大的发展,同时厚膜电阻器也就是晶片电阻也大量出现在这一时期.

从以上厚膜技术的发展过程可以看出,晶片电阻是随着厚膜技术的发展而逐渐成熟起来.

二晶片电阻的种类

晶片电阻目前大致有二种分类方法,一种是按英制分类,另外一种是按公制分类.

1.按公制分类

按公制分类主要是按照晶片电阻的长宽尺寸来分,主要有3216,20125,1608.这种分类方法在日本,美国应用的比较广泛.

2.按英制分类

按英制分类主要有:

1206,0805,0603,目前开发成熟的产品还有0402,按英制分类目前比较流行

3.英制分类与公制分类的对应关系

3.1英制是1206的晶片电阻,其外形尺寸是:

长*宽*高=3.2*1.6*0.6单位:

mm

用公制命名为:

3216这种称法我们目前不采用,而英制1206常采.此晶片电阻的功率是1/8W,1/4W

.3.2英制是0805的晶片电阻,其外形尺寸是:

长*宽*高=2.0*1.25*0.5单位:

mm

用公制命名为:

20125.此晶片电阻的功率是1/8W,1/10W

3.3英制是0603的晶片电阻,其外形尺寸是:

长*宽*高=1.6*0.8*0.4单位:

mm

用公制命名为:

1608此晶片电阻的功率是1/16W

4.按精度分类

1%2%5%

5%的阻值规格在E-24系列,共有170个阻值,范围在0E10M.1%,2%阻值在E-196系列,共有400多个阻值,范围在10E1M

三晶片电阻的特性及用途

1.0特性

1.1方电阻

方电阻简称方阻,它是指长,宽相等的一块厚度均匀的正方形的膜,电流从一边流向对边所具有的阻值.用Rs表示.单位是Ω/方.如图

（一）所示

图

（1）

R=ρ*L/W*T（Ω）

（1）

ρ为电阻材料的体积电阻率Ω/CM.L是膜的长度CM.W是膜的宽度CM.T是膜的厚度CM.

当L=W时

R=ρ/T=Rs

（2）

因此

（1）式可写成

R=Rs*L/W=Rs*N（3）

式中的N为电阻膜的长宽之比,称为方数.

我们由（3）式也可以看出,膜电阻的大小只与电阻材料的性质和膜厚有关,而与正方形的尺寸无关,因此,膜电阻Rs表征了厚膜材料的电阻特性,对于一种厚膜电阻材料,在保证电性能的优良的条件下,方阻范围应尽量宽,以满足各种阻值的需要.

1.2电阻温度系数

电阻温度系数是表征了厚膜电阻的器稳定性的一个重要参数,它反映了阻值与温度变化的特性,通常用TCR表示.

它表示温度变化1度时,电阻值的相对变化.TCR的大小与厚膜电阻材料的种类,性质,制造工艺,及基板的热胀系数有关,一般来说,方阻较低的材料,TCR有较大的正值,高方阻的材料TCR有较大的负值,而方阻居中的材料TCR有较小的正值或负值,通常希望厚膜电阻器的TCR要小.

1.3稳定性

电阻器的稳定性是指电阻器的阻值等性能参数,在工作或贮存过程中随环境条件（如温度.湿度等）的变化或由于本身的老化而发生的变化.显然,电阻器的稳定性应满足电子设备的技术条件所规定的要求,以保正设备的正常工作.厚膜电阻器的稳定性与电阻的材料,工艺条件（特别是烧成条件）基板性能和阻值微调等多种因素有关.

通常用150℃或40℃和90%相对湿度的加速条件下,长期（1000H）贮存后阻值的变化作为厚膜电阻器的稳定性指标.

目前,晶片电阻根据其尺寸的大小,雷射切割图形的不同,阻值变化一般都小于0.2%-0.75%或者更小.

1.4可靠性

电阻器的可靠性是指电阻器规定的条件下和预定的时间内,完成规定功能的概率.所谓功能这里是指产品的技术指标.

2

现代的厚膜电阻器具有高度的常期的可靠性,在320mw/mm

的强负荷下,大约十年后.其阻值变化仅0.5%.（本数据摘自厚膜混合集成电路一书）

2.0用途

目前,厚膜电阻的应用十分广泛,从普通的家用电子产品,通信设备.测量和自动化控制系统,到最尖端的电子计算机,航空和航宇等各领域都有,而且其应用范围还在不断地扩大.所以我们说晶片电阻器的市场将是十分广阔的.

晶片电阻的制造工艺

一晶片电阻的材料

1.0基板

厚膜电阻器的基板种类很多,如.陶瓷.金属.树脂等.目前,我们主要使用的是陶瓷基板,它的特点是耐高温,（大约是1000℃左右）热膨胀系数小,热导电率高,化学稳定性好,绝缘强度高.但较脆,陶瓷基板的表面要求平整,无弯曲,无起伏厚度应均匀.

基板的表面粗糙和反翘会在很大程度上影响膜的电性能,但过于光滑则膜的附着力下降

目前,陶瓷基板主要有:

1.氧化铝基板2.氧化铍基板

2.特种陶瓷基板4.氮化铝基板5碳化硅基板

由于各种基板都有其特点,在此我们就不过多地介绍.主要讲一下氧化铝基板,因为它应用最广泛,而我们目前主要使用的也是这种基板.

氧化铝基板的主要成份是ALO.一般来说基板中的ALO.的含量越高,性能（电性能,机械强度,表面光洁度等）越好,但成本较高.

2.0桨料

电阻桨料又是一门比较复杂的学科,我们在这里对它仅做一

般性的了解

电阻桨料按其所含金属的不同,主要分为贵金属厚膜电阻桨料和贱金属厚膜电阻桨料.

贵金属厚膜电阻桨料有:

1Pb-Ag电阻桨料2.pt族电阻桨料3.RU系电阻桨料.

贱金属厚膜电阻桨料有:

1贱金属氧化物（如M00SnO）

3.

2

贱金属氮化物3.贱金属硅化物（如M0S1）

电阻桨料的不同比例的混合,会形成晶片电阻不同的阻值,所以说配制电阻膏的技术要求较高.目前,各桨料生产厂商也都相互保密,这方面公开的参考文献也基本没有.而各电阻器制造商所使用的都是配制好的电阻桨料且价格也比较昂贵.公司（泰厂）目前使用的电阻桨料是美国杜邦公司生产的R-U系列电阻膏.

一晶片电阻的制造工艺

制程编号

制程名称

说明

图示

1

进料点收

入库存放

基板一般说来都是购进,我们自己不做基板.

基板

网板制做及

膏品配制

制造出印刷所

需的网版及配

制出印刷所需

求的膏品

制程编号

制程名称

说明

图示

3

C2背面端电

极印刷

在白基板背面

印刷背面电极

4

干燥

送入干燥炉中

干燥.温度在

160℃

5

C1正面端电

极印刷

在白基板正面

印刷正面电极

6

干燥

送入干燥炉中

干燥印刷C1完成品

7

C1,C2端电极烧结

送入烧结炉中

烧结C1,C2,正背面导体.

8

检查

将烧结后的C1

C2电极做全检

9

电阻膏膜的印刷

在C1上印刷电阻膏膜层

R

（3）总经济价值的组成。

我们可以用下式表示环境总经济价值的组成：

10

（2）生产、储存危险化学品（包括使用长输管道输送危险化学品）的建设项目；干燥

送入干燥炉中干燥印刷电阻膜完成

四、安全预评价制程编号

制程名称

说明

图示

[例题-2006年真题]下列关于建设项目环境影响评价实行分类管理的表述，正确的是（　）11

3）规划实施的经济效益、社会效益与环境效益之间以及当前利益与长远利益之间的关系。

电阻膜层烧

D.可能造成轻度环境影响、不需要进行环境影响评价的建设项目，应当填报环境影响登记表结

（2）列出有关的法律、法规、规章、标准、规范和评价对象被批准设立的相关文件及其他有关参考资料等安全预评价的依据。

送入烧结炉中烧结成中具有

（二）环境保护法律法规体系初值要求范围

的电阻层.温度850℃

12

为了有别于传统的忽视环境价值的理论和方法，环境经济学家把环境的价值称为总经济价值（TEV），包括环境的使用价值和非使用价值两个部分。

检查

将烧结后的电阻膜层做全检,1.沾污2.末印3.位置偏移4.初值测量

1.筛选环境影响：

环境影响被筛选为三大类，一类是被剔除、不再作任何评价分析的影响，如内部的、小的以及能被控抑的影响；另一类是需要作定性说明的影响，如那些大的但可能很不确定的影响；最后一类才是那些需要并且能够量化和货币化的影响。

13

G1保护层印刷

在烧结后的电阻膜层上印第一层保护层

G1

14

干燥

送入干燥炉中干燥G1印刷完成品.

15

G1保护层的烧结

送入烧结炉中烧结成具有保护电阻层作用的第一层玻璃膜

16

检查

将烧结后的G1保护层检查

17

镭射修整

将C1.C2.R.G1印刷及烧结完成品送雷射切割修整为最后所需的阻值及

%数.

Ag

制程编号

制程名称

说明

图示

18

G2保护层的印刷

在镭射切割后的电阻层上印第二层保护层

19

干燥

送入干燥炉干燥印刷G2保护膜完成品

20

M/K字码印层

在G2保护层上印刷字码标记

21

干燥

干燥印刷M/K完成品

22

烧结

将G2M/K印刷完成品烧结.

1%印刷完M/K后,不此烧结作业,直接去检查作业.

23

检查

将M/K烧结后或1%印刷完M/K的基片进行全检.

24

自动端面涂银

将基片折条后滚沾银膏烘干并去烧结

25

折粒

将条状晶片折成粒状晶片

制程编号

制程名称

说明

图示

26

电镀,筛选及着磁选别

折粒好的晶片半成品用化学药水,经电解的方式将镍与锡铅先后镀在晶片电阻的两端电极,

分离导电球与晶片电阻

用着磁机选别出镀镍不良和外形不良之晶片电阻.

Ni

Sn/pb

27

检测包装

自动孔机将纸带打孔至自动检测并将良品晶片电阻插入纸带中并卷入装成成品

28

入库及出货

将检测包装好的晶片电阻放入会仓库或装入,内箱及外箱

前言

晶片电阻是我们公司生产的众多电阻器中的一种产品,大家可能对传统电阻比较熟悉,谈到晶片电阻也许有人还不很清楚.在此,我们就和大家共同探讨晶片电阻的有关知识.

本讲义共分二大部分,第一部分主要阐述了晶片电阻的发展历史,种类,以及它的特性和用途.第二部分介绍了晶片电阻使用的主要材料,以及它的制造工艺.

通过以上内容之介绍,我们希望大家对晶片电阻能有一个初步的了解,我们在编写的过程中力求做到通俗易懂,科学,务实,让更多的人认识晶片,了解晶片.

由于我们水平有限,加之前制程正在导入,讲义中难免存在一些缺点和错误.殷切希望广大同仁批评指正.以便我们及时加以改正.

编著者

1999.8.20

前言1

第一章概述

1.1晶片电阻的发展史2

1.2晶片电阻的种类3

1.3晶片电阻的特性和用途4

第二章晶片电阻的制造工艺

2.1晶片电阻的材料7

2.2晶片电阻的制造工艺8