数字电子技术第8章存储器与可编程逻辑器件习题及答案doc.docx
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数字电子技术第8章存储器与可编程逻辑器件习题及答案doc
第8章
存储器与可编程逻辑器件
存储器概述
自测练习
1．存储器中可以保存的最小数据单位是（）。
2．（a）位（b）字节（c）字
3．指出下列存储器各有多少个基本存储单元多少存储单元多少字字长多少
（a）2K×8位（）（）（）（）
（b）256×2位（）（）（）（）
（c）1M×4位（）（）（）（）
3．ROM是（）存储器。
（a）非易失性（b）易失性
（c）读/写（d）以字节组织的
4．数据通过（）存储在存储器中。
（a）读操作（b）启动操作
（c）写操作（d）寻址操作
5．RAM给定地址中存储的数据在（）情况下会丢失。
（a）电源关闭（b）数据从该地址读出
（c）在该地址写入数据（d）答案（a）和（c）
6．具有256个地址的存储器有（）地址线。
（a）２５６条（b）６条（c）8条（d）16条
7．可以存储２５６字节数据的存储容量是（）。
（a）２５６×１位（b）２５６×８位
（c）１Ｋ×４位（d）２Ｋ×１位
答案：
1．a
2．（a）2048×8；2048；2048；8
（b）512；256；256；2
（c）1024×1024×4；1024×1024；1024×1024；4
3．a
4．c
5．d
6．c
7．b
随机存取存储器（RAM）
自测练习
1.
动态存储器（DRAM）存储单元是利用（
）存储信息的，静态存储器（SRAM）
存储单元是利用（
）存储信息的。
2.
为了不丢失信息，
DRAM必须定期进行（
）操作。
3.
半导体存储器按读、写功能可分成（
）和（
）两大类。
4.
RAM电路通常由（
）、（
）和（
）三部分组成。
5.
6116RAM有（
）根地址线，（
）根数据线，其存储容量为（
）位。
答案：
1．栅极电容，触发器
2．刷新
3．只读存储器，读/写存储器
4．地址译码，存储矩阵，读/写控制电路
5．11，8，2K×8位
只读存储器（ROM）
自测练习
1．ROM可分为（）、（
2．ROM只读存储器的电路结构中包含（
）、（
）和（
）、（
）几种类型。
）和（）共三个
组成部分。
3．若将存储器的地址输入作为（
），将数据输出作为（
），则存储器
可实现组合逻辑电路的功能。
4．掩膜ROM可实现的逻辑函数表达式形式是（
5．28256型EEPROM有（）根地址线，（
）。
）根数据线，其存储容量为
（）位，是以字节数据存储信息的。
6．EPROM是利用（）擦除数据的，EEPROM是利用（
7．PROM/EPROM/EEPROM分别代表（）。
8．一个PROM/EPROM能写入（）（许多，一）次程序。
9．存储器2732A是一个（）（EPROM，RAM）。
10．在微机中，4种存储类型为（）。
）擦除数据的。
答案：
1．ROM，PROM，EPROM，EEPROM
2．存储矩阵，地址译码，输出控制电路
3．输入，输出
4．标准与或形式（最小项表达式）
5．15，8，32K×8
6．紫外线，电
7．可编程的只读存储器，可擦可编程的只读存储器，电可擦可编程的只读存储器
8．一次/许多
9．EPROM
10．寄存器，高速缓存，主存，外存
快闪存储器（FlashMemory）
自测练习
1．非易失性存储器有（）。
2．（a）ROM和RAM（b）ROM和闪存（c）闪存和RAM
3．FlashMemory的基本存储单元电路由（）构成，它是利用（
存信息，具有（）性的特点。
4．FlashMemory28F256有（）和（）两种操作方式。
5．从功能上看，闪存是（）存储器，从基本工作原理上看，闪存是（
存储器。
）保
）
6．Flash28F256有（）根地址线，（
7．（）位，编程操作是按字节编程的。
）根数据线，其存储容量为
答案：
1．b
2．一个浮栅MOS管，浮栅上的电荷，非易失
3．只读存储方式，读/写存储方式
4．RAM，ROM
5．15，8，32K×8
存储器的扩展
自测练习
1．存储器的扩展有（）和（）两种方法。
2．如果用2K×16位的存储器构成16K×32位的存储器，需要（）片。
（a）4（b）8（c）16
3．用4片256×4位的存储器可构成容量为（）位的存储器。
4．若将4片6116RAM扩展成容量为4K×16位的存储器，需要（）根地址线。
5．（a）10（b）11（c）12（d）13
6．将多片1K×4位的存储器扩展成8K×4位的存储器是进行（）扩展；若扩展
成1K×16位的存储器是进行（）扩展。
7．2564的存储器有（）根数据线，（）根地址线，若该存储器的起始地
址为００Ｈ，则最高地址为（），欲将该存储器扩展为1K8的存储系统，需
要2564的存储器（
）个。
答案：
1．字扩展，位扩展
2．C
3．256×16/1K×4
4．C
5．字，位
6．4，8，FF，8
可编程阵列逻辑PAL
自测练习
1．PAL的常用输出结构有（）、（
2．字母PAL代表（）。
3．PAL与PROM、EPROM之间的区别是（
4．（a）PAL的与阵列可充分利用
5．（b）PAL可实现组合和时序逻辑电路
）、（
）。
）和（
）4种。
6．（c）PROM和EPROM可实现任何形式的组合逻辑电路
7．具有一个可编程的与阵列和一个固定的或阵列的
PLD为（
）。
8．（a）PROM
（b）PLA
（c）PAL
9．一个三态缓冲器的三种输出状态为（
）。
10．
（a）高电平、低电平、接地
（b）高电平、低电平、高阻态
11．
（c）高电平、低电平、中间状态
12．
查阅资料，确定下面各
PAL器件的输入端个数、输出端个数及输出类型。
13．
（a）PAL12H6
（
）（
）（
）
（b）PAL20P8
（
）（
）（
）
（c）PAL16L8
（
）（
）（
）
答案：
1．输出结构，可编程输入/输出结构，寄存器输出结构，异或输出结构
2．可编程阵列逻辑
3．B
4．C
5．B
6．（a）12，6，高电平
（b）20，8，可编程极性输出
（c）16，8，低电平
通用阵列逻辑GAL
自测练习
1．GAL具有（）
（a）一个可编程的与阵列、一个固定的或阵列和可编程输出逻辑
（b）一个固定的与阵列和一个可编程的或阵列
（c）一次性可编程与或阵列
（d）可编程的与或阵列
2．GAL16V8具有（）种工作模式。
3．GAL16V8在简单模式工作下有（）种不同的OLMC配置；在寄存器模式工作下有（
种不同的OLMC配置；在复杂模式工作下有（）种不同的OLMC配置。
4．GAL16V8具有（）。
）
（a）16个专用输入和8个输出
（b）8个专用输入和8个输出
（c）8个专用输入和8个输入/输出
（d）10个专用输入和8个输出
5．如果一个GAL16V8需要10个输入，那么，其输出端的个数最多是（
（a）8个（b）6个（c）4个
6．若用GAL16V8的一个输出端来实现组合逻辑函数，那么此函数可以是（
）。
）与项之
和的表达式。
（a）16个（b）8个
7．与、或、非、异或逻辑运算的
（c）10个
ABEL表示法分别为（
）。
8．逻辑表达式
F
AB
AB
AB用
ABEL语言描述时，应写为（
）。
答案：
1．A
2．3
3．3，2，2
4．B专用输入，专用组合输出，复合输入/输出（I/O），寄存器组合I/O，寄存器输出
5．C
6．8
7．B
8．&，#，!
，$
9．A&B#A&!
B#!
A&B
CPLD、FPGA和在系统编程技术简介
自测练习
1．PLD
（
器件的设计一般可分为（
）、（）
和（
）
）、（）和（
三个设计验证过程
）
.
三个步骤以及
2．ISP表示（
）。
（a）在系统编程的
（b）集成系统编程的
（c）集成硅片程序编制器
3．CPLD表示（
）。
（a）简单可编程逻辑阵列
（c）复杂可编程逻辑阵列
4．FPGA是（）。
（b）可编程交互连接阵列
（d）现场可编程逻辑阵列
（a）快速可编程门阵列（c）文档可编程门阵列5．FPGA是采用（
（b）现场可编程门阵列
（d）复杂可编程门阵列
）技术实现互连的。
（ａ）熔丝（ｂ）CMOS
（ｃ）EECMOS（d）SRAM
6．PLD的开发需要有（）的支持。
（a）硬件和相应的开发软件
（b）硬件和专用的编程语言
（c）开发软件
（d）专用的编程语言
答案：
1．设计输入，设计实现，编程，功能仿真，时序仿真，测试
2．a
3．c
4．b
5．d
6．a
习题
8．１
存储器有哪些分类各有何特点
8．２
ROM和RAM的主要区别是什么它们各适用于哪些场合
8．３
静态存储器SRAM和动态存储器
DRAM在电路结构和读写操作上有何不同
8．４
FlashMemory有何特点和用途它和其它存储器比较有什么不同
8．５
某台计算机系统的内存储器设置有
20位的地址线，16位的并行输入/输出端，试
计算它的最大存储容量
8．６
试用4
片2114（1024×4位的RAM）和3-8译码器组成4096×4位的存储器
8．７
试用4
片2114RAM连接成2K×8位的存储器。
8．８
PROM实现的组合逻辑函数如图
P8．8所示。
（1）分析电路功能，说明当ABC取何值时，函数F1=F2=1；
（2）当ABC取何值时，函数F1=F2=0。
A
A
B
B
C
C
W
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