光电子技术安毓英习题答案Word格式文档下载.docx
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edA
deLedScosdLedS
EeLedSLe
edAe
1.4霓虹灯发的光是热辐射吗?
答：
霓虹灯发光是以原子辐射产生的光辐射，属于气体放电，放电原理后面章节会涉及
到。
而热辐射是指由于物体中的分子、原子受到热激发而发射电磁波的现象。
因此霓虹灯放电不属于热辐射。
此题不适合做例题，可在相关章节做个小思考题。
1.5冈U粉刷完的房间从房外远处看，它的窗口总是显的特别黑暗，这是为什么？
刚粉刷完的房间可以看成一个光学谐振腔，由于刚粉刷完的墙壁比较光滑，容易产
生几何偏折损耗，故看起来总是特别黑。
这个题目也是不适合作为例题，可以和1.4题一样以思考题的形式出现。
1.6从黑体辐射曲线图可以看出，不同温度下的黑体辐射曲线的极大值处的波长
温度T的升咼而减小。
试由普朗克热辐射公式推导出
mT=常数
导。
证明过程如下:
证明:
Me（T）
令Me（T）=0,解得:
mT2.898103m?
K。
得证
M试普朗克热辐射公
1.7黑体辐射曲线下的面积等于在相应温度下黑体的辐射出射度式导出M与温度的四次方成正比，即
M=常数T4
所以我觉得这个题最好放在上个
3K黑体辐射，此辐射的单体辐
此题和上题极为相似，如果两个都为例题就显很啰嗦,例题的下面，让同学们自己根据例题去练习。
1.8宇宙大爆炸遗留在宇宙空间的均匀背景辐射相当于射出射度在什么波长下有极大值?
通过1.6题不难看出，对于黑体辐射，当辐射出射度取最大值时，波长和温度T有关系，且乘积为常数，此题便可利用这个关系直接求解。
解题过程如下:
由1.6可知
K
T=3K
3
0.96610m
这个题目和1.6题关联性很大，我觉得把这两个合并成一题也行。
您看怎么合并比较合
适呢？
1.9常用的彩色胶卷一般分为日光型和灯光型。
你知道这是按什么区分的吗？
日光型和灯光型是按色温来区别的。
为了表示一个热辐射光源所发出光的光色性质，
常用到色温度这个量，单位为K。
色温度是指在规定两波长具有与热辐射光源的辐射比率相同的黑体的温度。
这个问题比较简单，本意就只想考查下什么是色温，也就能做个思考题然后引出色温这
个概念。
续功率，问一秒钟从激光上能级向下能级跃迁的粒子数分别为多少?
由能量守恒可得:
=10um时,
当=3000M时
6.62610343109
5.021023
1.12设一对激光能级为E2和Ei（g2=gi）,相应的频率为，各能级上的粒子数为n2和
E2曰
这个题目主要考查的是公式
理生e祈，根据题目所给的条件，不难求
mg1
出结果。
（1）
n1
E2E1
h
4
4.810e
0.99
念ekBT
g1
e
（2）由
ct可求出
c
5
n2
代入一
g2e
kBT
得
q
91
hc
92
eBe
e忒
1.45
1021
（3）
些
g2e'
e
B=0.1
h3
6.2510KkBIn0.1
A21的理解。
A定义为单位时间n2个高能态原子中自
1.13试证明，由于自发辐射，原子在E2能级的平均寿命s1/A21
证明思路：
这个题主要考查的是对
发跃迁的原子数与n2比值，即
（dn^1）sp为单位时间自发跃迁的原子数，s为平均寿命，可理解为跃迁的时间，故
dt
由A21（）sp—，代入上式，即可证得s1A21
dt匕
1.14这个题答案为课本P2i、P22两页公式，若作为例题来出不好，直接套公式的题拿来
当例题让人看着比较没水平。
1.15今有一球面腔，Ri=1.5m,Ra=-1m,L=0.8m。
试证明该腔为稳定腔。
直接从稳定腔的条件入手，g11—，g21—，解出g1、g2看是否
R,R2
满足0g1g21的稳定条件。
证明过程如下：
证明：
彳L
g11=0.467
Ri
g21=1.8
R2
g1g2=0.84
1.16某高斯光束
符合0g1g21，得证
01.2mm,L=0.8m求与束腰相距0.3m，10m和1000m远处的光斑
L0.4m
2
1.20试确定下列各组光波表示式所代表的偏振态:
Ex
E。
sin（
t
kz）,Ey
E0cos（t
kz）
（2）
E0
cos（
E°
cos（t
kz
/4）
判断偏振光的状态，
应看相位差
。
解题过程如下
（1）ExEoSin（tkz）E0cos（tkz/2）,EyE0cos（tkz）
（tkz/2）（tkz）/2
为圆偏振光
（2）ExE0cos（tkz）,EyE0cos（tkz/4）
（tkz/4）（tkz）/4
为右旋椭圆偏振光
ExE0sin（t
E0cos（tkz
/2）
EyE°
tkz）
）
（tkz
（tkz）
1.21已知冕牌玻璃对0.3988um波长光的折射率为n=1.52546,一1.26101，求
光波在该玻璃中的相速度和群速度。
相速度V
-、群速度
Vg
v（1
字）
，代入求解。
n
nd
108
8
v—
1.97
10
1.52546
一dn、c一
dn、3
0.3988
1065
v
（1）（1
-[1
（1.2610）]1.910
ndn
nd1.52546
2.1何为大气窗口，试分析光谱位于大气窗口的光辐射的大气衰减因素。
对某些特定的波长，大气吸收呈现出极为强烈的吸收。
根据大气的选择吸收特性，
一般把近红外区分成8个区段，将透过率较高的波段称为“大气窗口”。
位于大气窗口的光辐射对大气分子的吸收几乎免疫，所以衰减因素主要是大气分子的散射、大气气溶胶的衰减和大气湍流效应。
2.2何为大气湍流效应，大气湍流对光束的传播产生哪些影响?
大气始终处于一种湍流效应，即大气的折射率随时间和空间做无规则的变化。
这种
湍流状态将使激光辐射在传播过程中随即的改变其光波参量，使光束质量受到严重影响，出
现所谓光束界面的强度闪烁、光束的弯曲和漂移、光束弥散畸变以及空间相干性退化等现象，这些统称为大气湍流效应。
光束闪烁将使激光信号受到随即的寄生调制而呈现出额外的大气湍流噪声，使接收信噪比减小。
这将使激光雷达的探测率降低，漏减率增加；
使模拟调制的大气激光通信噪声增大；
使数字激光通信的误码率增加。
光束方向抖动则将使激光偏离接收孔径，降低信号强度；
而光束空间相干性退化则将使激光外差探测的效率降低。
2.3、2.6这两个题目与晶体的材料相关，我不会做，新书中也没讲解到。
2.4—块45°
z切割的GaAs晶体，长度为L,电场沿z方向，证明纵向运用时的相位
23
延迟为—n3r41EL。
这个题目和课本上第60页中nx、n'
的推导比较类似，不同的就是晶体是
y丿
45°
z切割的，对于证明题，用倒推法便可证出。
（因为用证推法和晶体方面的知识有关,
）证明过程如下:
我也不会，所以这个题目最多也就做个思考题，用做例题的话有些勉强。
-叫丄
-L（no
13
41Ez）
y'
1no
x'
-nx'
L
2n。
%EL
o
2.5何为电光晶体的半波电压，半波电压由晶体的哪些参数决定？
当光波的两个垂直分量Ex'
、Ey'
的光程差为半个波长（相应的相位差为）时,
所需要加的电压，称为“半波电压”，通常以V或V_表示。
2n063
半波电压是表征电光晶体的一个重要的参数，这个电压越小越好，特别是在宽频带高频率的
情况下，半波电压越小，需要的调制功率越小。
晶体的半波电压是波长的函数。
由上式可知，半波电压还跟no和63有关。
0.6328m，试估算发生拉曼
2.7若取vs616m/s,n=2.35,fs10MHz,0
—纳斯衍射所允许的最大晶体长度Lmax=?
考虑到声束的宽度，则当光波传播方向上声束的宽度L满足条件
LLo
Lmax0.003523m
大意思）。
由:
J；
（v）
得b1
（2）2L2（1n3PS）2
1。
42
22I将s2;
代入得
Vs
26
h1（L）2pn|I02（v；
s
2.9考虑熔岩石英中的声光布喇格衍射，若取00.6238m,n=1.46,
Vs5.9710m/s,fs100MHz，计算布喇格角B。
根据公式sin
B求解，过程如下：
2ns
sfs
代入公式得：
sinBfs
2ns2nvs
代入数据得：
sinB0.00363
由于B很小，故可近似为：
B0.00363
2.10一束线偏振光经过长
L=25cm直径D=1cm的实心玻璃，玻璃外绕N=250砸导线,
通有电流I=5A。
取韦德常数为
V0.25105（'
）/（cm?
T），试计算光的旋转角。
由L,知需求，又有VH，通过已知求出H则本题可解。
解题过
程如下：
?
HdlNI
■
HNI
2R
代入
L，VH，
得：
V-^LV巴2.488
2RD
2.11概括光纤弱导条件的意义。
答:
光纤的弱导特性是光纤与微波圆波导之间的重要差别之一。
其弱导的基本含义是指
很小的折射率差就能构成良好的光纤波导结构，而且为制造提供了很大的方便。
3.1一纵向运用的KDP电光调制器，长为2cm,折射率n=2.5，工作频率为1000kHz。
试求此时光在晶体中的渡越时间
本题目实际上是求光在晶体中的运动时间。
要求时间需要知道路程和速度，
从题目中的已知不难求得。
具体过程如下：
解:
n°
c厲1
1
1.2108
3.2在电光调制器中，为了得到线性调制，在调制器中加入一个/4波片，波片的轴
向如何设置最好？
若旋转/4波片，它所提供的直流偏置有何变化？
为得到线性调制，需在调制器的光路上插入一个/4波片，其快慢轴与晶体的主轴x
成45°
角，从而使Ex和Ey两个分量之间产生/2的固定相位差。
若旋转波片，出射光的
xy
光强会变小，故应加大其直流偏压。
3.3为了降低电光调制器的半波电压，用4块z切割的KD*P晶体连接（光路串联，电
路并联）成纵向串联式结构，为了使4块晶体的光电效应逐块叠加，各晶体的x轴和y轴应
如何取向？
并计算其半波电压。
由题意可知，此调制器是横向电光调制，故应用横向调制相关知识来解答。
具体
过程如下：
应使4块晶体成纵向排列，且相邻晶体的光轴应互成90。
排列，即一块晶体的y'
和z
轴分别与另一块晶体的z和y'
轴平行，这样排列后第一块和第三块晶体的光轴平行，第二块和第四块晶体的光轴平行。
经过第一块晶体后，亮光束的相位差
63Ez）L
经过第二块后，其相位差
于是，通过两块晶体之后的相位差为
由于第一块和第三块晶体的光轴平行,
2乙讥咋
第二块和第四块晶体的光轴平行，故总的相位差为
2（12）—n：
63VL
4n063
）L
3.4如果一个纵向电光调制器没有起偏器，入射的自然光能否得到光强度调制？
为什么？
故经过调制器后各个方向上的
不能。
因为自然光可以看成无数方向上的偏振光的叠加,偏振光叠加后仍是自然光。
分析：
这个题目只适合作为一般的思考题，做例题并不合适。
3.7用PbMoO晶体做成一个声光扫描器，取n=2.48，M=37.7510-15s3/kg，换能器宽度
H=0.5mm。
声波沿光轴方向传播，声频fs=150MHz声速Vs=3.9910cm/s，光束宽度d=0.85cm，
光波长=0.5
⑴证明此扫描器只能产生正常布喇格衍射；
⑵为获得100%勺衍射效率，声功fs率应为多大?
⑶若布喇格带宽f=125MHz衍射效率降低多少？
⑷求可分辨点数N。
⑴由公式LL0n上证明不是拉曼-纳斯衍射。
4o
2222..
4.1比较光子探测器和光热探测器在作用机理、性能及应用特点等方面的差异。
答：
光子效应是指单个光子的性质对产生的光电子起直接作用的一类光电效应。
探测器吸收光子后，直接引起原子或分子的部电子状态的改变。
光子能量的大小，直接影响部电子状态改变的大小。
因为，光子能量是h，h是普朗克常数,是光波频率，所以，光子效应就对光波频率表现出选择性，在光子直接与电子相互作用的情况下，其响应速度一般比较快。
光热效应和光子效应完全不同。
探测元件吸收光辐射能量后，并不直接引起部电子状态的改变，而是把吸收的光能变为晶格的热运动能量，引起探测元件温度上升,温度上升的结
果又使探测元件的电学性质或其他物理性质发生变化。
所以，光热效应与单光子能量大小没有直接关系。
原则上，光热效应对光波频率没有选择性。
只是在红外波段上，材料吸
收率高，光热效应也就更强烈，所以广泛用于对红外线辐射的探测。
因为温度升高是热积累
的作用，所以光热效应的响应速度一般比较慢，而且容易受环境温度变化的影响。
值得注意
的是，以后将要介绍一种所谓热释电效应是响应于材料的温度变化率，比其他光热效应的响
应速度要快得多，并已获得日益广泛的应用。
4.2总结选用光电探测器的一般原则。
用于测光的光源光谱特性必须与光电探测器的光谱响应特性匹配；
考虑时间响应特性；
考虑光电探测器的线性特性等。
4.3为设计题，没有具体方案。
4.4已知一Si光电池，在1000W/m2光照下，开路电压u0.55V，光电流
i12mA。
试求：
（1）在（200~700）W/m光照下，保证线性电压输出的负载电阻和电压变化值;
（2）如果取反偏压V=0.3V,求负载电阻和电压变化值；
（3）如果希望输出电压变化量为0.5V，怎么办？
从题目上可以看出是交变光电信号下的探测，为了保证输出特性的线性度
RlRb
1.2u°
S（P'
'
F0）
SPi
P'
dM'
P0dM0
代入公式得:
解得:
代入数据求解得:
Rl47.83
代入公式求解即可。
得:
故应加一个1.37V的正偏压。
4.5如果Si光电二极管灵敏度为10A/W，结电容为10pF,光照功率5W时,
拐点电压为10V，偏压40V,光照信号功率P（t）52cos（W），试求;
（1）线性最大输出功率条件下的负载电阻;
（2）线性最大输出功率；
（3）响应截止频率。
对于Si光电二极管来讲，交变光电探测情况下有两种情况，由已知可以看
（1）
将各参数代入公式得:
ugu'
uSP'
ugu'
u'
SF0
uSP'
u'
SP
u5
u'
7
14V
（2）:
R105
Ph1宁0.0001125
2Rl®
1.59105
Rh
Rhner
分别代入即得:
ish__1_
NER~eSNR
原题得证。
5.1以表面沟道CCD为例，简述CCD电荷存储、转移、输出的基本原理。
CCD勺输出信号有什么特点?
构成CCD的基本单元是MOS金属-氧化物-半导体）电容器。
正如其它电容器一样，
MOSI容器能够存储电荷。
如果MOS吉构中的半导体是R型硅，当在金属电极（称为栅）上
加一个正的阶梯电压时（衬底接地），Si-SiO2界面处的电势（称为表面势或界面势）发生相
Vg超
应变化，附近的R型硅中多数载流子一一空穴被排斥，形成所谓耗尽层，如果栅电压
过MOS晶体管的开启电压，则在Si-SiO2界面处形成深度耗尽状态，由于电子在那里的势能
较低，我们可以形象化地说：
半导体表面形成了电子的势阱，可以用来存储电子。
当表面存
在势阱时，如果有信号电子（电荷）来到势阱及其邻近，它们便可以聚集在表面。
随着电子来到势阱中，表面势将降低，耗尽层将减薄，我们把这个过程描述为电子逐渐填充势阱。
势
阱中能够容纳多少个电子，取决于势阱的“深浅”，即表面势的大小，而表面势又随栅电压变化，栅电压越大，势阱越深。
如果没有外来的信号电荷。
耗尽层及其邻近区域在一定温度下产生的电子将逐渐填满势阱，这种热产生的少数载流子电流叫作暗电流，以有别于光照下
产生的载流子。
因此，电荷耦合器件必须工作在瞬态和深度耗尽状态，才能存储电荷。
以典型的三相CCD为例说明CCD电荷转移的基本原理。
三相CCD是由每三个栅为一组的间隔紧密的MOS吉构组成的阵列。
每相隔两个栅的栅电极连接到同一驱动信号上，亦称时钟
脉冲。
三相时钟脉冲的波形如下图所示。
在tl时刻，01高电位，©
2、$3低电位。
此时$1
电极下的表面势最大，势阱最深。
假设此时已有信号电荷（电子）注入，则电荷就被存储在
$1电极下的势阱中。
t2时刻，01、02为高电位，03为低电位，贝U$1、02下的两个势阱的空阱深度相同，但因0i下面存储有电荷，则0i势阱的实际深度比02电极下面的势阱浅，01下面的电荷将向02下转移，直到两个势阱中具有同样多的电荷。
t3时刻，02仍为高电
位，03仍为低电位，而01由高到低转变。
此时01下的势阱逐渐变浅，使01下的剩余电荷继续向02下的势阱中转移。
t4时刻，02为高电位，0仆03为低电位，02下面的势阱最深，信号电荷都被转移到02下面的势阱中，这与t1时刻的情况相似，但电荷包向右移动了一个电极的位置。
当经过一个时钟周期T后，电荷包将向右转移三个电极位置，即一个栅周
期（也称一位）。
因此，时钟的周期变化，就可使CCD中的电荷包在电极下被转移到输出端，其工作过程从效果上看类似于数字电路中的移位寄存器。
电荷输出结构有多种形式，如“电流输出”结构、“浮置扩散输出”结构及“浮置栅输
出”结构。
其中“浮置扩散输出”结构应用最广泛，。
输出结构包括输出栅OG浮置扩散区
FD复位栅R、复位漏RD以及输出场效应管T等。
所谓“浮置扩散”是指在P型硅衬底表
面用V族杂质扩散形成小块的n+区域，当扩散区不被偏置，即处于浮置状态工作时，称作“浮置扩散区”。
电荷包的输出过程如下：
Vog为一定值的正电压，在0G电极下形成耗尽层，使$3与FD之间建立导电沟道。
在$3为高电位期间，电荷包存储在$3电极下面。
随后复位栅R加正
复位脉冲$R,使FD区与RD区沟通，因Vrd为正十几伏的直流偏置电压，则FD区的电荷被
RD区抽走。
复位正脉冲过去后FD区与RD区呈夹断状态，FD区具有一定的浮置电位。
之后，$3转变为低电位，$3下面的电荷包通过0G下的沟道转移到FD区。
此时FD区（即A点）
的电位变化量为:
式中，Qd是信号电荷包的大小，C是与FD区有关的总电容（包括输出管T的输入电容、分
布电容等）。
CCD输出信号的特点是：
信号电压是在浮置电平基础上的负电压；
每个电荷包的输出占
有一定的时间长度To；
在输出信号中叠加有复位期间的高电平脉冲。
据此特点，对CCD的
输出信号进行处理时，较多地采用了取样技术，以去除浮置电平、复位高脉冲及抑制噪声。
5.2何谓帧时、帧速？
二者之间有什么关系？
完成一帧扫描所需的时间称为帧时Tf（s），单位时间完成的帧数称为帧速F（帧/
s）:
Tf丄。
F
5.3用凝视型红外成像系统观察30公里远，10米X10米的目标，若红外焦平面器件的
像元大小是50卩mx50卩m假设目标
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