电工电子课程设计停电自锁拉线开关设计Word文档格式.docx

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12V/0.5W

VZ

1

三极管

9012型PNP管

V5

单项可控硅

MCR100-8

Vs

集成电路

CD4013

U1:

A—U1:

D

U2

5

电阻器

51KΩ

R1

10KΩ

R2

8.2KΩ

R3、R4

2

13KΩ

R5

电容

CD11-16V电容器47uf、10uf

C1、C2

电灯

<

100W

LP

三、电路原理

如图所示电路可以完成这种功能。

图中,220V市电经V1-V4整流之后,经电阻R1限流、电容C1滤波、在稳压管Vz两端得到约12V直流稳电压后,此电压,供后续电路使用,平时电路可以正常工作。

(1)假设停电前拉线开关S是闭合的。

在这种情况下,重新来电后与非门U1:

B输出高电平,此高电平送给U1:

C的一个输入端。

此时由于触发器U2的4脚接有RC清零电路,因此D触发器的输出端1脚输出低电平,2脚输出高电平,并反馈到U1:

C的另一个输入端,与U1:

B输出高电平相“与”后使U1:

C输出低电平。

这样D触发器就维持零态,与非门U1:

D输出为高电平,使三极管V5导通,控制可控硅Vs为关断状态,灯不亮。

如果需要重新开灯,首先拉动拉线开关S使其断开,这时在上拉电阻R2的作用下,与非门U1:

B输出低电平,U1:

C的输出有低电平跳至高电平,由于D触发器的5脚接高电平,因此D触发器U2翻转为“1”态。

其2脚输出的低电平将与非门U1:

C封锁,使D触发器U2不再受S的影响。

此时与非门U1:

A输出为低电平,虽然D触发器U2翻转为“1”态,但是与非门U1:

D输出仍然为高电平,三极管V5导通,可控硅继续保持关断状态。

这时再拉一下拉线开关S使其闭合,与非门U1:

A输出为高电平,U1:

D输出为低电平,三极管V5截止,可控硅Vs为导通状态,灯家电点亮。

由于与非门U1:

C已被封锁,D触发器U2被锁定在“1”状态,所以灯点亮之后U1:

D的输出只有开关S控制,这样开关S的使用就和平常一样了。

(2)停电前拉线开关是断开的。

对于这种情况灯就更不会亮了,因为拉线开关S断开,这时在电阻R2的作用下,与非门U1:

B输出为低电平,与非门U1:

C锁死,D触发器U2翻转为“1”态,D触发器U2不再受S的影响。

D输出仍然为高电平,三极管V5导通,可控硅仍为关断状态,灯不会亮。

来电后,只用拉一下拉线开关S使其闭合,与非门U1:

D输出为低电平,三极管V5截止,可控硅Vs为导通状态,灯就亮了。

2、元器件选择及调试

在图中,二极管V1-V4可选用1N4007,也可以选用1N4004等,要求耐压大于400V;

VZ可选择12V/0.5W的稳压管;

U1可选用TC4011、CD4011等型号CMOS集成电路;

U2可选用TC4013、或CD4013;

三极管V5可选用9012等PNP管;

Vs可选用1A/400V的单向可控硅,如MCR100-6、MCR100-8等;

R1选用51KΩ/1W,R2可选用10KΩ,R3、R4可选用8.2KΩ,R5可选用13KΩ,均为PTX-1/4W碳膜电阻器;

C1选用47uF,C2选用10uF,均为CD11-16V电解电容器;

LP选用小于100W灯泡;

S为拉线开关。

元件一般不用调试,只要按图中的电路连接好,便可完成指定的逻辑功能。

四、元件功能、及元件说明

(1)单向可控硅功能及说明

单向可控硅是一种可控整流电子元件,能在外部控制信号作用下由关断变为导通,但一旦导通,外部信号就无法使其关断,只能靠去除负载或降低其两端电压使其关断。

单向可控硅是由三个PN结PNPN组成的四层三端半导体器件与具有一个PN结的二极管相比,单向可控硅正向导通受控制极电流控制;

与具有两个PN结的三极管相比,差别在于可控硅对控制极电流没有放大作用。

单向可控硅具有体积小、重量轻、效率高、寿命长、控制方便等优点,被广泛用于可控整流、调压、逆变以及无触点开关等各种自动控制和大功率的电能转换的场合。

单向可控硅从外形上分类主要有:

螺栓形、平板形和平底形。

单向可控硅是三个电极。

单向可控硅有阴极(K)、阳极(A)、控制极(G)。

单向可控硅的优点很多,例如:

以小功率控制大功率,功率放大倍数高达几十万倍;

反应极快,在微秒级内开通、关断;

无触点运行,无火花、无噪音;

效率高,成本低等。

单向可控硅的弱点:

静态及动态的过载能力较差;

容易受干扰而误导通。

、单向可控硅工作原理

可控硅导通条件:

一是可控硅阳极与阴极间必须加正向电压,二是控制极要加正向电压。

以上两个条件必须同时具备,可控硅才会处于导通状态。

另外,可控硅一旦导通后,即使降低控制极电压或去掉控制极电压,可控硅仍然导通。

可控硅关断条件:

降低或去掉加在可控硅阳极至阴极之间的正向电压,使阳极电流小于最小维持电流以下。

、单向可控硅的引脚区分

对可控硅的引脚区分,有的可从外形封装加以判别,如外壳就为阳极,阴极引线比控制极引线长。

从外形无法判断的可控硅,可用万用表R×

100或R×

1K挡,测量可控硅任意两管脚间的正反向电阻,当万用表指示低阻值(几百欧至几千欧的范围)时,黑表笔所接的是控制极G,红表笔所接的是阴极C,余下的一只管脚为阳极A。

、单向可控硅的性能检测

可控硅质量好坏的判别可以从四个方面进行。

第一是三个PN结应完好;

第二是当阴极与阳极间电压反向连接时能够阻断,不导通;

第三是当控制极开路时,阳极与阴极间的电压正向连接时也不导通;

第四是给控制极加上正向电流,给阴极与阳极加正向电压时,可控硅应当导通,把控制极电流去掉,仍处于导通状态。

该电路可选用MCR100-8型单项可控硅它的参数如下

表一:

MCR100-8型单项可控硅参数一(Ta=25℃)

参数名称

符号

额定值

单位

断态重复峰值电压

VDRM

600

V

反向重复峰值电压

VRRM

通态平均电流

IT

A

工作结温

TJ

110

贮存温度

Tatg

-40~150

表二:

MCR100-8型单项可控硅参数二(Ta=25℃)

规范值

测试条件

Min

Max

1mA

600

断态重复峰值电流

IDRM

uA

50

VDRM=520V

反向重复峰值电流

IRRM

50

VRRM=520V

通态峰值电压

VTM

1.7

IT=1A

控制极触发电流

IGTI

10

60

6V

控制极触发电压

VGTI

0.8

(2)CD4011型CMOS集成电路功能及内部结构

功耗低:

CMOS集成电路采用场效应管,且都是互补结构,工作时两个串联的场效应管总是处于一个管导通,另一个管截止的状态,电路静态功耗理论上为零。

实际上,由于存在漏电流,CMOS电路尚有微量静态功耗。

单个门电路的功耗典型值仅为20mW,动态功耗(在1MHz工作频率时)也仅为几mW。

因此具有功耗低的特点。

由于CMOS集成电路的功耗很低,内部发热量少,而且,CMOS电路线路结构和电气参数都具有对称性,在温度环境发生变化时,某些参数能起到自动补偿作用,因而CMOS集成电路的温度特性非常好即温度稳定性能好。

工作电压范围宽:

CMOS集成电路供电简单,供电电源体积小,基本上不需稳压。

国产CC4000系列的集成电路,可在3~18V电压下正常工作。

逻辑摆幅大。

可控性好。

CMOS集成电路输出波形的上升和下降时间可以控制,其输出的上升和下降时间的典型值为电路传输延迟时间的125%~140%。

它输出波形的上升和下降时间可以控制,其输出的上升和下降时间的典型值为电路传输延迟时间的125%~140%。

接口方便。

此外,CMOS集成电路中的基本器件是MOS晶体管,属于多数载流子导电器件。

各种射线、辐射对其导电性能的影响都有限,因而特别适用于制作航天及核实验设备,抗辐射能力强。

因为CMOS集成电路的输入阻抗高、输出摆幅大、接口方便、可控性好等优点,所以易于被其他电路所驱动,也容易驱动其他类型的电路或器件,因此被广泛应用。

本电路可选用CD4011型二输入端四与非门数字集成电路,它采用塑料双列直插式。

共有14个引脚,其引脚如下图所示。

CD4011也可以用CD4011等同型类数字集成电路块来直接替代。

CD4011引脚图及引脚功能:

CD4011型集成电路特点

功能:

2输入四与非门

电源电压范围:

3V~15V

功耗:

700mW(普通封装);

500mW(小外形封装)

工作温度范围:

CD4011BM-55℃~+125℃

CD4011BC-40℃~+85℃

CD4011内部逻辑结构图:

CD4011逻辑图:

逻辑表达式:

Y=A.B

真值表:

X

Y

Q

动作

禁止

设定

重置

不变

、当X=0、Y=0时,将使两个NAND门之输出均为1,违反触发器之功用,故禁止使用。

如真值表第一列。

、当X=0、Y=1时,由于X=1导致NAND-A的输出为“1”,使得NAND-B的两个输入均为“1”,因此NAND-B的输出为“0”,如真值表第二列。

、当X=1、Y=0时,由于Y=0导致NAND-B的输出为“1”,使得NAND-1的两个输入均为“1”,因此NAND-A的输出为“0”,如真值表第三列。

、当X=1、Y=1时,因为一个“1”不影响NAND门的输出,所以两个NAND门的输出均不改变状态,如真值表第四列。

(3)9012型PNP型三极管功能及应用

三极管只有两种类型,即PNP型和NPN型。

由两个背靠背PN结构成的具有电流放大作用的晶体三极管。

它有三层半导体组成,在这3层半导体中,中间一层称基区,外侧两层分别称发射区和集电区。

当基区注入少量电流时,在发射区和集电区之间就会形成较大的电流,这就是晶体管的放大效应。

三极管是用用不同的掺杂方式在同一个硅片上制造出三个掺杂区域,并形成两个PN结,就构成了晶体管。

三极型晶体管是一种电流控制器件,电子和空穴同时参与导电。

同场效应晶体管相比三极型晶体管体积小、重量轻、耗电少、寿命长、可靠性高,已广泛用于广播、电视、通信、雷达、计算机、自控装置、电子仪器、家用电器等领域,起放大、振荡、开关等作用

三极管最基本的作用是放大作用,它可以把微弱的电信号,变成一定强度的信号,当这种转换仍然遵循能量守恒,它只是把电源的能量转换成信号的能量。

三极型晶体管输出特性可分为三个区。

截止区:

发射结和集电结均为反向偏置。

Ib为0,Ic为0,Uce=Ucc,管子失去放大能力。

如果把三极管当作一个开关,这个状态相当于断开状态。

饱和区:

发射结和集电结均为正向偏置。

在饱和区Ic不受Ib的控制,管子失去放大作用,Uce约为0,Ic=Ucc/Rc,把三极管当作一个开关,这时开关处于闭合状态。

放大区:

发射结正偏,集电结反偏。

Ic受Ib的控制,与UCE的大小几乎无关。

因此三极管是一个受电流Ib控制的电流源。

三极管集电极的直流信号不随输入信号而改变,而交流信号随输入信号发生变化。

在放大过程中,集电极交流信号是叠加在直流信号上的,经过耦合电容,从输出端提取的只是交流信号。

因此,在分析放大电路时,可以采用将交、直流信号分开的办法,可以分成直流通路和交流通路来分析。

本电路可选用9012型PNP型三极管,它有如下特点

9012型PNP型三极管功能参数:

9012结构

PNP

集电极-发射极电压

-30V

集电极-基电压

-40V

射极-基极电压

-5V

集电极电流

0.5A

耗散功率

0.625W

结温

150℃

特怔频率最小

150MHZ

放大倍数

D64-91E78-112F96-135G122-166H144-220I190-300

五、心得体会

一周的电工电子课程设计结束了。

一周的时间很紧迫,于是不得不晚上和周末抽时间来继续搞设计,时间抓的紧也很充实。

想好题目后,就去图书馆查资料,借了两本有关电路设计的书。

在查阅了书籍资料之后,对这次设计有了一个整体的认识,作出了初步的原理图。

在设计的过程中遇到问题,可以说得是困难重重,这毕竟第一次做的,难免会遇到过各种各样的问题,同时在设计的过程中发现了自己的不足之处,对以前所学过的知识理解得不够深刻,掌握得不够牢固。

我觉得做课程设计同时也是对课本知识的巩固和加强,由于课本上的知识太多,平时课间的学习并不能很好的理解和运用各个元件的功能,而且考试内容有限,所以在这次课程设计过程中,我们了解了很多元件的功能,并且对于其在电路中的使用有了更多的认识。

平时看课本时,有时问题老是弄不懂,做完课程设计,那些问题就迎刃而解了。

而且还可以记住很多东西。

比如一些芯片的功能,平时看课本,这次看了,下次就忘了,通过动手实践让我们对各个元件映象深刻。

认识来源于实践,实践是认识的动力和最终目的,实践是检验真理的唯一标准。

所以这个的课程设计对我们的作用是非常大的。

作为一名过程装备与控制工程大二的学生,我觉得能做这样的课程设计是十分有意义。

在已度过的一年年半大学生活里我们大多数接触的是专业基础课。

我们在课堂上掌握的仅仅是专业基础课的理论面,如何去面对现实中的电路设计?

如何把我们所学到的专业基础理论知识用到实践中去呢?

我想做类似的大作业就为我们提供了良好的实践平台。

作为一名大学生,掌握一门或几门软件同样是必不可少的。

另外,课堂上也有部分知识不太清楚,于是我们又不得不边学边用,时刻巩固所学知识,这也是我作本次课程设计的第二大收获。

整个设计我基本上还满意,由于水平有限,难免会有错误。

在做本次课程设计的过程中,我感触最深的当属查阅了很多次设计书和指导书。

为了让自己的设计更加完善,更加符合工程标准,一次次翻阅电工类设计书是十分必要的,同时也是必不可少的。

我们做的是课程设计,而不是艺术家的设计。

艺术家可以抛开实际,尽情在幻想的世界里翱翔,我们是工程师,一切都要有据可依、有理可寻,不切实际的构想永远只能是构想,永远无法升级为设计。

通过这次课程设计使我懂得了理论与实际相结合是很重要的,只有理论知识是远远不够的,只有把所学的理论知识与实践相结合起来,从理论中得出结论,才能真正为社会服务,从而提高自己的实际动手能力和独立思考的能力。

通过这次的课程设计,理论加上实践,使我对数字集成电路有了更深刻的认识,尤其是对电路的原理的理解,各元器件功能,特性的认识,也纠正了自己以前很多不对的看法,这个过程是最困难的过程,也是我收获最大的过程,使自己的实验动手能力有了进一步的提高。

总之,这次设计使我受益匪浅,让我对以后的工作学习有了更大的信心。

六.参考文献

(1)杨振江、雷光纯主编.新颖实用电子设计与制作.西安电子科技大学出版社.

(2)李世雄、丁康源主编.数字电子技术基础(第四版).北京:

高等教育出版社,1998年.

(3)康华光主编.电子技术基础(模拟部分).北京:

高等教育出版社,2004(第四版).

(4)曲学基主编.《常用电子电器电路600例》.电子工业出版社,1995.8

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