二极管三极管部分习题文档格式.docx

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2.硅稳压二极管并联型稳压电路中，硅稳压二极管必须与限流电阻串联，此限流电阻的作用是（C――调压限流）。

A、提供偏流B、仅限流电流C、兼有限流和调压两个作用

3.有两个2CW15稳压管，一个稳压值是8V，另一个稳压值是7.5V，若把两管的正极

并接，再将负极并接，组合成一个稳压管接入电路，这时组合管的稳压值是（B――

7.5V）。

8V;

B、7.5V;

C、15.5V

4.稳压管DW稳压值为5.3V，二极管VD正向压降0.7V，当VI为12V时，DW和VD是否导通，V0为多少？

R电阻的作用。

答：

DW和VD不导通，V0为5.3V,R电阻的作用是分压限流。

5.下图中D1-D3为理想二极管，A,B,C灯都相同，试问哪个灯最亮？

（）

ZjDl

A

B

C

6•在图所示的电路中，当电源V=5V时，测得I=1mA。

若把电源电压调整到V=10V，

则电流的大小将。

A.I=2mAB.I<

2mAC.I>

2mA

7.图所示电路，设Ui=sin3t（V）,V=2V,二极管具有理想特性，则输出电压Uo的波

形应为图示图。

6V和7V,

图所示的电路中，Dz1和Dz2为稳压二极管，其稳定工作电压分别为

Dzl

且具有理想的特性。

由此可知输出电压Uo为。

lkQ

Ul=20¥

Uo

0—

9.二极管最主要的特性是，它的两个主要参数是反映正向特性的

和反映反向特性的。

10.图所示是一个输出6V正电压的稳压电路，试指出图中有哪些错误，并在图上加以改正。

11.

12.桥式整流滤波电路，以知v2仁20X1.414Sin3t（V）。

在下列情况时，说明Vo端对

应的直流电压平均值Vo（av）应为多少。

（1）电容C因虚焊未接上。

（2）有电容但RL开路。

（3）整流桥中有一个二极管因虚焊断路，有电容C,RL=a。

13•设二极管正向电阻为零，反向电阻无穷大，判断如图所示电路的输出端电压：

（）

A、一3V;

B、一8V;

C、5V;

D、8V。

14•如果电阻R的阻值为1千欧，问：

二极管的电流正向电流为（）。

（填空）

畔RPVo3V1I

图二概管工作电跻

15.PN结具有，偏置时导通，偏置时截止。

16•直流稳压电源的作用就是将转换为。

小功率直流稳压电源一般由、、和四部分

组成。

17•常温下，硅二极管的死区电压约为V，导通后两端电压基本保持约V不

变；

锗二极管的死区电压约V,导通后两端电压基本保持约V不变。

18.二极管2AP7是类型，2CZ56是类型，2CW56是类型，2CK70是类型，2CC122是类型，1N4007是类型，1N4148是类型，1N5401是类型。

正常情况下稳压管工作在区，具有稳压作用。

19.硅二极管两端加上正向电压时立即导通。

（）

20•当二极管两端正向偏置电压大于死区电压时，二极管才能导通。

21.二极管的反向击穿电压大小与温度有关，温度升高反向击穿电压增大。

22•用万用表欧姆挡粗测2AP9时用RX10档。

23.在输出电压相同的情况下，桥式整流电容滤电路和桥式整流电路所选二极管的最大

电流可以相同。

24•同硅管相比，锗管的参数更易受温度的影响。

25.半导体就是导电性能介于导体与绝缘体之间的一类物质。

26.稳压二极管正常工作时必须反偏，且反偏电流必须大于稳定电流ZIo（）

27.半导体二极管反向击穿后立即烧毁。

28•用模拟万用表和数字万用表在测试二极管的极性时，测试方法和判别依据完全一

样。

29.2CZ型二极管，以下说法正确的是（）

A.适用于小信号检波B.适用于整流C.适用于开关电路

30.对于晶体二极管，下列说法正确的是（）

A.正向偏置导通，反向偏置截止B.导通时可等效为一线性电阻

C.在达到反向击穿电压之前通过的电流很小

D.反向击穿后立即烧毁

31.题图1.5.1所示电路，二极管为理想二极管，以下说法正确的是（）

A.VD导通，UAO=6VB.VD导通，UAO=-6V

C.VD截止，UAO=9VD.VD导通，UAO=—9V

2KQ

卿（）

+

32.硅二极管正偏时，正偏电压0.7V和正偏电压0.5V时，二极管呈现的电阻值（）

A.相同B不相同C无法判断

33.用模拟万用表RX1K档测二极管，若红笔接阳极，黑笔接阴极，读数为50K，表

笔对换测得电阻一样大，则该二极管（）

A.内部已断，不能使能B.内部已短路，不能使用

C.没有坏，但性能不好D.性能良好

34.如题图1.5.2所示电路：

1）该电路正常工作时，输出电压ou为多少？

2）若要电路

正常工作，变压器次级电压2u的最小值是多少？

最大值是多少？

3）如果变压器次级

电压2u的有效值为15V,则整流、滤波后电压3u的数值大略为多少？

若测得3u为13.5V左右，分析故障原因与部位，并列出检修的步骤。

36.硅稳压管稳压电路如题图1.5.3所示。

已知硅稳压管VD的稳定电压Uz=10V、

动态电阻和反向饱和电流均可以忽略，限流电阻R=RL=1kQ，未经稳压的直流输入电

压Ui=24V。

（1）试求Uo、Io、I及Iz;

（2）若负载电阻RL的阻值减小为0.5K，再求Uo、Io、丨及Iz。

1•三极管

2.三极管的饱合特性

3•三极管的截止特性

4.三极管的放大特性

三极管习题

10.某晶体管的iB从20卩A变到40卩A时，对应的iC从1.55mA变化到3.05mA，则该管的B为（）。

A、3=75B3=50C3=100D3=77.5

12.

其中硅材料的NPN管是（）。

测得工作在放大电路中的三极管各极电位如图所示,

、基本放大电路基础知识习题作业

1.按要求填写下表。

电路名称

连接方式（e、c、b）

性能比较（大、中、小）

公共极

输入极

输出极

|Au|

Ai

Ri

Ro

其它

共射电路

共集电路

共基电路

2.分别改正图2所示各电路中的错误，使它们有可能放大正弦波信号。

要求保留电路原

来的共射接法和耦合方式。

3.

画出图3所示各电路的直流通路和交流通路。

设所有电容对交流信号均可视为短路。

4.电路如图4（a）所示，图（b）是晶体管的输出特性，静态时UBEQ0.7V。

利用图解法分

别求出RL=s和RL=3kQ时的静态工作点和最大不失真输出电压Uom（有效值）。

5.电路如图5所示，已知晶体管1=50,在下列情况下，用直流电压表测晶体管的集电极电

位，应分别为多少？

设VCC=12V,晶体管饱和管压降UCES=0.5V。

6.电路如图6所示，晶体管的丄80,気'

=100@。

分别计算RL=s和RL=3kQ时的Q点、

Au、Ri和Ro。

7.在图6所示电路中，由于电路参数不同，在信号源电压为正弦波时，测得输出波形如图7

（a）、（b）、（c）所示，试说明电路分别产生了什么失真，如何消除。

图7

8.若由PNP型管组成的共射电路中，输出电压波形如图P3.7（a）、（b）、（c）所示，则分别

产生了什么失真?

9.已知图9所示电路中晶体管的|：

'

=100,rbe=1kQ。

（1）现已测得静态管压降UCE睦6V,估算Rb约为多少千欧;

（2）若测得Ui和U。

的有效值分别为imV和100mV则负载电阻RL为多少千欧?

3kal

Q十比「

（+I2V）

10.电路如图10所示，晶体管的—100,気'

=100Q。

（1）求电路的Q点、A、Ri和Ro；

（2）若电容Ce开路，则将引起电路的哪些动态参数发生变化？

如何变化?

图10

25kQU

n

臨n

5kQU

11.设图11所示电路所加输入电压为正弦波。

试问:

图11

（1）Au1=Uo1/Ui〜?

Au2=Uo2/Ui〜

（2）画出输入电压和输出电压ui、uo1、uo2的波形;

12.电路如图12所示，晶体管的1=80,rbe=1kQ。

（1）求出Q点；

（2）分别求出RL=s和RL=3kQ时电路的Au和Ri;

（3）

求出Ro。

图12

13.电路如图13所示，晶体管的―60,気'

（1）求解Q点、u、Ri和Ro;

（2）设Us=10mV（有效值），问Ui=?

Uo=?

若C3开路，则Ui=?

U°

=?

图13

r'

14.图14所示电路参数理想对称，晶体管的B均为50,bb=100q,UBE@0.7。

试计算

RW骨动端在中点时T1管和T2管的发射极静态电流IEQ，以及动态参数Ad和Ri。

15.如图15所示的差动放大电路中，设晶体管3仁B2=80,r'

bb=200Q,其他参数标在图

上，试求：

（10分）

（1）画出直流通路，求静态时的ICQ1、ICQ2和UO

（2）画出差模输入时的微变等效电路，并求接入负载RL=24KQ时的差模电压放大倍数Avd，差模输入电阻rid和输出电阻rod

图15

17.电路如图15所示，已知场效应管的低频跨导为gm试写出A、Ri和Ro的表达式。

d

图17