1、2.硅稳压二极管并联型稳压电路中,硅稳压二极管必须与限流电阻串联,此限流电阻 的作用是(C调压限流 )。A、提供偏流 B、仅限流电流 C、兼有限流和调压两个作用3.有两个2CW15稳压管,一个稳压值是 8V,另一个稳压值是 7.5V,若把两管的正极并接,再将负极并接,组合成一个稳压管接入电路,这时组合管的稳压值是( B7.5V )。8V; B、 7.5V ; C、15.5V4.稳压管DW稳压值为5.3V,二极管VD正向压降0.7V,当VI为12V时,DW和 VD是否导通,V0为多少? R电阻的作用。答:DW和VD不导通,V0为5.3V , R电阻的作用是分压限流。5.下图中D1-D3为理想二极
2、管,A, B, C灯都相同,试问哪个灯最亮?( )ZjDlABC6在图所示的电路中,当电源 V=5V 时,测得I=1mA。若把电源电压调整到 V=10V,则电流的大小将 。A.I=2mA B.I2mA7.图所示电路,设 Ui=sin 3 t(V) , V=2V ,二极管具有理想特性,则输出电压 Uo的波形应为图示 图。6V 和 7V ,图所示的电路中, Dz1和Dz2为稳压二极管,其稳定工作电压分别为Dzl且具有理想的特性。由此可知输出电压 Uo为 。lkQUl=20Uo0 9. 二极管最主要的特性是 ,它的两个主要参数是反映正向特性的 和反映反向特性的 。10. 图所示是一个输出 6V正电压
3、的稳压电路, 试指出图中有哪些错误, 并在图上加以 改正。11.12 .桥式整流滤波电路,以知v 2仁20 X 1.414Sin 3 t(V)。在下列情况时,说明V o端对应的直流电压平均值V o(av)应为多少。(1)电容C因虚焊未接上。(2)有电容但R L开路。(3) 整流桥中有一个二极管因虚焊断路,有电容 C,R L= a。13设二极管正向电阻为零,反向电阻无穷大,判断如图所示 电路的输出端电压:()A、 一 3V;B、 一 8V;C、 5V ;D、 8V。14如果电阻R的阻值为1千欧,问:二极管的电流正向电流为( )。(填空)畔 RP Vo 3V1 I图二概管工作电跻15. PN结具有
4、,偏置时导通, 偏置时截止。16直流稳压电源的作用就是将 转换为。小功率直流稳压电源一般由 、和 四部分组成。17常温下,硅二极管的死区电压约为 V,导通后两端电压基本保持约 V不变;锗二极管的死区电压约 V ,导通后两端电压基本保持约 V不变。18.二极管2AP7是 类型,2CZ56是 类型,2CW56是 类型,2CK70是 类型,2CC122 是 类型,1N4007是 类型,1N4148是 类型,1N5401是 类型。正常情况下稳压管 工作在 区,具有稳压作用。19.硅二极管两端加上正向电压时立即导通。 ()20 当二极管两端正向偏置电压大于死区电压时,二极管才能导通。21.二极管的反向击
5、穿电压大小与温度有关,温度升高反向击穿电压增大。22用万用表欧姆挡粗测 2AP9时用RX10档。23.在输出电压相同的情况下, 桥式整流电容滤电路和桥式整流电路所选二极管的最大电流可以相同。24 同硅管相比,锗管的参数更易受温度的影响。25. 半导体就是导电性能介于导体与绝缘体之间的一类物质。26. 稳压二极管正常工作时必须反偏,且反偏电流必须大于稳定电流 Z I o ()27. 半导体二极管反向击穿后立即烧毁。28 用模拟万用表和数字万用表在测试二极管的极性时, 测试方法和判别依据完全一样。29.2CZ型二极管,以下说法正确的是( )A .适用于小信号检波 B .适用于整流 C.适用于开关电
6、路30. 对于晶体二极管,下列说法正确的是( )A.正向偏置导通,反向偏置截止 B.导通时可等效为一线性电阻C.在达到反向击穿电压之前通过的电流很小D.反向击穿后立即烧毁31.题图1.5.1所示电路,二极管为理想二极管,以下说法正确的是( )A.VD 导通,UAO=6V B.VD 导通,UAO=-6VC.VD 截止,UAO=9V D. VD 导通,UAO= 9V2KQ卿()+32. 硅二极管正偏时,正偏电压 0.7V和正偏电压0.5V时,二极管呈现的电阻值( )A .相同B不相同C无法判断33. 用模拟万用表 RX1K档测二极管,若红笔接阳极,黑笔接阴极,读数为 50K,表笔对换测得电阻一样大
7、,则该二极管( )A .内部已断,不能使能 B .内部已短路,不能使用C.没有坏,但性能不好 D .性能良好34.如题图1.5.2所示电路:1)该电路正常工作时, 输出电压o u为多少? 2)若要电路正常工作,变压器次级电压2u的最小值是多少?最大值是多少? 3)如果变压器次级电压2 u的有效值为15V ,则整流、滤波后电压3 u的数值大略为多少?若测得 3 u为 13.5V左右,分析故障原因与部位,并列出检修的步骤。36.硅稳压管稳压电路如题图 1.5. 3所示。已知硅稳压管 VD的稳定电压 Uz = 10V、动态电阻和反向饱和电流均可以忽略,限流电阻 R=RL = 1kQ,未经稳压的直流输
8、入电压 Ui = 24V。(1)试求 Uo、Io、I 及 Iz;(2)若负载电阻 RL的阻值减小为0.5K,再求Uo、Io、丨及Iz。1 三极管2.三极管的饱合特性3 三极管的截止特性4.三极管的放大特性三极管习题10.某晶体管的iB从20卩A变到40卩A时,对应的iC从1.55mA变化到3.05mA,则 该管的B为()。A、3 =75 B 3 =50 C 3 =100 D 3 =77.512.其中硅材料的NPN管是()。测得工作在放大电路中的三极管各极电位如图所示,、基本放大电路基础知识习题作业1.按要求填写下表。电路名称连接方式(e、c、b)性能比较(大、中、小)公共极输入极输出极|Au|
9、AiR iR o其它共射电路共集电路共基电路2.分别改正图2所示各电路中的错误,使它们有可能放大正弦波信号 。要 求保留电路原来的共射接法和耦合方式。3.画出图3所示各电路的直流通路和交流通路。设所有电容对交流信号均可视为短路。4.电路如图4 (a)所示,图(b)是晶体管的输出特性,静态时 UBEQ 0.7V。利用图解法分别求出RL=s和RL= 3k Q时的静态工作点和最大不失真输出电压 Uom (有效值)。5.电路如图5所示,已知晶体管1= 50,在下列情况下,用直流电压表测晶体管的集电极电位,应分别为多少?设 VCC= 12V,晶体管饱和管压降 UCES= 0.5V。6.电路如图6所示,晶
10、体管的 丄80,気=100。分别计算 RL=s和RL= 3kQ时的Q点、Au、Ri 和 Ro。7.在图6所示电路中,由于电路参数不同,在信号源电压为正弦波时,测得输出波形如图 7(a)、(b)、(c)所示,试说明电路分别产生了什么失真,如何消除。图78.若由PNP型管组成的共射电路中,输出电压波形如图 P3.7 (a)、(b)、(c)所示,则分别产生了什么失真?9.已知图9所示电路中晶体管的| : = 100, rbe=1k Q。(1)现已测得静态管压降 UCE睦6V,估算Rb约为多少千欧;(2)若测得Ui和U。的有效值分别为imV和100mV则负载电阻RL为多少千欧?3kalQ十比(+I2V
11、)10.电路如图10所示,晶体管的 100,気=100 Q。(1)求电路的Q点、A、Ri和Ro;(2)若电容Ce开路,则将引起电路的哪些动态参数发生变化?如何变化?图1025kQUn臨n5kQU11.设图11所示电路所加输入电压为正弦波。试问:图11(1 ) Au1 = U o1 / U i ? Au 2 =U o2 / U i (2)画出输入电压和输出电压 ui、uo1、uo2的波形;12.电路如图12所示,晶体管的1= 80, rbe=1k Q。(1)求出Q点;(2) 分别求出 RL=s和RL= 3k Q时电路的Au和Ri ;(3)求出Ro。图1213.电路如图13所示,晶体管的 60,気
12、(1)求解Q点、u、Ri和Ro;(2)设 Us = 10m V (有效值),问 Ui = ? Uo =?若 C3 开路,则 Ui =? U = ?图13r 14.图14所示电路参数理想对称,晶体管的 B均为50, bb =100 q , UBE 0.7。试计算RW骨动端在中点时 T1管和T2管的发射极静态电流IEQ,以及动态参数 Ad和Ri。15.如图15所示的差动放大电路中,设晶体管 3仁B 2=80, rbb=200 Q ,其他参数标在图上,试求:(10分)(1)画出直流通路,求静态时的 ICQ1、ICQ2和UO(2) 画出差模输入时的微变等效电路, 并求接入负载RL=24KQ时的差模电压放大倍数 Avd,差模输入电阻rid和输出电阻rod图1517.电路如图15所示,已知场效应管的低频跨导为 gm试写出 A、Ri和Ro的表达式。d图17
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