第六章PN结的静电特性22精文档格式.docx

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第六章PN结的静电特性22精@#@@#@例1,室温下,处于热平衡条件下的硅突变结,P型掺杂NA=1015/cm3,而n型掺杂ND=1014/cm3,KS=11.8,（1计算Vbi,xp,xn,W及x=0处的电场和电势;@#@（2画出电荷密度,电场,电势随位置变化的关系.解:

@#@解:

@#@Vbi=NNKT1015×@#@1014ln（A2D=0.0259ln[]q1020ni12Ksε0NAXn=[Vbi]2qND（NA+NDXp=NDXnNAW=Xn+Xp@#@ε（xx=0=qNDxnKSε0qNA2xpKSε0V（xx=0=例2,室温下给定非简并掺杂的硅突变结,NA=1015/cm3,ND=1014/cm3,KS=11.8,VA=20V,试计算并画出结内电场和电势随位置的变化关系.@#@