第六章PN结的静电特性22精# #例1, 室 温 下 , 处 于 热 平 衡 条 件 下 的 硅 突 变 结 , P 型 掺 杂 N A = 1015 / cm 3 , 而 n 型 掺 杂 N D = 1014 / cm 3 , K S = 11.8 , （1计算Vbi,xp,xn,W及x=0 处的电场和电势;# （2画出电荷密度,电场,电势随位置变化的关系. 解:#解:# Vbi = N N KT 1015 # 1014 ln（ A 2 D = 0.0259 ln q 10 20 ni 1 2K s 0 NA Xn = Vbi 2 q N D （N A + N D Xp = ND X n NA W = Xn + X p # （ x x =0 = qN D xn KS 0 qN A 2 xp KS 0 V （ x x =0 = 例2, 室 温 下 给 定 非 简 并 掺 杂 的 硅 突 变 结 , N A = 1015 / cm 3 , N D = 1014 / cm 3 , K S = 11.8,V A = 20V ,试 计算并画出结内电场和电势随位置的变化关系. #
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