半导体名词解释00001.docx

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半导体名词解释00001

半导体名词解释

LT

需要的组件电子特性，一般包含下面几道步骤：

①WellImplant：

形成N,P阱区；

②ChannelImplant：

防止源/漏极间的漏电；

③VtImplant：

调整Vt（阈值电压）。

20.       一般的离子注入层次（Implantlayer）工艺制造可分为那几道步骤?

       答：

一般包含下面几道步骤：

①光刻（Photo）及图形的形成；

②离子注入调整；

③离子注入完后的ash（plasma（等离子体）清洗）

④光刻胶去除（PRstrip）

21.       Poly（多晶硅）栅极形成的步骤大致可分为那些?

       答：

①Gateoxide（栅极氧化层）的沉积；

②Polyfilm的沉积及SiON（在光刻中作为抗反射层的物质）的沉积）；

③Poly图形的形成（Photo）；

④Poly及SiON的Etch；

⑤Etch完后的ash（plasma（等离子体）清洗）及光刻胶去除（PRstrip）；

⑥Poly的Re-oxidation（二次氧化）。

22.       Poly（多晶硅）栅极的刻蚀（etch）要注意哪些地方？

       答：

①Poly的CD（尺寸大小控制；

②避免Gateoxie被蚀刻掉，造成基材（substrate）受损.

23.       何谓Gateoxide（栅极氧化层）?

       答：

用来当器件的介电层，利用不同厚度的gateoxide,可调节栅极电压对不同器件进行开关

24.       源/漏极（source/drain）的形成步骤可分为那些?

       答：

①LDD的离子注入（Implant）；

②Spacer的形成；

③N+/P+IMP高浓度源/漏极（S/D）注入及快速热处理（RTA：

RapidThermal Anneal）。

25.       LDD是什幺的缩写?

用途为何?

       答：

LDD:

LightlyDopedDrain.LDD是使用较低浓度的源/漏极,以防止组件产生热载子效应的一项工艺。

26.       何谓Hotcarriereffect（热载流子效应）?

       答：

在线寛小于0.5um以下时,因为源/漏极间的高浓度所产生的高电场,导致载流子在移动时被加速产生热载子效应,此热载子效应会对gateoxide造成破坏,造成组件损伤。

27.       何谓Spacer?

Spacer蚀刻时要注意哪些地方？

       答：

在栅极（Poly）的两旁用dielectric（介电质）形成的侧壁，主要由Ox/SiN/Ox组成。

蚀刻spacer时要注意其CD大小，profile（剖面轮廓），及remainoxide（残留氧化层的厚度）

28.       Spacer的主要功能?

       答：

①使高浓度的源/漏极与栅极间产生一段LDD区域;

   ②作为ContactEtch时栅极的保护层。

29.       为何在离子注入后,需要热处理（ThermalAnneal）的工艺?

       答：

①为恢复经离子注入后造成的芯片表面损伤;

②使注入离子扩散至适当的深度;

③使注入离子移动到适当的晶格位置。

30.       SAB是什幺的缩写?

目的为何？

       答：

SAB：

Salicideblock,用于保护硅片表面，在RPO（ResistProtectOxide） 的保护下硅片不与其它Ti,Co形成硅化物（salicide）

31.       简单说明SAB工艺的流层中要注意哪些?

       答：

①SAB光刻后（photo），刻蚀后（etch）的图案（特别是小块区域）。

要确定有完整的包覆（block）住必需被包覆（block）的地方。

②remainoxide（残留氧化层的厚度）。

32.       何谓硅化物（salicide）?

       答：

Si与Ti或Co形成TiSix或CoSix,一般来说是用来降低接触电阻值（Rs,Rc）。

33.       硅化物（salicide）的形成步骤主要可分为哪些?

       答：

①Co（或Ti）+TiN的沉积；

②第一次RTA（快速热处理）来形成Salicide。

③将未反应的Co（Ti）以化学酸去除。

④第二次RTA （用来形成Ti的晶相转化,降低其阻值）。

34.       MOS器件的主要特性是什幺？

       答：

它主要是通过栅极电压（Vg）来控制源，漏极（S/D）之间电流，实现其开关特性。

35.       我们一般用哪些参数来评价device的特性？

       答：

主要有Idsat、Ioff、Vt、Vbk（breakdown）、Rs、Rc；一般要求Idsat、Vbk（breakdown）值尽量大，Ioff、Rc尽量小，Vt、Rs尽量接近设计值.

36.       什幺是Idsat?

Idsat代表什幺意义？

       答：

饱和电流。

也就是在栅压（Vg）一定时，源/漏（Source/Drain）之间流动的最大电流.

37.       在工艺制作过程中哪些工艺可以影响到Idsat?

       答：

PolyCD（多晶硅尺寸）、GateoxideThk（栅氧化层厚度）、AA（有源区）宽度、Vtimp.条件、LDDimp.条件、N+/P+imp.条件。

38.       什幺是Vt?

Vt代表什幺意义？

       答：

阈值电压（ThresholdVoltage），就是产生强反转所需的最小电压。

当栅极电压Vg

39.       在工艺制作过程中哪些工艺可以影响到Vt?

       答：

PolyCD、GateoxideThk.（栅氧化层厚度）、AA（有源区）宽度及Vtimp.条件。

40.       什幺是Ioff?

Ioff小有什幺好处

       答：

关态电流，Vg=0时的源、漏级之间的电流，一般要求此电流值越小越好。

Ioff越小,表示栅极的控制能力愈好,可以避免不必要的漏电流（省电）。

41.       什幺是devicebreakdownvoltage?

       答：

指崩溃电压（击穿电压），在Vg=Vs=0时，Vd所能承受的最大电压，当Vd大于此电压时，源、漏之间形成导电沟道而不受栅压的影响。

在器件越做越小的情况下，这种情形会将会越来越严重。

42.       何谓ILD?

IMD?

其目的为何？

       答：

ILD：

InterLayerDielectric,是用来做device与第一层metal的隔离（isolation），而IMD：

InterMetalDielectric，是用来做metal与metal的隔离（isolation）.要注意ILD及IMD在CMP后的厚度控制。

43.       一般介电层ILD的形成由那些层次组成？

       答：

①SiON层沉积（用来避免上层B,P渗入器件）；

②BPSG（掺有硼、磷的硅玻璃）层沉积；

③PETEOS（等离子体增强正硅酸乙脂）层沉积；

最后再经ILDOxideCMP（SiO2的化学机械研磨）来做平坦化。

44.       一般介电层IMD的形成由那些层次组成？

       答：

①SRO层沉积（用来避免上层的氟离子往下渗入器件）；

②HDP-FSG（掺有氟离子的硅玻璃）层沉积;

③PE-FSG（等离子体增强,掺有氟离子的硅玻璃）层沉积；

使用FSG的目的是用来降低dielectrick值,减低金属层间的寄生电容。

最后再经IMDOxideCMP（SiO2的化学机械研磨）来做平坦化。

45.       简单说明Contact（CT）的形成步骤有那些?

       答：

Contact是指器件与金属线连接部分，分布在poly、AA上。

①Contact的Photo（光刻）；

②Contact的Etch及光刻胶去除（ash&PRstrip）；

③Gluelayer（粘合层）的沉积；

④CVDW（钨）的沉积

⑤W-CMP。

46.       Gluelayer（粘合层）的沉积所处的位置、成分、薄膜沉积方法是什幺？

       答：

因为W较难附着在Salicide上,所以必须先沉积只Gluelayer再沉积W

Gluelayer是为了增强粘合性而加入的一层。

主要在salicide与W（CT）、W（VIA）与metal之间,其成分为Ti和TiN, 分别采用PVD和CVD方式制作。

47.       为何各金属层之间的连接大多都是采用CVD的W-plug（钨插塞）?

       答：

①因为W有较低的电阻；

   ②W有较佳的stepcoverage（阶梯覆盖能力）。

48.       一般金属层（metallayer）的形成工艺是采用哪种方式?

大致可分为那些步骤?

       答：

①PVD（物理气相淀积）Metalfilm沉积

②光刻（Photo）及图形的形成；

③Metalfilmetch及plasma（等离子体）清洗（此步驺为连序工艺，在同一个机台内完成，其目的在避免金属腐蚀）

④Solvent光刻胶去除。

49.       Topmetal和intermetal的厚度，线宽有何不同?

       答：

Topmetal通常要比intermetal厚得多，0.18um工艺中intermetal为4KA,而topmetal要8KA.主要是因为topmetal直接与外部电路相接，所承受负载较大。

一般topmetal的线宽也比intermetal宽些。

50.       在量测Contact/Via（是指metal与metal之间的连接）的接触窗开的好不好时,我们是利用什幺电性参数来得知的?

       答：

通过Contact或Via的Rc值，Rc值越高，代表接触窗的电阻越大,一般来说我们希望Rc是越小越好的。

51.       什幺是Rc?

Rc代表什幺意义？

       答：

接触窗电阻，具体指金属和半导体（contact）或金属和金属（via），在相接触时在节处所形成的电阻，一般要求此电阻越小越好。

52.       影响Contact（CT）Rc的主要原因可能有哪些?

       答：

①ILDCMP的厚度是否异常；

②CT的CD大小；

③CT的刻蚀过程是否正常；

④接触底材的质量或浓度（Salicide，non-salicide）；

⑤CT的gluelayer（粘合层）形成；

⑥CT的W-plug。

53.       在量测Poly/metal导线的特性时,是利用什幺电性参数得知?

       答：

可由电性量测所得的spacing&Rs值来表现导线是否异常。

54.       什幺是spacing?

如何量测?

       答：

在电性测量中，给一条线（polyormetal）加一定电压，测量与此线相邻但不相交的另外一线的电流，此电流越小越好。

当电流偏大时代表导线间可能发生短路的现