电子技术试题及答案文档格式.docx

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反响接法相反。

○10、硅二极管导通时的正向管压降约0.7V，锗二极管导通时的管压降约0.3V。

Δ11、使用二极管时，应考虑的主要参数是最大整流电流，最高反向电压和反向电流。

★12、发光二极管将电信号转换为光信号。

★13、变容二极管在高频收音机的自动频率控制电路中，通过改变其反向偏置电压来自动调节本机震荡频率。

★14、所谓理想二极管，就是当其正偏时，结电阻为零。

第2章半导体三极管及其放大电路

○15、三极管是电流控制元件。

○16、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结正偏，集电结反偏。

★17、当温度升高时，晶体三极管集电极电流Ic变大，发射结压降变小。

Δ18、三极管处在放大区时，其集电结电压小于零，发射结电压大于零。

★19、三极管的发射区杂质浓度很高，而基区很薄。

Δ20、三极管实现放大作用的内部条件是：

发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，同时基区厚度要很小.

Δ21、工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为100。

○22、三极管的三个工作区域分别是饱和区、放大区和截止区。

★23、发射结﹍正向﹍偏置，集电结正向偏置，则三极管处于饱和状态。

★24、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的（交越）失真，而采用（甲乙类）类互补功率放大器。

★25、OCL电路是（双）电源互补功率放大电路；

★26、OTL电路是（单）电源互补功率放大电路。

★27、共集电极电路电压放大倍数

（1），输入电阻（大），输出电阻（小），常用在输入级，输出级或缓冲级。

第三章集成运算放大器及其应用

○28、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号，称为共模信号。

.

Δ29、差分放大电路能够抑制零点漂移。

Δ30、集成运算放大器在比例运算电路中工作在线性放大区。

○31、在放大电路中为了提高输入电阻应引入串联负反馈。

Δ32、稳定静态工作点的常用方法有射极偏置电路和集电极－基极偏置电路。

★33、共集电极放大电路的输入电阻很大，输出电阻很小。

★34、放大电路必须加上合适的直流偏置才能正常工作。

Δ35.共射极、共基极、共集电极放大电路有功率放大作用；

★36.共射极、共基极放大电路有电压放大作用；

★37.共射极、共集电极放大电路有电流放大作用；

★38.射极输出器的输入电阻较大，输出电阻较小。

★39.射极输出器的三个主要特点是输出电压与输入电压近似相同、输入电阻大、输出电阻小。

第5章直流稳压电源

○40、直流稳压电路按调整器件的工作状态可分为线性稳压电路和开关稳压电路两大类。

○41、直流稳压电源由整流变压器、整流电路、滤波电路和稳压电路组成。

★42、滤波电路分为电容滤波、电感滤波、复式滤波和电子滤波。

Δ43、在稳压管稳压电路中，利用稳压管的反向击穿特性，实现稳压；

★44、整流二级管和整流堆统称为整流器件。

第六章晶闸管及应用电路

○45、晶闸管是一种电力半导体器件。

Δ46、单结晶闸管是种一具有负阻特性的半导体器件。

★47、晶闸管的缺点是承受过压和过流的能力差。

第七章门电路逻辑及组合逻辑电路

○48、门电路主要分为分立元件门路和集成电路门两类。

○49、门电路又称为逻辑门电路。

Δ50、门电路是组成数字电路的基本单元电路。

二、选择题

第一章半导体二极管

Δ1、当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增加时，硅二极管（C）

A、立即导通

B、到0.3V才开始导通

C.、超过死区电压时才开始导通

Δ2、把电动势为1.5V的干电池的正极直接接到一个硅二极管的正极，负极直接接到硅二极管的负极，则该管（A）

A、基本正常

B、将被击穿

C、将被烧坏

Δ3、当硅二极管加上0.4V正向电压时，该二极管相当于（B）

A.很小的电阻

B.很大的电阻

C.断路

★4、某二极管反向击穿电压为150V，则其最高反向工作电压（C）

A、约等于150V

B、略大于150V

C、等于75V

Δ5、当环境温度升高时，二极管的反向电流将（B）

A、增大

B、减小

C、不变

Δ6、测量小功率二极管的好坏时，一般把万用欧姆挡拨到（C）

A、R×

100B、R×

1kC、R×

1

★7、用万用表R×

100Ω挡来测试二极管，如果二极管（C）说明管子是好的。

A、正、反向电阻都为零

B、正、反向电阻都为无穷大

C、正向电阻为几百欧，反向电阻为几百千欧

Δ8、用万用表的电阻挡判断小功率二极管管脚极性时，应选用（C）

1Ω挡B、R×

1kΩ挡C、R×

10挡

★9、在测量二极管正向电阻时，若用两手把管脚捏紧，电阻值将会（A）

A、变大B、变小C、不变化

Δ10、变容二极管工作时，应加（A）

A、反向电压B、正向电压C、反向电压或正向电压

○11、发光二级管工作时，应加（A）

A、正向电压B、反向电压C、正向电压或反向电压

★12、变容二极管常用在（A）电路中。

A、高频B、低频C、直流

★13、交通信号灯采用的是（A）管

A、发光二极管B、光电二极管C、变容二极管

第二章半导体三极管及其放大电路

Δ14、用直流电压表测得放大电路中某三极管各极电位分别是2V、6V、2.7V，则三个电极分别是（C）。

A、（B、C、E）B、（C、B、E）C、（E、C、B）

★15、共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时为（B）

A、饱和失真B、截止失真C、交越失真

○16、差分放大电路是为了（C）而设置的。

A、稳定AuB、放大信号C、抑制零点漂移

Δ17、共集电极放大电路的负反馈组态是（A）。

A、电压串联负反馈B、电流串联负反馈C、电压并联负反馈

★18、为了使放大器带负载能力强，一般引入（A）负反馈。

A、电压B、电流C、串联

○19、硅二极管的正向导通压降比锗二极管的（）

A大B小C相等

Δ20、在（A）、（B）、（C）三种电路中输入电阻最大的电路是（B）

A共基放大电路B共集放大电路C共射放大电路

○21、在（A）、（B）、（C）三种电路中既能放大电流，又能放大电压的电路是（）

★22、一个平衡PN结，用导线将P区和N区连起来，而导线中（B）。

A、有微弱电流B、无电流C、有瞬间微弱电流

○23、晶体管在大电流工作时，随Ic的增加β值将（B）。

A、增加B、下降C、不变

○24、放大器的输入电阻高，表明其放大微弱信号能力（Ａ　）。

Ａ、强　　Ｂ、弱　　Ｃ、一般

★25、射极跟随器具有（Ｃ　）特点。

A、电流放大倍数高　Ｂ、电压放大倍数高　Ｃ、电压放大倍数近似于１且小于１输入电阻高，输出电阻低

Δ26、引入并联负反馈，可使（Ｃ　）。

Ａ、输出电压稳定Ｂ、反馈环内输入电阻增加Ｃ、反馈环内输入电阻减小

★27、直接耦合放大器的低频特性比阻容耦合放大器的（　Ａ）。

Ａ、好　Ｂ、差　Ｃ、相同

★28、产生正弦波自激震荡的稳定条件是（C　）。

A、引入正反馈B、|AF|≥1C、AF=1

○29、稳压二极管是利用PN结的（C）。

A单向导电性B.反偏截止特性

C反向击穿特性

○30、只用万用表判别晶体管3个电极，最先判别出的应是B。

Ae极Bb极Cc极

第五章直流稳压电源

★31、共发射极接法的晶体管，工作在放大状态下，对直流而言其A。

A输入具有近似的恒压特性，而输出具有恒流特性。

B输入和输出均具近似的恒流特性。

C输入和输出均具有近似的恒压特性。

第六章晶闸管及应用电路

★32、放大电路中有反馈的含义是B。

A、输出与输入之间有信号通路

B、电路中存在反向传输的信号通路

C、除放大电路以外还有信号通道

○33、根据反馈的极性，反馈可分为C反馈

A直流和交流B电压和电流C正反馈和负反馈

○34、根据反馈信号的频率，反馈可分为A反馈

○35、根据取样方式，反馈可分为B反馈

A直流和交流B电压和电流C正和负

○36、根据比较的方式，反馈可分为C反馈

A直流和交流B电压和电流C串联和并联

Δ37、负反馈多用于A。

A改善放大器的性能B产生振荡C提高输出电压

Δ38、正反馈多用于B。

Δ39、交流负反馈是指B。

A只存在于阻容耦合电路中的负反馈

B交流通路中的负反馈

C变压器耦合电路中的负反馈

Δ40、若反馈信号正比于输出电压，该反馈为C反馈。

A串联B电流C电压D并联

○41、若反馈信号正比于输出电流，该反馈为B反馈

A串联B电流C电压

○42、当电路中的反馈信号以电压的形式出现在电路输入回路的反馈称为A反馈。

○43、当电路中的反馈信号以电流的形式出现在电路输入回路的反馈称为C反馈。

A串联B电流C并联

★44、电压负反馈可以A。

A稳定输出电压B稳定输出电流C增大输出功率

Δ45、串联负反馈A。

A提高电路的输入电阻B降低电路的输入电阻

C提高电路的输出电压

★46、电压并联负反馈B。

Δ47、电流串联负反馈放大电路的反馈系数称为B反馈系数。

A电流B互阻C互导

★48、负反馈所能抑制的干扰和噪声是指C。

A输入信号所包含的干扰和噪声

B反馈环外的干扰和噪声

C反馈环内的干扰和噪声

Δ49、负反馈放大电路是以降低电路的C来提高电路的其它性能指标。

A通频带宽B稳定性C增益

○50、PN结的最大特点是具有（C）。

A导电性B.绝缘性C.单向导电性

3、判断下列说法是否正确，用“×

”或“√”表示判断结果。

Δ1、半导体随温度的升高，电阻会增大（×

）

Δ2、PN结正向偏转时电阻小，反向偏置时电阻大。

（×

○3、二极管是线性元件。

★4、一般来说，硅二极管的死去电压小于锗二极管的死区电压。

○5、不