集成电路Memory产业分析报告.docx

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集成电路Memory产业分析报告

2015年集成电路Memory产业分析报告

2015年12月

目录

一、Memory产业格局巨变，中国优势有三4

1、Memory划分：

NANDFlash和DRAM4

2、紫光集团切入Memory，产业格局巨变5

3、进口替代空间大、成长性好7

4、切入Memory门槛低9

（1）标准化，下游转换成本低9

（2）制程要求低，避开中国软肋9

（3）设计难度低10

5、产业政策扶持和国内制造优势10

二、NANDFlash：

中国芯片切入第一站11

1、前三占比超70%，国内几乎空白11

2、15-18年全球复合增长20%，2018年中国市场容量180亿美元12

3、量升价跌：

供大于求和技术提升14

4、3DNAND—中国企业弯道超车机会15

三、DRAM：

下一站将切入的领域17

1、竞争格局更激烈，前三占据90%份额17

2、15-18年复合增长12.1%，2018年中国市场容量210亿美元19

3、价格处于下降通道，巨头增产和技术进步提升门槛19

4、制程进入20nm以内，未来5年DDR4成主流21

四、Memory产业链和受益企业23

1、Memory产业链全景23

2、上游：

上海新阳、中环股份、七星电子24

（1）上海新阳：

半导体化学龙头，业绩弹性高24

（2）中环股份：

单晶硅王者，大硅片替代24

（3）七星电子：

稀缺性高的半导体设备供应商25

3、中游：

同方国芯26

（1）同方国芯：

800亿定增跨入存储第一梯队26

4、下游：

太极实业、长电科技26

（1）太极实业：

国内DRAM测封纯正标的，切入芯片制造领域26

（2）长电科技：

全球测封巨头，国内虚拟IDM核心27

Memory产业格局巨变。

紫光股份间接注入闪迪和同方国芯800亿元定增募投Memory产业。

两次运作后，紫光集团间接或者直接控制了全球30-35%的NANDFlash产能，未来再有望进入DRAM领域，国内Memory产业格局发生巨变。

中国切入Memory优势有三。

优势一，进口替代空间大，成长性好。

2014年国内Memory规模520亿美元，自给率几乎为0。

同时2012-2018年DRAM和NANDFlash复合增长率5.5%和11.0%，高于半导体行业平均增速4.6%。

优势二，切入Memory门槛低，主要来自标准化（下游转换成本低）、制程要求低（避开中国软肋）、设计难度低。

优势三，国内产业政策扶持和国内制造优势。

第一步NANDFlash，第二步DRAM。

国内切入Memory领域分两步走，第一步进入NANDFlash领域，15-18年全球复合增长20%，2018年中国市场容量180亿美元，并有望有3DNAND实现弯道超车。

第二步有望进入DRAM领域，15-18年复合增长12.1%，2018年中国市场容量210亿美元。

不过产业巨头在扩产和提高技术进入门槛，有意减缓中国进入脚步。

一、Memory产业格局巨变，中国优势有三

1、Memory划分：

NANDFlash和DRAM

存储芯片（Memory）是一种以半导体为材料的存储介质，平日常见的U盘、PC内存、SSD（固态硬盘）的均属于Memory的范围。

以断电后存储数据是否丢失为标准，Memory主要划分两类：

一类是非易失性存储器（Non-VolatileMemory），这一类Memory断电后数据能够存储，主要以NANDFlash为代表，常见于U盘和SSD（固态硬盘）；另一类是易失性存储器（VolatileMemory），这一类Memory断电后数据不能储存，主要以DRAM为代表，常见于PC和手机内存。

除了NANDFlash和DRAM，Memory还包含其他门类，例如NorFlash、SRAM等。

但从产值构成来分析，NANDFlash和DRAM是构成Memory产业的核心构成，分别占据Memory产值的37%和57%。

2、紫光集团切入Memory，产业格局巨变

近期紫光集团与Memory相关的资本运作，主要是旗下紫光股份间接注入闪迪和同方国芯800亿元定增募投Memory产业。

两次运作后，紫光集团间接或者直接控制了全球30-35%的NANDFlash产能，未来再有望进入DRAM领域，全球的Memory产业格局将发展巨变。

（1）收购西部数据切入闪迪，拥有全球NANDFlash19.7%的产能。

紫光集团是紫光股份的控股股东，紫光股份10月4日晚公告，公司旗下子公司紫光联合将以92.50美元/股的价格认购NASDAQ上市公司西部数据发行的4081万股普通股，金额共计37.75亿美元。

认购发行完成后，公司将通过紫光联合持有WDC发行在外的约15%的股份，成为第一大股东，并拥有1个董事会席位。

10月21日，西部数据公告，将以约190亿美元的价格收购存储芯片制造商闪迪公司（SanDisk）。

2014年SanDisk是全球第三大的NANDFlash制造商，拥有全球19.7%的市场份额。

这样紫光集团通过控股西部数据，从而间接切入全球第三大NANDFlash厂商，控制了全球19.7%的NANDFlash产能。

（2）同方国芯800亿元定增投向Memory，满产后占全球NANDFlash比重10-15%。

紫光集团是同方国芯的控股股东，11月5日同方国芯公告，拟以27.04元/股发行29.59亿股，向实际控制人清华控股旗下九名对象发行股份，募资金额800亿元投向集成电路业务。

其中600亿元拟投入存储芯片工厂，37.9亿元拟收购台湾力成25%股权，162亿元拟投入对芯片产业链上下游的公司的收购。

预计该项目从项目备案至项目建设完成、试运行并完成验收约需2年时间。

预计项目投产一年后可完全达产，即至项目建设后第四年生产负荷可达100%。

工厂实施完成并完全达产后，预计可新增120,000片/月的NANDFlash产能，预计将贡献营业收入354亿元，年均利润为87.2亿元，税后财务内部收益率为17.65%，税后投资回收期6.28年（含建设期2年）。

项目满产后，同方国芯Memory的产值将占据全球市场10-15%的份额。

3、进口替代空间大、成长性好

我国芯片产业90%以上依赖进口，而Memory领域几乎100%依赖。

2014年，我国芯片产业进口2176亿美元（约1.37万人民币），仅次于第一进口商品原油的2283亿美元。

其中存储芯片（Memory）的规模达到520亿美元，占芯片产业规模总量的23.7%，排名第一，比重超过CPU、手机芯片，进口替代空间巨大。

另外，从成长性来看，DRAM和NANDFlash的成长性高于半导体的行业平均水平。

Gartner预计2012-2018年半导体的复合增长率仅4.6%，而DRAM和NANDFlash的复合增长率有5.5%和11.0%。

受益于全球电子产业链向中国转移，以及国内巨大的电子终端生产和消费市场，国内Memory市场规模迎来快速发展。

2014年国内Memory的市场规模超过500亿美元，预计2015-2018年期间复合增长达到14%，到2018年国内Memory的市场规模达到850亿美元。

随着物联网应用的崛起，数据流量将成几何级数成长，非易失性存储器的需求将会持续爆发，而与此同时NANDFlash在技术、性能、稳定性、容量、价格等方面不断趋向大规模渗透的爆发点，未来基于SSD固态硬盘替代传统机械硬盘的趋势已经非常明朗。

NANDFlash已经取代手机基带/AP和CPU成为半导体产业技术密集、创新驱动和产值最大的领域。

4、切入Memory门槛低

在全球芯片领域中，微处理器、逻辑IC、Memory、模拟电路是其主要构成，占比达到19%、28%、22%和13%。

在这些细分芯片领域中，Memory拥有最低的进入门槛，原因来自三点：

标准化、制程要求低、设计难度低。

（1）标准化，下游转换成本低

Memory最大的特点就是标准化极高，例如DRAM领域的DDR3内存，无论是哪个厂家产品，频率、容量、封装都必须按照统一行业标准，当然NANDFlash领域也有自己统一的行业标准。

这就造成了Memory的产品几乎是无差异化产品，下游客户的转换成本极低。

标准化下，中国厂商进入的难度也降低。

（2）制程要求低，避开中国软肋

中国集成电路最大的软肋之一，就是半导体制程落后。

目前国内最先进的半导体制程是中芯国际28nm，这还是依赖于高通的帮助。

而台积电、三星、intel已经商用14nm，7nm预计未来两年量产。

国内半导体制程大概落后国际主流5-8年差距。

全球来看，逻辑IC、微处理器已经进入14/16nm时代，而Memory领域，三星、东芝进入20nm不久，美光、华亚科、SK海力士准备15年进入20nm，而南亚科、力晶都在30nm时代。

国内的芯片代工厂制程工艺大多在28nm以上，所以中国切入Memory的另一个优势，就是Memory对半导体制程要求相对其他芯片低一些。

（3）设计难度低

在微处理器、逻辑IC、Memory、模拟电路中，Memory的设计难度最低。

设计难度低的核心原因，一方面在于Memory产业标准化和制程要求低，另一方Memory设计不涉及复杂的指令集和逻辑运算设计。

设计难度低，大大降低了中国切入Memory领域的设计门槛。

5、产业政策扶持和国内制造优势

《中国制造2025》明确订定2020年大陆IC内需市场自制率将达40%，2025年将更进一步提高至70%。

巨大的进口替代空间和基于信息安全考虑，集成电路是未来10年国家政策重点照顾的领域，而国内Memory占芯片消费量比重最大，更是提升IC自制率和政策倾斜的重点。

除了国家产业政策扶植，国内制造优势也不可忽视。

国内巨大Memory市场+工程师红利+国内虚拟IDM提升效率，使得全球的Memory甚至半导体产业逐步向大陆转移。

同时出于成本因素以及缩短供货时间的考量，我们认为未来将有更多的Memory甚至的逻辑IC的制造和测封订单向大陆企业转移，利好中国集成电路全产业链。

二、NANDFlash：

中国芯片切入第一站

1、前三占比超70%，国内几乎空白

全球存储芯片市场是属于高度垄断和高度商品化的市场，NANDFlash则基本由三星、东芝、Sandisk、美光、海力士主导，其中三星、东芝、Sandisk共计占全球NANDFlash市场份额70%以上，而在中国企业紫光股份曲线进入Sandisk和同方国芯800亿募资投向Memory之前，中国的NANDFlash产能占全球比重基本为0。

2、15-18年全球复合增长20%，2018年中国市场容量180亿美元

TrendForce预计2015年全球NANDFlash的市场规模在266亿美元，2015-2018年的复合增长率为20%，到2018年市场规模到460亿美元。

从下游消费领域看，2015年在智能手机、平板电脑与固态硬盘领域NANDFlash的消耗量占比超过85%。

预计未来几年SSD固态硬盘和移动设备仍是NANDFlash消费增量的主力，到2018年占NANDFlash比重有望达到43%和37%。

而物联网的应用也将拉动NANDFlash的需求，不过预计大规模放量预计到2018年之后。

中国的情况来看，TrendForce统计以2Gb颗粒来换算，2014年中国NANDFlash的消费类在70亿美元，占全球NANDFlash产值比重29.3%。

预计2015年-2018年中国NANDFlash的复合增速在26%，到2018年中国市场容量在180亿美元左右，占全球NANDFlash产值39.1%。

从国内下游消费来看，基本和全球占比一直，主要以智能手机、平板电脑与固态硬盘为主。

3、量升价跌：

供大于求和技术提升