MEMS习题131分析讲解学习Word格式文档下载.docx

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通过测量弹簧力的大小，或弹簧引起的变形的大小，或由质量振子和固定基体组成的电容器电容的大小，来测量加速度的大小。

阻尼器的作用是减弱弹簧的简谐运动，使质量振子快速稳定，从而快速获得测量值。

MEMS中常用的加速度计有悬梁式加速度计和平衡力式加速度计。

悬梁式加速度计中，悬臂梁充当弹簧，质量块为质量振子，腔内流体充当阻尼器，通过测量悬臂梁上的压敏电阻值计算加速度。

平衡力式加速度计中薄梁为质量振子，弹簧铰链为弹簧，周围流体为阻尼器，通过测量差动电容计算加速度。

5.解释硅被优先选择作为MEMS衬底材料的原因。

1）可以被集成到硅衬底的电子器件上

2）力学性能稳定，是理想的结构材料，拥有较高的杨氏模量和较小的密度

3）高温下的尺寸稳定性

4）热膨胀系数小

5）没有机械迟滞，硅晶面平整

6）材料来源广泛，成本较低

7）设计、制造更灵活，处理、制作工艺成熟

6.MEMS材料中压电晶体材料、聚合物类材料各自特点及应用；

如何使聚合物导电？

1）压电晶体材料：

特点：

拥有压电效应（受到压力变形时，能在上线表面产生电压）和逆压电效应（在上下表面施加电压，材料能产生一变形）；

通常为固体陶瓷材料

应用：

MEMS中的执行器、压电微泵、打印机墨盒、双压电微风扇

2）聚合物材料：

重量轻、成本低、熔点低、电导率差（一般为绝缘体）、处理工艺简单、耐蚀性好、形状稳定性高

应用：

光阻聚合物用于生产掩模和LIGA技术中MEMS的初模；

铁电聚合物用于MEMS中的执行器；

聚合物还用作介电材料、电磁屏蔽材料、封装材料和有机衬底

3）使聚合物材料导电的方法：

热解；

掺入过渡金属原子；

加入导电纤维

7.介绍化学气相沉积的工作原理

1）携带扩散反应物的气体流过热表面

2）表面温度提供的能量引起气体中反应物的化学反应

3）反应中和反应后形成薄膜

4）化学反应的副产品由出口排除。

8.比较干法腐蚀和湿法腐蚀的不同之处

9.等离子体在微加工中的作用

1）等离子刻蚀

2）离子注入

3）薄膜沉积

10.叙述体硅微制造、表面微加工和LIGA工艺的特点及其优缺点

体硅微制造特点:

缺点：

材料损失大;

仅限于低深宽比的几何形状,即表面尺寸远大于深度尺寸.

优点：

简单,是一个成熟的工艺过程;

生产成本低;

适合简单形状的制造;

表面微加工特点:

需要在基底上构造材料层;

需要复杂的掩模设计及生产;

必须要腐蚀掉牺牲层;

工艺过程耗时多,成本大;

有界面应力和粘连等工程问题.

不受硅晶片厚度的限制;

薄膜材料的选择范围大;

适合于复杂的形状.

LIGA工艺的特点:

所有工艺中花费最多的工艺;

X射线光刻需要用到一种特殊的同步加速器辐射设备;

需要研制微注入压模技术及进行大批量生产的设备.

微结构的深宽比不受限制;

柔性的微结构和几何形状;

是三种技术中唯一可生产金属微结构的工艺;

在制备注入压模的情况下,是三种制造工艺中最适合批量生产的.

11.表面微加工由几个的组成部件组成？

对于表面微加工过程主要存在哪些力学问题，分别阐述其原因

组成部分：

生成绝缘层显影并去除多余光刻胶

淀积材料刻蚀暴露的材料

旋涂光刻胶去除残留光刻胶

曝光

力学问题：

1层间的粘附

层间粘结力不够

2界面应力

衬底与淀积材料热膨胀系数不匹配

12.分析表面微加工中防止粘连产生的原因.防止粘连的主要方法主要有哪三类?

原因：

一旦产生，接难以分离。

方法

13.介绍LIGA工艺过程，在LIGA工艺过程中为什么电铸是必要的？

LIGA对光刻胶有什么要求

LIGA包括三个工艺过程：

深层同步辐射X射线光刻

电镀成形

注塑

使用电铸将微结构内部填充，将聚合物取出后就可得到金属的微结构，并以此为模子可进行下一步的注塑。

光刻胶选取：

近年来选用高灵敏度的SU-8，曝光时间短，适用于大尺度加工。

对电子束敏感，与衬底材料附着性能好。

14.描述DRIE工艺并分析DRIE如何获得近乎完美垂直腐蚀结构

DRIE在腐蚀过程可以在侧壁生成几毫米厚保护掩模;

采用高浓度等离子体源,使基底材料等离子刻蚀过程与侧壁上腐蚀保护材料沉积过程交替进行。

DIRE延伸了体硅微制造，获得高深宽比，并且腔壁完全垂直。

15.比较体硅微制造与表面微加工工艺技术的异同点。

体硅微加工是指对晶体或非晶体的体块材料进行腐蚀,得到三维形貌。

表面微加工是指在衬底上逐层累积与刻蚀,从而形成结构。

表面微加工尺寸上一般远小于由体硅微加工获得的器件。

共同的工艺技术：

光刻、氧化、扩散、离子注入，LPCVD、PECVD、等离子刻蚀、多晶硅的使用、溅射、蒸发、电镀

工艺技术区别：

体硅微加工中采用了各向异性腐蚀、键合技术、腐蚀停止层、双面工艺、电化学腐蚀；

表面微加工采用干法刻蚀实现图形化、各向同性腐蚀进行结构释放。

16.MEMS微系统封装主要难点

微系统有三维结构；

每层结构由不同材料成；

系统中含有流体或受环境排斥物质；

对需要直接与外部环境作用才能实现功能的MEMS器件，封装结构要

实现保护及信号连接的作用。

17.键合技术主要应用领域，微系统元件键合的难点

应用领域：

（1）基片之间的键合:

硅晶片键合到硅晶片、硅晶片键合到由玻璃、石英、蓝宝石、陶瓷和金属材料制成的承载晶片上

（2）微元件固定到承载基片上:

硅模片固定到由玻璃或者陶瓷制成的基板上

（3）微器件上转换器的输入输出引线以及导电线的连接

微系统元件键合难点：

（1）表面之间的紧密结合

（2）温度

18.介绍粘合剂键合、共晶键合特点及工艺过程检测和控制要求

（1）特点

键合方法

温度

密封性

可靠性

环氧树脂（粘合剂）键合

共晶键合

低

中

不好

好

不确定

（2）工艺过程检测和控制要求

a粘合剂键和过程检测

过程温度控制：

温度影响粘性

温度过高，流动性好，污染表面

接触力

过小，晶片与黏合剂接触不好，强度不高；

环氧树脂键合过程失效的接触力变化范围较大，对测力的

精确性以及重复性必须检测

污染

污染导致键合性变差，造成电阻增加或者导电性能下降

污染可能是由于环氧树脂过期或者清洗不足

b共晶键合过程检测

过程温度控制

低于共晶点，长时间保温，键合结点颗粒状；

温度过高，热冲击、浸润不足

过大，不满足共晶键合所要求的清洗过程

过小，器件位置不平整，导致电路性能和机械可靠性变差

清洗

不充分清洗，影响共晶键合形成；

过量清洗，共晶键合变薄，电路性能变差，机械性能变差

空气条件

氧气过多，氧化、妨碍润湿。

N2调节空气成分，压力、速度、喷嘴位置

污染

无机污染物，Ar等离子气；

有机，氧等离子或者化学溶液

加工时间

增加键合时间，导致Au过度溶解，接头性能下降

19.介绍局部加热键合的主要方法，采用激光进行局部加热键合有何显著优点？

主要方法：

金硅共晶键合，硅-玻璃熔化键合，局部焊接键合，局部CVD键合，局部激光辅助键和。

激光进行局部加热键合的优点：

反应时间和温度可控

非接触式过程

不同材料可以使用不同波长的激光

加工复杂图形的能力和用户选择性

20.介绍三种导线键合方法和特点，对导线键合过程控制检测要求有哪些

热压：

引线键合在机械压力和大约400℃的温度下完成键和过程为，加热引线形球，用毛细管状（热压头？

ppt上是那么写的）的工具将球压倒焊盘上，施加机械压力在球键合到焊盘上之后移走毛细管状的工具

楔形-楔形超声键合：

室温下的键合能亮是由20-60khz的超声震动提供。

热压超声：

是使用超声的热压键合，键和温度为100-150℃，键合形状为球形-楔形或者是楔形-楔形

导线键合键合过程检测

过程温度控制

超声波键合：

室温；

超声焊接：

125～175℃；

热压键合：

250～300℃；

工具温度超声波及热声键合：

热压键合：

300～400℃；

键合力

过度键合：

键合节点弱化

键合不足：

键合材料形变不够，难以焊接

过程时间

过短，无法完成键合；

过长：

超声损坏焊点

超声波耦合

调整超声波发生器的输出电压调整超声能量；

静态和动态下谐振频率和阻抗的偏差；

固定传感器的晶体堆

键合表面金属化

薄而硬键合表面需要更大的超声波能量和接触力，较大

的键合表面；

截尾时需要小的接触压力；

厚而软的键合表面需较小的超声波能量和接触力，较小

键和表面；

截尾时要更大的接触压力。

键合表面污染：

湿法清洗、等离子清洗

有机：

氧或者氢等离子清洗或化学刻蚀；

无机：

氩等离子体清洗

热压键合受表面污染的影响最大；

热声受污染影响最小

键合材料属性（纯度、硬度延展性）

硬度大，需要大的接触力，高的温度，大的超声能量；

延展性引起截断时段点发生变化

21.为何对于MEMS器件制造，密封工序是要重点考虑的对象？

按照材料分类，密封分为哪两类，各有何特点？

MEMS密封的必要性:

防化学污染、湿气腐蚀、盐雾污染、来自生物体污染、空气污染；

防止机械破坏。

密封材料：

有机材料、无机材料

有机材料经济、耐久性不够，性能受所用聚合物树脂渗透性控制；

无机密封相对长久、且是气密的，甚至实现真空封装，成本高。

22.集成密封过程的主要优点、步骤。

集成密封过程的主要优点：

晶片切割和处理工序之前，可以对机械元件进行原位密封，避免受到污染。

集成密封过程的步骤：

①采用微细加工技术制作器件和起间隔作用的牺牲层；

②沉积牺牲层并形成图形，之后是封装盖层的沉积和图形制作过程，从而形成具有刻蚀通道和空腔的密封外壳。

③去除牺牲层

④沉积密封通道和空腔

23.使用中间层进行晶片键合其工艺过程的主要特征。

使用中间层进行晶片键合的主要步骤。

主要特征：

●广泛用于陶瓷工业，形成金属与金属之间或者金属与陶瓷之间的键