电子线路设计安装与调试实训教案Word文档下载推荐.docx

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可控硅调光电路的正确布局（排版）、焊接和调试。

[教学策略]：

1、讲解电路工作原理和调光过程。

2、讲解电路布局（排版）原则。

3、让学生布局（排版），指导有困难的学生。

[教学中的元件与工具]：

1、元件：

电阻1/4W:

1.2KΩ×

1，5.1KΩ×

1，330Ω×

1，47Ω×

2，100Ω×

1，电位器100KΩ×

1，可控硅4PA×

1，BT33×

1，二极管4007×

5，电容0.1UF/63V×

1,通用线路板×

1,稳压管12V×

1。

2、工具：

万用表，烙铁，烙铁架，摄子，焊锡丝，导线，220V交流电源，220V/36V变压器，60W/36V白炽灯泡。

[教学过程]：

一、元件检测讲述并检测

1.电阻：

5.1KΩ五色环（绿棕黑棕棕），用万用表×

100档来测电阻值；

1.2KΩ四色环（棕红红金），用万用表×

330Ω四色环（橙橙棕金），用万用表×

100（或×

10）档来测电阻值；

100Ω四色环（棕黑黑棕）用万用表×

1（或×

47Ω五色环（绿紫黑黄棕）用万用表×

10）档来测电阻值。

2.二极管IN4007：

用万用表×

1K档测正向导通反向载止。

（最大整流电流:

1.0A，最大反向电压:

1000V，最大功耗:

3W，频率类型:

低频）

3．晶体管2CP12：

参数极限工作电压Vrwm（V）：

100，极限工作电流Im（A）：

0.1

4.电位器100KΩ：

10K（或×

1K）档来测电阻值。

5.单向晶闸管（可控硅）KP1-4：

单向晶闸管结构原理：

单向晶闸管结构如图1所示，由P型和N型半导体四层交替叠合而成。

它有三个电极：

阳极A（从外层P型半导体引出）、阴极K（从外层N型半导体引出）、门极G（从内层P型半导体引出）。

单向晶闸管符号如图2所示。

图1图2

单向晶闸管可以等效地看成是由一个PNP型三极管（VT1）和一个NPN型三极管（VT2）组成，如图3所示。

开关S断开时，VT1、VT2无基极电流，所以不导通；

闭合开关S，回路中则形成强烈正反馈（Ib2↑→Ic2↑→Ib1↑→Ic1↑→Ib2↑），使VT1、VT2迅速饱和导通；

导通后，开关S即可断开，因为VT2管的基极电流由VT1管的集电极电流提供，继续维持正反馈。

所以，门极也称控制极，它的作用仅仅是触发晶闸管的导通，一旦导通，控制极就失去了作用。

由此可知，单向晶闸管导通必须具备两个条件：

首先阳极和阴极之间要加上正向电压；

其次门极与阴极之间必须加上适当的正向触发电压。

图3

晶闸管有导通和关断两种状态，导通后，要使它关断需要满足两个条件：

一是将阳极电流减小到无法维持正反馈；

二是将阳极电压减小到一定程度。

单向晶闸管检测：

单向晶闸管在正常情况下，AK间、AG间正反向电阻较大（在几百千欧）；

GK间正反向电阻小（在几百欧），并且GK间正反向电阻有差别，正向电阻小，（黑笔接G，红笔接K测出的电阻），反向电阻大。

所以用万用表R×

10档测晶闸管极与极之间的正反向电阻，既可判断出它的极性，又可判断出它的好坏。

（a）（b）（c）

图4晶闸管管脚排列、结构图及电路符号

对于小功率晶闸管也可这样检测：

万用表置R×

10档，黑笔接阳极A，红笔接阴极K，表针应指向∞（若阻值小，则晶闸管击穿）；

将门极G也与黑笔接触（获取正向触发电压），此时晶闸管应导通，表针约摆动在60～200Ω之间（若表针不摆动，表明可控硅断极）；

将门极G与黑笔脱开，指针不返回∞，说明晶闸管良好（有些晶闸管因维持电流较大，万用表的电流不足以维持它的正反馈，当门极G与黑笔脱开后，表针会回到∞，也是正常的）。

6.电容0.1uF：

100档，应用电容充放电来判别质量。

7.单结晶体管BT33：

单结晶体管的原理：

单结晶体管（简称UJT）又称基极二极管，是一种只有一个PN结和两个电阻接触电极的半导体器件。

它的基片为条状的高阻N型硅片，两端分别用欧姆接触引出两个基极b1和b2.在硅片中间略偏b2一侧用合金法制作一个P区作为发射极e.其结构、符号、等效电路及伏安特性如图5所示。

①单结晶体管的特性。

从图5（a）可以看出，两基极b1与b2之间的电阻被称为基极电阻，即

式中，rbl为第一基极与发射结之间的电阻，其数值随发射极电流i。

的变化而变化；

rb2为第二基极与发射结之间的电阻，其数值与￡。

无关；

发射结是PN结，与二极管等效。

若在两面基极b2,b1之间加上正电压Vbb9则A点电压为

式中，，为分压比，其值一般在0.3—0.85之间，如果发射极电压Ve由零逐渐增加，就可测得单结晶体管的伏安特性，如图5（d）所示。

a.当V,<

刀呱时，发射结处于反向偏置，单结晶体管截止，发射极只有很小的漏电流I。

图5单结晶体管的结构、符号、等效电路及伏安特性

b.当

为二极管正向压降（约为0.7V），PN结正向导通，Ie显著增加，rbl迅速减小，Ve相应下降，这种电压随电流增加反而下降的特性，称为负阻特性。

单结晶体管由截止区进人负阻区的临界P称为峰点，与其对应的发射极电压和电流分别称为峰点电压Vp和峰点电流Ip。

Ip是正向漏电流，是使单结晶体管导通所需的最小电流，显然

c.随着发射极电流Ie的不断上升，Ve不断下降，降到v点后，Ve不在下降了，则v点称为谷点，与其对应的发射极电压和电流称为谷点电压v和谷点电流IV"

d.过了v点后，发射极与第一基极间半导体内的载流子达到了饱和状态，所以u}.继续增加时，i。

便缓慢地上升，显然Vv是维持单结晶体管导通的最小发射极电压。

如果

，则单结晶体管重新截止。

②单结晶体管的主要参数。

a.基极间电阻Rbb"

发射极开路时，基极bl,b2之间的电阻，一般为2-10kΩ，其数值随温度的上升而增大。

b.分压比：

由单结晶体管内部结构决定的常数，一般为0.3-0.85。

c．e,bl之间反向电压Vebl:

b2开路，在额定反向电压Veb2下，基极b1与发射极e之间的反向耐压。

d.反向电流I:

b1开路，在额定反向电压Vb2下，e,b2之间的反向电流。

e.发射极饱和压降Veo：

在最大发射极额定电流时，e,bl之间的压降。

f.峰点电流IP:

单结晶体管刚开始导通时，发射极电压为峰点电压时的发射极电流。

单结晶体管的测试方法：

图6为单结晶体管BT33管脚排列、结构图及电路符号。

1）判断单结晶体管发射极e的方法：

将万用表置于RX100挡或R×

lk挡，用黑表笔接其中的一个极，红表笔接另外两极，当出现两次低电阻时，则黑表笔接的就是单结晶体管的发射极。

2）单结晶体管b1和b2的判断方法：

将万用表置于R×

100挡或R×

lk挡，用黑表笔接发射极，红表笔接另外两极，两次测量中，电阻大的一次，红表笔接的就是b1极。

但对于个别单结晶体管的e-bl之间的正向电阻值较小，测量时不一定准确，仅供参考。

（a）　（b）　　（c）

图6单结晶体管BT33管脚排列、结构图及电路符号

8.通用线路板：

一看有无短路、断路。

二用万用表测有无短路、断路。

二、电路工作原理

图7单相晶闸管调光电路

三、电子元件布局的方法和规则

讲解电子元件布局的规则和方法。

学生布局（排版）练习。

对有困难的学生及时指导。

1.按电路模块进行布局，实现同一功能的相关电路称为一个模块，电路模块中的元件应采用就近集中原则，同时数字电路和模拟电路分开。

2.定位孔、标准孔等非安装孔周围1.27mm内不得贴装元、器件，螺钉等安装孔周围3.5mm（对于M2.5）、4mm（对于M3）内不得贴装元器件。

3.卧装电阻、电感（插件）、电解电容等元件的下方避免布过孔，以免波峰焊后过孔与元件壳体短路。

4.元器件的外侧距板边的距离为5mm。

5.贴装元件焊盘的外侧与相邻插装元件的外侧距离大于2mm。

6.金属壳体元器件和金属件（屏蔽盒等）不能与其它元器件相碰，不能紧贴印制线、焊盘，其间距应大于2mm。

定位孔、紧固件安装孔、椭圆孔及板中其它方孔外侧距板边的尺寸大于3mm。

7.发热元件不能紧邻导线和热敏元件；

高热器件要均衡分布

8.电源插座要尽量布置在印制板的四周，电源插座与其相连的汇流条接线端应布置在同侧。

特别应注意不要把电源插座及其它焊接连接器布置在连接器之间，以利于这些插座、连接器的焊接及电源线缆设计和扎线。

电源插座及焊接连接器的布置间距应考虑方便电源插头的插拔。

9.其它元器件的布置所有IC元件单边对齐，有极性元件极性标示明确，同一印制板上极性标示不得多于两个方向出现两个方向时，两个方向互相垂直。

10、板面布线应疏密得当，当疏密差别太大时应以网状铜箔填充，网格大于8mil（或0.2mm）。

11、贴片焊盘上不能有通孔，以免焊膏流失造成元件虚焊。

重要信号线不准从插座脚间穿过。

12、贴片单边对齐，字符方向一致，封装方向一致。

13、有极性的器件在以同一板上的极性标示方向尽量保持一致

四、焊接的方法和规则

讲解焊接的方法和规则学生焊接练习。

（一）线路板焊接机理

采用锡铅焊料进行焊接的称为锡铅焊，简称锡焊，其机理是：

在锡焊的过程中将焊料、焊件与铜箔在焊接热的作用下，焊件与铜箔不熔化，焊料熔化并湿润焊接面，依靠焊件、铜箔两者问原子分子的移动，从而引起金属之间的扩散形成在铜箔与焊件之间的金属合金层，并使铜箔与焊件连接在一起，就得到牢固可靠的焊接点，以上过程为相互间的物理—化学作用过程。

.

（二）手工焊接注意事项：

1.手握铬铁的姿势掌握正确的操作姿势，可以保证操作者的身心健康，减轻劳动伤害。

为减少焊剂加热时挥发出的化学物质对人的危害，减少有害气体的吸入量，一般情况下，烙铁到鼻子的距离应该不少于20cm，通常以30cm为宜。

电烙铁有三种握法，如图8所示。

图8握电烙铁的手法示意

反握法的动作稳定，长时间操作不易疲劳，适于大功率烙铁的操作；

正握法适于中功率烙铁或带弯头电烙铁的操作；

一般在操作台上焊接印制板等焊件时，多采用握笔法。

2.焊锡丝一般有两种拿法，如图9所示。

由于焊锡丝中含有一定比例的铅，而铅是对人体有害的一种重金属，因此操作时应该戴手套或在操作后洗手，避免食入铅尘。

图9焊锡丝的拿法

3.电烙铁使用以后，一定要稳妥地插放在烙铁架上，并注意导线等其他杂物不要碰到烙铁头，以免烫伤导线，造成漏电等事故。

（三）手工焊接基本方法

1.手工焊接步骤

（1）准备施焊（图10（a））

左手拿焊丝，右手握烙铁，进入备焊状态。

要求烙铁头保持干净，无焊渣等氧化物，并在表面镀有一层焊锡。

（2）加热焊件（图10（b））

烙铁头靠在两焊件的连接处，加热整个焊件全体，时间大约为1～2秒钟。

对于在印制板上焊接元器件来说，要注意使烙铁头同时接触两个被焊接物。

例如，图（