PGDB两种GPP芯片工艺对比docxWord格式.docx
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1.制程简介
1.1：
PG制程
PG制程是一种先进的GPP芯片制造工艺，对PN结采用三层钝化保护（SIPOS/玻璃/LTO）o工艺过程是先在PN结表面沉积一层SIPOS,再通过光刻法上玻璃（光阻剂和玻璃粉的
混合物，称为PhotoGlass）,采用光刻的原理，先通过匀胶
机自然旋转的方法在晶片表面均匀覆盖一层光阻玻璃（Phot。
Gbss）,然后通过烘烤、曝光.显影去掉切割道及焊接面上的玻璃，只在PN结的表面留下需要钝化保护的光阻玻璃，最后通过低温玻璃的烧结的工艺将光阻玻璃中的光阻剂去掉，最后在高温下将粉状玻璃烧结成致密的固态玻璃体，最后再在
玻璃沉积一层LTO,从而起到非常致密地钝化保护PN结的作
1.2：
刀刮制程
刀刮制程是一种比较传统的较为简单的GPP芯片工艺，只有一层玻璃钝化保护，即采用手工的方法用刀片将玻璃浆乱涂在晶片表面，再经过低温烧结将玻璃浆中的有机成份去掉,然后用手工擦拭的方法除掉焊接面的玻璃粉，留下沟槽中的
玻璃粉，最后再经过高温烧结，将粉状的玻璃烧结成固态玻璃体，从而起到钝化保护PN结的作用。
制程
PG
刀刮
图示
说明
单面曝光，单面蚀刻
双面曝光，N面会预先蚀刻为后续背
切割做准备
1：
晶粒台面有玻璃保护；
2：
沟槽中的玻璃被去除便于后续切割;
3:
钝化用的光阻玻璃是光阻剂与玻璃粉的混合物；
1:
晶粒台面无玻璃保护；
沟槽中填满玻璃，背切割裂片时会对玻璃造成损伤；
3：
钝化用的玻璃浆是乙基纤维素、乙基卡比醇与玻璃粉的混合物；
3.各制程优缺点
优点
采用3层钝化保护，高信赖性；
2.台面及玻璃有氧化膜保护，可以阻止焊锡流淌到玻璃；
3.玻璃包覆台面可以完好的保护PN结尖角的地方（尖角是电场最集中的，也通常是应用失效），提高可靠性能；
1•生产工艺简单，成本低；
2:
肉晶粒台面无玻璃，焊接时引线的设计比较简单适用；
缺点
台面有玻璃，其高度Max:
30um,其焊接面积也会比DB制程小2mi咗右，客户需要调整引线钉头的高度和钉头的尺寸；
1.焊接时因玻璃及台面无氣化膜保护，焊锡容易流淌到玻璃上形成锡桥，造成HI-REL及应用失效比例上升；
2.DB制程晶粒玻璃不包覆台面，故PN结尖角处保护就存在缺陷，容易造成铜硅扩散，应用失效；
4.PG产品与DB产品的实际表现
我司普通整流PG制程产品均采用SIPOS（Semi-insulatingpolycrystalline-silicon）为一种半绝缘的氧化膜，所以其会增加芯片的常温
（O.luA左右）及高温漏电。
但是SIPOS本身的漏电流有限，所以到达一定的温度后，SIPOS自身的漏电流不再增加，可以保证材料在高温条件下稳定性。
一般在150°
C条件下，仍为uA级别（50mil芯片约为50uA）。
DB的芯片如不采用SIPOS,其PN结表面钝化直接为玻璃，玻璃为绝缘材料，所以其漏电可以做到很小（常温：
O.OluA）,150°
C条件下，正常材料IR为10uA左右；
分别计算PG和DB制程芯片在150°
C高温条件下的功耗：
PG:
P=400V*50uA=0.02W
DB:
P=400V*10uA=0.004W；
此功耗其对材料结温的影响非常小
4.PG产品与DB严品的实际表现
统计以往，DB和PG制程产品的内部HTRB评估结果
DieSize
实验批数
每批实验数量
不合格批数
DB
46mil*46mil
97Lots
22pcs
4
50mil*50mil
26Lots
1
156Lots
231Lots
备注：
如果实验后材料电性不符合产品规格即为不合格（一般为材料电压衰降或者Short）
从以上对比数据，我们可以发现单独看少数几颗材料的短时间评估结果,并不能反应PG产品和DB产品实际优劣。
PG产品在长时间高温严苛条件下的整体稳定性和可靠性更好。
以上报告，不足之处请指正
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