ic半导体测试基础(中文版)Word文档格式.doc
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大家知道，当电流流经二极管时，会在其P-N结上引起大约的压降，我们接下来去检测连接点的电压就可以知道结果了。
既然程序控制PMU去驱动电流，那么我们必须设置电压钳制，去限制Open管脚引起的电压。
Open-Short测试的钳制电压一般设置为3V——当一个Open的管脚被测试到，它的测试结果将会是3V。
串行静态Open-Short测试的优点在于它使用的是DC测试，当一个失效（failure）发生时，其准确的电压测量值会被数据记录（datalog）真实地检测并显示出来，不管它是Open引起还是Short导致。
缺点在于，从测试时间上考虑，会要求测试系统对DUT的每个管脚都有相应的独立的DC测试单元。
对于拥有PPPMU结构的测试系统来说，这个缺点就不存在了。
当然，Open-Short也可以使用功能测试（FunctionalTest）来进行，我会在后面相应的章节提及。
图3-1.对地二极管的测试
测试下方连接到地的二极管，用PMU抽取大约-100uA的反向电流；
设置电压下限为，低于（如-3V）为开路；
设置电压上限为，高于（如）为短路。
此方法仅限于测试信号管脚（输入、输出及IO口），不能应用于电源管脚如VDD和VSS.
图3-2.对电源二极管的测试
测试上方连接到电源的二极管，用PMU驱动大约100uA的正向电流；
设置电压上限为，高于（如3V）为开路；
设置电压下限为，低于（如）为短路。
电源类管脚结构和信号类管脚不一样，无法照搬上述测试方法。
不过也可以测试其开路情形，如遵循已知的良品的测量值，直接去设置上下限。
第四章.DC参数测试
（1）
摘要
本章节我们来说说DC参数测试，大致有以下内容，
n
欧姆定律等基础知识
DC测试的各种方法
各种DC测试的实现
各类测试方法的优缺点
基本术语
在大家看DC测试部分之前，有几个术语大家还是应该知道的，如下：
HotSwitching
热切换，即我们常说的带电操作，在这里和relay（继电器）有关，指在有电流的情况下断开relay或闭合relay的瞬间就有电流流过（如：
闭合前relay两端的电位不等）。
热切换会减少relay的使用寿命，甚至直接损坏relay，好的程序应避免使用热切换。
Latch-up
闩锁效应，由于在信号、电源或地等管脚上施加了错误的电压，在CMOS器件内部引起了大电流，造成局部电路受损甚至烧毁，导致器件寿命缩短或潜在失效等灾难性的后果。
Binning
Binning（我很苦恼这玩意汉语怎么说——译者）是一个按照芯片测试结果进行自动分类的过程。
在测试程序中，通常有两种Binning的方式——hardbinning和softbinning.Hardbinning控制物理硬件实体（如机械手）将测试后的芯片放到实际的位置中去，这些位置通常放着包装管或者托盘。
Softbinning控制软件计数器记录良品的种类和不良品的类型，便于测试中确定芯片的失效类别。
Hardbinning的数目受到外部自动设备的制约，而Softbinning的数目原则上没有限制。
下面是一个Binning的例子：
Bin#
类别
01
100MHz下良品
02
75MHz下良品
10
Open-Short测试不良品
11
整体IDD测试不良品
12
整体功能测试不良品
13
75MHz功能测试不良品
14
功能测试VIL/VIH不良品
15
DC测试VOL/VOH不良品
16
动态/静态IDD测试不良品
17
IIL/IIH漏电流测试不良品
从上面简单的例子中我们可以看到，Hardbin0，Softbin01-02是良品，是我们常说的GoodBin；
而Hardbin1,Softbin10-17是不良品，也就是我们常说的FailedBin。
测试程序必须通过硬件接口提供必要的Binning信息给handler，当handler接收到一个器件的测试结果，它会去判读其Binning的信息，根据信息将器件放置到相应位置的托盘或管带中。
第四章.DC参数测试
（2）
ProgramFlow
测试程序流程中的各个测试项之间的关系对DC测试来说是重要的，很多DC测试要求前提条件，如器件的逻辑必须达到规定的逻辑状态要求，因此，在DC测试实施之前，通常功能测试需要被验证无误。
如果器件的功能不正确，则后面的DC测试结果是没有意义的。
图4-1的测试流程图图解了一个典型的测试流程，我们可以看到GrossFunctionalTest在DCTest之前实施了，这将保证所有的器件功能都已经完全实现，并且DC测试所有的前提条件都是满足要求的。
我们在制定测试程序中的测试流程时要考虑的因素不少，最重要的是测试流程对生产测试效率的影响。
一个好的流程会将基本的测试放在前面，尽可能早的发现可能出现的失效，以提升测试效率，缩短测试时间。
其它需要考虑的因素可能有：
测试中的信息收集、良品等级区分等，确保你的测试流程满足所有的要求。
图4-1.测试流程
生产测试进行一段时间后，测试工程师应该去看看测试记录，决定是否需要对测试流程进行优化——出现不良品频率较高的测试项应该放到流程的前面去。
TestSummary
测试概要提供了表明测试结果的统计信息，它是为良率分析提供依据的，因此需要尽可能多地包含相关的信息，最少应该包含总测试量、总的良品数、总的不良品数以及相应的每个子分类的不良品数等。
在生产测试进行的时候，经常地去看一下TestSummary可以实时地去监控测试状态。
图4-2显示的是一个Summary的实例。
第四章.DC参数测试（3）
DC测试与隐藏电阻
许多DC测试或验证都是通过驱动电流测量电压或者驱动电压测量电流实现的，其实质是测量电路中硅介质产生的电阻值。
当测试模式为驱动电流时，测量到的电压为这部分电阻上产生的电压；
与之相似，驱动电压时，测量到的电流为这部分电阻消耗的电流。
我们按照器件规格书来设计半导体电路，基本上每条半导体通路的导通电压、电路电阻等详细的参数都已规定；
整体传导率也可能随着器件不同的功能状态而改变，而处于全导通、半导通和不导通的状态。
在DC参数测试中欧姆定律用于计算所测试的电阻值，验证或调试DC测试时，我们可以将待测的电路看作电阻来排除可能存在的缺陷，通过驱动和测量得到的电压和电流值可以计算出这个假设电阻的阻抗。
Parameter
Description
TestConditions
Min
Max
Unit
VOL
OutputLowVoltage
VDD=Min,IOL=
V
我们可以用VOL这个参数来举例说明：
VOL=，IOL=，这个参数陈述了输出门电路驱动逻辑0时在输出8mA电流情况下其上的电压不能高于这样一个规则。
了解了这个信息，我们可以通过欧姆定律去计算器件管脚上拥有的输出电阻，看它是否满足设计要求。
通过定律公式R=V/I我们可以知道，器件设计时，其输出电阻不能高于50ohm，但是我们在规格书上看不到“输出电阻”字样，取而代之的是VOL和IOL这些信息。
注：
很多情况下我们可以用电阻代替待测器件去验证整个测试相关环节的正确性，它能排除DUT以外的错误，如程序的错误或负载板的问题，是非常有效的调试手段。
第四章.DC参数测试（4）-VOH/IOH
VOH/IOH
VOH指器件输出逻辑1时输出管脚上需要保证的最低电压（输出电平的最小值）；
IOH指器件输出逻辑1时输出管脚上的负载电流（为拉电流）。
下表是256x4静态RAM的VOH/IOH参数说明：
VOH
O
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