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篇一:
开学全员培训心得体会
开学全员培训心得体会
20XX年8月21-22日,在学校领导的精心组织下,学校进行了为期两天的全体教师职工培训。
在这两天的培训中,我受益匪浅。
这次培训中,采用了多样的授课形式,内容非常丰富,涉及到职教发展、社会热点、信息化发展、环境安全等各个领域。
叶继炎副校长深度地给我们解读了全国职业教育工作会议精神《顶层设计职教大国——让每一个人都有人生出彩的机会》讲座,让我们明白了在新形势下的机遇和挑战,如何把握职教发展的机会和创新职教教育。
市民文化大讲堂《目前经济形势热点问题和国家应对政策》视频;世纪大讲堂《大数据》视频,让我再次深感信息化的重要性,努力学会运用信息化资源大数据,使之教学服务,提高教学质量和更新教学手段;何素云老师为我们讲授的《承接新型职业农民培育项目工程,我校面临的机遇和挑战》讲座;文化大讲堂《中国安全环境与战略选择》视频;世纪大讲堂《土地制度改革与中国未来》视频等。
其中,我对《大数据》视频感触最深。
《大数据》告诉我们,当下信息化的重要性,我们已经处在信息化的时代,数据对我们的影响是如此之大,大数据已经广泛出现在互联网、移动互联网、电商、电信、金融等领域的大佬们的话语中,不管是阿里巴巴的前cEo马云,还是腾讯的董事长马
化腾,都在谈论着大数据。
亚马逊、沃尔玛、雅虎、iBm、苹果、谷歌这些国际巨头更是在很早的时候,就开始在大数据方面进行研究和布局。
随着信息技术的变革,我们将文字、方位、沟通甚至是世间万物都变成数据,然后通过数据的再利用、重组、扩展等实现价值,创造大数据公司。
学随着学校的信息化进程加快,与教育教学和学习相关的环境数据、业务数据和角色数据也将大量增加,这就是教育领域中的大数据,如何有效获取、筛选、管理和利用也成为挑战和变革的机遇。
对我们老师来说,要做一个课堂的组织者和引导者,时代的发展,必然使教师职业与时俱进,善于利用大数据服务于教学。
我们也必须要有开放的意识,把握时代的脉搏,。
在信息时代,学生获取知识、技能、乃至思想的渠道是畅通无阻的,这对教师本身的能量储备提出了挑战。
因此,教师要想处于专业涵养的有利位置,必须不断学习,在促进学生成长的同时实现自我成长。
再次感谢学校领导的栽培!
篇二:
科学技术讲座心得
科学技术讲座心得
无损检测,顾名思义,就是指在不损害或不影响被检测对象使用性能,不伤害被检测对象内部组织的前提下,利用材料内部结构异常或缺陷存在引起的热、声、光、电、磁等反应的变化,以物理或化学方法为手段,借助现代化的技术和设备器材,对试件内部及表面的结构、性质、状态及缺陷的类型、性质、数量、形状、位置、尺寸、分布及其变化进行检查和测试的方法。
无损检测分为很多种,主要有射线检验(RT)、超声检测(UT)、磁粉检测(mT)和液体渗透检测(PT)四种。
其他无损检测方法有涡流检测(EcT)、声发射检测(aE)、热像/红外(TiR)、泄漏试验(LT)、交流场测量技术(acFmT)、漏磁检验(mFL)、远场测试检测方法(RFT)、超声波衍射时差法(ToFd)等。
与破坏性检测相比,无损检测有以下特点:
第一是具有非破坏性,因为它在做检测时不会损害被检测对象的使用性能;第二具有全面性,由于检测是非破坏性,因此必要时可对被检测对象进行100%的全面检测,这是破坏性检测办不到的;第三具有全程性,破坏性检测一般只适用于对原材料进行检测,如机械工程中普遍采用的拉伸、压缩、弯曲等,破坏性检验都是针对制造用原材料进行的,对于产成品和在用品,除非不准备让其继续服役,否则是不能进行破坏性检测的,而无损检测因不损坏被检测对象的使用性能。
所以,它不仅可对制造用原材料,各中间工艺环节、直至最终产成品进行全程检测,也可对服役中的设备进行检测。
无损检查目视检测范围:
1、焊缝表面缺陷检查。
检查焊缝表面裂纹、未焊透及焊漏等焊接质量。
2、状态检查。
检查表面裂纹、起皮、拉线、划痕、凹坑、凸起、斑点、腐蚀等缺陷。
3、内腔检查。
当某些产品(如蜗轮泵、发动机等)工作后,按技术要求规定的项目进行内窥检测。
4、装配检查。
当有要求和需要时,使用同三维工业视频内窥镜对()装配质量进行检查;装配或某一工序完成后,检查各零部组件装配位置是否符合图样或技术条件的要求;是否存在装配缺陷。
5、多余物检查。
检查产品内腔残余内屑,外来物等多余物。
一些看上去非常传统的无损检测方法,实际上也已经发展出了许多新技术,譬如:
射线检测——传统技术是:
胶片射线照相(X射线和伽马射线)。
新技术有:
加速器高能X射线照相、数字射线成像(dR)、计算机射线照相(cR,类似于数码照相)、计算机层析成像(cT)、射线衍射等等。
超声检测——传统技术是:
a型超声(a扫描超声,a超)。
新技术有:
B扫描超声
(B超)、c扫描超声(c超)、超声衍射(ToFd)、相控阵超声、共振超声、电磁超声、超声波导波等等。
无损检测方法很多,据美国国家宇航局调研分析,其认为可分为六大类约70余种。
但在实际应用中比较常见的有以下几种:
1、目视检测(VT)
目视检测,在国内实施的比较少,但在国际上非常重视的无损检测第一阶段首要方法。
按照国际惯例,目视检测要先做,以确认不会影响后面的检验,再接着做四大常规检验。
例如BindT的Pcn认证,就有专门的VT1、2、3级考核,更有专门的持证要求。
VT常常用于目视检查焊缝,焊缝本身有工艺评定标准,都是可以通过目测和直接测量尺寸来做初步
检验,发现咬边等不合格的外观缺陷,就要先打磨或者修整,之后才做其他深入的仪器检测。
例如焊接件表面和铸件表面较多VT做的比较多,而锻件就很少,并且其检查标准是基本相符的。
2、射线照相法(RT)
是指用X射线或γ射线穿透试件,以胶片作为记录信息的器材的无损检测方法,该方法是最基本的,应用最广泛的一种非破坏性检验方法。
原理:
射线能穿透肉眼无法穿透的物质使胶片感光,当X射线或r射线照射胶片时,与普通光线一样,能使胶片乳剂层中的卤化银产生潜影,由于不同密度的物质对射线的吸收系数不同,照射到胶片各处的射线强度也就会产生差异,便可根据暗室处理后的底片各处黑度差来判别缺陷。
总的来说,RT的定性更准确,有可供长期保存的直观图像,总体成本相对较高,而且射线对人体有害,检验速度会较慢。
3、超声波检测(UT)
原理:
通过超声波与试件相互作用,就反射、透射和散射的波进行研究,对试件进行宏观缺陷检测、几何特性测量、组织结构和力学性能变化的检测和表征,并进而对其特定应用性进行评价的技术。
4、磁粉检测(mT)
原理:
铁磁性材料和工件被磁化后,由于不连续性的存在,使工件表面和近表面的磁力线发生局部畸变而产生漏磁场,吸附施加在工件表面的磁粉,形成在合适光照下目视可见的磁痕,从而显示出不连续性的位置、形状和大小。
5、渗透检测(PT)
原理:
零件表面被施涂含有荧光染料或着色染料的渗透剂后,在毛细管作用下,经过一段时间,渗透液可以渗透进表面开口缺陷中;经去除零件表面多余的渗透液后,再在零件表面施涂显像剂,同样,在毛细管的作用下,显像剂将吸引缺陷中保留的渗透液,渗透液回渗到显像剂中,在一定的光源下(紫外线光或白光),缺陷处的渗透液痕迹被现实,(黄绿色荧光或鲜艳红色),从而探测出缺陷的形貌及分布状态。
6、涡流检测(EcT)
原理:
将通有交流电的线圈置于待测的金属板上或套在待测的金属管外。
这时线圈内及其附近将产生交变磁场,使试件中产生呈旋涡状的感应交变电流,称为涡流。
涡流的分布和大小,除与线圈的形状和尺寸、交流电流的大小和频率等有关外,还取决于试件的电导率、磁导率、形状和尺寸、与线圈的距离以及表面有无裂纹缺陷等。
因而,在保持其他因素相对不变的条件下,用一探测线圈测量涡流所引起的磁场变化,可推知试件中涡流的大小和相位变化,进而获得有关电导率、缺陷、材质状况和其他物理量(如形状、尺寸等)的变化或缺陷存在等信息。
但由于涡流是交变电流,具有集肤效应,所检测到的信息仅能反映试件表面或近表面处的情况。
7、声发射(aE)
原理:
通过接收和分析材料的声发射信号来评定材料性能或结构完整性的无损检测方法。
材料中因裂缝扩展、塑性变形或相变等引起应变能快速释放而产生的应力波现象称为声
发射。
1950年联邦德国J.凯泽对金属中的声发射现象进行了系统的研究。
1964年美国首先将声发射检测技术应用于火箭发动机壳体的质量检验并取得成功。
此后,声发射检测方法获得迅速发展。
这是一种新增的无损检测方法,通过材料内部的裂纹扩张等发出的声音进行检测。
主要用于检测在用设备、器件的缺陷即缺陷发展情况,以判断其良好性。
8、超声波衍射时差法(ToFd)
ToFd技术于20世纪70年代由英国哈威尔的国家无损检测中心Silk博士首先提出,其原理源于silk博士对裂纹尖端衍射信号的研究。
在同一时期我国中科院也检测出了裂纹尖端衍射信号,发展出一套裂纹测高的工艺方法,但并未发展出现在通行的ToFd检测技术。
ToFd技术首先是一种检测方法,但能满足这种检测方法要求的仪器却迟迟未能问世。
详细情况在下一部分内容进行讲解。
ToFd要求探头接收微弱的衍射波时达到足够的信噪比,仪器可全程记录a扫波形、形成d扫描图谱,并且可用解三角形的方法将a扫时间值换算成深度值。
而同一时期工业探伤的技术水平没能达到可满足这些技术要求的水平。
直到20实际90年代,计算机技术的发展使得数字化超声探伤仪发展成熟后,研制便携、成本可接受的ToFd检测仪才成为可能。
但即便如此,ToFd仪器与普通a超仪器之间还是存在很大技术差别。
是一种依靠从待检试件内部结构(主要是指缺陷)的“端角”和“端点”处得到的衍射能量来检测缺陷的方法,用于缺陷的检测、定量和定位。
篇三:
半导体器件实验报告
实验报告
实验名称半导体器件课程设计
班级姓名:
学号:
实验日期:
实验地点:
一.PmoS的制造流程
制作PmoS的主要流程为:
衬底掺杂—〉栅氧化—〉离
子注入—〉淀积多晶硅栅—〉多晶硅氧化—〉多晶掺杂—〉边墙氧化层淀积—〉边墙氧化层刻蚀形成氧化层—〉源漏注入—〉源漏退火—〉金属化—〉镜像生成PmoS结构。
二.实验程序和图形
进入模拟软件后,输入数据和程序goathena
#non-UniformGrid(0.6umx0.8um)linexloc=0.00spac=0.10linexloc=0.20spac=0.01linexloc=0.60spac=0.01#lineyloc=0.00spac=0.008lineyloc=0.20spac=0.01lineyloc=0.50spac=0.05lineyloc=0.80spac=0.15
#initialSiliconStructurewithorientationinitsiliconc.phosphor=1.0e14orientation=100two.d#Gateoxidation
diffustime=11temp=950dryo2press=1.00hcl.pc=3#extractname=“Gateoxide”thicknessmaterial=“Sio~2”
mat.occno=1x.val=0.3
#ThresholdVoltageadjustimplant
implantphosphordose=9.5e10energy=10crysta
l
此图为离子注入后杂质浓度在画线处注入的磷的浓度相对于器件的深度的分布
#conformalPolysilicondeposition
depositpolysiliconthick=0.20divisions=10#Polydefinition
etchpolysiliconleftp1.x=0.35#Polysiliconoxidation
diffustime=3temp=900weto2press=1.00#Polysilicondoping
implantborondose=3.0e13energy=10crystal
#Spaceroxidedeposition
depositoxidethick=0.12divisions=10#SpaceroxideEtchetchoxidedrythick=0.12#Soucer/drainimplant
implantbf2dose=5.0e15energy=24tilt=0rotation=0crystal#Source/drainannealingmethodfermi
diffustime=1temp=900nitropress=1.00
下图为源漏退火前后两图相叠加、对比的图形。