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翻译如下
稽度
忧点
缺点
中F葛
m∙S「曲為・怕褂血
飓抗匹配电
有趣星韩振蕩器
中/高
对EMI和湿度」无附加无件，无匹配问题
成基高；功耗犬；怕箕动：
俸积大
陶瓷長荡署
中
低成本
E肛星感*怕黑动，怕厠湿
≡∕Φ
对≡ι.湿⅛W≡∑ιjT¾S.⅛⅛8⅛>小尺寸>
胡悯元肌无匹配冋題
逞度鞍屈度通窜鬲于晶滋振smm≡≡tt；某住类出諭整较高供电建滝
KE曙容旅蕩
很低
成本暈低
邁常乜酮I和裡度裁需・对于
点宜和供电电E'if⅛S・
晶体振荡器，简称晶振。
在电气上它可以等效成一个电容和一个电阻并联再串联一个电容的二端网络，电工学上这个网络有两个谐振点，以频率的高低分其中较低的频率是串联谐振，较高的频率是并联谐振。
由于晶体自身的特性致使这两个频率的距离相当的接近，在这个极
窄的频率范围内，晶振等效为一个电感，所以只要晶振的两端并联上合适的电容它就会组成并联谐振电路。
这个并联谐振电路加到一个负反馈电路中就可以构成正弦波振荡电路，由于
晶振等效为电感的频率范围很窄，所以即使其他元件的参数变化很大，这个振荡器的频率也
不会有很大的变化。
晶振有一个重要的参数，那就是负载电容值，选择与负载电容值相等的并联电容，就可
以得到晶振标称的谐振频率。
一般的晶振振荡电路都是在一个反相放大器（注意是放大器不是反相器）的两端接入晶振，再有两个电容分别接到晶振的两端，每个电容的另一端再接到地，这两个电容串联的容量值就应该等于负载电容，请注意一般IC的引脚都有等效输入电容，这个不能忽略。
一般的晶振的负载电容为15p或12.5p,如果再考虑元件引脚的等效输入电容，则两
个22p的电容构成晶振的振荡电路就是比较好的选择。
晶体振荡器也分为无源晶振和有源晶振两种类型。
无源晶振与有源晶振（谐振）的英文
名称不同，无源晶振为CryStal（晶体），而有源晶振则叫做oscillator（振荡器）。
无源
晶振需要借助于时钟电路才能产生振荡信号，自身无法振荡起来，所以“无源晶振”这个说
法并不准确；有源晶振是一个完整的谐振振荡器。
LC谐振器等。
谐振振荡器包括石英（或其晶体材料）晶体谐振器，陶瓷谐振器，
晶振与谐振振荡器有其共同的交集有源晶体谐振振荡器。
石英晶片所以能做振荡电路（谐振）是基于它的压电效应，从物理学中知道，若在晶片
的两个极板间加一电场，会使晶体产生机械变形；反之，若在极板间施加机械力，又会在相
应的方向上产生电场，这种现象称为压电效应。
如在极板间所加的是交变电压，就会产生机
械变形振动，同时机械变形振动又会产生交变电场。
一般来说，这种机械振动的振幅是比较
小的，其振动频率则是很稳定的。
但当外加交变电压的频率与晶片的固有频率（决定于晶片
的尺寸）相等时，机械振动的幅度将急剧增加，这种现象称为压电谐振，因此石英晶体又称为石英晶体谐振器。
其特点是频率稳定度很高。
石英晶体振荡器与石英晶体谐振器都是提供稳定电路频率的一种电子器件。
石英晶体振荡器
是利用石英晶体的压电效应来起振，而石英晶体谐振器是利用石英晶体和内置IC来共同作
用来工作的。
振荡器直接应用于电路中，谐振器工作时一般需要提供3.3V电压来维持工作。
振荡器比谐振器多了一个重要技术参数为：
谐振电阻（RR,谐振器没有电阻要求。
RR的
大小直接影响电路的性能，也是各商家竞争的一个重要参数。
概述
微控制器的时钟源可以分为两类：
基于机械谐振器件的时钟源，如晶振、陶瓷谐振槽路；基于相移电路的时钟源，女口：
RC（电阻、电容）振荡器。
硅振荡器通常是完全集成的RC振荡
器，为了提高稳定性，包含有时钟源、匹配电阻和电容、温度补偿等。
图1给出了两种时钟
源。
图1给出了两个分立的振荡器电路，其中图Ia为皮尔斯振荡器配置，用于机械式谐振
器件，如晶振和陶瓷谐振槽路。
图Ib为简单的RC反馈振荡器。
机械式谐振器与RC振荡器的主要区别
基于晶振与陶瓷谐振槽路（机械式）的振荡器通常能提供非常高的初始精度和较低的温度系数。
相对而言，RC振荡器能够快速启动，成本也比较低，但通常在整个温度和工作电源电压范围内精度较差，会在标称输出频率的5腕50%范围内变化。
图1所示
的电路能产生可靠的时钟信号，但其性能受环境条件和电路元件选择以及振荡器电路布局的影响。
需认真对待振荡器电路的元件选择和线路板布局。
在使用时，陶瓷谐振槽路和相应的
负载电容必须根据特定的逻辑系列进行优化。
具有高Q值的晶振对放大器的选择并不敏感，
但在过驱动时很容易产生频率漂移（甚至可能损坏）。
影响振荡器工作的环境因素有：
电磁干
扰（EMI）、机械震动与冲击、湿度和温度。
这些因素会增大输出频率的变化，增加不稳定性，
并且在有些情况下，还会造成振荡器停振。
振荡器模块
上述大部分问题都可以通过使用振荡器模块避免。
这些模块自带振荡器、提供低阻方波
输出，并且能够在一定条件下保证运行。
最常用的两种类型是晶振模块和集成硅振荡器。
晶
振模块提供与分立晶振相同的精度。
硅振荡器的精度要比分立RC振荡器高，多数情况下能
够提供与陶瓷谐振槽路相当的精度。
功耗
选择振荡器时还需要考虑功耗。
分立振荡器的功耗主要由反馈放大器的电源电流以及电路内部的电容值所决定。
CMo放大器功耗与工作频率成正比，可以表示为功率耗散电容值。
比如，HCo4反相器门电路的功率耗散电容值是90pF。
在4MHz5V电源下工作时，相当于1.
8mA的电源电流。
再加上20pF的晶振负载电容，整个电源电流为2.2mA。
陶瓷谐振槽路一般具有较大的负载电容，相应地也需要更多的电流。
相比之下，晶振模块一般需要电源电流为10mA至60mA
硅振荡器的电源电流取决于其类型与功能，范围可以从低频（固定）器件的几个微安到可
编程器件的几个毫安。
一种低功率的硅振荡器，如MAX7375工作在4MHz时只需不到2mA
的电流。
结论
在特定的微控制器应用中，选择最佳的时钟源需要综合考虑以下一些因素：
精度、成本、
功耗以及环境需求。
下表给出了几种常用的振荡器类型，并分析了各自的优缺点。
晶振的基本原理及特性
晶振一般采用如图Ia的电容三端式（考毕兹）交流等效振荡电路；实际的晶振交流等效电路如图1b，其中CV是用来调节振荡频率，一般用变容二极管加上不同的反偏电压来实现，这也是压控作用的机理；把晶体的等效电路代替晶体后如图Ic。
其中Co,C1,L1,RR是
晶体的等效电路。
分
析整个振荡槽路可知，利用CV来改变频率是有限的：
决定振荡频率的整个槽路电容
C=Cbe,Cce,Cv三个电容串联后和Co并联再和C1串联。
可以看
岀：
C1越小，Co越大，CV变化时对整个槽路电容的作用就越小。
因而能“压控”的频率范围也越小。
实际上，由于C1很小（1E-15量级），Co不能忽
略（1E-12量级，几PF）。
所以，CV变大时，降低槽路频率的作用越来越小，CV变小时，升
高槽路频率的作用却越来越大。
这一方面引起压控特性的非线
性，压控范围越大，非线性就越厉害；另一方面，分给振荡的反馈电压（Cbe上的电压）却
越来越小，最后导致停振。
采用泛音次数越高的晶振，其等效电容C1就越小；因此频率的变化范围也就越小。
晶振的指标
总频差：
在规定的时间内，由于规定的工作和非工作参数全部组合而引起的晶体振荡器频率与给定标称频率的最大偏差。
说明：
总频差包括频率温度稳定度、频率老化率造成的偏差、频率电压特性和频率负载特性等共同造成的最大频差。
一般只在对短期频率稳定度关心，而对其他频率稳定度指标不严格要求的场合采用。
例如：
精密制导雷达。
频率稳定度：
任何晶振，频率不稳定是绝对的，程度不同而已。
一个晶振的输岀频率随时间变化的曲线如图2。
图中表现岀频率不稳定的三种因素：
老化、飘移和短稳。
∣ΞI图片附件:
1∙jpg（2007-8-1109:
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v-γ~v-
工〒丄T
BcCv
EIl晶戡电跖及貝等效槽路
叵］图片附件：
2.jpg（2007-8-1109:
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发表于2007-8-1110:
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曲线1是用0.1秒测量一次的情况，表现了晶振的短稳；曲线3是用100秒测量一次的情况，表现了晶振的漂移；曲线4是用1天一次测量的情况。
表现了晶振的老化。
频率温度稳定度：
在标称电源和负载下，工作在规定温度范围内的不带隐含基准温度或带
隐含基准温度的最大允许频偏。
ft=±（fmax-fmin）∕（fmax+fmin）
ftref=±MAX[I（fmax-fref）∕fref∣,∣（fmin-fref）∕fref|]
ft:
频率温度稳定度（不带隐含基准温度）
ftref:
频率温度稳定度（带隐含基准温度）
fmax:
规定温度范围内测得的最高频率
fmin:
规定温度范围内测得的最低频率
fref:
规定基准温度测得的频率
说明：
采用ftref指标的晶体振荡器其生产难度要高于采用ft指标的晶体振荡器，故ftref
指标的晶体振荡器售价较高。
开机特性（频率稳定预热时间）：
指开机后一段时间（如5分钟）的频率到开机后另一段时
间（如1小时）的频率的变化率。
表示了晶振达到稳定的速度。
这指标对经常开关的仪器如频率计等很有用。
说明：
在多数应用中，晶体振荡器是
长期加电的，然而在某些应用中晶体振荡器需要频繁的开机和关机，这时频率稳定预热时
间指标需要被考虑到（尤其是对于在苛刻环境中使用的军用通讯电台，当要
求频率温度稳定度≤±0.3ppm（-45C〜85C）,采用OCXc作为本振，频率稳定预热时间将
不少于5分钟，而采用MCXO只需要十几秒钟）。
频
率老化率：
在恒定的环境条件下测量振荡器频率时，振荡器频率和时间之间的关系。
这种
长期频率漂移是由晶体元件和振荡器电路元件的缓慢变化造成的，因此，其
频率偏移的速率叫老化率，可用规定时限后的最大变化率（如±10ppb∕天，加电72小时后），
或规定的时限内最大的总频率变化（如：
±1ppm∕（第一
年）和±5ppm∕（十年））来表示。
晶体老化是因为在生产晶体的时候存在应力、污染物、残留气体、结构工艺缺陷等问题。
应力要经过一段时间的变化才能稳定，一种叫“应力补偿”的晶体切割方法（SC切割法）
使晶体有较好的特性。
污
染物和残留气体的分子会沉积在晶体片上或使晶体电极氧化，振荡频率越高，所用的晶体
片就越薄，这种影响就越厉害。
这种影响要经过一段较长的时间才能逐渐稳
定，而且这种稳定随着温度或工作状态的变化会有反复一一使污染物在晶体表面再度集中或分散。
因此，频率低的晶振比频率高的晶振、工作时间长的晶振比工作时间短的晶振、连续工作的晶振比断续工作的晶振的老化率要好。
说明：
TCXO勺频率老化率为：
±0.2PPm〜±2ppm（第一年）和
±IPPm^±5ppm（十年）（除特殊情况，TCXQf艮少采用每天频率老化率的指标，因为即使在实验室的条件下，温度变化引起的频率变化也将大大超过温
度补偿晶体振荡器每天的频率老化，因此这个指标失去了实际的意义）。
QCXQ勺频率老化
率为：
±0.5PPb~±10ppb/天（加电72小时后），±
30ppb~±2ppm（第一年），±0.3ppm~±3ppm（十年）。
短稳：
短期稳定度，观察的时间为1毫秒、10毫秒、100毫秒、1秒、10秒。
晶振的输岀频率受到内部电路的影响（晶体的Q值、元器件的噪音、电路的稳定性、工作状
态等）而产生频谱很宽的不稳定。
测量一连串的频率值后，用阿伦方程计算。
相位噪音也同样可以反映短稳的情况（要有专用仪器测量）。
重现性：
定义：
晶振经长时间工作稳定后关机，停机一段时间t1（如24小时），开机一段
时间t2（如4小时），测得频率f1,再停机同一段时间t1,再开机同一段时间t2,测得频率f2。
重现性=（f2-f1）∕f2。
频率压控范围：
将频率控制电压从基准电压调到规定的终点电压，晶体振荡器频率的最小峰值改变量。
说
明：
基准电压为+2.5V,规定终点电压为+0.5V和+4.5V,压控晶体振荡器在+0.5V频率控制电压时频率改变量为-2ppm,在+4.5V频率
控制电压时频率改变量为+2.1ppm,则VCXQfe压控制频率压控范围表示为：
≥±2ppm（2.5V±2V）,斜率为正，线性为+2.4%。
压控频率响应范围：
当调制频率变化时，峰值频偏与调制频率之间的关系。
通常用规定的调制频率比规定的调制基准频率低若干dB表示。
说明：
VCXO频率压控范围频率响应为0〜10kHz。
频率压控线性：
与理想（直线）函数相比的输岀频率-输入控制电压传输特性的一种量度，
它以百分数表示整个范围频偏的可容许非线性度。
说明：
典型的VCXC频率压控线性为：
≤±10%≤±20%简单的VCXOl率压控线性计算
方法为（当频率压控极性为正极性时）：
频率压控线性=±（（fmax-fmin）/f0）X100%
fmax:
VCXO⅛最大压控电压时的输出频率
fmin:
VCXO⅛最小压控电压时的输出频率
f0:
压控中心电压频率
单边带相位噪声£（f）:
偏离载波f处，一个相位调制边带的功率密度与载波功率之比。
输岀波形：
从大类来说，输岀波形可以分为方波和正弦波两类。
方波主要用于数字通信系统时钟上，对方波主要有输岀电平、占空比、上升/下降时间、驱
动能力等几个指标要求。
随
着科学技术的迅猛发展，通信、雷达和高速数传等类似系统中，需要高质量的信号源作为
日趋复杂的基带信息的载波。
因为一个带有寄生调幅及调相的载波信号（不
干净的信号）被载有信息的基带信号调制后，这些理想状态下不应存在的频谱成份（载波
中的寄生调制）会导致所传输的信号质量及数传误码率明显变坏。
所以作为
所传输信号的载体，载波信号的干净程度（频谱纯度）对通信质量有着直接的影响。
对于正弦波，通常需要提供例如谐波、噪声和输岀功率等指标。
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发表于2007-8-1110:
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晶振的分类
根据晶振的功能和实现技术的不同，可以将晶振分为以下四类：
1）恒温晶体振荡器（以下简称OCXo）
这类型晶振对温度稳定性的解决方案采用了恒温槽技术，将晶体置于恒温槽内，通过设置恒温工作点，使槽体保持恒温状态，在一定范围内不受外界温度影响，达到稳定输岀频率的效果。
这类晶振主要用于各种类型的通信设备，包括交换机、SDH专输设备、移动通信直放机、GPS接收机、
电台、数字电视及军工设备等领域。
根据用户需要，该类型晶振可以带压控引脚。
OCXO勺工作原
理如下图3所示：
图3恒温晶体振荡器原理框图
OCXO勺主要优点是，由于采用了恒温槽技术，频率温度特性在所有类型晶振中是最好的，由于电
路设计精密，其短稳和相位噪声都较好。
主要缺点是功耗大、体积大，需要5分钟左右的加热时
间才能正常工作等。
我公司生产的此类晶振的典型指标如下：
2）温度补偿晶体振荡器（以下简称TCXO）
其对温度稳定性的解决方案采用了一些温度补偿手段，主要原理是通过感应环境温度，将温度信息做适当变换后控制晶振的
输岀频率，达到稳定输岀频率的效果。
传统的TCXC是采用模拟器件进行补偿，随着补偿技术的发
展，很多数字化补偿大TCXO^始出现，这种数字化补偿的
TCXO又叫DTCXO用单片机进行补偿时我们称之为MCXO由于采用了数字化技术，这一类型的晶
振再温度特性上达到了很高的精度，并且能够适应更宽
的工作温度范围，主要应用于军工领域和使用环境恶劣的场合。
在广大研发人员的共同努力下，
我公司自主开发出了高精度的MCXO其设计原理和在世界范围都
是领先的，配以高度自动化的生产测试系统，其月产可以达到5000只，其设计原理如图4）
图4MCXO数字温补晶振原理框图这类型晶振的典型的应用指标如下:
3）普通晶体振荡器（SPXO）O这是一种简单的晶体振荡器，通常称为钟振，其工作原理为图3中去
除“压控”、“温度补偿”和“AGC部分，完全是由晶体的自由振荡完成。
这类晶振主要应用于稳定度要求不高的场合。
4）压控晶体振荡器（VCXO）O这是根据晶振是否带压控功能来分类，带压控输入引脚的一类晶振叫
VCXO以上三种类型的晶振都可以带压控端口。
團图片附件：
图3恒温晶体振荡器原理框图.jpg（2007-8-1110:
16,8.95K）
图片附件：
4.jpg（2007-8-1110:
16,15.74K）
额定频率:
IeMHI
12.SUHe
IOOMKT
输出波形：
正龛波/方波
正弦波
正弦液
杂散：
诜于OaBiIt
忧于亠TSaBm
忧于It
日老化率：
⅛E-10
±2E-9
压揑范围：
±7E-T
=^E-B
⅛E-6
温度穏定痕:
±lE-&
=t≤E-e
iSE-B
短稳:
IE-IVS
5E-11∕⅛
IE-Io/s
图片附件：
图4MCXC数字温补晶振原理框图.jpg（2007-8-1110:
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二!
图片附件：
5.jpg（2007-8-1110:
16,9.69K）
甑定频率：
—
64MHz
Q7.5ΞBMHz
输岀波形：
正弦波
正弦波
杂散：
忧于÷Γ5dB⅛
忧于-YSdEm
日老化率：
±IE~3
⅛E-θ
徽调范嵐:
⅛E-5
±lE-6
爲度稻定度：
±iE-a
±2E-ε
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发表于2007-8-1110:
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石英晶体振荡器的特点
石英晶体振荡器是高精度和高稳定度的振荡器，被广泛应用于彩电、计算机、遥控器等各类振荡电路中，以及通信系统中用于频率发生器、为数据处理设备产生时钟信号和为特定系统提供基准信号。
一、石英晶体振荡器的基本原理
1、石英晶体振荡器的结构
石
英晶体振荡器是利用石英晶体（二氧化硅的结晶体）的压电效应制成的一种谐振器件，它的基本构成大致是：
从一块石英晶体上按一定方位角切下薄片（简称为晶
片，它可以是正方形、矩形或圆形等），在它的两个对应面上涂敷银层作为电极，在每个电极上各焊一根引线接到管脚
上，再加上封装外壳就构成了石英晶体谐振器，简称为石英晶体或晶体、晶振。
其产品一般用金属外壳封装，也有用玻璃壳、陶瓷或塑料封装的。
下图是一种金属外
壳封装的石英晶体结构示意图。
2、压电效应
若在石英晶体的两个电极上加一电场，晶片就会产生机械变形。
反之，若在晶片的两侧施加机械压力，则在晶片相应的方向上将产生电场，这种物理现象称为压电效应。
如果在晶片的两极上加交变电压，晶片就会产生机械振动，同时晶片的机械振动又会产生
交变电场。
在一般情况下，晶片机械振动的振幅和交变电场的振幅非常微小，但当外加交变电压的频率为某一特定值时，振幅明显加大，比其他频率下的振幅大得
多，这种现象称为压电谐振，它与LC回路的谐振现象十分相似。
它的谐振频率与晶片的切割方式、几何形状、尺寸等有关。
3、符号和等效电路
石
英晶体谐振器的符号和等效电路如图2所示。
当晶体不振动时，可把它看成一个平板电容器称为
静电电容C,它的大小与晶片的几何尺寸、电极面积有关，一般约几
个PF到几十PFO当晶体振荡时，机械振动的惯性可用电感L来等效。
一般L的值为几十mH
到几百mH晶片的弹性可用电容C来等效，C的值很小，一般只有0.0002〜0.1pF。
晶片振动时因摩擦而造成的损耗用R来等效，它的数值约为
100Ω。
由于晶片的等效电感很大，而C很小，R也小，因此回路的品质因数Q很大，可达1000-
10000。
加上晶片本身的谐振频率基本上只与晶片的切
割方式、几何形状、尺寸有关，而且可以做得精确，因此利用石英谐振器组成的振荡电路可获得很高的频率稳定度。
4、谐振频率
从石英晶体谐振器的等效电路
可知，它有两个谐振频率，即
（1）当L、CR支路发生串联谐振时，它的等效阻抗最小（等于R）。
串联揩振频率用fs表示，石英晶体对于串联揩振频率fs
呈纯阻性，
（2）当频率高于fs时L、C、R支路呈感性，可与电容G发生并联谐振，其并联频率用fd表示。
根据石英晶体的等效电路，可定性画岀它的电抗一频率特性曲线如图2e所示。
可见当频率低于串联
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