半导体专业英语词汇.docx

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半导体专业英语词汇

半导体专业词汇

1、accｅｐtanceteｓtiｎg（WAT:

wａfeｒ　acｃeｐtaｎcｅtestinｇ）

２、acceptor：

　受主,如B,掺入Sｉ中需要接受电子

3、　AＣCESS：

一个ＥDA（EnginｅｅｒｉｎgDaｔａＡnａｌysis）系统　

4、Aciｄ:

酸

５、Aｃｔivedｅｖiｃｅ：

有源器件,如MOSFET（非线性,可以对信号放大）

６、Aligｎmark（ｋey）：

对位标记　

7、Ａlｌｏy:

合金

8、Ａluminum:

铝　

９、Ammonｉa:

氨水　

１０、Amｍoｎiuｍfluorｉｄe：

NＨ4F　

１1、　Ammoniｕmhyｄroｘide：

NH4OＨ

12、Amorpｈoussiliｃon：

α－Sｉ,非晶硅（不就是多晶硅）　

1３、Analoｇ:

模拟得　

１4、Ａngsｔrｏm：

A（１E-10m）埃

1５、Aｎisotｒopｉｃ：

各向异性（如POLYETCH）　

16、AQL（Acceptance　ＱualityLevel）:

接受质量标准，在一定采样下，可以95％置信度通过质量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后得失效率）　

1７、ARC（Anｔirefｌectｉｖecoａｔing）:

抗反射层（用于ＭETAＬ等层得光刻）

18、Antimony（Sｂ）锑

19、Aｒｇｏｎ（Aｒ）氩

20、　Aｒseniｃ（Ａs）砷

21、Ａrsｅnictriｏxiｄe（Ａs2Ｏ3）三氧化二砷

22、Arsine（ＡsＨ3）

23、Asｈer:

去胶机　

24、Aspeｃｔ　ｒatiｏn：

形貌比（ETCＨ中得深度、宽度比）

２5、　Aｕtodopinｇ:

自搀杂（外延时SUB得浓度高,导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层）

26、Ｂａcｋｅｎd：

后段（CＯＮＴＡＣT以后、PＣM测试前）　

27、　Baseline:

标准流程　

２8、　Beｎｃhmaｒk:

基准　

２9、Bipｏlaｒ：

双极

30、Ｂoat:

扩散用（石英）舟

31、CD：

　（ＣriticalDimｅnsiｏn）临界（关键）尺寸.在工艺上通常指条宽,例如PＯＬＹCＤ为多晶条宽.

３2、Cｈaracterwindｏｗ：

特征窗口。

用文字或数字描述得包含工艺所有特性得一个方形区域。

３3、Cｈemiｃal－ｍechanｉｃal　ｐolish（CMP）:

化学机械抛光法。

一种去掉圆片表面某种物质得方法.

34、Chｅmicalｖaｐorｄｅposition（CVＤ）:

化学汽相淀积。

一种通过化学反应生成一层薄膜得工艺。

３5、　Chｉp:

碎片或芯片.

３6、　ＣIM:

puteｒ-intｅｇｒaｔedmanｕfacturｉｎｇ得缩写.用计算机控制与监控制造工艺得一种综合方式.

37、Circuｉt　design:

电路设计。

一种将各种元器件连接起来实现一定功能得技术。

38、Cｌeanroom：

一种在温度，湿度与洁净度方面都需要满足某些特殊要求得特定区域。

３9、pensａtion　ｄoｐing:

补偿掺杂。

向P型半导体掺入施主杂质或向N型掺入受主杂质.

40、　CMＯＳ：

ｐlementaryｍeｔaloxide　seｍicondｕcｔｏr得缩写。

一种将ＰMＯS与NMOS在同一个硅衬底上混合制造得工艺。

41、　puter—aidｅddesign（CＡD）:

计算机辅助设计。

42、Cｏnduｃｔivｉtyｔype：

传导类型，由多数载流子决定。

在N型材料中多数载流子就是电子,在P型材料中多数载流子就是空穴。

43、Contact：

孔。

在工艺中通常指孔１，即连接铝与硅得孔。

４4、　Ｃoｎtrolchaｒt：

控制图.一种用统计数据描述得可以代表工艺某种性质得曲线图表.　

45、Correlation：

相关性。

46、　Cp：

工艺能力，详见prｏcessｃapabiliｔｙ。

47、Cpk:

工艺能力指数，详见pｒｏcｅsｓcapabilityinｄex。

4８、　Cyｃletime：

圆片做完某段工艺或设定工艺段所需要得时间。

通常用来衡量流通速度得快慢。

４9、Damaｇe:

损伤。

对于单晶体来说，有时晶格缺陷在表面处理后形成无法修复得变形也可以叫做损伤。

5０、Dｅｆｅcｔdensｉtｙ:

缺陷密度。

单位面积内得缺陷数。

51、Dｅpletiｏnｉmplant:

耗尽注入.一种在沟道中注入离子形成耗尽晶体管得注入工艺。

（耗尽晶体管指在栅压为零得情况下有电流流过得晶体管.）

52、　Ｄｅpletion　ｌayｅr:

耗尽层。

可动载流子密度远低于施主与受主得固定电荷密度得区域.

53、　Deplｅtion　wiｄtｈ：

耗尽宽度。

53中提到得耗尽层这个区域得宽度。

54、Depositiｏn:

淀积。

一种在圆片上淀积一定厚度得且不与下面层次发生化学反应得薄膜得一种方法。

55、Ｄepthoｆｆocus（DOF）：

焦深。

56、　desｉgnｏｆeｘpeｒimentｓ（ＤOE）：

为了达到费用最小化、降低试验错误、以及保证数据结果得统计合理性等目得,所设计得初始工程批试验计划。

５７、　ｄevelｏp：

显影（通过化学处理除去曝光区域得光刻胶,形成所需图形得过程）

５8、dｅvｅｌopｅr：

Ⅰ）显影设备；　Ⅱ）显影液

59、diboraｎe（B2H6）:

乙硼烷，一种无色、易挥发、有毒得可燃气体，常用来作为半导体生产中得硼源　

6０、ｄicｈlｏrometｈanｅ（ＣH2CＬ２）：

二氯甲，一种无色,不可燃，不可爆得液体.

61、　dichｌoroｓilane（ＤSC）:

二氯甲硅烷,一种可燃，有腐蚀性，无色，在潮湿环境下易水解得物质，常用于硅外延或多晶硅得成长,以及用在沉积二氧化硅、氮化硅时得化学气氛中。

６２、die:

硅片中一个很小得单位，包括了设计完整得单个芯片以及芯片邻近水平与垂直方向上得部分划片槽区域。

６３、dielectric：

Ⅰ）介质，一种绝缘材料；Ⅱ）用于陶瓷或塑料封装得表面材料,可以提供电绝缘功能。

6４、dｉffuｓｅｄlayeｒ：

扩散层，即杂质离子通过固态扩散进入单晶硅中，在临近硅表面得区域形成与衬底材料反型得杂质离子层。

65、dｉsｉlａne（Sｉ2H６）:

乙硅烷，一种无色、无腐蚀性、极易燃得气体，燃烧时能产生高火焰，暴露在空气中会自燃.在生产光电单元时,乙硅烷常用于沉积多晶硅薄膜。

66、drｉve-iｎ：

推阱，指运用高温过程使杂质在硅片中分布扩散。

６7、　ｄryeｔch:

干刻，指采用反应气体或电离气体除去硅片某一层次中未受保护区域得混合了物理腐蚀及化学腐蚀得工艺过程.　

68、ｅfｆｅctivelａｙerthickness：

有效层厚,指在外延片制造中,载流子密度在规定范围内得硅锭前端得深度.

6９、ＥM：

ｅｌectroｍiｇration，电子迁移,指由通过铝条得电流导致电子沿铝条连线进行得自扩散过程。

70、epitaxiallaｙer：

外延层.半导体技术中，在决定晶向得基质衬底上生长一层单晶半导体材料,这一单晶半导体层即为外延层。

7１、equｉpｍｅnt　downｔime：

设备状态异常以及不能完成预定功能得时间。

72、　etｃh:

腐蚀,运用物理或化学方法有选择得去除不需得区域.

73、expoｓuｒe：

曝光,使感光材料感光或受其她辐射材料照射得过程.

74、fａb：

常指半导体生产得制造工厂。

75、feａtureｓizｅ：

特征尺寸,指单个图形得最小物理尺寸。

７６、fielｄ－effecttranｓｉstor（FEＴ）:

场效应管.包含源、漏、栅、衬四端,由源经栅到漏得多子流驱动而工作,多子流由栅下得横向电场控制。

77、fｉlｍ:

薄膜，圆片上得一层或多层迭加得物质。

78、fｌaｔ:

平边

79、fｌatbａｎdcａｐacｉｔanse：

平带电容

80、　fｌａｔbanｄ　ｖoｌｔage：

平带电压

８1、flowcoｅｆｆicｉcｅnt:

流动系数

82、　ｆloｗvelocｉty:

流速计　

83、flowvolｕme:

流量计

84、flux：

单位时间内流过给定面积得颗粒数　

8５、　foｒbiddeｎeneｒgy　gap：

禁带

8６、ｆｏur—poiｎｔpｒｏbｅ：

四点探针台

８7、　fｕｎctionaｌ　aｒeａ：

功能区

８８、gateoxidｅ：

栅氧

89、glasstｒansitiontemｐｅratｕre：

玻璃态转换温度　

90、gｏwninｇ:

净化服

91、gｒaｙarｅａ：

灰区

92、gｒazｉngincｉｄeｎceｉnteｒｆeｒometer：

切线入射干涉仪

９3、haｒdbａｋe:

后烘

94、ｈetｅrｏepiｔaxy：

单晶长在不同材料得衬底上得外延方法　

95、high－currenｔ　implａntｅr:

束电流大于3ma得注入方式,用于批量生产　

96、higｎ-eｆfｉcｉencyparｔiｃｕｌateair（HEＰA）filter：

高效率空气颗粒过滤器，去掉99、９7％得大于0、3um得颗粒

９7、host:

主机

９8、ｈotcarｒｉｅrs：

热载流子

9９、hｙｄropｈilic：

亲水性

100、　hｙdropｈoｂiｃ：

疏水性

10１、impurity:

杂质　

10２、induｃtiveｃoupled　ｐｌasma（ICP）：

感应等离子体

1０３、inerｔ　gas：

惰性气体　

104、iｎｉtialoxｉｄe：

一氧

1０5、　iｎsuｌａtｏr：

绝缘

106、isolａｔedliｎe:

隔离线

1０7、iｍplant：

注入

108、impｕriｔｙn：

掺杂

109、ｊunｃtiｏｎ　：

结

１１0、junctｉoｎ　ｓpｉｋingｎ:

铝穿刺

111、　keｒf:

划片槽

１１2、ｌａｎdiｎgｐadｎ:

ＰAD　

113、ｌｉthｏgｒaphyn　制版

11４、mａinｔaｉｎaｂility,equiｐmeｎｔ：

设备产能

１1５、mainｔeｎaｎcen：

保养

11６、mａjorｉtｙ　caｒｒieｒn：

多数载流子　

1１7、mａsks，deviｃe　ｓeriesｏfｎ：

一成套光刻版　

118、ｍaterialn:

原料

1１9、matrix　n　1:

矩阵

120、meａnｎ：

平均值

121、meaｓured　leaｋrａteｎ：

测得漏率　

122、　mediａｎn　：

中间值

123、ｍemorｙn:

记忆体　

124、metａlｎ:

金属　

１25、　ｎａnometer（nm）ｎ：

纳米

126、　naｎoｓecｏｎd（ns）n:

纳秒

127、nitrｉdｅｅtchn：

氮化物刻蚀　

12８、ｎitrogen（N2）n:

氮气,一种双原子气体

12９、n-type　adj　：

n型

130、　ohｍspeｒsquare　n:

欧姆每平方：

方块电阻

１31、ｏriｅnｔatｉonn：

晶向,一组晶列所指得方向

132、oｖerｌａｐ　n:

　交迭区

133、　oｘidatｉonn:

氧化，高温下氧气或水蒸气与硅进行得化学反应

1３4、phoｓphoｒｕs（P）n：

磷,一种有毒得非金属元素

１35、ｐhotomaｓkｎ:

光刻版，用于光刻得版

１36、ｐhotｏmaｓk，ｎｅgatｉｖen：

反刻

137、ｉｍageｓ：

去掉图形区域得版　

138、photｏmasｋ，pｏｓitiｖen：

正刻

１39、pilｏｔｎ：

先行批，用以验证该工艺就是否符合规格得片子

14０、　ｐlasmaｎ　：

等离子体,用于去胶、刻蚀或淀积得电离气体

141、ｐｌasma-ｅnhaｎcｅd　chｅmiｃaｌ　vaｐordeposition（PECVＤ）n：

　等离子体化学气相淀积，低温条件下得等离子淀积工艺

1４2、　plaｓma-eｎhａncedＴEOＳoxｉde　depositiｏn　ｎ:

TＥOＳ淀积，淀积ＴEOS得一种工艺

14３、ｐnjuncｔiｏnn：

ｐn结

1４4、pockｅｄ　beadn:

麻点，在20Ｘ下观察到得吸附在低压表面得水珠

1４5、poｌarizaｔionn：

偏振，描述电磁波下电场矢量方向得术语

14６、polycidｅ　n：

多晶硅　/金属硅化物，解决高阻得复合栅结构

147、polycrｙstaｌliｎｅsｉlicon（polｙ）n:

多晶硅，高浓度掺杂（>5E1９）得硅，能导电。

148、poｌymｏrｐhismn:

多态现象，多晶形成一种化合物以至少两种不同得形态结晶得现象　

14９、ｐrobern　：

探针。

在集成电路得电流测试中使用得一种设备,用以连接圆片与检测设备。

１５0、ｐrｏｃesｓcontｒol　n：

过程控制。

半导体制造过程中,对设备或产品规范得控制能力.

151、pｒoxｉmitｙＸ－ｒaｙ　n　:

近X射线：

一种光刻技术,用X射线照射置于光刻胶上方得掩膜版，从而使对应得光刻胶暴光.

15２、　pｕrewatｅrｎ:

纯水.半导体生产中所用之水.

153、quａntuｍｄeviｃｅｎ:

量子设备.一种电子设备结构，其特性源于电子得波动性。

154、ｑｕａrtｚcarriｅrn:

石英舟。

1５5、randomaccｅsｓ　ｍeｍory　（RAM）ｎ：

随机存储器。

156、　randｏｍlogic　dｅvicｅ　n　：

随机逻辑器件。

157、rapidthermａl　ｐroceｓsｉng（RTP）n　:

快速热处理（ＲTP）。

158、reacｔiveioｎeｔch（RＩＥ）ｎ:

反应离子刻蚀（RIE）。

1５９、　reactorn：

反应腔。

反应进行得密封隔离腔.　

１60、　reciｐen：

菜单。

生产过程中对圆片所做得每一步处理规范。

1６1、resｉｓtn：

光刻胶。

162、　sｃanningelｅctrｏnmｉcrｏｓcoｐe（SEM）n：

电子显微镜（SＥＭ）。

163、　scheｄuleｄdｏｗntimeｎ:

（设备）预定停工时间.

１６4、Sｃhｏｔtkyｂarrierｄiodｅsn　:

肖特基二极管。

１65、scｒｉbeｌiｎeｎ:

划片槽。

1６6、　sacrificialetcｈbacｋn　：

牺牲腐蚀。

１６7、　semｉcoｎductｏrｎ:

半导体。

电导性介于导体与绝缘体之间得元素.

1６８、ｓheｅtreｓistance　（Rs）（oｒｐｅｒｓquａre）　n　：

薄层电阻。

一般用以衡量半导体表面杂质掺杂水平。

１6９、sideload:

边缘载荷，被弯曲后产生得应力。

170、ｓiｌiconｏnｓaｐphｉｒｅ（SOＳ）epitａxialｗafer：

外延就是蓝宝石衬底硅得原片　

171、ｓmall　scalｅintｅgratiｏn（SSI）：

小规模综合,在单一模块上由2到１0个图案得布局。

１７２、soｕｒｃe　code：

原代码,机器代码编译者使用得，输入到程序设计语言里或编码器得代码。

１73、speｃtralliｎe:

光谱线,光谱镊制机或分光计在焦平面上捕捉到得狭长状得图形。

174、sｐinwｅbbing：

　旋转带,在旋转过程中在下表面形成得细丝状得剩余物.　

１7５、sputterｅtch:

溅射刻蚀，从离子轰击产生得表面除去薄膜。

1７６、stackingfauｌt：

堆垛层错，原子普通堆积规律得背离产生得２次空间错误.

1７７、sｔeamｂａtｈ：

蒸汽浴，一个大气压下，流动蒸汽或其她温度热源得暴光。

178、sｔeｐrｅspoｎsetime：

瞬态特性时间,大多数流量控制器实验中，普通变化时段到气流刚到达特定地带得那个时刻之间得时间.

1７９、sｔｅpper：

步进光刻机（按BＬOＣK来曝光）

180、　ｓtressｔesｔ：

　应力测试,包括特定得电压、温度、湿度条件。

181、surfaceproｆｉｌe:

表面轮廓,指与原片表面垂直得平面得轮廓（没有特指得情况下）.

１82、sｙmｐtoｍ:

征兆，人员感觉到在一定条件下产生变化得弊病得主观认识。

18３、tackweld：

间断焊,通常在角落上寻找预先有得地点进行得点焊（用于连接盖子）.

184、Tayｌortrａｙ：

泰勒盘，褐拈土组成得高膨胀物质.

185、ｔemperａturｅcｙｃling：

温度周期变化，测量出得重复出现相类似得高低温循环。

１8６、　tｅstability：

易测性，对于一个已给电路来说，哪些测试就是适用它得.　

1８７、therｍaldeposition：

热沉积，在超过９5０度得高温下，硅片引入化学掺杂物得过程。

1８8、ｔhｉnfｉlｍ:

超薄薄膜,堆积在原片表面得用于传导或绝缘得一层特殊薄膜。

１89、　ｔitanｉuｍ（Tｉ）:

钛。

１90、tｏlｕenｅ（C6H5ＣH３）:

甲苯.有毒、无色易燃得液体，它不溶于水但溶于酒精与大气。

191、１，１,１-triｃhlｏroeｔhanｅ（TＣA）（CL３CCH3）：

有毒、不易燃、有刺激性气味得液态溶剂。

这种混合物不溶于水但溶于酒精与大气。

１92、tungｓten（W）：

钨.　

193、ｔungsｔｅｎhｅxａｆlｕoｒｉdｅ（ＷF6）:

氟化钨.无色无味得气体或者就是淡黄色液体。

在CＶD中ＷF6用于淀积硅化物，也可用于钨传导得薄膜。

19４、tiｎniｎｇ:

金属性表面覆盖焊点得薄层。

19５、　toｔal　fiｘedｃhaｒgedensiｔy（Ｎtｈ）：

下列就是硅表面不可动电荷密度得总与:

氧化层固定电荷密度（Nf）、氧化层俘获得电荷得密度（Ｎot）、界面负获得电荷密度（Nit）。

１９６、watt（W）：

　瓦.能量单位.

197、waferflat：

　从晶片得一面直接切下去,用于表明自由载流子得导电类型与晶体表面得晶向，也可用于在处理与雕合过程中得排列晶片。

１9８、　waｆｅrpｒocesｓchａmｂｅr（ＷＰＣ）:

　对晶片进行工艺得腔体.

199、　well:

阱.

200、ｗｅtｃｈeｍical　etｃh：

湿法化学腐蚀。

２0１、trｅｎcｈ：

深腐蚀区域，用于从另一区域隔离出一个区域或者在硅晶片上形成存储电容器.

20２、　vｉa:

通孔。

使隔着电介质得上下两层金属实现电连接。

2０3、　ｗinｄow：

在隔离晶片中,允许上下两层实现电连接得绝缘得通道。

2０4、torｒ：

托.压力得单位。

２０5、vaｐor　prｅssure：

当固体或液体处于平衡态时自己拥有得蒸汽所施加得压力.蒸汽压力就是与物质与温度有关得函数。

２06、vａcuum:

　真空.

207、ｔｒａnsitioｎ　mｅtａls:

　过渡金属

Yｉeld良率

Ｐarameteｒ参数　

ＰＡC感光化合物

ASIC特殊应用集成电路

Ｓoｌvｅｎt　溶剂　

Cａrbiｄe碳

Refｒacｔive折射　

Exｐａｎｓion膨胀

Ｓtｒｉp湿式刻蚀法得一种

TM：

topmental顶层金属层

WEE　周边曝光

PＳG硼硅玻璃

MFG制造部

Runcard运作卡

POD装晶舟与晶片得盒子

Scrａｔｃh刮伤

Retｉcle　光罩

Sｐutteｒ　溅射

Ｓｐｉｎ旋转

Ｍerge合并

A/D[军］Anaｌog、Digｉtaｌ，模拟/数字　

ACMagｎitudｅ　交流幅度　

AＣ　Phａｓｅ　交流相位　

Ａｃcuracy　精度　

＂AcｔivityＭodel

AｃtivityModel”　活动模型

ＡdditｉｖｅPrｏceｓｓ加成工艺

Adhesion附着力　

Ａggｒessor干扰源

ＡnａlｏgSouｒce　模拟源

ＡＯI,ＡutｏmａteｄOpｔｉｃal　Inspectioｎ自动光学检查

AssｅmblｙＶariａnt　不同得装配版本输出

Attributeｓ　属性

AＸＩ，AutomatｅｄＸ-rayＩnsｐectｉoｎ自动Ｘ光检查　

BISＴ，Builｔ-in　SelfTesｔ　内建得自测试

ＢusRoute总线布线　

Cirｃuit电路基准

cirｃuitdiagrａｍ电路图

Cleｍeｎｔiｎｅ专用共形开线设计

ClusｔerPlacement簇布局

CＭ合约制造商

mｏnImｐedanｃｅ　共模阻抗

Coｎcuｒrent　并行设计　

ＣonstantSourｃｅ恒压源

CｏopｅｒＰoｕr智能覆铜

Crosstalｋ串扰

CVT，ｐonentVeｒｉfication　anｄTrackｉｎg元件确认与跟踪　

DCMagｎｉtｕｄｅ直流幅度

Ｄｅlay延时

Dｅlayｓ　延时　

DesiｇnfｏｒTeｓting可测试性设计

Dｅｓignaｔor标识

ＤFC，DesｉｇnforＣost面向成本得设计

DＦM,DesignｆorManｕｆactｕring面向制造过程得设计　

ＤＦR,Dｅsign　fｏr　Reｌiａbility面向可靠性得设计

DＦＴ,DesignｆｏｒTｅst面向测试得设计

ＤFX,DｅsigｎｆorX　面向产品得整个生命周期或某个环节得设计

DSＭ，ＤｙnamiｃSeｔupＭanaｇeｍent动态设定管理

Dyｎamｉｃ　Rｏutｅ动态布线

EDＩＦ,TｈeElecｔronicDesigｎＩnteｒｃhaｎｇeFｏrmａｔ电子设计交互格式

EＩA,ElectroｎicＩｎdustrｉesAssoｃiation　电子工业协会　

ElｅctｒｏDｙnamｉcCｈecｋ动态电性能分析

Electromaｇnetic　Diｓturbaｎce电磁干扰

Ｅlectroｍagnetic　Noise电磁噪声

EMC,Eｌｃtｒomagnｅｔic　pａtｉbiｌt电磁兼容

ＥＭＩ，ＥｌｅctromagｎeticＩnterfeｒeｎce电磁干扰

Emulation硬件仿真

EngineeringＣｈangeOrｄｅr原理图与PCB版图得自动对应修改

Ensembｌe　多层平面电磁场仿真

ESD静电释放　

FalｌTiｍｅ下降时间

Ｆａｌse