海力士命名规则范文word版 17页.docx
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海力士命名规则范文word版17页
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海力士命名规则
篇一：
Hynix海力士FLASH命名规则
Hynix海力士H27XXXXXXXXX-XX
（1）HYNIX
（2）PRODUCTFAMILY
（4）POWERSUPPLY（VCC）
（8）NANDCLASSIFICATION
（7）ORGANIZATION
（14）BADBLOCK
（11）PACKAGETYPE2:
Flash
S:
SLC+SingleDie+SmallBlockA:
SLC+DoubleDie+SmallBlockB:
SLC+QuadrupleDie+SmallBlockF:
SLC+SingleDie+LargeBlockG:
SLC+DoubleDie+LargeBlockH:
SLC+QuadrupleDie+LargeBlockJ:
SLC+ODP+LargeBlockK:
SLC+DSP+LargeBlockT:
MLC+SingleDie+LargeBlockU:
MLC+DoubleDie+LargeBlockV:
MLC+QuadrupleDie+LargeBlockW:
MLC+DSP+LargeBlockY:
MLC+ODP+LargeBlockC:
IncludedBadBlockE:
1~5BadBlockIncludedM:
AllGoodBlockI:
TSOP1B:
WSOP
S:
USOP
P:
LSOP1T:
FBGA
V:
LGA
S:
WLGA
N:
VLGA
F:
ULGA
X:
WaferM:
PGD1（chip）Y:
KGD
U:
PGD2
W:
1st
C:
2nd
K:
3rd
D:
4th
M
A
B
C
（5）,（6）DENSITY
1:
1nCE&1R/nB;SequentialRowReadEnable2:
1nCE&1R/nB;SequentialRowReadDisable4:
2nCE&2R/nB;SequentialRowReadEnable5:
2nCE&2R/nB;SequentialRowReadDisableD:
DualInterface;SequentialRowReadDisableF:
4nCE&4R/nB;SequentialRowReadDisable
篇二：
现代闪存命名规则
PartNumberSystemChangeNotice
EffectivefromAugust6,201X,amoreconcisepartnumberingsystemisutilizedby
Hynixwiththeintentionofmanagingproductlinewithmoreconsistency.
DevicesdevelopedafterAugust201XandtheirrespectiveproductswillbeReferto
thefollowingpagesformoredetails.（/pn_notice.jsp）
PartNumberwithprefix?
HY?
->OldPartNumberDecoderLink
PartNumberwithprefix?
H?
->NewPartNumberDecoderLink
‘H’PartNumberLastUpdated:
XX
S:
SLC+SingleDie+SmallBlockA:
SLC+DoubleDie+SmallBlockB:
SLC+QuadrupleDie+SmallBlockF:
SLC+SingleDie+LargeBlockG
:
SLC+DoubleDie+LargeBlockH
:
SLC+QuadrupleDie+LargeBlockJ:
SLC+ODP+LargeBlockK
:
SLC+DSP+LargeBlock
T
:
MLC+SingleDie+LargeBlockU:
MLC+DoubleDie+LargeBlockV:
MLC+QuadrupleDie+LargeBlockW:
MLC+DSP+LargeBlockY
:
MLC+ODP+LargeBlock
1:
1nCE&1R/nB;SequentialRowReadEnable2:
1nCE&1R/nB;SequentialRowReadDisable4:
2nCE&2R/nB;SequentialRowReadEnable5:
2nCE&2R/nB;SequentialRowReadDisableD:
DualInterface;SequentialRowReadDisableF
:
4nCE&4R/nB;SequentialRowReadDisable
‘HY’PartNumberLast
（7）MODE
12456789DFT
:
1nCE&1R/nB;SequentialRowReadEnable:
1nCE&1R/nB;SequentialRowReadDisable:
2nCE&2R/nB;SequentialRowReadEnable
:
2nCE&2R/nB;SequentialRowReadDisable
:
1nCE&1R/nB;SequentialRowReadEnable&AutoReadPage0
:
2nCE&2R/nB;SequentialRowReadEnable&AutoReadPage0
MABC12
:
1stGen.:
2ndGen.:
3rdGen.:
4thGen.
:
DownDensity（1st）:
DownDensity（2nd）
:
1nCE&1R/nB;SequentialRowReadDisable&AutoReadPage0
:
2nCE&2R/nB;SequentialRowReadDisable&AutoReadPage0
:
DualInterface;SequentialRowReadDisable:
4nCE&4R/nB;SequentialRowReadDisable:
3nCE&3R/nB;SequentialRowReadDisable
篇三：
FLASH命名规则
今天找三星闪存资料,发现了他的命名规则,发上来与大家分享下.
三星的purenandflash（就是不带其他模块只是nandflash存储芯片）的命名规则如下：
1.Memory（K）
2.NANDFlash:
9
3.SmallClassification
（SLC:
SingleLevelCell,MLC:
MultiLevelCell,
SM:
SmartMedia,S/B:
SmallBlock）
1:
SLC1ChipXDCard
2:
SLC2ChipXDCard
4:
SLC4ChipXDCard
A:
SLC+MuxedI/FChip
B:
MuxedI/FChip
D:
SLCDualSM
E:
SLCDUAL（S/B）
F:
SLCNormal
G:
MLCNormal
H:
MLCQDP
J:
Non-MuxedOneNand
K:
SLCDieStack
L:
MLCDDP
M:
MLCDSP
N:
SLCDSP
Q:
4CHIPSM
R:
SLC4DIESTACK（S/B）
S:
SLCSingleSM
T:
SLCSINGLE（S/B）
U:
2STACKMSP
V:
4STACKMSP
W:
SLC4DieStack
4~5.Density（注：
实际单位应该是bit，而不是Byte）
12:
512M
16:
16M
28:
128M
32:
32M
40:
4M
56:
256M
64:
64M
80:
8M
1G:
1G
2G:
2G
4G:
4G
8G:
8G
AG:
16G
BG:
32G
CG:
64G
DG:
128G
00:
NONE
6~7.organization
00:
NONE
08:
x8
16:
x16
8.Vcc
A:
1.65V~3.6V
B:
2.7V（2.5V~2.9V）
C:
5.0V（4.5V~5.5V）
D:
2.65V（2.4V~2.9V）
E:
2.3V~3.6V
R:
1.8V（1.65V~1.95V）
Q:
1.8V（1.7V~1.95V）
T:
2.4V~3.0V
U:
2.7V~3.6V
V:
3.3V（3.0V~3.6V）
W:
2.7V~5.5V,3.0V~5.5V
0:
NONE
9.Mode
0:
Normal
1:
DualnCE&DualR/nB
4:
QuadnCE&SingleR/nB
5:
QuadnCE&QuadR/nB
9:
1stblockOTP
A:
MaskOption1
L:
Lowgrade
10.Generation
M:
1stGeneration
A:
2ndGeneration
B:
3rdGeneration
C:
4thGeneration
D:
5thGeneration
11."─"
12.Package
A:
COB
B:
TBGA
C:
CHIPBIZ
D:
63-TBGA
E:
TSOP1（Lead-Free,1217）
F:
WSOP（Lead-Free）
G:
FBGA
H:
TBGA（Lead-Free）
I:
ULGA（Lead-Free）
J:
FBGA（Lead-Free）
K:
TSOP1（1217）
L:
LGA
M:
TLGA
N:
TLGA2
P:
TSOP1（Lead-Free）
Q:
TSOP2（Lead-Free）
R:
TSOP2-R
S:
SMARTMEDIA
T:
TSOP2
U:
COB（MMC）
V:
WSOP
W:
WAFER
Y:
TSOP1
13.Temp
C:
Commercial
I:
Industrial
S:
SmartMedia
B:
SmartMediaBLUE
0:
NONE（ContainingWafer,CHIP,BIZ,Exception
handlingcode）
3:
WaferLevel3
14.BadBlock
A:
AppleBadBlock
B:
IncludeBadBlock
D:
DaisychainSample
K:
SandiskBin
L:
1~5BadBlock
N:
ini.0blk,add.10blk
S:
AllGoodBlock
0:
NONE（ContainingWafer,CHIP,BIZ,Exception
handlingcode）
15.NAND-Reserved
0:
Reserved
16.PackingType
-Commontoallproducts,exceptofMaskROM
-DividedintoTAPE&REEL（InMaskROM,dividedintoTRAY,AMMOPackingSeparately）
K9GAG08U0M详细信息如下:
1.Memory（K）
2.NANDFlash:
9
3.SmallClassification
（SLC:
SingleLevelCell,MLC:
MultiLevelCell,
SM:
SmartMedia,S/B:
SmallBlock）
G:
MLCNormal
4~5.Density
AG:
16G（Note:
这里单位是bit而不是byte，因此实际大小是16Gb=2GB）
6.Technology
0:
Normal（x8）
7.Organization
0:
NONE8:
x8
8.Vcc
U:
2.7V~3.6V
9.Mode
0:
Normal
10.Generation
M:
1stGeneration
11."─"
12.Package
P:
TSOP1（Lead-Free）
13.Temp
C:
Commercial
14.CustomerBadBlock
B:
IncludeBadBlock
15.Pre-ProgramVersion
0:
None
整体描述就是：
K9GAG08U0M是，三星的MLCNandFlash，工作电压为2.7V~3.6V，x8（即I/O是8位），大小是2GB（16Gb），TSOP1封装。
Hynix海力士
H27XXXXXXXXX-XX
（1）HYNIX
（2）PRODUCTFAMILY
（4）POWERSUPPLY（VCC）
（8）NANDCLASSIFICATION
（7）ORGANIZATION
（14）BADBLOCK
（11）PACKAGETYPE
2:
Flash
S:
SLC+SingleDie+SmallBlock
A:
SLC+DoubleDie+SmallBlock
B:
SLC+QuadrupleDie+SmallBlock
F:
SLC+SingleDie+LargeBlock
G:
SLC+DoubleDie+LargeBlock
H:
SLC+QuadrupleDie+LargeBlock
J:
SLC+ODP+LargeBlock
K:
SLC+DSP+LargeBlock
T:
MLC+SingleDie+LargeBlock
U:
MLC+DoubleDie+LargeBlock
V:
MLC+QuadrupleDie+LargeBlock
W:
MLC+DSP+LargeBlock
Y:
MLC+ODP+LargeBlock
C:
IncludedBadBlock
E:
1~5BadBlockIncluded
M:
AllGoodBlock
I:
TSOP1
B:
WSOP
S:
USOP
P:
LSOP1
T:
FBGA
V:
LGA
S:
WLGA
篇四：
现代内存颗粒型号命名
GM,代表LGS产品.
72,代表SDRAM.
66,代表64M
8,代表8bit位宽
4,代表4个芯片
T,代表TSOP2封装
75,代表133MHZ
内存条一般都有标注大小，如果没有就要看颗粒的编号了，给个你看看：
samsung内存
例：
samsungk4h280838b-tcb0
第1位——芯片功能k，代表是内存芯片。
第2位——芯片类型4，代表dram。
第3位——芯片的更进一步的类型说明，s代表sdram、h代表ddr、g代表sgram。
第4、5位——容量和刷新速率，容量相同的内存采用不同的刷新速率，也会使用不同的编号。
64、62、63、65、66、67、6a代表64mbit的容量；28、27、2a代表128mbit的容量；56、55、57、5a代表256mbit的容量；51代表512mbit的容量。
第6、7位——数据线引脚个数，08代表8位数据；16代表16位数据；32代表32位数据；64代表64位数据。
第11位——连线“-”。
第14、15位——芯片的速率，如60为6ns；70为7ns；7b为7.5ns（cl=3）；7c为7.5ns（cl=2）；80为8ns；10为10ns（66mhz）。
知道了内存颗粒编码主要数位的含义，拿到一个内存条后就非常容易计算出它的容量。
例如一条三星ddr内存，使用18片samsungk4h280838b-tcb0颗粒封装。
颗粒编号第4、5位“28”代表该颗粒是128mbits，第6、7位“08”代表该颗粒是8位数据带宽，这样我们可以计算出该内存条的容量是128mbits（兆数位）×16片/8bits=256mb（兆字节）。
注：
“bit”为“数位”，“b”即字节“byte”，一个字节为8位则计算时除以8。
关于内存容量的计算，文中所举的例子中有两种情况：
一种是非ecc内存，每8片8位数据宽度的颗粒就可以组成一条内存；另一种ecc内存，在每64位数据之后，还增加了8位的ecc校验码。
通过校验码，可以检测出内存数据中的两位错误，纠正一位错误。
所以在实际计算容量的过程中，不计算校验位，具有ecc功能的18片颗粒的内存条实际容量按16乘。
在购买时也可以据此判定18片或者9片内存颗粒贴片的内存条是ecc内存。
hynix（hyundai）现代
现代内存的含义：
hy5dv641622at-36
hyxxxxxxxxxxxxxxxx
123456789101112
1、hy代表是现代的产品
2、内存芯片类型：
（57=sdram，5d=ddrsdram）；
3、工作电压：
空白=5v，v=3.3v,u=2.5v
4、芯片容量和刷新速率：
16=16mbits、4kref；64=64mbits、8kref；65=64mbits、4kref；128=128mbits、8kref；129=128mbits、4kref；256=256mbits、16kref；257=256mbits、8kref
5、代表芯片输出的数据位宽：
40、80、16、32分别代表4位、8位、16位和32位
6、bank数量：
1、2、3分别代表2个、4个和8个bank，是2的幂次关系
7、i/o界面：
1:
sstl_3、2:
sstl_2
8、芯片内核版本：
可以为空白或a、b、c、d等字母，越往后代表内核越新
9、代表功耗：
l=低功耗芯片，空白=普通芯片
10、内存芯片封装形式：
jc=400milsoj，tc=400miltsop-ⅱ，td=13mmtsop-ⅱ，tg=16mmtsop-ⅱ
11、工作速度：
55:
183mhz、5:
200mhz、45:
222mhz、43:
233mhz、4:
250mhz、33:
300nhz、l:
ddr200、h:
ddr266b、k:
ddr266a
现代的mbga封装的颗粒
infineon（英飞凌）
infineon是德国西门子的一个分公司，目前国内市场上西门子的子公司infineon生产的内存颗粒只有两种容量：
容量为128mbits的颗粒和容量为256mbits的颗粒。
编号中详细列出了其内存的容量、数据宽度。
infineon的内存队列组织管理模式都是每个颗粒由4个bank组成。
所以其内存颗粒型号比较少，辨别也是最容易的。
hyb39s128400即128mb/4bits，“128”标识的是该颗粒的容量，后三位标识的是该内存数据宽度。
其它也是如此，如：
hyb39s128800即128mb/8bits；hyb39s128160即128mb/1
6bits；hyb39s256800即256mb/8bits。
infineon内存颗粒工作速率的表示方法是在其型号最后加一短线，然后标上工作速率。
-7.5——表示该内存的工作频率是133mhz；
-8——表示该内存的工作频率是100mhz。
例如：
1条kingston的内存条，采用16片infineon的hyb39s128400-7.5的内存颗粒生产。
其容量计算为：
128mbits（兆数位）×16片/8=256mb（兆字节）。
1条ramaxel的内存条，采用8片infineon的hyb39s128800-7.5的内存颗粒生产。
其容量计算为：
128mbits（兆数位）×8片/8=128mb（兆字节）。
kingmax、kti
kingmax内存的说明
kingmax内存都是采用tinybga封装（tinyballgridarray）。
并且该封装模式是专利产品，所以我们看到采用kingmax颗粒制作的内存条全是该厂自己生产。
kingmax内存颗粒有两种容量：
64mbits和128mbits。
在此可以将每种容量系列的内存颗粒型号列表出来。
容量备注：
ksva44t4a0a——64mbits，16m地址空间×4位数据宽度；
ksv884t4a0a——64mbits，8m地址空间×8位数据宽度；
ksv244t4xxx——128mbits，32m地址空间×4位数据宽度；
ksv684t4xxx——128mbits，16m地址空间×8位数据宽度；
ksv864t4xxx——128mbits，8m地址空间×16位数据宽度。
kingmax内存的工作速率有四种状态，是在型号后用短线符号隔开标识内存的工作速率：
-7a——pc133/cl=2；
-7——pc133/cl=3；
-8a——pc100/cl=2；
-8——pc100/cl=3。
例如一条kingmax内存条，采用16片ksv884t4a0a-7a的内存颗粒制造，其容量计算为：
64mbits（兆数位）×16片/8=128mb（兆字节）。
micron（美光）
以mt48lc16m8a2tg-75这个编号来说明美光内存的编码规则。
含义：
mt——micron的厂商名称。
48——内存的类型。
48代表sdram；46代表ddr。
lc——供电电压。
lc代表3v；c代表5v；v代表2.5v。
16m8——内存颗粒容量为128mbits，计算方法是
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